JP3015646B2 - 位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 - Google Patents
位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平坦であるべき領域に
部分的に突出した形で残された位相シフトマスクの凸欠
陥を除去する位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥
修正装置に関する。
部分的に突出した形で残された位相シフトマスクの凸欠
陥を除去する位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥
修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクの凸欠陥を除去するべ
く、この凸欠陥に対する修正のエッチングをしていった
とき、基準面と同一面までエッチングした段階でエッチ
ングを停止する必要がある。これは、例えば、必要以上
にエッチングを続けると、新たに位相の変化する領域が
できてしまい、この領域が新たな欠陥になると考えられ
るからである。従って、凸欠陥に対するエッチング量す
なわちエッチング深さを正確にモニタすると同時に、基
準位相に相当する基準面に対するエッチングの過不足を
正確にモニタする必要がある。そのための、微少な高さ
あるいは深さを測定する主な方法として、次の(A) 〜
(C) に示すものがある。
く、この凸欠陥に対する修正のエッチングをしていった
とき、基準面と同一面までエッチングした段階でエッチ
ングを停止する必要がある。これは、例えば、必要以上
にエッチングを続けると、新たに位相の変化する領域が
できてしまい、この領域が新たな欠陥になると考えられ
るからである。従って、凸欠陥に対するエッチング量す
なわちエッチング深さを正確にモニタすると同時に、基
準位相に相当する基準面に対するエッチングの過不足を
正確にモニタする必要がある。そのための、微少な高さ
あるいは深さを測定する主な方法として、次の(A) 〜
(C) に示すものがある。
【０００３】(A) 触針法 これは微少なプローブを極めて小さな接触圧、例えば、
数ミリグラム（ｍｇ）乃至数マイクログラム（μｇ）で
試料表面に接触させながら移動することにより、表面の
凹凸形状をトレースしてゆくものである。ＳＴＭやＡＦ
Ｍも基本的には触針法と同様な原理で凹凸を測定するも
のである。
数ミリグラム（ｍｇ）乃至数マイクログラム（μｇ）で
試料表面に接触させながら移動することにより、表面の
凹凸形状をトレースしてゆくものである。ＳＴＭやＡＦ
Ｍも基本的には触針法と同様な原理で凹凸を測定するも
のである。
【０００４】(B) ステレオスコピー法 これは試料を異なった二つの角度から観察し、得られた
画像（この場合は二次電子画像）から特徴点を抽出し、
この特徴点を基準にして画像のずれ量から凹凸形状を表
すパラメータ、すなわち、高さ、エッジの傾斜角度等を
算出する方式であり、この手法は半導体分野での加工形
状の測定に広く用いられており、例えば、“M.Miyoshi,
F.Komatsu,M.Kumagai,N.Matsuda and K.Okumura,Measur
ement ofthe geometrical dimensions in the VLSI usi
ng the scanning electron microscope,Proc.XIth Int.
Cong.on Electron Microscopy,Kyoto,1986,pp.657-65
8”に記載されている。
画像（この場合は二次電子画像）から特徴点を抽出し、
この特徴点を基準にして画像のずれ量から凹凸形状を表
すパラメータ、すなわち、高さ、エッジの傾斜角度等を
算出する方式であり、この手法は半導体分野での加工形
状の測定に広く用いられており、例えば、“M.Miyoshi,
F.Komatsu,M.Kumagai,N.Matsuda and K.Okumura,Measur
ement ofthe geometrical dimensions in the VLSI usi
ng the scanning electron microscope,Proc.XIth Int.
Cong.on Electron Microscopy,Kyoto,1986,pp.657-65
8”に記載されている。
【０００５】(C) ２検出器方式 これは光軸に対して対象に配置された二つの検出器Ａ，
Ｂの検出強度信号ａ，ｂから下記の実験的経験式 tanφ＝ｋ（ａ2 −ｂ2 ）／（ａN ＋ｂN ）2 …(1) を用いて傾斜角（試料表面と垂直な仮想軸線に対する角
度）φ、高さｈ及び断面プロファイルを算出する。この
(1) 式中のａN ，ｂN はそれぞれφ＝０゜における検出
器Ａ，Ｂの信号強度で、ｋは係数である。なお、上記
(1) 式が成立するφの範囲は75度以下である。このこと
が、「菅沼」著、「ＳＥＭによる断面測定」として「第
