JP3023745B2 - Sputtering equipment using sheet plasma - Google Patents
Sputtering equipment using sheet plasmaInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、シート状プラズマを用
いたスパッタリング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus using a sheet plasma.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近、この種のスパッタリング装置とし
て、プラズマ源として作用する陰極によって発生された
円柱状のプラズマをプラズマ成形室に設けられた永久磁
石によって、シート状にし、このシート状プラズマをス
パッタリング室に設けられた陽極に導く形式のシートプ
ラズマ装置が提案されている（例えば、特開昭６３−２
２３１７１号）。2. Description of the Related Art Recently, as a sputtering apparatus of this type, a columnar plasma generated by a cathode serving as a plasma source is formed into a sheet by a permanent magnet provided in a plasma forming chamber, and the sheet plasma is sputtered. There has been proposed a sheet plasma apparatus of a type in which the sheet plasma apparatus is guided to an anode provided in a chamber (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-2).
No. 23171).
【０００３】より具体的にいえば、このシートプラズマ
装置では、スパッタリング室内に、シート状プラズマを
挟むように、スパッタされるべき物質によって形成され
たターゲットと、ターゲットからスパッタされた物質を
被着するするための基板とが互いに対向して設けられて
いる。この装置では、実際にスパッタリングを行ってい
る間、ターゲットには、バイアス電圧を印加することに
より、ターゲットを広い範囲に亘ってスパッタすること
ができ、結果として、広い範囲に亘って基板上に成膜で
きるという利点を有している。More specifically, in this sheet plasma apparatus, a target formed of a substance to be sputtered and a substance sputtered from the target are deposited in a sputtering chamber so as to sandwich the sheet-like plasma. Substrates are provided to face each other. In this apparatus, the target can be sputtered over a wide range by applying a bias voltage to the target during actual sputtering, and as a result, the target can be formed over a wide range on the substrate. It has the advantage of being able to form a film.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような構成を備え
たシートプラズマ装置では、ターゲット及び陽極近傍に
おいて均一なシート状プラズマを生成しても、一旦、タ
ーゲットにバイアス電圧を印加してスパッタリングを行
うと、シート状プラズマがターゲットと陽極間において
プラズマ密度が大きくなるという現象が見られ、均一な
厚さを有する膜を成膜できない場合が多いという欠点が
あった。In a sheet plasma apparatus having such a structure, even if uniform sheet-like plasma is generated in the vicinity of the target and the anode, sputtering is performed by once applying a bias voltage to the target. Then, a phenomenon that the plasma density of the sheet-like plasma increases between the target and the anode is observed, and there is a disadvantage that a film having a uniform thickness cannot be formed in many cases.
【０００５】本発明の課題は、シート状プラズマの上記
プラズマ密度のアンバランスの原因を究明し、プラズマ
密度のアンバランスを防止することにより均一な厚さを
有する膜を成膜できるスパッタリング装置を提供するこ
とである。An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus capable of forming a film having a uniform thickness by investigating the cause of the imbalance in the plasma density of the sheet-like plasma and preventing the imbalance in the plasma density. It is to be.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、シート
状プラズマのプラズマ密度のアンバランスの原因が電圧
を印加されたターゲットと陽極との間における電界の乱
れによるものであることを見出だし、ターゲットと陽極
との間の電界をターゲットの陰極側の電界と実質上同じ
状態にすることにより、シート状プラズマのプラズマ密
度のアンバランスを防止できるスパッタリング装置が得
られる。According to the present invention, it has been found that the cause of the imbalance in the plasma density of the sheet-like plasma is due to the disturbance of the electric field between the voltage-applied target and the anode. By setting the electric field between the target and the anode to be substantially the same as the electric field on the cathode side of the target, it is possible to obtain a sputtering apparatus capable of preventing imbalance in the plasma density of the sheet-like plasma.
【０００７】より具体的に言えば、本発明では、陰極か
らスパッタリング室に設置された陽極に向けてシート状
プラズマを発生させると共に、前記スパッタリング室に
は、ターゲット並びに基板を前記シート状プラズマを挟
むように対向させて配置したスパッタリング装置におい
て、前記ターゲットの直下領域からは外れた位置であっ
て前記ターゲット近くの陰極側及び陽極側の少なくとも
陽極側に配置され、前記シート状プラズマの近くでその
幅方向に延在する緩衝電極を備えたことを特徴とする。More specifically, according to the present invention, a sheet-like plasma is generated from a cathode toward an anode provided in a sputtering chamber, and a target and a substrate are sandwiched between the sputtering chamber and the sheet-like plasma.
