JP3022059B2 - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP3022059B2
JP3022059B2 JP5138318A JP13831893A JP3022059B2 JP 3022059 B2 JP3022059 B2 JP 3022059B2 JP 5138318 A JP5138318 A JP 5138318A JP 13831893 A JP13831893 A JP 13831893A JP 3022059 B2 JP3022059 B2 JP 3022059B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスクシステ
ム,光伝送システムあるいは各種光計測システム用の光
源として用いられる半導体レーザ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used as a light source for an optical disk system, an optical transmission system, or various optical measurement systems.

【0002】[0002]

【従来の技術】市販されている半導体レーザ装置は、一
般に図24に断面斜視図を示すような構造を有してい
る。すなわち、ステム3に載置されたヒートシンク部4
上には、半導体レーザチップ1がマウントされて端子リ
ードとワイヤ7で電気的に接続されている。一方、ステ
ム3上には、モニタ用ホトダイオードチップ2がマウン
トされて端子リード6とワイヤ8で電気的に接続されて
いる。さらに、こうしてマウントされた半導体レーザチ
ップ1およびモニタ用ホトダイオードチップ2は、レー
ザ光取り出し用ガラス窓9が具備されたキャップ10に
よって気密封止されている。
2. Description of the Related Art A commercially available semiconductor laser device generally has a structure as shown in a sectional perspective view of FIG. That is, the heat sink portion 4 placed on the stem 3
The semiconductor laser chip 1 is mounted thereon and is electrically connected to terminal leads by wires 7. On the other hand, the monitoring photodiode chip 2 is mounted on the stem 3 and is electrically connected to the terminal leads 6 by wires 8. Further, the semiconductor laser chip 1 and the monitoring photodiode chip 2 mounted in this manner are hermetically sealed by a cap 10 having a glass window 9 for taking out a laser beam.

【0003】上記構成を有する半導体レーザ装置では、
上記ステム3およびキャップ10の何れもが独立した単
体部品であるためにその製造工程が複雑化し、個々の部
品そのものの単価が高価であり、小型化が困難である等
の欠点を有している。
In the semiconductor laser device having the above configuration,
Since each of the stem 3 and the cap 10 is an independent single component, the manufacturing process is complicated, and the unit price of each component is expensive, and it is difficult to reduce the size. .

【0004】そこで、図25に製造過程における平面図
を示し、図26に図25におけるA−A矢視断面図を示
すような半導体レーザ装置が提案されている。この半導
体レーザ装置は、インサートタイプ・リードフレーム(リ
ードフレームと保持部材とが一体に形成されたもの)1
3における各共通リード14の先端に半導体レーザチッ
プ11をマウントし、さらに、この半導体レーザチップ
11の内側にモニタ用ホトダイオードチップ12をマウ
ントている。そして、半導体レーザチップ11は樹脂1
5(図24においては省略)によって覆われている。
Therefore, a semiconductor laser device has been proposed in which a plan view in the manufacturing process is shown in FIG. 25, and a sectional view taken along the line AA in FIG. 25 is shown in FIG. This semiconductor laser device has an insert type lead frame (in which a lead frame and a holding member are integrally formed) 1
The semiconductor laser chip 11 is mounted on the tip of each common lead 14 in 3, and a monitoring photodiode chip 12 is mounted inside the semiconductor laser chip 11. The semiconductor laser chip 11 is made of resin 1
5 (omitted in FIG. 24).

【0005】さらに、上記共通リード14の両側に平行
して配列された2本のリード16,17はセラミック製
の保持部材18によってリード14に保持されている。
そして、半導体レーザチップ11はワイヤ19によって
リード16に接続され、モニタ用ホトダイオードチップ
12はワイヤ20によってリード17に接続されてい
る。但し、図25では両ワイヤ19,20は省略してい
る。こうして形成された半導体レーザ装置は、共通リー
ド14が根元の適当な箇所で裁断されて個々の半導体レ
ーザ装置に分離される。
Further, the two leads 16 and 17 arranged in parallel on both sides of the common lead 14 are held on the lead 14 by a holding member 18 made of ceramic.
The semiconductor laser chip 11 is connected to a lead 16 by a wire 19, and the monitoring photodiode chip 12 is connected to a lead 17 by a wire 20. However, in FIG. 25, both wires 19 and 20 are omitted. The semiconductor laser device thus formed is separated into individual semiconductor laser devices by cutting the common lead 14 at an appropriate location at the base.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図25および図26に
記載した従来の半導体レーザ装置によれば、半導体レー
ザチップ11を樹脂15によって覆っているので、図2
4に示す半導体レーザ装置のようなキャップによる気密
封止を廃止することができる。また、インサートタイプ
・リードフレーム13に形成するので製造工程を簡略で
き、小型化および低価格化を実現できる。
According to the conventional semiconductor laser device shown in FIGS. 25 and 26, since the semiconductor laser chip 11 is covered with the resin 15, FIG.
The hermetic sealing by the cap as in the semiconductor laser device shown in FIG. 4 can be eliminated. In addition, since it is formed on the insert type lead frame 13, the manufacturing process can be simplified, and downsizing and cost reduction can be realized.

【0007】しかしながら、上記半導体レーザチップ1
1,モニタ用ホトダイオードチップ12およびワイヤ1
9,20は樹脂で覆われた状態あるいは裸の状態で露出
された構造になっているので外からの力に弱く、取り扱
いに充分な注意を払う必要があるという問題がある。
However, the semiconductor laser chip 1
1. Monitor photodiode chip 12 and wire 1
Since the structures 9 and 20 are exposed in a state of being covered with a resin or in a naked state, they have a problem that they are susceptible to an external force and require sufficient care in handling.

【0008】そこで、この発明の目的は、半導体レーザ
チップ,モニタ用ホトダイオードチップおよびこれらを
導電体に接続するワイヤを十分保護することができ、製
造が容易であって小型/低価格化が容易な半導体レーザ
装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to sufficiently protect a semiconductor laser chip, a monitoring photodiode chip and a wire connecting the semiconductor laser chip and the conductor to a conductor, thereby facilitating manufacture and reducing size and cost. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、リードフレームのリードに
搭載されて樹脂で被覆された半導体レーザチップと,上
記リードに搭載されて上記半導体レーザチップから出射
されたレーザ光を受光するモニタ用ホトダイオードチッ
プと,上記半導体レーザチップを第1の導電体に電気的
に接続する第1のワイヤと,上記モニタ用ホトダイオー
ドチップを第2の導電体に電気的に接続する第2のワイ
ヤを有する半導体レーザ装置において、上記リードに一
体に取り付けられると共に、少なくとも上記半導体レー
ザチップ,モニタ用ホトダイオードチップ,第1のワイヤ
および第2のワイヤの周囲を囲って、上記半導体レーザ
チップ,モニタ用ホトダイオードチップおよび両ワイヤ
を外力から保護する平面をコ字状に折り曲げた形状を成
す保護部材を備えたことを特徴としている。
According to one aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser chip mounted on a lead of a lead frame and covered with a resin, and a semiconductor laser chip mounted on the lead. A monitoring photodiode chip for receiving laser light emitted from the laser chip, a first wire for electrically connecting the semiconductor laser chip to a first conductor, and a second conductor for connecting the monitoring photodiode chip to a second conductor. A semiconductor laser device having a second wire electrically connected to the lead, and integrally surrounding the lead and surrounding at least the periphery of the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, the first wire and the second wire. Plane to protect the semiconductor laser chip, monitor photodiode chip and both wires from external force. It is characterized by comprising a protective member in the shape obtained by bending the shape.

【0010】また、請求項2に係る発明は、リードフレ
ームのリードに搭載されて樹脂で被覆された半導体レー
ザチップと,上記リードに搭載されて上記半導体レーザ
チップから出射されたレーザ光を受光するモニタ用ホト
ダイオードチップと,上記半導体レーザチップを第1の
導電体に電気的に接続する第1のワイヤと,上記モニタ
用ホトダイオードチップを第2の導電体に電気的に接続
する第2のワイヤを有する半導体レーザ装置において、
上記リードに一体に取り付けられると共に、少なくとも
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プ,第1のワイヤおよび第2のワイヤの周囲を覆って、
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プおよび両ワイヤを外力から保護する有底の筒状を成す
保護部材を備えて、上記保護部材の底部は上記リードに
よって貫通されていることを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser chip mounted on a lead of a lead frame and covered with a resin, and receiving a laser beam emitted from the semiconductor laser chip mounted on the lead. A monitoring photodiode chip, a first wire for electrically connecting the semiconductor laser chip to a first conductor, and a second wire for electrically connecting the monitoring photodiode chip to a second conductor. A semiconductor laser device having
Attached integrally to the lead, covering at least the semiconductor laser chip, the photodiode chip for monitoring, the periphery of the first wire and the second wire,
The semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and a protection member having a bottomed cylindrical shape for protecting both wires from external force are provided, and the bottom of the protection member is penetrated by the lead.

【0011】また、請求項3にかかる発明は、リードフ
レームの第1リードに搭載されて樹脂で被覆された半導
体レーザチップと,上記第1リードに搭載されて上記半
導体レーザチップから出射されたレーザ光を受光するモ
ニタ用ホトダイオードチップと,上記半導体レーザチッ
プを上記リードフレームの第2リードに電気的に接続す
る第1のワイヤと,上記モニタ用ホトダイオードチップ
を上記リードフレームの第3リードに電気的に接続する
第2のワイヤを有する半導体レーザ装置であって、少な
くとも上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオー
ドチップ,第1のワイヤおよび第2のワイヤの周囲を覆
って、上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオー
ドチップ及び両ワイヤを外力から保護する筒状を成す保
護部材を備えて、上記保護部材の内面には軸方向に延在
する少なくとも2本の溝を有して、この溝に上記各リー
ドの側辺のうち最も外側に位置する側辺を嵌合すること
によって上記保護部材が上記リードに一体に取り付けら
れていることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser chip mounted on a first lead of a lead frame and covered with a resin, and a laser emitted from the semiconductor laser chip mounted on the first lead. A monitoring photodiode chip for receiving light, a first wire for electrically connecting the semiconductor laser chip to a second lead of the lead frame, and an electrical connection of the monitoring photodiode chip to a third lead of the lead frame. A semiconductor laser device having a second wire connected to the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and the first and second wires. A protection member having a cylindrical shape for protecting the chip and both wires from external force; The inner surface of the material has at least two grooves extending in the axial direction, and the outermost one of the sides of each of the leads is fitted into this groove, so that the protection member is formed. It is characterized by being integrally attached to the lead.