32回応用物理学関係連合講演会資料、p.333(29p-k-9),1
985 」に記載されている。
Ｂの検出強度信号ａ，ｂから下記の実験的経験式 tanφ＝ｋ（ａ2 −ｂ2 ）／（ａN ＋ｂN ）2 …(1) を用いて傾斜角（試料表面と垂直な仮想軸線に対する角
度）φ、高さｈ及び断面プロファイルを算出する。この
(1) 式中のａN ，ｂN はそれぞれφ＝０゜における検出
器Ａ，Ｂの信号強度で、ｋは係数である。なお、上記
(1) 式が成立するφの範囲は75度以下である。このこと
が、「菅沼」著、「ＳＥＭによる断面測定」として「第
32回応用物理学関係連合講演会資料、p.333(29p-k-9),1
985 」に記載されている。
【０００６】(D) コンタミネーション法 これは三次元形状を測定する簡便な方法で、まず垂直入
射（試料の傾斜角α＝０゜）で測定対象を線走査し、試
料表面にコンタミネーションラインを作り、次に、試料
を傾斜させ、傾斜させたことによるコンタミネーション
ラインの変化分から三次元形状を表すパラメータ、すな
わち、傾斜角φ、高さｈを求めるもので、このことが
“R.A.Hoover,Measuring surface variations with the
scanningelectron microscope using deposited conta
minations lines,J.Phys.E.Sci.Instrum.4,pp.747-749,
1971 ”に発表されている。
射（試料の傾斜角α＝０゜）で測定対象を線走査し、試
料表面にコンタミネーションラインを作り、次に、試料
を傾斜させ、傾斜させたことによるコンタミネーション
ラインの変化分から三次元形状を表すパラメータ、すな
わち、傾斜角φ、高さｈを求めるもので、このことが
“R.A.Hoover,Measuring surface variations with the
scanningelectron microscope using deposited conta
minations lines,J.Phys.E.Sci.Instrum.4,pp.747-749,
1971 ”に発表されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】集束イオンビーム発生
装置（ＦＩＢ）によるスパッタリング（イオンミリン
グ）やイオンあるいは電子ビーム等の荷電ビームを用い
てエッチングをするビームアシストエッチングでは、試
料を取り出したりせずにその場で深さを測定する、いわ
ゆる、インサイチュー測定が望まれている。位相シフト
マスクの欠陥を修正するために、集束イオンビームで加
工する必要がある場合、加工精度を高める上でもインサ
イチュー測定が最適である。
装置（ＦＩＢ）によるスパッタリング（イオンミリン
グ）やイオンあるいは電子ビーム等の荷電ビームを用い
てエッチングをするビームアシストエッチングでは、試
料を取り出したりせずにその場で深さを測定する、いわ
ゆる、インサイチュー測定が望まれている。位相シフト
マスクの欠陥を修正するために、集束イオンビームで加
工する必要がある場合、加工精度を高める上でもインサ
イチュー測定が最適である。
【０００８】しかし、上述した(A) の触針法若しくは走
査プローブ法は、試料を一旦取出して別の場所で測定す
ることが必要であることから、この方法はインサイチュ
ー測定とは言えない。
査プローブ法は、試料を一旦取出して別の場所で測定す
ることが必要であることから、この方法はインサイチュ
ー測定とは言えない。
【０００９】また、(B) のステレオスコピー法は、イオ
ンビームあるいは電子ビームによるエッチングを前提に
考えるとインサイチュー測定に適応し易い方法である。
しかし、この方法はエッチング深さの測定、及び、高さ
が既知の欠陥又は堆積膜の除去に適しているものの、高
さが不明の欠陥あるいは膜をエッチングし、基板面と一
致した時点でエッチングを停止しなければならない要求
に対しては不適当である。
ンビームあるいは電子ビームによるエッチングを前提に
考えるとインサイチュー測定に適応し易い方法である。
しかし、この方法はエッチング深さの測定、及び、高さ
が既知の欠陥又は堆積膜の除去に適しているものの、高
さが不明の欠陥あるいは膜をエッチングし、基板面と一
致した時点でエッチングを停止しなければならない要求
に対しては不適当である。
【００１０】さらに、(C) の２検出器方式は、測定可能
な傾斜角度φの適用範囲が75゜以下に制限されて実際的
でなく、また、ステレオスコピー法と同様、高さが、既
知である場合しか適用し難いものである。
な傾斜角度φの適用範囲が75゜以下に制限されて実際的
でなく、また、ステレオスコピー法と同様、高さが、既
知である場合しか適用し難いものである。
【００１１】またさらに、(D) のコンタミネーション法
は、コンタミネーションを積極的に付加することから試
料の汚染につながり、半導体分野では使用し難い技術で
あった。
は、コンタミネーションを積極的に付加することから試
料の汚染につながり、半導体分野では使用し難い技術で
