JP3031060B2 - 電子部品のボンディングヘッド装置及び電子部品のボンディング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子部品のボンディング
ヘッド装置及び電子部品のボンディング方法に係り、詳
しくは、ボンディング荷重の設定を容易にするととも
に、吸着部が電子部品に接触した際に電子部品が破損し
ないようにした手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】リードフレームにダイを実装するダイボ
ンディング工程は、次のように行われる。すなわち、リ
ードフレームを搬送レール上に位置決めし、このリード
フレームにディスペンサなどによりボンドを塗布する。
一方、ウェハから所定形状にカットされた電子部品をエ
ジェクタにより突き上げ、ボンディングヘッド装置を下
降させて、この突き上げられた電子部品をこのボンディ
ングヘッド装置の吸着部により吸着し、この装置を上昇
させることによりピックアップする。そして、上記リー
ドフレーム側へ移送し、再度ボンディングヘッド装置を
下降させ、上記吸着部に吸着されている電子部品をリー
ドフレームに実装し、この装置を上昇させるようになっ
ている。このように、ボンディングヘッド装置は、ダイ
ボンディング工程の１ストロークにおいて、少なくとも
２回（エジェクタにより突き上げられた電子部品をピッ
クアップするときと、ピックアップした電子部品をリー
ドフレームに実装するとき）の昇降動作を行っている。

【０００３】ここで図８は、従来のボンディングヘッド
装置の例示図である。図８において、ＬＦはリードフレ
ーム、Ｂはボンド、Ｐは電子部品であり、１１０はボン
ディングヘッド装置の支持機構、１２０は、上部がこの
支持機構１１０に対して昇降可能に支持され、下部に電
子部品Ｐを吸着する吸着部１２２を有する可動機構、１
３０はこの支持機構１１０をＸＹＺθ方向に移動させる
移動手段である。

【０００４】そして、この可動機構１２０は、吸着ノズ
ル１２２ａ、このノズル１２２ａの下部に取り付けられ
るダイコレット１２２ｂ、このノズル１２２ａの上部に
連結される昇降ロッド１２１からなる。

【０００５】また、支持機構１１０は、ホルダ１１１、
このホルダ１１１内に設けられ、かつ昇降ロッド１２１
を昇降自在に支持するガイドブシュ１１２，１１３から
なる。

【０００６】またＫは、上端部がホルダ１１１の下部
に、下端部がノズル１２２ａの上部に、それぞれ取り付
けられるボンディング荷重設定用ばねである。このよう
に、従来手段においては、ＸＹＺθ方向に移動する移動
手段１３０による押し下げ力が一定であるとすると、ボ
ンディングヘッド装置が、電子部品をリードフレームに
押し付けるボンディング荷重は、このばねＫのみにより
設定されるものであった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイボンデ
ィングの分野においても、多品種少量生産が行われるに
至っており、大小様々な電子部品がボンディングされて
いる。

【０００８】ここで電子部品のサイズが大きければ、接
触面積が大となり、多量のボンドを要するので、大きな
ボンディング荷重をかけてしっかりボンディングする必
要がある。逆に小さな電子部品では、電子部品の破損を
防止するため、小さなボンディング荷重が必要になる。
このように電子部品のサイズなどが異なると、適切なボ
ンディング荷重が相違するので、ボンディング荷重の設
定変更を行うことが多い。

【０００９】ところが従来手段のように、ばねＫのみに
よりボンディング荷重の設定を行うと、この設定変更の
都度ばねＫを交替しなければならず、種々のばねＫを準
備しておく必要があるばかりでなく、その交替時にはダ
イボンディング工程全体を停止する必要があるので、作
業歩留が低下するという問題点がある。

【００１０】また可動機構１２０は、ばねＫにより支持
機構１１０に支持されている。そして図８（ｂ）に示す
ように、ホルダ１１１が、下降して最下降位置に至る
際、次に述べるような現象を起こすことがある。

【００１１】すなわち、ホルダ１１１が下降する際、そ
の下向きの加速度により、可動機構１２０に上向きの慣
性力が作用し、ばねＫは自然長よりも縮んだ状態にあ
る。

【００１２】そして、ホルダ１１１が、最下降位置に至
り停止すると、上記上向きの加速度が０となり、可動機
構１２０に慣性力が作用しなくなる。したがって、ばね
Ｋが上記縮んだ状態から解放され、振動（伸縮）を起こ
す。