In a sputtering apparatus arranged so as to face each other, a position deviated from a region immediately below the target is set.
At least on the cathode side and the anode side near the target, and close to the sheet-like plasma.
It is characterized by including a buffer electrode extending in the width direction .
【０００８】[0008]
【作用】本発明においては、ターゲットの陰極側と陽極
側における電界がスパッタリング中、実質上同一に保た
れるため、シート状プラズマの状態はターゲットの陰極
側においても、陽極側においても変化しない。したがっ
て、シート状プラズマはターゲットの陽極側で、プラズ
マ密度のアンバランスによるスパッタリングの不均一性
も防止できる。In the present invention, since the electric field on the cathode side and the anode side of the target is maintained substantially the same during sputtering, the state of the sheet-like plasma does not change on the cathode side or the anode side of the target. Therefore, the non-uniformity of the sputtering of the sheet-like plasma due to the imbalance of the plasma density on the anode side of the target can be prevented.
【０００９】[0009]
【実施例】図１を参照すると、本発明の一実施例に係る
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置は、プラ
ズマ源として動作する陰極部１１を備え、この陰極部１
１は円柱状のプラズマを発生する。陰極部１１には、円
柱状プラズマをシート状に成形するシートプラズマ成形
室１２が開口部を介して接続されている。陰極部１１と
シートプラズマ成形室１２との間には、２つの中間電極
部１３が設けられており、これらの中間電極部１３によ
って、陰極部１１からのプラズマは陰極部より引き出さ
れる。この例では、シートプラズマ成形室１２の外側に
永久磁石（この例では上下１組として２組）１４が配置
されており、この永久磁石１４によって形成される磁場
により、円筒状プラズマはシート状プラズマ１０に成形
される。結果として、プラズマは図の表面に対して垂直
方向に広がり、シート状プラズマ１０を形成する。この
場合、プラズマの一部は、図示するように、永久磁石１
４によってシートプラズマ成形室１２の内壁の方向に吸
引され広がる。Referring to FIG. 1, a sputtering apparatus using a sheet-like plasma according to an embodiment of the present invention includes a cathode unit 11 operating as a plasma source.
1 generates a columnar plasma. A sheet plasma forming chamber 12 for forming columnar plasma into a sheet is connected to the cathode section 11 through an opening. Two intermediate electrode sections 13 are provided between the cathode section 11 and the sheet plasma forming chamber 12, and the plasma from the cathode section 11 is extracted from the cathode section by these intermediate electrode sections 13. In this example, a permanent magnet (two sets as an upper and lower set in this example) 14 is disposed outside the sheet plasma forming chamber 12, and the cylindrical plasma is converted into a sheet-like plasma by a magnetic field formed by the permanent magnet 14. It is molded into 10. As a result, the plasma spreads perpendicular to the surface of the figure, forming a sheet-like plasma 10. In this case, a part of the plasma is, as shown in FIG.
4 attracts and spreads in the direction of the inner wall of the sheet plasma forming chamber 12.
【００１０】シートプラズマ成形室１２からのシート状
プラズマ１０は、スリット状の開口部を備えた中間電極
部１５を介して、スパッタリングを行うスパッタリング
室１６に導かれる。スパッタリング室１６内には、シー
ト状プラズマを受けることができるように、図の表面に
対して垂直方向に延びる陽極部１７が設けられている。The sheet plasma 10 from the sheet plasma forming chamber 12 is guided to a sputtering chamber 16 for performing sputtering via an intermediate electrode section 15 having a slit-shaped opening. An anode portion 17 extending in a direction perpendicular to the surface of the drawing is provided in the sputtering chamber 16 so as to receive a sheet-like plasma.
【００１１】また、スパッタリング室１６内の陽極部１
７前方、即ち、陽極部１７に対して陰極部１１側位置に
は、シート状プラズマを挟んで対向するように、ターゲ
ット部１８と、成膜されるべき基板を搭載したテーブル
１９とが設置されている。The anode 1 in the sputtering chamber 16
A target unit 18 and a table 19 on which a substrate on which a film is to be formed are mounted are provided in front of the unit 7, that is, at a position on the side of the cathode unit 11 with respect to the anode unit 17, with the sheet-shaped plasma being interposed therebetween. ing.