あった。
【００１２】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、位相シフトマスクの欠陥修正に当たっ
て、インサイチューにてエッチング量、すなわち、エッ
チング深さを監視することができ、これにより高精度に
て凸欠陥を除去することのできる位相シフトマスクの欠
陥修正方法及び欠陥修正装置を提供することを目的とす
る。
なされたもので、位相シフトマスクの欠陥修正に当たっ
て、インサイチューにてエッチング量、すなわち、エッ
チング深さを監視することができ、これにより高精度に
て凸欠陥を除去することのできる位相シフトマスクの欠
陥修正方法及び欠陥修正装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る位相シフト
マスクの欠陥修正方法は、平坦であるべき領域に部分的
に突出した形で残された凸欠陥を除去するに当たり、凸
欠陥を覆うようにカーボンを堆積してカーボン堆積層を
形成し、カーボン堆積層の堆積領域のうち、凸欠陥を含
み、かつ、凸欠陥より広い部分領域を、カーボンとマス
ク材のエッチングレートを選択比１の条件で少くとも凸
欠陥が露呈するまでエッチングし、エッチングされたカ
ーボン表面と平坦なマスク表面とが含まれるように、表
面上方から見て直線状にカーボンを堆積させてカーボン
ラインを形成し、位相シフトマスクを表面斜め方向から
観察してエッチングされたカーボン表面のカーボンライ
ンと平坦なマスク表面のカーボンラインとのずれ量を測
定すると共に、このずれ量がゼロになるまで、カーボン
とマスク材のエッチングレートを選択比１の条件で部分
領域をエッチングし、マスク上に残っているカーボン堆
積層及びカーボンラインを全て除去する段階を有してい
る。
マスクの欠陥修正方法は、平坦であるべき領域に部分的
に突出した形で残された凸欠陥を除去するに当たり、凸
欠陥を覆うようにカーボンを堆積してカーボン堆積層を
形成し、カーボン堆積層の堆積領域のうち、凸欠陥を含
み、かつ、凸欠陥より広い部分領域を、カーボンとマス
ク材のエッチングレートを選択比１の条件で少くとも凸
欠陥が露呈するまでエッチングし、エッチングされたカ
ーボン表面と平坦なマスク表面とが含まれるように、表
面上方から見て直線状にカーボンを堆積させてカーボン
ラインを形成し、位相シフトマスクを表面斜め方向から
観察してエッチングされたカーボン表面のカーボンライ
ンと平坦なマスク表面のカーボンラインとのずれ量を測
定すると共に、このずれ量がゼロになるまで、カーボン
とマスク材のエッチングレートを選択比１の条件で部分
領域をエッチングし、マスク上に残っているカーボン堆
積層及びカーボンラインを全て除去する段階を有してい
る。
【００１４】好ましくは、カーボン堆積層の形成に先立
って、平坦なマスク表面と凸欠陥の表面とが含まれるよ
うに、表面上方から見て直線状にカーボンを堆積させて
カーボンラインを形成し、位相シフトマスクを表面斜め
方向から観察して前記凸欠陥の表面のカーボンラインと
前記平坦なマスク表面のカーボンラインとのずれ量を測
定すると共に、凸欠陥の高さを算出し、算出された凸欠
陥の高さに基いて前記カーボン堆積層の膜厚を決定す
る。
って、平坦なマスク表面と凸欠陥の表面とが含まれるよ
うに、表面上方から見て直線状にカーボンを堆積させて
カーボンラインを形成し、位相シフトマスクを表面斜め
方向から観察して前記凸欠陥の表面のカーボンラインと
前記平坦なマスク表面のカーボンラインとのずれ量を測
定すると共に、凸欠陥の高さを算出し、算出された凸欠
陥の高さに基いて前記カーボン堆積層の膜厚を決定す
る。
【００１５】本発明に係る位相シフトマスクの欠陥修正
装置は、修正対象の位相シフトマスクを載置するステー
ジと、位相シフトマスクに収束イオンビームを照射する
ビーム照射手段と、位相シフトマスク表面にハイドロカ
ーボンを供給するハイドロカーボン供給手段と、二次電
子を検出して前記位相マスク表面を観察する表面観察手
段と、位相シフトマスクに対する表面観察手段の観察角
度を傾斜させる傾斜手段と、表面観察手段の観察結果に
基づき、ビーム照射手段、ハイドロカーボン供給手段及
び傾斜手段を操作する演算処理手段とを備えている。
装置は、修正対象の位相シフトマスクを載置するステー
ジと、位相シフトマスクに収束イオンビームを照射する
ビーム照射手段と、位相シフトマスク表面にハイドロカ
ーボンを供給するハイドロカーボン供給手段と、二次電
子を検出して前記位相マスク表面を観察する表面観察手
段と、位相シフトマスクに対する表面観察手段の観察角
度を傾斜させる傾斜手段と、表面観察手段の観察結果に
基づき、ビーム照射手段、ハイドロカーボン供給手段及
び傾斜手段を操作する演算処理手段とを備えている。
【００１６】
【作用】コンタミネーション法は、試料の汚染につなが
り易いという点で、半導体分野で採用し難かったが、収
束イオンビーム発生装置による欠陥修正においては、汚
染がさほど問題でないことが分かった。本発明に係る位
相シフトマスクの欠陥修正方法はこのことに着目したも