【００１３】その結果、可動機構１２０の下部に位置す
る吸着部１２２が、上昇（同図（ｃ））及び下降（同図
（ｂ））を繰り返し（ジャンピング現象）、デリケート
な電子部品Ｐを破損するおそれがあった。

【００１４】そして、最近ボンディングを高速化するた
め、上記加速度，慣性力は、ますます大きくなってい
る。したがって、ばねＫのばね定数が小さいと、上記振
動（伸縮）の振幅が大きくなり、一層上記ジャンピング
現象が顕著になっていた。

【００１５】そこで、従来手段においては、このジャン
ピング現象を抑制すべく、ばねＫのばね定数を大きくし
ていた。このように、ばね定数を大きくすれば、上記振
幅は小さくなる。しかしながら、このようにしても、ば
ね定数と振幅の積（吸着ノズル１２２ａが電子部品Ｐに
及ぼす力）を減殺することはできず、電子部品Ｐを破損
し易いという上記問題点を解決できるものではなかっ
た。

【００１６】なお図８は、ボンディングヘッド装置の上
記２回の昇降動作のうち、ピックアップされた電子部品
をリードフレームに実装する状態を示しているが、エジ
ェクタにより突き上げられた電子部品をピックアップす
る際にも、上述と同様の問題点がある。

【００１７】そこで本発明は、部品交換を行わずにボン
ディング荷重の設定変更を行うことができ、しかも電子
部品を破損しにくい手段を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は、支持機構と、
上部がこの支持機構に対して昇降可能に支持され、かつ
下部に電子部品を吸着する吸着部を有する可動機構を備
え、前記支持機構に設けられる受動素子と、この受動素
子に設定値に基づいて前記可動機構を、前記支持機構に
対して押し下げる外力を印加する制御手段とを有して、
ボンディングヘッド装置を構成する。

【００１９】また、吸着部が最下降しようとする際に、
可動機構を支持機構に押し付ける外力を弱めるものであ
る。

【００２０】

【作用】上記構成によれば、制御手段における設定値に
より可動機構を押し下げる外力が決定される。したがっ
て、ボンディング荷重の設定変更を行うにあたっては、
この設定値を変更すればよく、何ら部品を交換する必要
がない。しかも、吸着部が最下降しようとする際に、可
動機構を押し下げる外力を減少させることにより、電子
部品に過大なショックが加わらないようにして、電子部
品の破損を防止することができる。

【００２１】

【実施例】次に図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。

【００２２】図１（ａ）は本発明の一実施例に係るボン
ディングヘッド装置及びこの装置を用いたダイボンディ
ング装置の斜視図、図１（ｂ）は同移動手段（Ｚθ方
向）の要部分解図、図２は同ボンディングヘッド装置の
組立図、図３は同縦断面図、図４は制御手段の回路図、
図５は最下降しようとする際の同ボンディングヘッド装
置の縦断面図、図６は同動作説明図、図７は他の実施例
に係るボンディングヘッド装置の縦断面図である。

【００２３】さて図１及び図２に示すように、このボン
ディング装置は、支持機構１０，可動機構２０の他に、
支持機構１０をＹＺθ方向に移動させる移動手段３０、
支持機構１０に設けられる受動素子ＤＰと、この受動素
子ＤＰに設定値に基づいて可動機構２０を、支持機構１
０に対して、押し下げる外力を印加する制御手段４０と
を有するものである。

【００２４】１はヘッド部であり、電子部品供給部とし
てのウエハＷ上の電子部品Ｐを吸着する吸着部２２（後
述するようにコレット型のノズルなどからなる）を有し
ている。ＬＦはこの電子部品Ｐが搭載されるリードフレ
ームなどの基板（以下単にリードフレームという）であ
る。

【００２５】まず、この支持機構１０の移動手段３０に
ついて、図１を参照しながら説明する。

【００２６】３１１はリニアモータからなる第１のダイ
レクトモータであって、水平なガイド３１２と、このガ
イド３１２上をスライドするスライダ３１３を有してお
り、上記ヘッド部１はこのスライダ３１３に装着され
て、横方向Ｙに移動する。３１４はガイド３１２に設け
られたコイル、３１５，３１６はスライダ３１３の下面
に設けられたヨークとマグネットである。スライダ３１
３には空気受を構成するエア孔（図外）が穿設されてお
り、ガイド３１２上をわずかに浮上して、横方向Ｙに移
動する。