【0012】また、請求項4に係る発明は、請求項1乃
至請求項3の何れか一つに係る発明の半導体レーザ装置
において、上記保護部材は、上記半導体レーザチップか
ら出射されて外方に向かうレーザ光を通過させる孔を残
して密閉された構造を有すると共に、内面には光吸収膜
が形成されていることを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects of the present invention, the protection member is emitted from the semiconductor laser chip and is directed outward. It is characterized in that it has a hermetically closed structure leaving holes through which the laser light passes, and a light absorbing film is formed on the inner surface.

【0013】また、請求項5に係る発明は、請求項1乃
至請求項4の何れか一つに係る発明の半導体レーザ装置
において、上記保護部材は、上記半導体レーザチップか
ら出射されて外方に向かうレーザ光の通過位置に光学部
材が設けられていることを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to fourth aspects of the present invention, the protection member emits outward from the semiconductor laser chip and extends outward. An optical member is provided at a passing position of the heading laser light.

【0014】また、請求項6に係る発明は、請求項1乃
至請求項5の何れか一つに係る発明の半導体レーザ装置
において、上記保護部材には、上記半導体レーザチップ
が搭載されている基部を他の機器に設置する際の基準位
置を定める基準面が設けられていることを特徴としてい
る。
According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, the protection member has a base on which the semiconductor laser chip is mounted. Is provided with a reference plane for determining a reference position when the device is installed on another device.

【0015】[0015]

【作用】請求項1に係る発明では、少なくとも半導体レ
ーザチップ,この半導体レーザチップから出射されたレ
ーザ光を受光するモニタ用ホトダイオードチップ,上記
半導体レーザチップを第1の導電体に電気的に接続する
第1のワイヤ,上記モニタ用ホトダイオードを第2の導
電体に電気的に接続する第2のワイヤは、上記半導体レ
ーザチップおよびモニタ用ホトダイオードチップが搭載
されているリードに一体に取り付けられた保護部材によ
って周囲が囲われて外力から保護される。その場合、上
記保護部材は、平面をコ字状に折り曲げた形状を成して
いる。こうして、半導体レーザチップ等の取り付け性や
半導体レーザ装置の外部システムへの取り付け性を損な
うことなく、上記保護機能が発揮される。
According to the first aspect of the present invention, at least a semiconductor laser chip, a monitoring photodiode chip for receiving laser light emitted from the semiconductor laser chip, and the semiconductor laser chip are electrically connected to a first conductor. A first wire, a second wire for electrically connecting the monitor photodiode to the second conductor, is a protective member integrally attached to a lead on which the semiconductor laser chip and the monitor photodiode chip are mounted. The surroundings are surrounded and protected from external forces. In this case, the protection member has a shape obtained by bending a plane into a U-shape. In this manner, the above-described protection function is exhibited without impairing the attachment of the semiconductor laser chip or the like and the attachment of the semiconductor laser device to an external system.

【0016】また、請求項2に係る発明では、有底の筒
状を成す上記保護部材の底部を貫通してこの保護部材の
内部に突出したリードフレームのリードに搭載された上
記半導体レーザチップおよびモニタ用ホトダイオードチ
ップとこの両チップに接続された第1および第2のワイ
ヤは、上記保護部材によって周囲が覆われて外力から保
護される。
Further, in the invention according to claim 2, the semiconductor laser chip mounted on a lead of a lead frame which penetrates the bottom of the protective member having a bottomed cylindrical shape and protrudes inside the protective member, and The monitoring photodiode chip and the first and second wires connected to the two chips are covered by the protective member to be protected from external force.

【0017】また、請求項3に係る発明では、樹脂に覆
われた半導体レーザチップおよびモニタ用ホトダイオー
ドチップが搭載されたリードフレームの第1リードと、
この両チップが第1,第2のワイヤによって電気的に接
続されている上記リードフレームの第2,第3リードと
に、筒状を成す保護部材を装着する際には、上記保護部
材の内面に軸方向に延在する溝に上記各リードの側辺の
うち最も外側に位置する側辺の一端が嵌合された後、上
記溝をガイドとして上記リードフレームが挿入される。
こうして、非常に簡単に上記リードフレームに保護部材
が装着される。
In the invention according to claim 3, the first lead of the lead frame on which the semiconductor laser chip and the monitoring photodiode chip covered with the resin are mounted;
When attaching a cylindrical protective member to the second and third leads of the lead frame in which the two chips are electrically connected by the first and second wires, the inner surface of the protective member is After one end of the outermost side of each of the leads is fitted into the groove extending in the axial direction, the lead frame is inserted using the groove as a guide.
Thus, the protection member is very easily mounted on the lead frame.

【0018】また、請求項4に係る発明では、少なくと
も上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチ
ップおよび両ワイヤの周囲を覆う上記保護部材は、上記
半導体レーザチップから出射されて外方に向かうレーザ
光を通過させる孔を残して密閉された構造を有している
ため、外部から上記保護部材内への光の侵入が極力防止
される。さらに、上記孔から上記保護部材内に侵入した
外部からの僅かな光は、上記保護部材の内面に形成され
た光吸収膜によって吸収される。こうして、外部からの
光の影響を極力少なくして、上記半導体レーザチップか
ら外部に出射されるレーザ光の強度が正確に制御され
る。
Further, in the invention according to claim 4, the protective member covering at least the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and the surroundings of both wires, controls the laser light emitted from the semiconductor laser chip and directed outward. Since it has a sealed structure leaving holes through which light passes, entry of light from the outside into the protective member is prevented as much as possible. Further, a small amount of light from the outside that has entered the protection member from the hole is absorbed by the light absorbing film formed on the inner surface of the protection member. Thus, the intensity of the laser light emitted from the semiconductor laser chip to the outside is accurately controlled while minimizing the influence of the light from the outside.

【0019】また、請求項5に係る発明では、半導体レ
ーザチップから外方に向かって出射されたレーザ光は保
護部材に設けられた光学部材に入射される。そして、上
記光学部材の特性に応じたレーザ光が外部に放射され
る。
In the invention according to claim 5, the laser light emitted outward from the semiconductor laser chip is incident on the optical member provided on the protection member. Then, a laser beam corresponding to the characteristics of the optical member is emitted to the outside.

【0020】また、請求項6に係る発明では、半導体レ
ーザチップが搭載されている基部を他の機器に設置する
際には、保護部材に設けられた基準面が上記他の機器の
基準面に当接されて設置される。こうして、上記保護部
材に設けられた基準面によって上記基部の上記他の機器
に対する設置基準位値が定められる。
In the invention according to claim 6, when the base on which the semiconductor laser chip is mounted is installed on another device, the reference surface provided on the protection member is in contact with the reference surface of the other device. It is installed in contact. Thus, the reference position of the base with respect to the other device is determined by the reference surface provided on the protection member.

【0021】[0021]

【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。図1は第1実施例の半導体レーザ装置におけ
る斜視図であり、図2は図1の縦断面図である。この半
導体レーザ装置では、図3に示すような平面形状を有す
るインサートタイプのリードフレーム23における共通
リード24に、次のように半導体レーザチップ等を搭載
する。すなわち、上記共通リード24の先端部にチップ
載置部25を形成する。そして、このチップ載置部25
の最先端上面には半導体レーザチップ21をマウントす
る。さらに、チップ載置部25上における半導体レーザ
チップ21の内側に設けられたV字形の縦断面を有する
凹部25a内には、モニタ用ホトダイオードチップ22
をその先端下部の角を没入させて受光面22aが半導体
レーザチップ21の内側レーザ光出射端面21aを望む
ように傾斜してマウントする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor laser device of the first embodiment, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of FIG. In this semiconductor laser device, a semiconductor laser chip or the like is mounted on a common lead 24 of an insert type lead frame 23 having a planar shape as shown in FIG. That is, the chip mounting portion 25 is formed at the tip of the common lead 24. Then, the chip mounting portion 25
The semiconductor laser chip 21 is mounted on the top surface of the semiconductor laser. Further, a monitoring photodiode chip 22 is provided in a concave portion 25a having a V-shaped vertical cross section provided inside the semiconductor laser chip 21 on the chip mounting portion 25.
The light receiving surface 22a is mounted such that the light receiving surface 22a inclines the laser light emitting end surface 21a of the semiconductor laser chip 21 as desired.

【0022】そして、上記共通リード24のチップ載置
部25における一側に並設されているリード26に、半
導体レーザチップ21をワイヤ29によって電気的に接
続する。一方、チップ載置部25の他側に並設されてい
るリード27に、モニタ用ホトダイオードチップ22を
ワイヤ30によって電気的に接続する。そうした後、半
導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイオードチップ
22およびワイヤ29・30を樹脂(図示せず:以下の各
実施例においても同様)で覆う。こうすることによっ
て、上記半導体レーザチップ21の内側レーザ光出射端
面21bから内側に向かって出射されたレーザ光は、モ
ニタ用ホトダイオードチップ22の受光面22aに効率
良く入射されて、レーザ光のパワー等を監視できるので
ある。
Then, the semiconductor laser chip 21 is electrically connected by wires 29 to leads 26 arranged in parallel on one side of the chip mounting portion 25 of the common leads 24. On the other hand, the monitoring photodiode chip 22 is electrically connected by wires 30 to the leads 27 arranged in parallel on the other side of the chip mounting portion 25. After that, the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22, and the wires 29 and 30 are covered with a resin (not shown; the same applies to the following embodiments). By doing so, the laser light emitted inward from the inner laser light emitting end face 21b of the semiconductor laser chip 21 efficiently enters the light receiving surface 22a of the monitoring photodiode chip 22, and the power of the laser light Can be monitored.