ので、除去すべき凸欠陥をカーボン堆積層で覆い、凸欠
陥が露呈するまでカーボンとマスクとを同一のレートで
エッチングし、ここに、表面上方から見て直線状のカー
ボンラインを形成し、これを表面斜め方向から観察しな
がらエッチングされたカーボン表面と平坦なマスク表面
のカーボンラインとのずれ量がゼロになるまでエッチン
グするので、インサイチューでのエッチング深さの監視
ができ、これにより高精度にて凸欠陥を除去することが
できる。
り易いという点で、半導体分野で採用し難かったが、収
束イオンビーム発生装置による欠陥修正においては、汚
染がさほど問題でないことが分かった。本発明に係る位
相シフトマスクの欠陥修正方法はこのことに着目したも
ので、除去すべき凸欠陥をカーボン堆積層で覆い、凸欠
陥が露呈するまでカーボンとマスクとを同一のレートで
エッチングし、ここに、表面上方から見て直線状のカー
ボンラインを形成し、これを表面斜め方向から観察しな
がらエッチングされたカーボン表面と平坦なマスク表面
のカーボンラインとのずれ量がゼロになるまでエッチン
グするので、インサイチューでのエッチング深さの監視
ができ、これにより高精度にて凸欠陥を除去することが
できる。
【００１７】この場合、カーボンラインによる高さ測定
法を用いて凸欠陥の高さを測定し、その測定値に基いて
カーボン堆積層の膜厚を決定することにより、高効率に
て確度の高いエッチングができる。
法を用いて凸欠陥の高さを測定し、その測定値に基いて
カーボン堆積層の膜厚を決定することにより、高効率に
て確度の高いエッチングができる。
【００１８】また、本発明に係る位相シフトマスクの欠
陥修正装置は、表面観察手段の観察結果に基づき、ビー
ム照射手段、ハイドロカーボン供給手段及び傾斜手段を
操作することにより、所定のパターンにて位相シフトマ
スクに対するカーボンの堆積及びエッチング、並びに、
選択比１の条件でカーボン及びマスク材のエッチングを
行なわせることにより、高精度での凸欠陥の除去が可能
である。
陥修正装置は、表面観察手段の観察結果に基づき、ビー
ム照射手段、ハイドロカーボン供給手段及び傾斜手段を
操作することにより、所定のパターンにて位相シフトマ
スクに対するカーボンの堆積及びエッチング、並びに、
選択比１の条件でカーボン及びマスク材のエッチングを
行なわせることにより、高精度での凸欠陥の除去が可能
である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例によって詳
細に説明する。図１は位相シフトマスクの欠陥例を示し
たものである。この位相シフトマスクはハーフトーン型
と呼ばれ、Ｓi Ｏ2 でなるガラス基板11を位相がちょう
ど 180゜反転する深さだけエッチングすることにより、
パターン化された位相シフトマスク領域12が形成されて
いる。この位相シフトマスク領域12を形成するエッチン
グ工程で、ゴミ等があるとエッチングされるべき領域が
エッチングされずに、ガラス基板11上にＳi Ｏ2 が残っ
てしまい、図中に模型的に示した凸欠陥13が残る。
細に説明する。図１は位相シフトマスクの欠陥例を示し
たものである。この位相シフトマスクはハーフトーン型
と呼ばれ、Ｓi Ｏ2 でなるガラス基板11を位相がちょう
ど 180゜反転する深さだけエッチングすることにより、
パターン化された位相シフトマスク領域12が形成されて
いる。この位相シフトマスク領域12を形成するエッチン
グ工程で、ゴミ等があるとエッチングされるべき領域が
エッチングされずに、ガラス基板11上にＳi Ｏ2 が残っ
てしまい、図中に模型的に示した凸欠陥13が残る。
【００２０】このような、凸欠陥13が位相シフトマスク
の最も代表的な欠陥と考えられている。
の最も代表的な欠陥と考えられている。
【００２１】この凸欠陥13を除去する場合、先ず、図２
(a) に示すように、位相シフトマスク領域12を避け、か
つ、凸欠陥13を覆うようにガラス基板11上にカーボン堆
積層14を、例えば、イオンビームアシストデポジッショ
ンにより堆積する。これはハイドロカーボンを含むガス
を流しながらイオンビームあるいは電子ビームを照射す
ることによって堆積することができる。
(a) に示すように、位相シフトマスク領域12を避け、か
つ、凸欠陥13を覆うようにガラス基板11上にカーボン堆
積層14を、例えば、イオンビームアシストデポジッショ
ンにより堆積する。これはハイドロカーボンを含むガス
を流しながらイオンビームあるいは電子ビームを照射す
ることによって堆積することができる。
【００２２】次に、イオンビーム15をラスタ走査するこ
とにより、図２(b) に示すように、凸欠陥13を中心とし
てこれよりも広い領域Ａのエッチングを行う。この時、
イオンビーム、通常はＧa ビームのエネルギーを適当に
設定するか、あるいは、エッチングガスを流しながらア
シストエッチングすることにより、カーボンとＳi Ｏ2
のエッチングレートが１：１となるような条件、すなわ
ち、選択比を１としてエッチングを行う。この結果、凸
欠陥とその周囲のカーボンとが略同一平面をなすスパッ