【００１２】更に、スパッタリング室１６の外側には、
スパッタリング室１６の陰極側と陽極側とにそれぞれ、
一対の外部磁場発生用の大径コイル２０が備えられてお
り、これらの大径コイル２０による磁場によって、シー
ト状プラズマ１０は陽極部１７方向に導かれている。Further, outside the sputtering chamber 16,
On the cathode side and the anode side of the sputtering chamber 16, respectively,
A pair of large-diameter coils 20 for generating an external magnetic field is provided, and the sheet-like plasma 10 is guided toward the anode unit 17 by the magnetic field generated by these large-diameter coils 20.
【００１３】図示されているように、ターゲット部１８
には、バイアス電源２１によって、負のバイアス電圧が
スパッタリング室１６に対して印加されている。また、
スパッタリング室１６、シートプラズマ成形室１２、並
びに、２つの中間電極部１３は、それぞれ外部抵抗Ｒ１
〜Ｒ４を介して、主放電電源２２の＋側に接続されてい
る。中間電極部１５は陽極部１７と同電位になってい
る。As shown in FIG.
, A negative bias voltage is applied to the sputtering chamber 16 by the bias power supply 21. Also,
The sputtering chamber 16, the sheet plasma forming chamber 12, and the two intermediate electrode portions 13 each have an external resistance R 1.
To the positive side of the main discharge power supply 22 through R4. The intermediate electrode section 15 has the same potential as the anode section 17.
【００１４】図１において、ターゲット部１８近くの陰
極側及び陽極側には、緩衝電極２５が設けられている。
具体的には、図示されたターゲット部１８は緩衝電極２
５によって外周を囲まれている。更に、図１の緩衝電極
２５はシート状プラズマ１０を挟んで、ターゲット部１
８と対称なシート状プラズマ１０の下側位置にも設けら
れている。In FIG. 1, buffer electrodes 25 are provided on the cathode side and the anode side near the target section 18.
Specifically, the illustrated target portion 18 is a buffer electrode 2
5 surrounds the outer periphery. Further, the buffer electrode 25 shown in FIG.
8 is also provided at a lower position of the sheet-like plasma 10 symmetrical with the reference numeral 8.
【００１５】図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）を参照し
て緩衝電極２５の第１の例について説明する。この例で
は、導電性金属による２つのコ字形のパイプ２５−１を
支持部材２５−２で連結して矩形状に構成した矩形体
を、導電性金属棒２５−３で連結すると共に、絶縁体を
介して支持脚２５−４によりシート状プラズマ１０の上
下に位置せしめるようにしている。支持脚２５−４は、
テーブル１９を支持した支柱に取り付けられたブラケッ
ト２５−５に支持されている。矩形体の大きさは、上下
共にターゲット部１８あるいはテーブル１９を囲むこと
ができるようにこれらよりやや大き目にしている。この
緩衝電極２５もまた、外部抵抗Ｒ５（図１）を介して主
放電電源２２の＋側に接続され、緩衝電極２５のパイプ
２５−１と支持部材２５−２と導電性金属棒２５−３が
同電位に保持されるようになっている。A first example of the buffer electrode 25 will be described with reference to FIGS. 2 (a), 2 (b) and 2 (c). In this example, a rectangular body formed into a rectangular shape by connecting two U-shaped pipes 25-1 made of conductive metal by a support member 25-2 is connected by a conductive metal rod 25-3, and an insulator is formed. Are positioned above and below the sheet-shaped plasma 10 by the support legs 25-4. The support legs 25-4 are
It is supported by a bracket 25-5 attached to a column supporting the table 19. The size of the rectangular body is slightly larger than these so that the upper and lower sides can surround the target portion 18 or the table 19. The buffer electrode 25 is also connected to the + side of the main discharge power supply 22 via an external resistor R5 (FIG. 1), and the pipe 25-1 of the buffer electrode 25, the support member 25-2, and the conductive metal rod 25-3. Are kept at the same potential.