【００２７】図１（ｂ）において、３２１はヘッド部１
に設けられたリニアモータからなる第２のダイレクトモ
ータである。３２２はヨークであり、シャフト３が挿着
されており、このシャフト３の下部に、上記支持機構１
０が連結される。そして、この支持機構１０に可動機構
２０が昇降可能に支持され、この可動機構２０の下端部
に吸着部２２が設けられている。上記ヨーク３２２は円
板形であって、その周面にマグネット３２３が装着され
ており、更にその外側にコイル３２４が設けられてい
る。したがって、コイル３２４に通電すると、シャフト
３及び支持機構１０は上下方向Ｚに上下動し、支持機構
１０が上下動するにつれ、可動機構２０及びその下端部
の吸着部２２はウエハＷ上の電子部品Ｐのピックアップ
動作や、リードフレームＬＦへの電子部品Ｐの搭載動作
を行なう。

【００２８】３３１はリニアモータからなる第３のダイ
レクトモータであって、マグネット３３２，コア３３
３，コイル３３４を備えている。上記シャフト３にはス
プライン４が装着されており、このスプライン４は、マ
グネット３３２の中心部を昇降自在に貫通している。コ
イル３３４に通電すると、シャフト３及び支持機構１０
はその軸心を中心にθ方向に回転する。

【００２９】この移動手段３０は、上記のような構成よ
りなり、次にこの手段３０の動作の説明を行なう。

【００３０】第１のダイレクトモータ３１１を駆動し
て、ヘッド部１をウエハＷの真上に移動させる。つい
で、第２のダイレクトモータ３２１を駆動して吸着部２
２を昇降させ、ウエハＷ上の電子部品Ｐを吸着してピッ
クアップする。ついで、第１のダイレクトモータ３１１
を駆動して、ヘッド部１をリードフレームＬＦの真上へ
移動させ、第２のダイレクトモータ３２１を駆動して、
この電子部品ＰをリードフレームＬＦに搭載する。上記
動作中に、第３のダイレクトモータ３３１を駆動するこ
とにより、シャフト３及び支持機構１０をθ回転させ、
吸着部２２や電子部品Ｐの回転角度を設定する。

【００３１】ここで、電子部品Ｐに塵埃が付着するのを
避けるために、ダイボンディングはクリーンルームにお
いて行なわれるが、従来手段においては、上記移動手段
に、タイミングベルト、ボールねじなどが多用されてい
た。したがって、従来手段では、これらタイミングベル
トなどの駆動に伴う機械的摩擦により、発塵し、金属
粉、ベルト粉、グリース粉が飛散して、クリーンルーム
のクリーン度が低下し易いものであった。

【００３２】これに対し、本手段では、タイミングベル
ト、ボールねじなどはまったく使用しないので、ダイレ
クトモータ３１１，３２１，３３１の負荷はきわめて小
さく、動作の高速化が可能となるだけでなく、機械的摩
擦による発塵を生ずることもなく、クリーンルームのク
リーン度が低下しないようにすることができる。

【００３３】すなわち本実施例に係る移動手段は、ヘッ
ド部と、このヘッド部を横方向に往復移動させる第１の
ダイレクトモータとを備え、また上記ヘッド部が、下方
に吸着部を有する、支持機構を上下動させる第２のダイ
レクトモータと、この支持機構をθ回転させる第３のダ
イレクトモータとを備えている。

【００３４】なお、本手段は、ウエハＷ上の電子部品Ｐ
を位置ずれ補正ステージに移載し、ここで電子部品Ｐの
ＸＹθ方向の位置ずれを補正した後、ヘッド部１でこの
電子部品Ｐをピックアップし、リードフレームＬＦに搭
載する方式のダイボンディングにも適用できる。

【００３５】次に、図２を参照しながら、支持機構１０
などの詳細な構造を説明する。さて支持機構１０のう
ち、１１はすりばち状のホルダであり、このホルダ１１
の上部中央には大径の凹部１１ａが凹設されており、こ
の凹部１１ａと同軸的に上記凹部１１よりも小径の円孔
１１ｂが連設されている。また１１ｃは凹部１１ａに連
通する大気開放孔であり、１１ｄは垂直に設けられる雌
ねじ部である。そして、ガイドブシュ１６が上記円孔１
１ｂに嵌込まれ、後述する昇降ロッド２１が、このガイ
ドブシュ１６により、ホルダ１１に対し昇降自在に支持
される。