タ面16が形成される。
とにより、図２(b) に示すように、凸欠陥13を中心とし
てこれよりも広い領域Ａのエッチングを行う。この時、
イオンビーム、通常はＧa ビームのエネルギーを適当に
設定するか、あるいは、エッチングガスを流しながらア
シストエッチングすることにより、カーボンとＳi Ｏ2
のエッチングレートが１：１となるような条件、すなわ
ち、選択比を１としてエッチングを行う。この結果、凸
欠陥とその周囲のカーボンとが略同一平面をなすスパッ
タ面16が形成される。
【００２３】そして、スパッタ面16と、下地すなわちガ
ラス基板11のガラス基板面17と同じ深さになったときに
エッチングを停止する必要がある。この場合、凸欠陥13
の周辺に堆積されているカーボンの厚さが不明である。
従って、エッチングを行いながらインサイチューでその
深さを測定し、スパッタ面16がガラス基板面17と同一の
高さになったことを検出する必要がある。そこで、図２
(b) に示すように、凸欠陥13が露呈するか、あるいは、
僅かにエッチングされた状態でエッチングを中断する。
ラス基板11のガラス基板面17と同じ深さになったときに
エッチングを停止する必要がある。この場合、凸欠陥13
の周辺に堆積されているカーボンの厚さが不明である。
従って、エッチングを行いながらインサイチューでその
深さを測定し、スパッタ面16がガラス基板面17と同一の
高さになったことを検出する必要がある。そこで、図２
(b) に示すように、凸欠陥13が露呈するか、あるいは、
僅かにエッチングされた状態でエッチングを中断する。
【００２４】次に、図３(a) に断面図を、図３(b) にそ
の平面図を示したように、カーボンが堆積されたカーボ
ン領域とガラス基板面17とに、イオンビームアシストデ
ポジッションにより、平面上で直線をなすカーボン堆積
ライン18を形成する。このとき、露呈したガラス基板面
17にはカーボンを堆積しない。なお、カーボン堆積ライ
ン18は平面上で、凸欠陥13のほぼ中心軸上に形成する。
これらの作業を行った後、イオンビームアシストエッチ
ングによる面状のエッチングを再開する。エッチングが
進行しても、カーボン堆積ライン18に起因するカーボン
ライン19はそのまま残り続ける。
の平面図を示したように、カーボンが堆積されたカーボ
ン領域とガラス基板面17とに、イオンビームアシストデ
ポジッションにより、平面上で直線をなすカーボン堆積
ライン18を形成する。このとき、露呈したガラス基板面
17にはカーボンを堆積しない。なお、カーボン堆積ライ
ン18は平面上で、凸欠陥13のほぼ中心軸上に形成する。
これらの作業を行った後、イオンビームアシストエッチ
ングによる面状のエッチングを再開する。エッチングが
進行しても、カーボン堆積ライン18に起因するカーボン
ライン19はそのまま残り続ける。
【００２５】次に、カーボン堆積ライン18とカーボンラ
イン19を有する試料を傾斜させ、ガラス基板11の表面を
斜めの方向から二次電子像を観察すると、図４(a) の断
面に対応して図４(b) に示したものが得られる。このと
き、カーボンライン19を軸芯にして傾斜させる。ここ
で、カーボン堆積ライン18とカーボンライン19とが一直
線上になければ、すなわち、ずれｄがあれば、エッチン
グ量は不足であり、さらにエッチングを継続する。な
お、ずれｄを測定することにより、次式の関係から、図
４(a) に示すエッチング残り量Ｈを求めることができ
る。 ｄ＝Ｈ sinφ …(2) ただし、φはガラス基板11に垂直な仮想軸線に対する傾
斜角である。
イン19を有する試料を傾斜させ、ガラス基板11の表面を
斜めの方向から二次電子像を観察すると、図４(a) の断
面に対応して図４(b) に示したものが得られる。このと
き、カーボンライン19を軸芯にして傾斜させる。ここ
で、カーボン堆積ライン18とカーボンライン19とが一直
線上になければ、すなわち、ずれｄがあれば、エッチン
グ量は不足であり、さらにエッチングを継続する。な
お、ずれｄを測定することにより、次式の関係から、図
４(a) に示すエッチング残り量Ｈを求めることができ
る。 ｄ＝Ｈ sinφ …(2) ただし、φはガラス基板11に垂直な仮想軸線に対する傾
斜角である。
【００２６】次に、エッチングが十分に進行し、エッチ
ングした底面とガラス基板面17とが完全に一致すると、
図５(a) に断面図を、図５(b) に観察画像を示したよう
に、カーボン堆積ライン18とカーボンライン19とが一直
線上に位置し、ずれｄはゼロとなる。このときが、エッ
チングの理想的な停止時点であり、ガラス基板11上に存
在していた凸欠陥13が、修正より完全に除去され、均一
平面のガラス基板面17となる。この後、残りのカーボン
堆積層を除去する。
ングした底面とガラス基板面17とが完全に一致すると、
図５(a) に断面図を、図５(b) に観察画像を示したよう
に、カーボン堆積ライン18とカーボンライン19とが一直
線上に位置し、ずれｄはゼロとなる。このときが、エッ
チングの理想的な停止時点であり、ガラス基板11上に存