【００１６】一例を示すと、シート状プラズマ１０の厚
さ方向の中心とターゲット部１８間の距離を２０ｍｍ、
シート状プラズマ１０の厚さ方向の中心とテーブル１９
上の基板間の距離を３０ｍｍとした場合、ターゲット部
１８の長さは２５０ｍｍ、上下の矩形体は４０ｍｍの間
隔をおいて配置される。For example, the distance between the center of the sheet-like plasma 10 in the thickness direction and the target portion 18 is 20 mm.
The center of the sheet-like plasma 10 in the thickness direction and the table 19
When the distance between the upper substrates is 30 mm, the length of the target portion 18 is 250 mm, and the upper and lower rectangular bodies are arranged at intervals of 40 mm.
【００１７】図３は緩衝電極の第２の例を示しており、
この緩衝電極３０は、シート状プラズマ１０の下側に位
置した導電性金属による２本のパイプ３０−１を支持部
材３０−２で連結して矩形状に構成し、支持部材３０−
２に立設された導電性金属棒３０−３を介してシート状
プラズマ１０の上側に位置した導電性金属による２本の
パイプ３０−１を支持部材３０−４で支持すると共に、
絶縁体を介して支持脚３０−５により支持部材３０−２
を支持するようにしている。パイプ３０−１の位置は、
図２に示されたものと同程度で良い。FIG. 3 shows a second example of the buffer electrode.
The buffer electrode 30 is formed in a rectangular shape by connecting two pipes 30-1 made of a conductive metal located below the sheet-shaped plasma 10 with a support member 30-2.
The two support pipes 30-1 made of conductive metal positioned above the sheet-like plasma 10 are supported by the support member 30-4 via the conductive metal rods 30-3 erected on the support member 30-4.
The support member 30-2 is supported by the support leg 30-5 via an insulator.
I try to support. The position of the pipe 30-1 is
The same as that shown in FIG.
【００１８】図４は緩衝電極の第３、第４の例を示して
いる。図４（ａ）において、この緩衝電極３５は、図
２、図３に示した上下のパイプ及び支持部材等をひとつ
の導電性金属板で構成できるようにしたものである。す
なわち、四角枠状の金属板の互いに対向する辺にそれぞ
れ、シート状プラズマ１０の通過可能なスリット３５−
１を設けて成る。この矩形状の金属板の支持構造につい
ては、図２、図３に示したものと同じものを利用するこ
とができる。FIG. 4 shows third and fourth examples of the buffer electrode. In FIG. 4A, the buffer electrode 35 is such that the upper and lower pipes and support members shown in FIGS. 2 and 3 can be constituted by one conductive metal plate. That is, the slits 35-through which the sheet-like plasma 10 can pass are respectively formed on the sides of the square frame-shaped metal plate facing each other.
1 is provided. As the support structure of the rectangular metal plate, the same structure as that shown in FIGS. 2 and 3 can be used.
【００１９】図４（ｂ）は図４（ａ）の緩衝電極３５の
変形例で、所定間隔（図４ａのスリット３５−１と同程
度の間隔）をおいた上下一対の導電性金属板３７−１に
よる緩衝電極３７をターゲット部１８近くの陰極側及び
陽極側にそれぞれ配置し、互いに同電位に保持するよう
に構成する。FIG. 4B is a modification of the buffer electrode 35 of FIG. 4A, and a pair of upper and lower conductive metal plates 37 at a predetermined interval (interval substantially equal to the slit 35-1 in FIG. 4A). -1 buffer electrodes 37 are arranged on the cathode side and the anode side, respectively, near the target section 18 so as to be maintained at the same potential.
【００２０】再び図１を参照して、ターゲット部１８に
バイアス電圧を印加すると、緩衝電極が無い場合にはタ
ーゲット部１８付近のシート状プラズマ１０と陽極１７
間の電界が他の領域よりも大きくなるため、陽極部１７
付近のシート状プラズマ１０の密度が大きくなり、この
状態でスパッタリングを行うと膜厚ムラが生じ、膜厚分
布の対称性が壊れてしまうことは前述した通りである。Referring again to FIG. 1, when a bias voltage is applied to the target section 18, if there is no buffer electrode, the sheet-like plasma 10 near the target section 18 and the anode 17
Since the electric field between them becomes larger than in other regions, the anode part 17
As described above, the density of the sheet-like plasma 10 in the vicinity increases, and when sputtering is performed in this state, the film thickness becomes uneven and the symmetry of the film thickness distribution is broken.