【0023】本実施例における半導体レーザ装置では、
図1に示すように、半導体レーザチップ21,モニタ用
ホトダイオード22およびワイヤ29・30を有底の円
筒形を成すプラスチック製の保護部材31で覆うことに
よって、半導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイオ
ード22およびワイヤ29・30を外力から保護する。
In the semiconductor laser device of this embodiment,
As shown in FIG. 1, the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode 22, and the wires 29 and 30 are covered by a plastic protective member 31 having a bottomed cylindrical shape. The wires 29 and 30 are protected from external force.

【0024】上記保護部材31は、図4に示すように、
各リード24,26,27が挿通される箇所で、上側保護
部材32と下側保護部材33とに水平に2分割可能にな
っている。そして、上側保護部材32の底部32aと下
側保護部材33の底部33aとにおける各リード24,2
6,27の挿通箇所には切欠部24a,26a,27a;24
b,26b,27bが設けられており、上側保護部材32と
下側保護部材33とを一体に結合した際に切欠部24a,
26a,27aと切欠部24b,26b,27bとでリード2
4,26,27が挿通される穴を形成する。
As shown in FIG. 4, the protection member 31 is
At the places where the leads 24, 26, and 27 are inserted, the upper protection member 32 and the lower protection member 33 can be horizontally divided into two parts. The leads 24, 2 at the bottom 32a of the upper protection member 32 and at the bottom 33a of the lower protection member 33, respectively.
Notches 24a, 26a, 27a;
b, 26b, 27b are provided, and when the upper protection member 32 and the lower protection member 33 are integrally connected, the cutout portions 24a,
Leads 26a, 27a and notches 24b, 26b, 27b
4, 26, 27 form a hole through which it is inserted.

【0025】上記構成の上側保護部材32と下側保護部
材33とは、リード24,26,27における図3に一点
鎖線イ−ロで示す位置に夫々の底部32a,33aを位置
させて、共通リード24のチップ載置部25を覆うよう
に接合されて取り付け固定される。その際における取り
付け固定は、接着であっても熔着であってもよい。
The upper protection member 32 and the lower protection member 33 having the above-described structure are shared by positioning the bottom portions 32a and 33a at the positions of the leads 24, 26 and 27 indicated by dashed-dotted circles in FIG. The lead 24 is bonded and attached so as to cover the chip mounting portion 25 of the lead 24. The attachment and fixing at that time may be adhesion or fusion.

【0026】こうして、上記保護部材31が取り付けら
れた夫々の半導体レーザ装置は、タイバー23aから切
り離されて半導体レーザチップ21の検査が行われる。
その後、図3における一点鎖線イ−ロの箇所より内側で
各リード24,26,27が切り離されて、半導体レーザ
チップ21,モニタ用ホトダイオード22およびワイヤ
29・30が保護部材31で保護された半導体レーザ装
置が得られる。
In this manner, each of the semiconductor laser devices to which the protection member 31 is attached is separated from the tie bar 23a and the semiconductor laser chip 21 is inspected.
Thereafter, the leads 24, 26, and 27 are cut off inside the dash-dot line in FIG. 3, and the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode 22, and the wires 29 and 30 are protected by the protection member 31. A laser device is obtained.

【0027】上述のように、本実施例では、従来、半導
体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチップおよび
ワイヤが露出されて十分保護されていなかったリードフ
レームタイプの半導体レーザ装置において、この半導体
レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチップおよびワ
イヤが設けられた各リード24,26,27の先端部を有
底の円筒形を成す保護部材31で保護している。したが
って、半導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイオー
ドチップ22およびワイヤ29・30が外部に露出する
ことなく充分に外力から保護される。
As described above, in this embodiment, the semiconductor laser chip, the monitor photodiode chip, and the lead frame type semiconductor laser device in which the wires are exposed and are not sufficiently protected are conventionally used. The tips of the leads 24, 26, and 27 provided with the photodiode photodiodes and wires are protected by a bottomed cylindrical protective member 31. Therefore, the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22, and the wires 29 and 30 are sufficiently protected from external force without being exposed to the outside.

【0028】また、上記半導体レーザ装置は、インサー
トタイプのリードフレーム23に形成するので製造工程
を簡略化でき、小型化および低価格化を容易に図ること
ができる。
Further, since the semiconductor laser device is formed on the insert type lead frame 23, the manufacturing process can be simplified, and miniaturization and cost reduction can be easily achieved.

【0029】図5は、第2実施例の半導体レーザ装置に
おける縦断面図である。尚、以下の説明では、第1実施
例と同じ部材には図1乃至図4と同じ番号を付す。上記
第1実施例においては、モニタ用ホトダイオードチップ
は、リードフレームにおける共通リードの先端部に形成
されたV字形の凹部内に設置されている。これに対し
て、本実施例においては、共通リード24の先端部に形
成されたチップ載置部25上に、受光面22aを真上に
して直接マウントしている。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the second embodiment. In the following description, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIGS. In the first embodiment, the monitoring photodiode chip is installed in a V-shaped recess formed at the tip of the common lead in the lead frame. On the other hand, in the present embodiment, the light receiving surface 22a is directly mounted on the chip mounting portion 25 formed at the tip of the common lead 24 with the light receiving surface 22a right above.

【0030】一方、半導体レーザチップ21はサブマウ
ント34上にマウントして、内側レーザ出射端面21a
から出射されたレーザ光が容易にモニタ用ホトダイオー
ドチップ22の受光面22aに入射されるようにしてい
る。上述のように構成された半導体レーザチップ21,
モニタ用ホトダイオードチップ22およびワイヤ(図示
せず)は、第1実施例の場合と同様に、保護部材31に
よって覆われて露出しないようになっている。
On the other hand, the semiconductor laser chip 21 is mounted on a submount 34, and the inner laser emitting end face 21a
Is easily incident on the light receiving surface 22a of the monitoring photodiode chip 22. The semiconductor laser chip 21 configured as described above,
The monitoring photodiode chip 22 and the wires (not shown) are covered with the protective member 31 so as not to be exposed, as in the first embodiment.

【0031】図6は第3実施例の半導体レーザ装置にお
ける縦断面図である。上記第2実施例においては、モニ
タ用ホトダイオードチップはサブマウントと別体に設け
ている。これに対して、本実施例では、モニタ用ホトダ
イオードチップをサブマウント35内に形成して、半導
体レーザチップ21の内側レーザ光出射端面21aとモ
ニタ用ホトダイオードチップの受光面35aとの位置関
係が第2実施例の場合と同じになるようにしている。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the third embodiment. In the second embodiment, the monitoring photodiode chip is provided separately from the submount. On the other hand, in the present embodiment, the monitoring photodiode chip is formed in the submount 35, and the positional relationship between the inner laser light emitting end face 21a of the semiconductor laser chip 21 and the light receiving surface 35a of the monitoring photodiode chip is changed. The configuration is the same as that of the second embodiment.

【0032】図7は第4実施例の半導体レーザ装置にお
ける縦断面図である。本実施例における保護部材36
は、第1実施例の場合と同様の形状を有している。但
し、その材質は熱的強度を増強するために金属と成して
いる。その結果、上側保護部材37の底部37aおよび
下側保護部材38の底部38aと共通リード24との間
の絶縁性が問題となる。そこで、本実施例においては、
上側保護部材37の底部37aにおける上記切欠部と各
リード24,26,27との間、および、下側保護部材3
8の底部38aにおける上記切欠部と各リード24,2
6,27との間には、低融点ガラス等の絶縁体39を嵌
入して固定するのである。尚、上記保護部材37以外は
第1実施例と全く同じ構成である。
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the fourth embodiment. Protective member 36 in this embodiment
Has the same shape as in the first embodiment. However, the material is made of metal in order to enhance the thermal strength. As a result, insulation between the bottom 37a of the upper protection member 37 and the bottom 38a of the lower protection member 38 and the common lead 24 becomes a problem. Therefore, in this embodiment,
Between the notch and the leads 24, 26, 27 at the bottom 37a of the upper protection member 37 and the lower protection member 3
8 and each lead 24,2 at the bottom 38a
An insulator 39 such as a low-melting glass is fitted and fixed between the first and second substrates 6, 27. Except for the protection member 37, the configuration is exactly the same as that of the first embodiment.

【0033】図8は第5実施例の半導体レーザ装置にお
ける縦断面図である。本実施例における保護部材42
は、第1実施例乃至4実施例における保護部材31,3
6の場合とは逆に、上側保護部材43の容積よりも下側
保護部材44の容積の方が大きくなっている。これは、
次の理由による。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the fifth embodiment. Protective member 42 in this embodiment
Are the protection members 31 and 3 in the first to fourth embodiments.
Contrary to the case of 6, the volume of the lower protection member 44 is larger than the volume of the upper protection member 43. this is,
For the following reasons.

【0034】すなわち、本実施例においては、共通リー
ド41の先端部におけるモニタ用ホトダイオードチップ
22が取り付けられる箇所41aがホーミングによって
斜め下方に形成され、更にその先端の半導体レーザチッ
プ21がマウントされる箇所41bが水平に形成されて
いる。そして、上記斜め下方に形成された箇所41aの
外側の面上に、モニタ用ホトダイオードチップ22をそ
の受光面22aが半導体レーザチップ21を望むように
取り付けている。こうすることによって、半導体レーザ
チップ21における内側レーザ光出射端面21aから放
射されたレーザ光のモニタ用ホトダイオードチップ22
への取り込み効率が向上するのである。
That is, in the present embodiment, a location 41a at the tip of the common lead 41 to which the monitoring photodiode chip 22 is attached is formed diagonally below by homing, and a location at the tip where the semiconductor laser chip 21 is mounted. 41b is formed horizontally. Then, the monitoring photodiode chip 22 is mounted on the outer surface of the portion 41a formed obliquely downward so that the light receiving surface 22a of the monitoring photodiode chip 22 desires the semiconductor laser chip 21. By doing so, the monitoring photodiode chip 22 of the laser light emitted from the inner laser light emitting end face 21a of the semiconductor laser chip 21
This improves the efficiency of capturing the data.