在していた凸欠陥13が、修正より完全に除去され、均一
平面のガラス基板面17となる。この後、残りのカーボン
堆積層を除去する。
【００２７】ところで、二次電子像によるカーボン堆積
ライン18及びカーボンライン19の画像は、図６に示した
ように、ビーム径の広がりによってぼける可能性があ
る。ここで必要なのは二つのカーボンラインの中心線の
ずれであるから、実際にはぼけたカーボンライン画像21
及びカーボンライン画像23から、画像処理によって各画
像の中心線22，24を求め、その差を求めればよい。
ライン18及びカーボンライン19の画像は、図６に示した
ように、ビーム径の広がりによってぼける可能性があ
る。ここで必要なのは二つのカーボンラインの中心線の
ずれであるから、実際にはぼけたカーボンライン画像21
及びカーボンライン画像23から、画像処理によって各画
像の中心線22，24を求め、その差を求めればよい。
【００２８】かくして、この実施例によれば、エッチン
グ深さをインサイチューにて測定することができ、これ
により高精度にて凸欠陥を除去することができる。
グ深さをインサイチューにて測定することができ、これ
により高精度にて凸欠陥を除去することができる。
【００２９】上述したように、凸欠陥13の修正のために
これを覆うようにカーボン堆積層14を形成するが、この
ときどの程度堆積すればよいかが既知であることが望ま
しい。この目的のために、上記の測定法を適用すること
ができる。
これを覆うようにカーボン堆積層14を形成するが、この
ときどの程度堆積すればよいかが既知であることが望ま
しい。この目的のために、上記の測定法を適用すること
ができる。
【００３０】すなわち、イオンビームに対して試料が垂
直な状態で、イオンビームアシストデポジッションによ
り、凸欠陥及びガラス基板面にカーボン堆積ラインを形
成し、上述したエッチング深さの測定と同様にして試料
を傾斜させてこれを観察すれば、二次電子画像上のカー
ボンラインのずれから凸欠陥の高さを定量的に測定する
ことができる。この場合、その上にさらにカーボンを堆
積するから、ここで形成されたカーボンラインはそれ以
降のプロセスに何等の障害にもならない。また、カーボ
ンラインの斜め方向からの観察は欠陥の形状を把握する
上でも有効である。このように、欠陥の高さ、形状を予
め知っておくことにより、堆積量等の最適化ができ、よ
り効率のよい修正が可能となる。
直な状態で、イオンビームアシストデポジッションによ
り、凸欠陥及びガラス基板面にカーボン堆積ラインを形
成し、上述したエッチング深さの測定と同様にして試料
を傾斜させてこれを観察すれば、二次電子画像上のカー
ボンラインのずれから凸欠陥の高さを定量的に測定する
ことができる。この場合、その上にさらにカーボンを堆
積するから、ここで形成されたカーボンラインはそれ以
降のプロセスに何等の障害にもならない。また、カーボ
ンラインの斜め方向からの観察は欠陥の形状を把握する
上でも有効である。このように、欠陥の高さ、形状を予
め知っておくことにより、堆積量等の最適化ができ、よ
り効率のよい修正が可能となる。
【００３１】図７は上記の欠陥修正方法を実施する欠陥
修正装置の概略構成図である。位相シフトマスク10を載
置するステージ30はステージ駆動部31によって傾けられ
るようになっている。収束イオンビーム発生装置32はＧ
a のイオンビーム15を発生して位相シフトマスク10の表
面に照射するためのもので、制御信号により、エネルギ
ー、電流量、及び照射角度等を制御する収束イオンビー
ム制御装置39を備えている。また、位相シフトマスク10
の表面近辺に出口を位置させ、外部からハイドロカーボ
ンを供給するハイドロカーボン供給管34が設置され、そ
の途中に供給量を調節する制御弁35が設けられている。
また、制御弁35にはこれを駆動する駆動部36が接続され
ている。一方、電子ビーム15を照射したことにより位相
シフトマスク10の表面から発生する二次電子を検出する
ための二次電子検出器37が設けられ、この二次電子検出
器37には検出信号に対して画像処理を施す画像処理部38
が接続されている。そして、画像処理部38の出力信号に
基づいて演算処理装置40が、ステージ駆動部31、弁駆動
部36及び39に制御信号を加える構成になっている。
修正装置の概略構成図である。位相シフトマスク10を載
置するステージ30はステージ駆動部31によって傾けられ
るようになっている。収束イオンビーム発生装置32はＧ
a のイオンビーム15を発生して位相シフトマスク10の表
面に照射するためのもので、制御信号により、エネルギ
ー、電流量、及び照射角度等を制御する収束イオンビー
ム制御装置39を備えている。また、位相シフトマスク10
の表面近辺に出口を位置させ、外部からハイドロカーボ
ンを供給するハイドロカーボン供給管34が設置され、そ
の途中に供給量を調節する制御弁35が設けられている。
また、制御弁35にはこれを駆動する駆動部36が接続され
ている。一方、電子ビーム15を照射したことにより位相
シフトマスク10の表面から発生する二次電子を検出する