【００２１】これは、バイアス電圧を印加する前には均
一なシート状プラズマ１０を生成していても、一旦、タ
ーゲット部１８にバイアス電圧を印加した場合、この電
圧の影響によりターゲット部１８の直下のシート状プラ
ズマ１０から陽極部１７側や陰極側等の周囲に向かって
シート状プラズマ１０中に新たな電位が重畳されてしま
う。特に、ターゲット部１８と陽極部１７の間には、電
界が大きくなるように作用するため、この部分でのプラ
ズマ密度も大きくなってしまう。This is because even if a uniform sheet-like plasma 10 is generated before the bias voltage is applied, once the bias voltage is applied to the target portion 18, the plasma immediately below the target portion 18 is affected by this voltage. A new potential is superimposed in the sheet-like plasma 10 from the sheet-like plasma 10 toward the surroundings such as the anode section 17 side and the cathode side. In particular, since the electric field acts between the target portion 18 and the anode portion 17 so as to increase the electric field, the plasma density at this portion also increases.
【００２２】これに対し、ターゲット部１８の上流と下
流に緩衝電極を配置して等電位にした場合、ターゲット
部１８にバイアス電圧を印加することにより生ずる新た
な電界は、シート状プラズマ１０にとってターゲット部
１８の上流と下流とでは同じように影響を受けるので、
この部分では、従来のように電界の偏りによるプラズマ
密度のアンバランスが発生しない。On the other hand, when buffer electrodes are arranged upstream and downstream of the target section 18 to make them equal potentials, a new electric field generated by applying a bias voltage to the target section 18 causes the sheet-like plasma 10 to generate a new electric field. Since the upstream and downstream of the part 18 are similarly affected,
In this portion, the unbalance of the plasma density due to the bias of the electric field does not occur unlike the related art.
【００２３】この時、緩衝電極の電位は、陽極部１７の
電位でも、中間電極部１５の電位でもスパッタリング室
１６の電位でも良い。また、ターゲット部１８にバイア
ス電圧を印加することによる影響は、ターゲット部１８
と陽極部１７との間とのシート状プラズマ１０のプラズ
マ密度に生ずるため、必ずしも、緩衝電極をターゲット
部１８の上流と下流に設ける必要な無く、ターゲット部
１８と陽極部１７との間にのみ設けるだけでも良い。ま
た、緩衝電極をスパッタリング室１６の電位や、中間電
極部１５の電位にすることでも、陽極部１７の影響を低
減することができる。At this time, the potential of the buffer electrode may be the potential of the anode section 17, the potential of the intermediate electrode section 15, or the potential of the sputtering chamber 16. The effect of applying a bias voltage to the target unit 18 is different from that of the target unit 18.
The buffer electrode does not necessarily need to be provided upstream and downstream of the target portion 18 because the plasma density of the sheet-like plasma 10 is generated between the target portion 18 and the anode portion 17. It may be just provided. Also, the influence of the anode 17 can be reduced by setting the potential of the buffer electrode to the potential of the sputtering chamber 16 or the potential of the intermediate electrode 15.
【００２４】従って、緩衝電極はターゲット部１８近く
の陰極側及び陽極側の少なくとも陽極側にあれば良いの
であり、ターゲット部１８を囲み得るような矩形状にし
たり、パイプ状のものを使用する必要は無い。言い換え
れば、緩衝電極はターゲット部１８近くの陰極側及び陽
極側に個別に配置されても良いし、少なくともターゲッ
ト部１８近くの陽極側に配置されていれば良い。また、
シート状プラズマ１０を挟む上下に配置する必要も無
い。更に、陽極がプラズマ源側にある場合にも、その側
にのみ配置すれば良い。Therefore, the buffer electrodes need only be provided on the cathode side and the anode side at least near the target section 18 and at least on the anode side, and it is necessary to use a rectangular or pipe-shaped one that can surround the target section 18. There is no. In other words, the buffer electrodes may be individually arranged on the cathode side and the anode side near the target section 18 or may be arranged at least on the anode side near the target section 18. Also,
It is not necessary to arrange the sheet-like plasma 10 above and below. Furthermore, even when the anode is on the side of the plasma source, it may be arranged only on that side.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ばターゲット部付近に緩衝電極を配置してターゲット部
付近の電界の乱れを防ぐようにしたことにより、ターゲ
ット部付近において一様なシート状プラズマを形成維持
することができる。その結果、基板上に広い範囲に亘っ
て均一な厚さの被膜を形成することができる。As described above, according to the present invention, the buffer electrode is arranged near the target portion to prevent the electric field from being disturbed near the target portion. A plasma can be formed and maintained. As a result, a film having a uniform thickness can be formed over a wide range on the substrate.