【0035】こうして、上記共通リード41の下側に設
置された半導体レーザチップ21とモニタ用ホトダイオ
ードチップを大きな容積の下側保護部材44によって包
み込んで上側保護部材43で蓋をして、確実に保護する
のである。
In this manner, the semiconductor laser chip 21 and the monitoring photodiode chip provided below the common lead 41 are wrapped by the lower protective member 44 having a large volume, and are covered by the upper protective member 43, so that they are reliably protected. You do it.

【0036】図9は第6実施例の半導体レーザ装置にお
ける縦断面図である。本実施例における保護部材31の
構造と、半導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイオ
ードチップ22および保護部材31の共通リード24へ
の取り付け構造とは、第1実施例の場合と全く同じであ
る。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the sixth embodiment. The structure of the protection member 31 in this embodiment and the structure for mounting the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22 and the protection member 31 to the common lead 24 are exactly the same as those in the first embodiment.

【0037】さらに加えて、本実施例では、上記保護部
材31の開口を蓋部材45で蓋をする。そして、この蓋
部材45における半導体レーザチップ21の外側レーザ
光出射端面21bに対向する箇所には、光学レンズ46
を取り付けている。こうすることによって、外側レーザ
光出射端面21bから出射されるレーザ光を光学レンズ
46で集光させて、よりエネルギー密度の高いレーザ光
を外部に取り出すようにしている。
In addition, in this embodiment, the opening of the protection member 31 is covered with a cover member 45. An optical lens 46 is provided on a portion of the lid member 45 facing the outer laser light emitting end face 21b of the semiconductor laser chip 21.
Is installed. By doing so, the laser light emitted from the outer laser light emitting end face 21b is condensed by the optical lens 46, and the laser light having a higher energy density is extracted to the outside.

【0038】図10は第7実施例の半導体レーザ装置に
おける縦断面図である。本実施例における蓋部材45の
半導体レーザチップ21の外側レーザ光出射端面21b
に対向する箇所には、ホログラムガラス47を取り付け
ている。こうすることによって、ホログラムレーザユニ
ットを形成することができる。尚、本実施例における保
護部材31の構造と、半導体レーザチップ21,モニタ
用ホトダイオードチップ22および保護部材31の共通
リード24への取り付け構造とは、第1実施例の場合と
全く同じである。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the seventh embodiment. Outer laser light emitting end face 21b of semiconductor laser chip 21 of lid member 45 in the present embodiment.
A hologram glass 47 is attached to a position facing the hologram glass. By doing so, a hologram laser unit can be formed. The structure of the protection member 31 in the present embodiment and the structure for mounting the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22 and the protection member 31 to the common lead 24 are exactly the same as those in the first embodiment.

【0039】図11は第8実施例の半導体レーザ装置に
おける縦断面図である。本実施例の蓋部材45における
半導体レーザチップ21の外側レーザ光出射端面21b
に対向する箇所には光ファイバ48の一端部を取り付け
て、この光ファイバ48の一端面48aと半導体レーザ
チップ21の外側レーザ光出射端面21aとを対向させ
ている。こうすることによって、上記外側レーザ光出射
端面21aから出射されるレーザ光を任意の方向へ取り
出すことができる。尚、本実施例における保護部材31
の構造と、半導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイ
オードチップ22および保護部材31のリード24への
取り付け構造とは、第1実施例の場合と全く同じであ
る。
FIG. 11 is a longitudinal sectional view of the semiconductor laser device of the eighth embodiment. Outer laser light emitting end face 21b of semiconductor laser chip 21 in lid member 45 of the present embodiment.
One end of an optical fiber 48 is attached to a portion facing the optical fiber 48, and the one end face 48 a of the optical fiber 48 and the outer laser light emitting end face 21 a of the semiconductor laser chip 21 face each other. By doing so, laser light emitted from the outer laser light emitting end face 21a can be extracted in any direction. Note that the protection member 31 in this embodiment is
And the structure for attaching the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22 and the protection member 31 to the lead 24 are exactly the same as in the first embodiment.

【0040】図12および図13は第9実施例の半導体
レーザ装置における製造工程を示す図である。本実施例
における半導体レーザ装置は、半導体レーザチップ,モ
ニタ用ホトダイオードチップおよびワイヤ等を覆って保
護する保護部材をフレーム化して、保護部材のリードフ
レームへの装着を容易にしたものである。以下、図12
および図13に従って、本実施例における半導体レーザ
装置の製造方法について述べる。
FIGS. 12 and 13 are views showing the manufacturing process of the semiconductor laser device of the ninth embodiment. In the semiconductor laser device according to the present embodiment, a protective member that covers and protects the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, the wires, and the like is formed into a frame to facilitate mounting of the protective member on a lead frame. Hereinafter, FIG.
A method of manufacturing the semiconductor laser device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0041】図12(b)に示すように、図12(a)のよう
な形状を有するリードフレーム51における共通リード
52の最先端に半導体レーザチップ21をマウントし、
さらにその内側にモニタ用ホトダイオードチップ22を
マウントする。その際における半導体レーザチップ21
およびモニタ用ホトダイオードチップ22の共通リード
52に対する設置状態は、図2,図5,図6または図8の
何れであっても構わない。但し、本実施例においては、
図2に示す状態に設置してある。
As shown in FIG. 12B, the semiconductor laser chip 21 is mounted on the leading end of the common lead 52 of the lead frame 51 having the shape as shown in FIG.
Further, a monitoring photodiode chip 22 is mounted on the inside. The semiconductor laser chip 21 at that time
The installation state of the monitoring photodiode chip 22 with respect to the common lead 52 may be any of FIG. 2, FIG. 5, FIG. 6, or FIG. However, in this embodiment,
It is installed in the state shown in FIG.

【0042】次に、図13(c)に示すように、上記共通
リード52に併設されたリード53と半導体レーザチッ
プ21(図13(c)では図番を省略)とをAu(金)線のワイ
ヤ55で電気的に接続する。同様に、共通リード52に
併設されたリード54とモニタ用ホトダイオードチップ
22(図13(c)では図番を省略)とをAu(金)線のワイヤ
56で電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 13 (c), the lead 53 provided alongside the common lead 52 and the semiconductor laser chip 21 (the figure is omitted in FIG. 13 (c)) are connected to an Au (gold) wire. Are electrically connected by the wire 55. Similarly, the leads 54 attached to the common lead 52 and the monitoring photodiode chip 22 (the figure number is omitted in FIG. 13C) are electrically connected by Au (gold) wire 56.

【0043】次に、図13(d)に示すように、後に詳述
するような形状を有する複数の保護部材57,57,…の
夫々を連結棒58,58,…で一列に連結して成る保護部
材フレーム59を用意する。そして、この保護部材フレ
ーム59における個々の保護部材57の中に隣接したリ
ード52,53,54から成る組の先端部を挿入して、保
護部材フレーム59をリードフレーム51に取り付け
る。こうして、各半導体レーザチップ21,モニタ用ホ
トダイオードチップ22及びワイヤ55・56(何れも、
図13(d)では図番を省略)が保護部材57によって保護
される。
Next, as shown in FIG. 13 (d), a plurality of protective members 57, 57,... Having a shape described in detail later are connected in a row by connecting rods 58, 58,. A protective member frame 59 is prepared. Then, the distal end of a set of adjacent leads 52, 53, 54 is inserted into each protective member 57 of the protective member frame 59, and the protective member frame 59 is attached to the lead frame 51. Thus, each of the semiconductor laser chips 21, the monitoring photodiode chip 22, and the wires 55 and 56 (all
13 (d) is protected by the protection member 57.

【0044】次に、図13(e)に示すように、上記保護
部材フレーム59の連結棒58およびリードフレーム5
1の各リード52,53,54を切断して、リード52,
53,54の先端に取り付けられた半導体レーザチップ
21,モニタ用ホトダイオードチップ22およびワイヤ
55・56が保護部材57によって覆われた半導体レー
ザ装置が得られるのである。
Next, as shown in FIG. 13E, the connecting rod 58 of the protective member frame 59 and the lead frame 5
1 to cut the leads 52, 53, 54
As a result, a semiconductor laser device in which the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode chip 22 and the wires 55 and 56 attached to the tips of the 53 and 54 are covered with the protective member 57 is obtained.

【0045】上記保護部材フレーム59における個々の
保護部材57は、図14に示すような構造を有する。保
護部材57は円筒形を成し、その内周面に軸方向の2本
の溝58,59が設けられて、共通リード52の両側に
位置するリード53,54の外4辺が嵌合可能になって
いる。
The individual protective members 57 in the protective member frame 59 have a structure as shown in FIG. The protection member 57 has a cylindrical shape, and has two axial grooves 58 and 59 on its inner peripheral surface, so that the outer four sides of the leads 53 and 54 located on both sides of the common lead 52 can be fitted. It has become.