ための二次電子検出器37が設けられ、この二次電子検出
器37には検出信号に対して画像処理を施す画像処理部38
が接続されている。そして、画像処理部38の出力信号に
基づいて演算処理装置40が、ステージ駆動部31、弁駆動
部36及び39に制御信号を加える構成になっている。
【００３２】ここで、演算処理装置40は、ステージ30を
水平に保持した状態で収束イオンビーム制御装置39及び
弁駆動部36に制御信号を与えると共に、画像処理部38の
出力信号に基づいて、図２(a) に示したように、ガラス
基板11上にカーボン堆積層14を形成する。続いて、演算
処理装置40は、ビームのエネルギーを適当に設定し、カ
ーボンとＳi Ｏ2 とを選択比１の状態でアシストエッチ
ングし、かつ、イオンビーム15をラスタ走査することに
より、図２(b) に示すように、凸欠陥13を中心としてこ
れよりも広い領域Ａをエッチングし、凸欠陥とその周囲
のカーボンとが略同一平面をなすスパッタ面16を形成す
る。
水平に保持した状態で収束イオンビーム制御装置39及び
弁駆動部36に制御信号を与えると共に、画像処理部38の
出力信号に基づいて、図２(a) に示したように、ガラス
基板11上にカーボン堆積層14を形成する。続いて、演算
処理装置40は、ビームのエネルギーを適当に設定し、カ
ーボンとＳi Ｏ2 とを選択比１の状態でアシストエッチ
ングし、かつ、イオンビーム15をラスタ走査することに
より、図２(b) に示すように、凸欠陥13を中心としてこ
れよりも広い領域Ａをエッチングし、凸欠陥とその周囲
のカーボンとが略同一平面をなすスパッタ面16を形成す
る。
【００３３】次に、演算処理装置40は、弁駆動部36及び
収束イオンビーム制御装置39に制御信号を加えることに
よって、図３に示したカーボン堆積ライン18を形成し、
続いて、イオンビームアシストエッチングによる面状の
エッチングを再開する。続いて、演算処理装置40は、ス
テージ30を傾斜させ、マスクの表面を所定の角度で観察
した画像信号に基づき、カーボン堆積ライン18とカーボ
ンライン19とのずれｄを求め、図４(a) に示すエッチン
グ残り量Ｈを求める。
収束イオンビーム制御装置39に制御信号を加えることに
よって、図３に示したカーボン堆積ライン18を形成し、
続いて、イオンビームアシストエッチングによる面状の
エッチングを再開する。続いて、演算処理装置40は、ス
テージ30を傾斜させ、マスクの表面を所定の角度で観察
した画像信号に基づき、カーボン堆積ライン18とカーボ
ンライン19とのずれｄを求め、図４(a) に示すエッチン
グ残り量Ｈを求める。
【００３４】次に、演算処理装置40は、傾斜したステー
ジ30を元の状態に戻し、エッチングした底面とガラス基
板面17とが完全に一致した段階でエッチグを停止させ、
その後、残りのカーボン堆積層を除去する。
ジ30を元の状態に戻し、エッチングした底面とガラス基
板面17とが完全に一致した段階でエッチグを停止させ、
その後、残りのカーボン堆積層を除去する。
【００３５】図８はこれらの処理を実行する演算処理装
置40の処理手順を示すフローチャートである。すなわ
ち、ガラス基板上の凸欠陥を覆うようにカーボンを堆積
してカーボン堆積層を形成し、このカーボン堆積層の堆
積領域の一部であり、かつ、凸欠陥より広い領域を、カ
ーボンとマスク材のエッチングレートを選択比１の条件
で、凸欠陥13が露呈するまでエッチングした後、このフ
ローチャートに示すように、インサイチューモニタの手
法による欠陥修正が開始される。ここでは、先ず、ステ
ップ101 にて、ステージの傾斜角φをφ＝０°にした状
態でカーボンラインを堆積する。次に、ステップ102 で
はステージを一定角度、すなわち、φ＝φ1 だけ傾斜さ
せる。この角度φ1 はエッチングされたカーボン堆積層
の表面のカーボンラインと平坦なマクス表面カーボン堆
積ライン（以下、カーボンラインとも言う）との両方が
観察できる範囲であり、概ね、１０〜２０°程度が適当
である。次に、ステップ103 ではステージを傾斜したま
まイオンビームをラスタ走査して二次電子画像を取込
み、画像メモリにストアする。これはビーム走査したこ
との結果において発生する二次電子をマイクロチャネル
プレート（ＭＰＣ）あるいはシンチレータホトマル等の
二次電子検出器によって電気信号に変換し、この信号を
Ａ／Ｄ変換器によりディジタル化して画像メモリにスト
アする。次に、ステップ104 では取込んだ二次電子画像
からカーボンラインを抽出するために、画像のコントラ
ストを背景とカーボンラインからのコントラスト値に分
類するためのしきい値処理を行い、画像を多値化する。
これの最も簡単な処理は２値化処理である。この結果、
背景（バックグラウンド）の信号は消去され、カーボン
ラインのコントラストのみが残る。次に、ステップ105
においては、これらのカーボンラインのうち、凸欠陥表
面領域のカーボンラインと平坦なマスク表面のカーボン
堆積ラインとの位置ずれ量ｄを算出する。このとき、観
察画像の倍率の補正値、すなわち、１画素に相当するミ