【図１】本発明によるスパッタリング装置を側面から見
た縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a sputtering apparatus according to the present invention as viewed from a side.
【図２】本発明の要部である緩衝電極の第１の例を示し
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a first example of a buffer electrode which is a main part of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view, FIG. 2B is a side view, and FIG.
【図３】本発明の要部である緩衝電極の第２の例を示し
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。FIGS. 3A and 3B are diagrams showing a second example of a buffer electrode as a main part of the present invention, wherein FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a side view, and FIG.
【図４】本発明の要部である緩衝電極の第３、第４の例
を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing third and fourth examples of the buffer electrode which is a main part of the present invention.
１０ シート状プラズマ １１ 陰極部 １２ シートプラズマ成形室 １３、１５ 中間電極部 １４ 永久磁石 １６ スパッタリング室 １７ 陽極部 １８ ターゲット部 １９ テーブル ２０ 大径コイル ２１ バイアス電源 ２２ 主放電電源 ２５、３０、３５、３７ 緩衝電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sheet-shaped plasma 11 Cathode part 12 Sheet plasma molding chamber 13, 15 Intermediate electrode part 14 Permanent magnet 16 Sputtering chamber 17 Anode part 18 Target part 19 Table 20 Large diameter coil 21 Bias power supply 22 Main discharge power supply 25, 30, 35, 37 Buffer electrode
Claims (5)
陽極に向けてシート状プラズマを発生させると共に、前
記スパッタリング室には、ターゲット並びに基板を前記
シート状プラズマを挟むように対向させて配置したスパ
ッタリング装置において、前記ターゲットの直下領域か
らは外れた位置であって前記ターゲット近くの陰極側及
び陽極側の少なくとも陽極側に配置され、前記シート状
プラズマの近くでその幅方向に延在する導電性の緩衝電
極を備えたことを特徴とするシート状プラズマを用いた
スパッタリング装置。1. A with generating the sheet-shaped plasma toward the anode installed from the cathode in the sputtering chamber, the sputtering chamber, the target and the substrate wherein
In the sputtering apparatus arranged opposite so as to sandwich the sheet-shaped plasma, or a region immediately below said target
Al is disposed on at least the anode side of the cathode side and the anode side of the target near a position off the sheet
A sputtering apparatus using a sheet-like plasma, comprising a conductive buffer electrode extending in the width direction near the plasma .
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマを上下か
ら挟むように構成されていることを特徴とするシート状
プラズマを用いたスパッタリング装置。2. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the buffer electrode is configured to sandwich the sheet plasma from above and below.
いて、前記緩衝電極は、導電性の四角枠状の金属板の互
いに対向する辺にそれぞれ前記シート状プラズマの通過
可能なスリットを設けて構成されることを特徴とするシ
ート状プラズマを用いたスパッタリング装置。3. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein the buffer electrode is formed by providing slits through which the sheet-shaped plasma can pass on opposing sides of a conductive rectangular frame-shaped metal plate. A sputtering apparatus using a sheet-like plasma, characterized in that:
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマより上方
のターゲット側だけに、該ターゲットを囲むように位置
付けられていることを特徴とするシート状プラズマを用
いたスパッタリング装置。4. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the buffer electrode is positioned only on a target side above the sheet plasma so as to surround the target. Sputtering equipment used.
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマより下方
の基板側だけに、該ターゲットを囲むように位置付けら
れていることを特徴とするシート状プラズマを用いたス
パッタリング装置。5. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the buffer electrode is positioned so as to surround the target only on the substrate side below the sheet plasma. Sputtering equipment used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092723A JP3023745B2 (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Sputtering equipment using sheet plasma |
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