【0046】そして、上記構成の保護部材フレーム59
をリードフレーム51に取り付ける際には、図14(a),
図14(b)に示すように、各リード53,24の外側辺の
端部を保護部材57の対応する溝58,59に嵌合さ
せ、溝58,59をガイドとして保護部材57内に各リ
ード52,53,54を矢印方向に挿入する。そして、図
14(b)に示すように、保護部材57の端面60におけ
る溝58,59の箇所とリード53,54とを樹脂61で
固定する。その際に、上記溝58,59の長さを、保護
部材57が半導体レーザチップ21,モニタ用ホトダイ
オード22およびワイヤ55・56の箇所を完全に覆う
ことができるような長さに設定しておけば充分な保護効
果を得ることができる。
Then, the protective member frame 59 having the above-described structure is formed.
When attaching to the lead frame 51, FIG.
As shown in FIG. 14 (b), the ends of the outer sides of the leads 53, 24 are fitted into the corresponding grooves 58, 59 of the protection member 57, and the grooves 58, 59 are used as guides to insert the respective leads into the protection member 57. Insert the leads 52, 53, 54 in the direction of the arrow. Then, as shown in FIG. 14B, the locations of the grooves 58 and 59 on the end face 60 of the protection member 57 and the leads 53 and 54 are fixed with a resin 61. At this time, the lengths of the grooves 58 and 59 are set so that the protection member 57 can completely cover the semiconductor laser chip 21, the monitoring photodiode 22, and the wires 55 and 56. As a result, a sufficient protective effect can be obtained.

【0047】図15は第10実施例の半導体レーザ装置
における斜視図である。本実施例における保護部材は図
1における保護部材31と同じ構造である。上記保護部
材31によって保護される共通リード62の先端部は
“T"字形を成している。そして、共通リード62にお
ける上記“T"字形の横棒に当たる箇所(以下、横棒と言
う)63の中央に半導体レーザチップ21をマウントす
る。また、上記“T"字形の縦棒に当たる箇所(以下、縦
棒64と言う)における上記横棒63の付け根の箇所を
斜めに折り曲げ、その折曲箇所にモニタ用ホトダイオー
ドチップ22を半導体レーザチップ21を望むようにマ
ウントする。そして、上記半導体レーザチップ21をワ
イヤ68によってリード66に電気的に接続する一方、
モニタ用ホトダイオードチップ22をワイヤ67によっ
てリード65に接続する。
FIG. 15 is a perspective view of a semiconductor laser device according to the tenth embodiment. The protection member in the present embodiment has the same structure as the protection member 31 in FIG. The distal end of the common lead 62 protected by the protection member 31 has a "T" shape. Then, the semiconductor laser chip 21 is mounted at the center of a portion (hereinafter, referred to as a horizontal bar) 63 of the common lead 62 which corresponds to the “T” -shaped horizontal bar. Further, the base of the horizontal bar 63 at a position corresponding to the vertical bar of the "T" shape (hereinafter referred to as a vertical bar 64) is bent obliquely, and the monitoring photodiode chip 22 is provided with the semiconductor laser chip 21 at the bent position. Mount as desired. Then, while the semiconductor laser chip 21 is electrically connected to the leads 66 by wires 68,
The monitoring photodiode chip 22 is connected to the lead 65 by a wire 67.

【0048】上記共通リード62の横棒63の長さは保
護部材31の内径よりも長くなっており、共通リード6
2は保護部材31の上側保護部材32と下側保護部材3
3とによって把持される。また、上記リード65,66
は外側に折れ曲がった“L"字形をなし、その外側端部
は上記共通リード62と同様に保護部材31の上側保護
部材32と下側保護部材33との接合部によって把持さ
れている。こうして、上記上側保護部材32の側部と底
部および下側保護部材33の側部と底部とで保護部材3
1を各リード62,65,66に固定する。したがって、
本実施例によれば、中空の保護部材31の固定をより確
実なものにできる。
The length of the horizontal bar 63 of the common lead 62 is longer than the inner diameter of the protection member 31.
2 is an upper protection member 32 and a lower protection member 3 of the protection member 31.
3 and is grasped. Also, the leads 65, 66
Has an "L" shape bent outward, and its outer end is gripped by a joint between the upper protection member 32 and the lower protection member 33 of the protection member 31 as in the case of the common lead 62. Thus, the side and bottom of the upper protection member 32 and the side and bottom of the lower protection member 33 form the protection member 3.
1 is fixed to each of the leads 62, 65, 66. Therefore,
According to the present embodiment, the hollow protection member 31 can be more securely fixed.

【0049】尚、本実施例では、上記モニタ用ホトダイ
オードチップ22を共通リード62の縦棒64を斜めに
折れ曲げた箇所にマウントして、半導体レーザチップ2
1からのレーザ光が効果的に入射されるようにしてい
る。しかしながら、これに限定されるものではなく、図
5に示すように共通リードの縦棒を直線に形成して半導
体レーザチップ21をサブマウント上にマウントしても
構わない。
In the present embodiment, the monitoring photodiode chip 22 is mounted at a position where the vertical bar 64 of the common lead 62 is bent obliquely.
The laser light from No. 1 is effectively incident. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor laser chip 21 may be mounted on the submount by forming a vertical bar of the common lead in a straight line as shown in FIG.

【0050】図16は第11実施例の半導体レーザ装置
における斜視図である。本実施例における保護部材71
は有底の円筒の側部を軸に沿って切り欠いた形状をな
し、リード72,73,74と一体成型されている。この
各リード72,73,74は、保護部材71の底部71a
の両面からこの底部71aに垂直な方向に突出して形成
される。そして、リード72における保護部材71側の
最先端に半導体レーザチップ21をマウントとし、その
内側にはモニタ用ホトダイオードチップ22を傾斜させ
てマウントする。
FIG. 16 is a perspective view of a semiconductor laser device according to the eleventh embodiment. Protective member 71 in this embodiment
Has a shape in which the side of a bottomed cylinder is cut out along the axis, and is integrally formed with the leads 72, 73, 74. Each of the leads 72, 73, 74 is attached to the bottom 71 a of the protection member 71.
Are formed so as to protrude from both surfaces in a direction perpendicular to the bottom 71a. The semiconductor laser chip 21 is mounted at the leading end of the lead 72 on the side of the protection member 71, and the monitoring photodiode chip 22 is mounted inside the semiconductor laser chip 21 at an angle.

【0051】上記半導体レーザチップ21はワイヤ75
でリード73に電気的に接続する一方、モニタ用ホトダ
イオードチップ22はワイヤ76でリード74に電気的
に接続する。その際に、保護部材71の側部における各
リード72,73,74の並び面に対して半導体レーザチ
ップ21側が軸に沿って切り欠かれているので、リード
72,73,74に対するダイボンディングとワイヤボン
ディングが作業性良く実施できるのである。
The semiconductor laser chip 21 has a wire 75
And the monitoring photodiode chip 22 is electrically connected to the lead 74 by a wire 76. At this time, since the semiconductor laser chip 21 side is cut out along the axis with respect to the arrangement surface of the leads 72, 73, 74 on the side of the protection member 71, die bonding to the leads 72, 73, 74 is performed. Wire bonding can be performed with good workability.

【0052】図17は第12実施例の半導体レーザ装置
における断面図である。本実施例における保護部材81
は、有底であって、且つ有蓋の円筒状を成している。こ
の保護部材81も、図1に示す保護部材と同様に上側保
護部材82と下側保護部材83とに分割可能になってい
る。そして、上側保護部材82の底部82aと下側保護
部材83の底部83aとの分割面で把持されているリー
ド84の最先端には半導体レーザチップ21をマウント
し、その内側にはモニタ用ホトダイオードチップ22を
傾斜させてマウントしている。
FIG. 17 is a sectional view of a semiconductor laser device according to the twelfth embodiment. Protective member 81 in this embodiment
Has a bottomed and closed cylindrical shape. This protective member 81 can also be divided into an upper protective member 82 and a lower protective member 83, similarly to the protective member shown in FIG. The semiconductor laser chip 21 is mounted on the leading end of the lead 84 which is gripped by the division surface between the bottom 82a of the upper protection member 82 and the bottom 83a of the lower protection member 83, and a monitoring photodiode chip is provided inside the semiconductor laser chip 21. 22 is mounted at an angle.

【0053】上記上側保護部材82の蓋部82bと下側
保護部材83の蓋部83bとの接合部中央には、半導体
レーザチップ21からの出射光が通過可能に孔82cを
設けている。このように、本実施例における保護部材8
1では、半導体レーザチップ21における外側レーザ光
出射端面に対向する箇所以外を完全に密封して外部から
の光の影響を極力少なくしている。
A hole 82c is provided at the center of the joint between the lid 82b of the upper protective member 82 and the lid 83b of the lower protective member 83 so that light emitted from the semiconductor laser chip 21 can pass therethrough. As described above, the protection member 8 according to the present embodiment is used.
In No. 1, the portion of the semiconductor laser chip 21 other than the portion facing the outer laser light emitting end face is completely sealed to minimize the influence of external light.

【0054】さらに、上記構成の保護部材81の内面を
光吸収膜86でコーティングし、半導体レーザチップ2
1における内側レーザ光出射端面からのレーザ光の一部
あるいは蓋部82b,83bの孔82cから侵入する外部か
らの光を吸収するようにしている。こうすることによっ
て、上記半導体レーザチップ21の外側レーザ光出射端
面から出射されるレーザ光の強度を正確に制御できるの
である。また、半導体レーザチップ21の内側レーザ光
出射端面から出射されたレーザ光がモニタ用ホトダイオ
ードチップ22の表面で反射しても、保護部材81の内
面にコーティングされた光吸収膜86によって吸収され
るので、上記反射光が外部へ出射するのが防止される。
したがって、出射光のファーフィールドパターンにリッ
プルが生ずることがない。
Further, the inner surface of the protective member 81 having the above configuration is coated with a light absorbing film 86, and the semiconductor laser chip 2
1 to absorb a part of the laser light from the inner laser light emitting end face or the light from the outside which enters through the holes 82c of the lids 82b and 83b. By doing so, the intensity of the laser beam emitted from the outer laser beam emitting end face of the semiconductor laser chip 21 can be accurately controlled. Further, even if the laser light emitted from the inner laser light emitting end face of the semiconductor laser chip 21 is reflected on the surface of the monitoring photodiode chip 22, it is absorbed by the light absorbing film 86 coated on the inner surface of the protection member 81. The reflected light is prevented from being emitted to the outside.
Therefore, no ripple occurs in the far field pattern of the emitted light.