【００３６】１２はホルダ１１に載るダイヤフラムケー
スであり、中央にダイヤフラムプレート２３（後述）の
ボス部２３ｂよりも大径の円孔１２ａが開設されてい
る。１２ｂはこのケース１２の上記円孔１２ａの外周側
に凹設された円溝であり、ダイヤフラムＤＰの周縁肉厚
部ＤＰａが、この円溝１２ｂに嵌込まれるようになって
いる。１２ｃは上記雌ねじ部１１ｄと符合する位置に開
設された透孔、１２ｄは上記ホルダ１１の凹部１１ａの
内周縁上部と係合する段差部である。

【００３７】１３は蓋状のダイヤフラムケースであり、
このケース１３は上記ケース１２の上に載るものであ
る。１３ａはこのケース１３のボス部、１３ｂは同フラ
ンジ部であり、ボス部１３の中央には円孔１３ｃが開設
され、フランジ部１３ｂの上記透孔１２ｃと符合する位
置に、透孔１３ｄが開設されている。この円孔１３ｃに
は、配管１５の縮径部１５ａが嵌合され、透孔１３ｄ，
１２ｃにボルト１４の雄ねじ部１４ａが挿通されるとと
もに、この雄ねじ部１４ａが、ホルダ１１の雌ねじ部１
１ｄに螺合されるようになっている。

【００３８】さて可動機構２０のうち、２２は吸着部で
あり、そのうち２２ａは吸着ノズルであって、図外の吸
引系に接続され、２２ｂはこのノズル２２ａの下部に取
り付けられるダイコレットである。また２１はこのノズ
ル２２ａの上部に連結される昇降ロッド、２１ａはこの
ロッド２１の縮径部である。

【００３９】２３はダイヤフラムプレートであり、２３
ａはこのプレート２３の中央を貫通する円孔であり、こ
の円孔２３ａに昇降ロッド２１の縮径部２１ａが嵌合さ
れ、昇降ロッド２１とダイヤフレームプレート２３が、
連結される。また２３ｂは、このプレート２３のボス部
であり、このボス部２３ｂに本実施例の受動素子である
ダイヤフラムＤＰが周接する。２３ｃは、このプレート
２３のフランジ部であり、このフランジ部２３ｃの下面
が、上記凹部１１ａの底面と接することにより、可動機
構２０（ダイヤフレームプレート２３、昇降ロッド２１
及び吸着部２２）の下降が制限される。

【００４０】またＤＰは、受動素子の例であるダイヤフ
ラムであり、このダイヤフラムＤＰの周縁肉厚部ＤＰａ
を上記円溝１２ｂに嵌込み、ホルダ１１、ダイヤフラム
ケース１２，１３を、ボルト１４により結合する。する
と、図３に示すように、ダイヤフラムプレート２３に接
するダイヤフラムＤＰにより、ホルダ１１及びダイヤフ
ラムケース１３の間の空間が、配管１５の流路１５ｂに
連通する第１の空間Ｓ１と、大気に開放された第２の空
間Ｓ２に分けられる。そして、上記第１の空間Ｓ１に
は、制御手段４０の出力（圧縮空気）が、配管１５を介
して供給され、この出力がダイヤフラムＤＰを押し付け
る押し下げ力の如何により、可動機構２０（２１，２
２，…）が支持機構１０（１１，１２，１３）に対して
昇降するものである。

【００４１】次に制御手段４０について、図４を参照し
ながら詳説する。図４中、ＡＳは圧縮空気源、Ｖは真空
ポンプなどの真空部である。

【００４２】また、ＲＨは圧縮空気源ＡＳに接続される
高圧設定用レギュレータであり、出力圧力は１kg／ｍ²
前後で一定とする。ＲＬは、単動可変式アクチュエータ
による低圧設定用レギュレータであり、この低圧設定用
レギュレータＲＬは、上記レギュレータＲＨの出力部に
接続され、高圧設定用レギュレータＲＨの出力圧力を、
２５６分割程度に細かく分割した低圧とすることができ
る。なお図４中Ｈは高圧部、Ｌは低圧部を示している。