【0055】図18は第13実施例の半導体レーザ装置
における斜視図であり、図19は側面図である。本実施
例における保護部材91は“コ"字を倒した形状をな
し、各リード92,93,94と一体成型されている。そ
して、リード92の最先端にはサブマウント34を介し
て半導体レーザチップ21をマウントし、その内側には
モニタ用ホトダイオードチップ22をマウントする。
FIG. 18 is a perspective view of the semiconductor laser device of the thirteenth embodiment, and FIG. 19 is a side view. The protection member 91 in this embodiment has a shape in which a U-shape is inclined, and is integrally formed with the leads 92, 93, and 94. The semiconductor laser chip 21 is mounted on the leading end of the lead 92 via the submount 34, and the monitoring photodiode chip 22 is mounted inside the semiconductor laser chip 21.

【0056】上記各リード92,93,94の先端の端面
には同一面上にある基準面92a,93a,94aが形成さ
れている。また、半導体レーザチップ21の外側レーザ
光出射端面21bを上記基準面92a,93a,94aと同一
面になるようにしている。このように、各リード92,
93,94の先端に基準面92a,93a,94aを設けるこ
とによって、この半導体レーザ装置を外部システムに取
り付ける際の取り付け精度が向上する。その際に、保護
部材91を“コ"字状断面に形成することによって、半
導体レーザチップ21等の取り付け性や半導体レーザ装
置の外部システムへの取り付け性と半導体レーザチップ
21等の保護性とのバランスを図ることができる。
Reference ends 92a, 93a and 94a are formed on the same end surface of the ends of the leads 92, 93 and 94. Further, the outer laser light emitting end face 21b of the semiconductor laser chip 21 is made to be flush with the reference faces 92a, 93a, 94a. Thus, each lead 92,
By providing the reference surfaces 92a, 93a, 94a at the tips of 93, 94, the mounting accuracy when mounting this semiconductor laser device to an external system is improved. At this time, by forming the protection member 91 in a “U” -shaped cross section, the attachment property of the semiconductor laser chip 21 and the like, the attachment property to the external system of the semiconductor laser device, and the protection property of the semiconductor laser chip 21 and the like are improved. Balance can be achieved.

【0057】図20は第14実施例の半導体レーザ装置
における斜視図であり、図21は側面図である。本実施
例における保護部材95は“コ"字を立てた形状をな
し、その基部96の内側表面96aにはリード98,9
9,99,…がプリント配線されている。そして、リード
98の先端には半導体レーザチップ21をサブマウント
34を介してマウントし、その内側にはモニタ用ホトダ
イオードチップ22をマウントしている。また、基部9
6における端面96b上には半導体レーザチップ21か
ら出射されたレーザ信号の反射光による信号を検出する
信号検出用のホトダイオードチップ100を取り付けて
いる。
FIG. 20 is a perspective view of the semiconductor laser device of the fourteenth embodiment, and FIG. 21 is a side view. The protection member 95 in this embodiment has a "U" shape, and leads 98, 9 are provided on the inner surface 96a of the base 96 thereof.
9,99,... Are printed and wired. The semiconductor laser chip 21 is mounted on the tip of the lead 98 via the submount 34, and the monitoring photodiode chip 22 is mounted inside the semiconductor laser chip 21. Also, the base 9
The photodiode chip 100 for signal detection for detecting a signal based on the reflected light of the laser signal emitted from the semiconductor laser chip 21 is mounted on the end surface 96b in 6.

【0058】本実施例における保護部材95も基準面を
有している。この基準面は、保護部材95における基部
96の両側に起立している側板97,97のホトダイオ
ードチップ100側の端面97a,97aで成っており、
基部96の端面96b上に取り付けられたホトダイオー
ドチップ100の表面より前方に形成されている。図2
1では、上記基準面97a,97aにホログラムガラス1
01を取り付けることによって、ホログラムレーザユニ
ットを形成している。尚、上記基準面は、側板97,9
7の反ホトダイオードチップ100側の端面97b,97
bに形成してもよい。
The protection member 95 in this embodiment also has a reference surface. This reference plane is composed of end faces 97a, 97a on the photodiode chip 100 side of side plates 97, 97 standing on both sides of the base 96 of the protection member 95,
It is formed forward of the surface of the photodiode chip 100 mounted on the end surface 96b of the base 96. FIG.
1, the hologram glass 1 is provided on the reference surfaces 97a, 97a.
The hologram laser unit is formed by attaching 01. In addition, the said reference surface is the side plate 97,9.
End faces 97b, 97 on the anti-photodiode chip 100 side of No. 7
It may be formed in b.

【0059】図22は第15実施例の半導体レーザ装置
における横断面図である。本実施例は、図1に示す保護
部材31の改良に係り、保護部材をリードフレーム11
2の各リード113,114,115の先端部でも把持す
るものである。
FIG. 22 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device according to the fifteenth embodiment. The present embodiment relates to an improvement of the protection member 31 shown in FIG.
Also, the tip of each of the leads 113, 114, and 115 is gripped.

【0060】本実施例における保護部材110は、図1
に示す保護部材31と同様に上側保護部材111と下側
保護部材とに分割可能になっており、上側保護部材11
1の底部111aと下側保護部材の底部とによって各リ
ード113,114,115を把持することによって保護
部材111を固定している。尚、図22では上側保護部
材111の断面のみが見えている。また、上記半導体レ
ーザチップ21はリード113のチップ載置部116上
にマウントし、モニタ用ホトダイオードチップ22はリ
ード113上のチップ載置部116より内側にマウント
する。
The protection member 110 in this embodiment is the same as that shown in FIG.
Can be divided into an upper protection member 111 and a lower protection member, like the protection member 31 shown in FIG.
The protection member 111 is fixed by gripping the leads 113, 114, and 115 with the bottom 111a of the first and the bottom of the lower protection member. In FIG. 22, only the cross section of the upper protection member 111 is visible. The semiconductor laser chip 21 is mounted on the chip mounting portion 116 of the lead 113, and the monitoring photodiode chip 22 is mounted on the lead 113 inside the chip mounting portion 116.

【0061】それに加えて、本実施例では、上記保護部
材110における底部111aと反対側に孔111c付き
の蓋部111bを一体に形成する。この蓋部111bは肉
厚に形成され、上側保護部材111の蓋部111bと下
側保護部材の蓋部(図22には現れていない)との接合面
で、リード114,115の先端部114a,115aおよ
びリード112のチップ載置部116における両側部1
16a,116aを把持する。こうして、上記蓋部111b
と底部111aとで保護部材110を各リード113,1
14,115に固定するのである。したがって、本実施
例によれば、中空の保護部材110の固定をより確実な
ものにできる。
In addition, in this embodiment, a lid 111b having a hole 111c is formed integrally with the protective member 110 on the side opposite to the bottom 111a. The lid portion 111b is formed to be thick, and is a joining surface between the lid portion 111b of the upper protection member 111 and the lid portion (not shown in FIG. 22) of the lower protection member. , 115a and both sides 1 of the chip placement portion 116 of the lead 112
16a and 116a are gripped. Thus, the lid 111b
The protection member 110 is connected to each of the leads 113,1 with the bottom portion 111a.
It is fixed to 14,115. Therefore, according to the present embodiment, the hollow protection member 110 can be more securely fixed.

【0062】上述した第1実施例乃至第15実施例にお
いて形成された半導体レーザ装置を特に光ディスク用光
源として使用する場合には、上述のように上記半導体レ
ーザチップ,モニタ用ホトダイオードチップおよびワイ
ヤを樹脂で覆う際に、上記半導体レーザチップにおける
外側レーザ光出射端面の箇所の樹脂厚が500μm以下
であってレーザ光出射端面に対して平行になるように覆
うことが望ましい。これは、半導体レーザ装置を光ディ
スク用光源として使用する場合には、上記外側レーザ光
出射端面を覆う樹脂による光軸のずれや外側レーザ光出
射端面と樹脂表面との多重反射の影響が問題となるから
である。
When the semiconductor laser device formed in the above-described first to fifteenth embodiments is used particularly as a light source for an optical disk, as described above, the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and the wire are made of resin. When covering the semiconductor laser chip, it is desirable to cover the semiconductor laser chip so that the resin thickness at the location of the outer laser light emitting end face is 500 μm or less and parallel to the laser light emitting end face. When the semiconductor laser device is used as a light source for an optical disk, there is a problem of the displacement of the optical axis due to the resin covering the outer laser light emitting end face and the effect of multiple reflection between the outer laser light emitting end face and the resin surface. Because.

【0063】図23は、厚みが500μm以下であって
且つその表面が上記外側レーザ光出射端面に対して平行
になるように半導体レーザチップを樹脂で被覆した半導
体レーザ装置のレーザ光出射特性の一例を示す。図23
から分かるように、上記外側レーザ光出射端面を1種類
の樹脂によって樹脂厚500μmで被覆することによっ
て、レーザ発振する活性層に対して水平方向の光強度分
布“θ‖"も上記活性層に対して垂直方向の光強度分布
“θ⊥"も、単峰の特性を有する。
FIG. 23 shows an example of laser light emission characteristics of a semiconductor laser device having a thickness of 500 μm or less and a semiconductor laser chip coated with resin so that the surface is parallel to the outer laser light emission end face. Is shown. FIG.
As can be seen from the above, by coating the above-mentioned outer laser beam emitting end face with one kind of resin with a resin thickness of 500 μm, the light intensity distribution “θ‖” in the horizontal direction with respect to the active layer that oscillates laser is also smaller than that of the active layer. The vertical light intensity distribution “θ⊥” also has a single-peak characteristic.

【0064】また、上記半導体レーザチップにおける外
側レーザ光出射端面を被覆している上記樹脂の表面は外
側レーザ光出射端面に対して平行になっているので、上
記両光強度分布とも光軸がずれていない特性を有する。
つまり、上記樹脂構成によれば、光ディスク用光源とし
て使用可能な半導体レーザ装置を提供できるのである。
Further, since the surface of the resin covering the outer laser light emitting end face of the semiconductor laser chip is parallel to the outer laser light emitting end face, the optical axis is displaced in both the light intensity distributions. Not have any characteristics.
That is, according to the resin configuration, a semiconductor laser device that can be used as a light source for an optical disk can be provided.

【0065】尚、上記樹脂厚は500μm以下であれば
よく、例えば、樹脂厚400μm,300μm,200μm,
100μmの場合においても良好な特性が得られる。し
かしながら、上記樹脂厚があまり薄いと周囲の湿度によ
って端面腐食が発生して樹脂が劣化し、レーザの動作電
流に大きな変動が生じて信頼性が低下する。そのため
に、樹脂厚は少なくとも10μm以上であることが望ま
しい。
The thickness of the resin may be 500 μm or less. For example, the resin thickness is 400 μm, 300 μm, 200 μm,
Good characteristics can be obtained even in the case of 100 μm. However, if the thickness of the resin is too small, corrosion of the end face occurs due to ambient humidity, and the resin is deteriorated. As a result, the operating current of the laser greatly varies, and the reliability is reduced. Therefore, it is desirable that the resin thickness is at least 10 μm or more.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項1に係
る発明の半導体レーザ装置は、樹脂で被覆された半導体
レーザチップおよびモニタ用ホトダイオードチップが搭
載されているリードに一体に取り付けられた保護部材に
よって、少なくとも上記半導体レーザチップ,モニタ用
ホトダイオードチップ,上記半導体レーザチップに電気
的に接続された第1のワイヤおよび上記モニタ用ホトダ
イオードチップに電気的に接続された第2のワイヤの周
囲を囲って保護するので、上記半導体レーザチップ,モ
ニタ用ホトダイオードチップ及び両ワイヤを外力から効
果的に保護できる。したがって、この発明によれば、半
導体レーザ装置の製造工程を簡略化して、半導体レーザ
装置の小型化および低価格化を容易に図ることができ
る。さらに、上記保護部材は、平面をコ字状に折り曲げ
た形状を成している。したがって、半導体レーザチップ
等の取り付け性や半導体レーザ装置の外部システムへの
取り付け性を損なうことなく、上記保護機能を発揮でき
る。
As is apparent from the above description, the semiconductor laser device according to the first aspect of the present invention includes a protection device integrally mounted on a lead on which a semiconductor laser chip coated with a resin and a monitoring photodiode chip are mounted. A member surrounds at least a periphery of the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, a first wire electrically connected to the semiconductor laser chip, and a second wire electrically connected to the monitoring photodiode chip. Therefore, the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and both wires can be effectively protected from external force. Therefore, according to the present invention, the manufacturing process of the semiconductor laser device can be simplified, and the size and cost of the semiconductor laser device can be easily reduced. Further, the protection member has a shape obtained by bending a plane into a U-shape. Therefore, the above protection function can be exhibited without impairing the mountability of the semiconductor laser chip or the like and the mountability of the semiconductor laser device to an external system.

【0067】また、請求項2に係る発明の半導体レーザ
装置は、樹脂で被覆された半導体レーザチップおよびモ
ニタ用ホトダイオードチップをリードフレームのリード
に搭載し、上記保護部材を有底の筒状に成すと共に、こ
の保護部材の底部に上記リードを貫通しているので、上
記保護部材によって、上記半導体レーザチップ,モニタ
用ホトダイオードチップおよび両チップに電気的に接続
された第1,第2のワイヤを覆って外力から効果的に保
護できる。したがって、この発明によれば、半導体レー
ザ装置の製造工程を簡略化して、半導体レーザ装置の小
型化および低価格化を容易に図ることができる。
According to a second aspect of the present invention, a semiconductor laser chip and a monitoring photodiode chip covered with resin are mounted on leads of a lead frame, and the protective member is formed in a bottomed cylindrical shape. At the same time, since the lead penetrates through the bottom of the protection member, the protection member covers the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and the first and second wires electrically connected to both chips. Effectively protects against external forces. Therefore, according to the present invention, the manufacturing process of the semiconductor laser device can be simplified, and the size and cost of the semiconductor laser device can be easily reduced.

【0068】また、請求項3に係る発明の半導体レーザ
装置は、樹脂で被覆された半導体レーザチップおよびモ
ニタ用ホトダイオードチップをリードフレームの第1リ
ードに搭載し、上記半導体レーザチップを第1のワイヤ
で上記リードフレームの第2リードに接続し、上記モニ
タ用ホトダイオードチップを第2のワイヤで上記リード
フレームの第3リードに接続し、上記保護部材を筒状に
成すと共に、その内面に延在する少なくとも2本の溝に
上記各リードの側辺のうち最も外側に位置する側辺を嵌
合して上記保護部材を上記リードに一体に取り付けるよ
うにしているので、上記リードフレームに上記保護部材
を装着する際には、上記溝をガイドとして上記保護部材
内にリードを挿入することによって容易に装着できる。
したがって、この発明によれば、複数の上記保護部材を
連結棒で連結してフレーム化し、このフレーム化された
複数の保護部材を上記リードフレームにおける複数のリ
ードに同時に装着することが可能になる。こうして、生
産性の向上を図ることができる。
According to a third aspect of the present invention, a semiconductor laser chip and a monitoring photodiode chip covered with a resin are mounted on a first lead of a lead frame, and the semiconductor laser chip is connected to a first wire. Connected to the second lead of the lead frame, the monitor photodiode chip is connected to the third lead of the lead frame by a second wire, and the protection member is formed in a cylindrical shape and extends on the inner surface thereof. Since the outermost side of each of the leads is fitted into at least two grooves and the protective member is integrally attached to the lead, the protective member is attached to the lead frame. When mounting, the lead can be easily mounted by inserting a lead into the protective member using the groove as a guide.
Therefore, according to the present invention, it is possible to connect the plurality of protection members with a connecting rod to form a frame, and to simultaneously mount the plurality of framed protection members on the plurality of leads of the lead frame. Thus, productivity can be improved.

【0069】また、請求項4に係る発明の半導体レーザ
装置は、上記保護部材を上記半導体レーザチップから出
射されて外方に向かうレーザ光を通過させる孔を残して
密閉された構造に成すと共に、内面には光吸収膜を形成
しているので、上記保護部材は、外部から侵入する光を
遮断できると共に、外部に向かうことができなかったレ
ーザ光や上記孔から侵入した僅かな光を内面に形成され
た光吸収膜によって吸収できる。したがって、この発明
によれば、取り扱いが容易になることに加えて、外部等
からの光の影響を極力少なくして、上記半導体レーザチ
ップから外部に向かって出射されるレーザ光の強度を正
確に制御できる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser device of the present invention, the protective member has a hermetically sealed structure except for a hole through which the laser light emitted from the semiconductor laser chip passes outward. Since the light absorbing film is formed on the inner surface, the protective member can block light entering from the outside, and also emits laser light that could not go to the outside and slight light entering from the hole on the inner surface. It can be absorbed by the formed light absorbing film. Therefore, according to the present invention, in addition to the ease of handling, the influence of light from the outside or the like is reduced as much as possible, and the intensity of the laser light emitted from the semiconductor laser chip to the outside is accurately adjusted. Can control.

【0070】また、請求項5に係る発明の半導体レーザ
装置は、上記保護部材における上記半導体レーザチップ
から出射されて外方に向かうレーザ光の通過位置に光学
部材を設けているので、取り扱いが容易になることに加
えて、上記光学部材の特性に応じてレーザ光を取り出す
ことができる。
Further, in the semiconductor laser device according to the fifth aspect of the present invention, the optical member is provided in the protective member at a position where the laser light emitted from the semiconductor laser chip and going outward is provided, so that the handling is easy. In addition, laser light can be extracted according to the characteristics of the optical member.

【0071】また、請求項6に係る発明の半導体レーザ
装置は、上記半導体レーザチップが搭載されている基部
を他の機器に設置する際の基準位置を定める基準面を上
記保護部材に設けたので、この半導体レーザ装置を容易
に外部機器に設置できる。そして、その際における上記
保護部材に設けた基準面によって上記基部の上記他の機
器に対する設置基準位値が定められる。したがって、こ
の発明によれば、取り扱いが容易になることに加えて、
上記半導体レーザチップから出射されたレーザ光の上記
外部機器への入射位置を正確に定めることができる。
Further, in the semiconductor laser device of the invention according to claim 6, the reference surface for determining the reference position when the base on which the semiconductor laser chip is mounted is installed in another device is provided on the protective member. The semiconductor laser device can be easily installed in an external device. Then, an installation reference position value of the base with respect to the other device is determined by a reference surface provided on the protection member at that time. Therefore, according to the present invention, in addition to easy handling,
The incident position of the laser light emitted from the semiconductor laser chip on the external device can be accurately determined.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の半導体レーザ装置の一実施例におけ
る斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す半導体レーザ装置の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor laser device shown in FIG.

【図3】図1に示す半導体レーザ装置の形成の説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory view of the formation of the semiconductor laser device shown in FIG. 1;

【図4】図1における保護部材の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a protection member in FIG. 1;

【図5】図1とは異なる半導体レーザ装置の断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device different from FIG.

【図6】図1および図5とは異なる半導体レーザ装置の
断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1 and 5;

【図7】図1,図5および図6とは異なる半導体レーザ
装置の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 and 6;

【図8】図1,図5乃至図7とは異なる半導体レーザ装
置の断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 7;

【図9】図1,図5乃至図8とは異なる半導体レーザ装
置の断面図である。
9 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 8;

【図10】図1,図5乃至図9とは異なる半導体レーザ
装置の断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 9;

【図11】図1,図5乃至図10とは異なる半導体レー
ザ装置の断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 10;

【図12】図1,図5乃至図11とは異なる半導体レー
ザ装置における製造工程を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a manufacturing process in a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 11;

【図13】図12に続く製造工程を示す図である。FIG. 13 is a view showing a manufacturing step following FIG. 12;

【図14】図13における保持部材の構造およびリード
フレームの保護部材フレームへの取り付け手順の説明図
である。
14 is an explanatory view of the structure of the holding member in FIG. 13 and a procedure for attaching the lead frame to the protection member frame.