【００４３】ＳＶ１は、高圧・低圧切換用の第１の３ポ
ート電磁切換弁であり、この第１の切換弁ＳＶ１のＰポ
ートは、低圧設定用レギュレータＲＬの出力部に、Ｒポ
ートは、高圧設定用レギュレータＲＨの出力部に、それ
ぞれ接続される。ＳＶ２は負圧・正圧切換用の第２の３
ポート電磁切換弁であり、この第２の切換弁ＳＶ２のＰ
ポートは真空部Ｖに、Ｒポートは上記第１の切換弁ＳＶ
１のＡポートに接続され、この第２の切換弁ＳＶ２のＡ
ポートは、配管１５を介して上記ダイヤフラムＤＰの上
面側に位置する第１の空間Ｓ１に連通する。

【００４４】そして図４（ａ）のように、第１及び第２
の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２の双方を消磁すると、第１の空
間Ｓ１に、高圧設定用レギュレータＲＨの出力部から第
１及び第２の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２のＲポート，Ａポー
トを介して、高圧Ｈの圧縮空気が供給され、ダイヤフラ
ムＤＰが大きな押し下げ力により下方へ押し付けられ
る。すると、図３に示すように、ダイヤフラムプレート
２３の下面が、ホルダ１１の凹部１１ａの底面と接し、
吸着部２２は、ホルダ１１などの支持機構１０に対し、
最も下降した位置にある。

【００４５】この状態から図４（ｂ）に示すように、第
１及び第２の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２の双方を励磁する
と、真空部Ｖが、第２の切換弁ＳＶ２のＰポート、Ａポ
ートを介して、上記第１の空間Ｓ１に連通する。する
と、この空間Ｓ１内の圧力が急激に低下し、上記押し下
げ力も急速に小さくなり、吸着部２２は、支持機構１０
に対し自由に昇降できるようになる。

【００４６】そして図４（ｃ）に示すように、第１の切
換弁ＳＶ１を励磁し、第２の切換弁ＳＶ２を消磁する
と、低圧設定用レギュレータＲＬの出力部が、第１の切
換弁ＳＶ１のＰポート、Ａポート及び第２の切換弁ＳＶ
２のＲポート、Ａポートを介して、上記第１の空間Ｓ１
に連通する。すると、低圧Ｌの圧縮空気が供給され、ダ
イヤフラムＤＰが比較的小さな押し下げ力により下方へ
押される。本手段では、この低圧設定用レギュレータＲ
Ｌの設定値により、ボンディング荷重を適切に設定する
ものである（図５参照）。

【００４７】上記第１実施例は、上述のような構成より
なり、次に図６を参照しながらこのボンディングヘッド
装置によるボンディング方法を説明する。図６において
横軸は時刻ｔである。また縦軸は、図６（ａ）において
リードフレームＬＦの上面から電子部品Ｐの下面までの
高さ、同図（ｂ）において可動部２０の速度、同図
（ｃ），（ｄ）において切換弁ＳＶ１，ＳＶ２の励磁・
消磁状態、同図（ｅ）において第１の空間Ｓ１の圧力
（ダイヤフラムＤＰによる押し下げ力に比例する）を示
している。

【００４８】さて時刻ｔ０〜ｔ１において、第１，第２
の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２の双方を消磁しておき、空間Ｓ
１内の圧力を高圧Ｈに保ったまま、移動手段３０を駆動
して（図１参照）、高速度で支持機構１０及び可動機構
２０を下降させる。この状態では、図３に示すように、
吸着部２２に吸着されている電子部品Ｐは、リードフレ
ームＬＦのかなり上方にあるので、高速度で下降させて
も破損のおそれはなく、ダイヤフラムプレート２３の下
面が、凹部１１ａの底面に押付られているので、吸着部
２２などの可動機構２０は、ホルダ１１などの支持機構
１０と一体的に下降する。

【００４９】次に時刻ｔ１〜ｔ２において、第１，第２
の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２の双方を励磁し、空間Ｓ１を真
空部Ｖに連通させ、上記高圧Ｈの状態から急速に圧力及
び上記押圧力を低下させる。このように真空部Ｖへ連通
させるのは、空間Ｓ１内の圧力低下を迅速に行い、応答
速度を向上するためである。

【００５０】次に時刻ｔ２〜ｔ３において、第２の切換
弁ＳＶ２のみ消磁し、空間Ｓ１を低圧Ｌの状態に保つ。
ここで図５に示すように、時刻ｔ３で電子部品Ｐが、リ
ードフレームＬＦに接地する。このときに、電子部品Ｐ
及び吸着部２２が、リードフレームＬＦから反力を受け
る。しかし、空間Ｓ１内が低圧Ｌになっているので、、
可動機構２０を支持機構１０に押付ける外力が弱められ
ている。したがって、可動機構２０は、支持機構１０に
対しわずかに上昇することができる。よってこの反力
は、小さくしかもスムーズに吸収され、電子部品Ｐをリ
ードフレームＬＦに静かに接地させることができる。