【図15】図1,図5乃至図12とは異なる半導体レー
ザ装置の斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12;

【図16】図1,図5乃至図12および図15とは異な
る半導体レーザ装置の斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12 and 15;

【図17】図1,図5乃至図12,図15および図16と
は異なる半導体レーザ装置の断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12, 15, and 16.

【図18】図1,図5乃至図12,図15乃至図17とは
異なる半導体レーザ装置の斜視図である。
18 is a perspective view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12, and 15 to 17. FIG.

【図19】図18に示す半導体レーザ装置の側面図であ
る。
19 is a side view of the semiconductor laser device shown in FIG.

【図20】図1,図5乃至図12,図15乃至図18とは
異なる半導体レーザ装置の斜視図である。
20 is a perspective view of a semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12, and 15 to 18. FIG.

【図21】図20に示す半導体レーザ装置の側面図であ
る。
21 is a side view of the semiconductor laser device shown in FIG.

【図22】図1,図5乃至図12,図15乃至図18およ
び図20とは異なる半導体レーザ装置の横断面図であ
る。
FIG. 22 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device different from FIGS. 1, 5 to 12, 15 to 18, and 20.

【図23】この発明の半導体レーザ装置によるレーザ光
出射特性の一例を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing an example of laser light emission characteristics of the semiconductor laser device of the present invention.

【図24】市販されている半導体レーザ装置の断面斜視
図である。
FIG. 24 is a sectional perspective view of a commercially available semiconductor laser device.

【図25】図24とは異なる従来の半導体レーザ装置の
製造過程における平面図である。
FIG. 25 is a plan view showing a manufacturing process of a conventional semiconductor laser device different from that of FIG. 24;

【図26】図25に示す半導体レーザ装置のA−A矢視
断面図である。
26 is a sectional view of the semiconductor laser device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21…半導体レーザチップ、22…モニタ用ホトダイオ
ードチップ、31,36,42,57,71,81,91,9
5,110…保護部材、32,37,43,82,111…
上側保護部材、33,38,44,83…下側保護部材、
24,26,27,41,52〜54,62,65,66,72
〜74,84,92〜94,98,99,113〜115…
リード、29,30,55,56,67,68,75,76…
ワイヤ、34,35…サブマウント、 45…蓋
部材、46…光学レンズ、 47,10
1…ホログラムガラス、48…光ファイバ、
59…保護部材フレーム、86…光吸収膜、
92a〜94a,97a…基準面。
21: semiconductor laser chip, 22: monitor photodiode chip, 31, 36, 42, 57, 71, 81, 91, 9
5,110 ... Protection member, 32,37,43,82,111 ...
Upper protection member, 33, 38, 44, 83 ... lower protection member,
24,26,27,41,52 to 54,62,65,66,72
~ 74,84,92 ~ 94,98,99,113 ~ 115 ...
Reed, 29, 30, 55, 56, 67, 68, 75, 76 ...
Wire, 34, 35 ... submount, 45 ... lid member, 46 ... optical lens, 47, 10
1: hologram glass, 48: optical fiber,
59: protective member frame, 86: light absorbing film,
92a to 94a, 97a: Reference plane.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 勝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 辻 亮 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−217687(JP,A) 特開 平3−142886(JP,A) 特開 平3−8385(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masaru Ogawa 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside (72) Inventor Ryo Tsuji 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Sharp Corporation (56) References JP-A-60-217687 (JP, A) JP-A-3-142886 (JP, A) JP-A-3-8385 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 リードフレームのリードに搭載されて樹
脂で被覆された半導体レーザチップと、上記リードに搭
載されて上記半導体レーザチップから出射されたレーザ
光を受光するモニタ用ホトダイオードチップと、上記半
導体レーザチップを第1の導電体に電気的に接続する第
1のワイヤと、上記モニタ用ホトダイオードチップを第
2の導電体に電気的に接続する第2のワイヤを有する半
導体レーザ装置において、 上記リードに一体に取り付けられると共に、少なくとも
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プ,第1のワイヤおよび第2のワイヤの周囲を囲って、
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プおよび両ワイヤを外力から保護する平面をコ字状に折
り曲げた形状を成す保護部材を備えたことを特徴とする
半導体レーザ装置。
A semiconductor laser chip mounted on a lead of a lead frame and covered with a resin; a monitoring photodiode chip mounted on the lead and receiving a laser beam emitted from the semiconductor laser chip; A semiconductor laser device comprising: a first wire for electrically connecting a laser chip to a first conductor; and a second wire for electrically connecting the monitor photodiode chip to a second conductor. Around at least the semiconductor laser chip, the photodiode chip for monitoring, the periphery of the first wire and the second wire,
A semiconductor laser device comprising: a protection member having a shape in which a plane for protecting the semiconductor laser chip, the monitoring photodiode chip, and both wires from external force is bent into a U-shape.
【請求項2】 リードフレームのリードに搭載されて樹
脂で被覆された半導体レーザチップと、上記リードに搭
載されて上記半導体レーザチップから出射されたレーザ
光を受光するモニタ用ホトダイオードチップと、上記半
導体レーザチップを第1の導電体に電気的に接続する第
1のワイヤと、上記モニタ用ホトダイオードチップを第
2の導電体に電気的に接続する第2のワイヤを有する半
導体レーザ装置において、 上記リードに一体に取り付けられると共に、少なくとも
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プ,第1のワイヤおよび第2のワイヤの周囲を覆って、
上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイオードチッ
プおよび両ワイヤを外力から保護する有底の筒状を成す
保護部材を備えて、 上記保護部材の底部は上記リードによって貫通されてい
ることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. A semiconductor laser chip mounted on a lead of a lead frame and covered with a resin, a monitoring photodiode chip mounted on the lead and receiving laser light emitted from the semiconductor laser chip, and a semiconductor laser chip mounted on the lead. A semiconductor laser device comprising: a first wire for electrically connecting a laser chip to a first conductor; and a second wire for electrically connecting the monitor photodiode chip to a second conductor. At the same time, and at least around the semiconductor laser chip, the photodiode chip for monitoring, the first wire and the second wire around,
A semiconductor laser chip, a monitor photodiode chip and a bottomed cylindrical protection member for protecting both wires from external force, wherein the bottom of the protection member is penetrated by the lead. apparatus.
【請求項3】 リードフレームの第1リードに搭載され
て樹脂で被覆された半導体レーザチップと、上記第1リ
ードに搭載されて上記半導体レーザチップから出射され
たレーザ光を受光するモニタ用ホトダイオードチップ
と、上記半導体レーザチップを上記リードフレームの第
2リードに電気的に接続する第1のワイヤと、上記モニ
タ用ホトダイオードチップを上記リードフレームの第3
リードに電気的に接続する第2のワイヤを有する半導体
レーザ装置であって、 少なくとも上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイ
オードチップ,第1のワイヤおよび第2のワイヤの周囲
を覆って、上記半導体レーザチップ,モニタ用ホトダイ
オードチップおよび両ワイヤを外力から保護する筒状を
成す保護部材を備えて、 上記保護部材の内面には軸方向に延在する少なくとも2
本の溝を有して、この溝に上記各リードの側辺のうち最
も外側に位置する側辺を嵌合することによって上記保護
部材が上記リードに一体に取り付けられていることを特
徴とする半導体レーザ装置。
3. A semiconductor laser chip mounted on a first lead of a lead frame and covered with a resin, and a monitoring photodiode chip mounted on the first lead and receiving laser light emitted from the semiconductor laser chip. A first wire for electrically connecting the semiconductor laser chip to a second lead of the lead frame; and a third wire for connecting the monitor photodiode chip to the third lead of the lead frame.
A semiconductor laser device having a second wire electrically connected to a lead, wherein the semiconductor laser chip covers at least a periphery of the semiconductor laser chip, a monitoring photodiode chip, a first wire and a second wire. A protection member having a cylindrical shape for protecting the monitoring photodiode chip and both wires from external force, and an inner surface of the protection member has at least two extending in an axial direction.
The protection member is integrally attached to the lead by fitting the outermost one of the sides of each of the leads into the groove. Semiconductor laser device.
【請求項4】 請求項1乃至請求項3の何れか一つに記
載の半導体レーザ装置において、 上記保護部材は、上記半導体レーザチップから出射され
て外方に向かうレーザ光を通過させる孔を残して密閉さ
れた構造を有すると共に、内面には光吸収膜が形成され
ていることを特徴とする半導体レーザ装置。
4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the protection member leaves a hole through which the laser light emitted from the semiconductor laser chip and directed outward passes. And a light-absorbing film formed on an inner surface of the semiconductor laser device.
【請求項5】 請求項1乃至請求項4の何れか一つに記
載の半導体レーザ装置において、 上記保護部材は、上記半導体レーザチップから出射され
て外方に向かうレーザ光の通過位置に光学部材が設けら
れていることを特徴とする半導体レーザ装置。
5. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the protective member is located at a position where a laser beam emitted from the semiconductor laser chip and directed outwardly passes. A semiconductor laser device comprising:
【請求項6】 請求項1乃至請求項5の何れか一つに記
載の半導体レーザ装置において、 上記保護部材には、上記半導体レーザチップが搭載され
ている基部を他の機器に設置する際の基準位置を定める
基準面が設けられていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
6. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the protective member has a base on which the semiconductor laser chip is mounted when the base is mounted on another device. A semiconductor laser device comprising a reference surface for determining a reference position.
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