【００５１】したがって、従来のばねＫのみによる手段
のように、電子部品ＰがリードフレームＬＦに接地した
後、吸着部２２が上下にはげしく振動（ジャンピング現
象）し、電子部品Ｐを破損するようなことはない。

【００５２】次に時刻ｔ３〜ｔ４において、図４（ｅ）
実線で示すように空間Ｓ１内の圧力を低圧Ｌに保つか、
あるいはこれではボンディング荷重が不足である場合に
は、低圧設定用レギュレータＲＬを駆動して、低圧側の
圧力を次第に上昇させてもよい（破線参照）。これによ
り、電子部品ＰをリードフレームＬＦにしっかりボンデ
ィングすることができる。

【００５３】そして時刻ｔ４〜ｔ５〜ｔ６において、第
１，第２の切換弁ＳＶ１，ＳＶ２を消磁し、空間Ｓ１内
の圧力を高圧Ｈに保ち、移動手段３０を駆動して、支持
機構１０及び可動機構２０を上昇させるものである。

【００５４】さて、図７は他の実施例に係るボンディン
グヘッド装置の縦断面図である。この例では、受動素子
ＤＰX を、電磁石２９及び磁性体から形成されたプレー
ト２３X としている。また制御手段を、この電磁石２９
の励磁状態を制御する制御手段５０としている。

【００５５】そして、移動手段３０を駆動して、吸着部
２２により吸着された電子部品Ｐが、リードフレームＬ
Ｆに接地しようとする際、制御手段５０を駆動して、プ
レート２３X と電磁石２９を同極性とし、プレート２３
X と電磁石２９を反発させる。これにより、電子部品Ｐ
がリードフレームＬＦから受ける反力の影響を小さくし
て、電子部品Ｐが破損しないようにしたものである。ま
た、電子部品ＰがリードフレームＬＦに静かに接地した
後、制御手段５０によりプレート２３X と電磁石２９を
異極性とし、十分なボンディング荷重を得られるように
したものである。

【００５６】なお本手段の受動素子は、上記ダイヤフラ
ムＤＰ、電磁石２９などに限られるものではなく、例え
ばダイヤフラムとこのダイヤフラムを付勢するばねの組
み合わせなど、種々考えられるものである。

【００５７】

【発明の効果】本発明は、支持機構と、上部がこの支持
機構に対して昇降可能に支持され、かつ下部に電子部品
を吸着する吸着部を有する可動機構を備え、前記支持機
構に設けられる受動素子と、この受動素子に設定値に基
づいて前記可動機構を、前記支持機構に対して押し下げ
る外力を印加する制御手段とを有して、ボンディングヘ
ッド装置を構成している。したがって、制御手段におけ
る設定変更により、部品交換を伴うことなく円滑にボン
ディング荷重の変更を行うことができる。また吸着部が
最下降しようとする際の外力を小さくすることにより、
電子部品に及ぶショックを小さくして、電子部品の破損
を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るボンディング装置の説明図

【図２】本発明に係るボンディングヘッド装置の組立図

【図３】本発明に係る縦断面図

【図４】本発明に係る制御手段の回路図

【図５】本発明に係る最下降しようとする際の縦断面図

【図６】本発明に係る動作説明図

【図７】本発明に係る縦断面図

【図８】従来手段の縦断面図

【符号の説明】

ＤＰ 受動素子 ＤＰX 受動素子 Ｐ 電子部品 １０ 支持機構 ２０ 可動機構 ２２ 吸着部 ４０ 制御手段 ５０ 制御手段

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】支持機構と、上部がこの支持機構に対して
   昇降可能に支持され、かつ下部に電子部品を吸着する吸
   着部を有する可動機構を備えたボンディングヘッド装置
   において、 前記支持機構に設けられる受動素子と、この受動素子に
   設定値に基づいて前記可動機構を、前記支持機構に対し
   て押し下げる外力を印加する制御手段とを有することを
   特徴とする電子部品のボンディングヘッド装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載のボンディングヘッド装置
   によりボンディングを行うにあたり、 吸着部が最下降しようとする際に、可動機構を支持機構
   に押し下げる外力を弱めることを特徴とする電子部品の
   ボンディング方法。