クロン（μｍ）数を予め観察倍率で測定しておき、較正
する。
置40の処理手順を示すフローチャートである。すなわ
ち、ガラス基板上の凸欠陥を覆うようにカーボンを堆積
してカーボン堆積層を形成し、このカーボン堆積層の堆
積領域の一部であり、かつ、凸欠陥より広い領域を、カ
ーボンとマスク材のエッチングレートを選択比１の条件
で、凸欠陥13が露呈するまでエッチングした後、このフ
ローチャートに示すように、インサイチューモニタの手
法による欠陥修正が開始される。ここでは、先ず、ステ
ップ101 にて、ステージの傾斜角φをφ＝０°にした状
態でカーボンラインを堆積する。次に、ステップ102 で
はステージを一定角度、すなわち、φ＝φ1 だけ傾斜さ
せる。この角度φ1 はエッチングされたカーボン堆積層
の表面のカーボンラインと平坦なマクス表面カーボン堆
積ライン（以下、カーボンラインとも言う）との両方が
観察できる範囲であり、概ね、１０〜２０°程度が適当
である。次に、ステップ103 ではステージを傾斜したま
まイオンビームをラスタ走査して二次電子画像を取込
み、画像メモリにストアする。これはビーム走査したこ
との結果において発生する二次電子をマイクロチャネル
プレート（ＭＰＣ）あるいはシンチレータホトマル等の
二次電子検出器によって電気信号に変換し、この信号を
Ａ／Ｄ変換器によりディジタル化して画像メモリにスト
アする。次に、ステップ104 では取込んだ二次電子画像
からカーボンラインを抽出するために、画像のコントラ
ストを背景とカーボンラインからのコントラスト値に分
類するためのしきい値処理を行い、画像を多値化する。
これの最も簡単な処理は２値化処理である。この結果、
背景（バックグラウンド）の信号は消去され、カーボン
ラインのコントラストのみが残る。次に、ステップ105
においては、これらのカーボンラインのうち、凸欠陥表
面領域のカーボンラインと平坦なマスク表面のカーボン
堆積ラインとの位置ずれ量ｄを算出する。このとき、観
察画像の倍率の補正値、すなわち、１画素に相当するミ
クロン（μｍ）数を予め観察倍率で測定しておき、較正
する。
【００３６】次に、ステップ106 においては、算出され
た位置ずれ量ｄから観察時の傾斜角を用いてエッチング
の残り量Ｈを算出する。これら、ステップ104 〜106 の
処理はコンピュータで処理される。次に、ステップ107
で、こうして求めたＨの値が所定の許容値Ｈ0 以内であ
るか否かをやはりコンピュータで判定し、若しも、許容
値Ｈ0 以上であれば、ステップ108 にて再びステージの
傾斜角φをφ＝０°に復帰させ、さらに、ステップ109
にてある一定時間エッチングを継続し、以下、上述した
操作を繰返し、Ｈの値が許容値Ｈ0 以内になった段階に
てエッチングを終了し、図示省略の残ったカーボンを除
去するプロセスに進む。
た位置ずれ量ｄから観察時の傾斜角を用いてエッチング
の残り量Ｈを算出する。これら、ステップ104 〜106 の
処理はコンピュータで処理される。次に、ステップ107
で、こうして求めたＨの値が所定の許容値Ｈ0 以内であ
るか否かをやはりコンピュータで判定し、若しも、許容
値Ｈ0 以上であれば、ステップ108 にて再びステージの
傾斜角φをφ＝０°に復帰させ、さらに、ステップ109
にてある一定時間エッチングを継続し、以下、上述した
操作を繰返し、Ｈの値が許容値Ｈ0 以内になった段階に
てエッチングを終了し、図示省略の残ったカーボンを除
去するプロセスに進む。
【００３７】なお、上記実施例では、最も簡単なエッチ
ングレートの観察法として試料、すなわち、ステージ30
を傾斜させる場合について説明したが、本来、試料を斜
め方向から観察すればよいことから、図９に示したよう
に、操作電極33の電圧の印加状態を変えることにより、
すなわち、イオン収束系の対物レンズをＭＯＬ（Moving
Objective Lens ）で構成することにより、イオンビー
ムの入射角を傾斜させて観察しても同様な結果が得られ
る。
ングレートの観察法として試料、すなわち、ステージ30
を傾斜させる場合について説明したが、本来、試料を斜
め方向から観察すればよいことから、図９に示したよう
に、操作電極33の電圧の印加状態を変えることにより、
すなわち、イオン収束系の対物レンズをＭＯＬ（Moving
Objective Lens ）で構成することにより、イオンビー
ムの入射角を傾斜させて観察しても同様な結果が得られ
る。
【００３８】また、観察用の電子ビームコラムをエッチ
ング用のイオンビームコラムと併用して設置することに
より、エッチングと観察をより効率的に行うことができ
る。この場合、観察用に空間分解能の高いビームをより
容易に細く絞ることのできる電子ビームを使うことがで
きる。具体的には、図１０に示すように、位相シフトマ
スク10に対して垂直方向にイオンを照射する収束イオン
ビーム発生装置32の他に、斜め方向に観察用の電子ビー
ムを発生する観察用イオンビーム発生装置41と、その制
御部42を設ければよい。
ング用のイオンビームコラムと併用して設置することに
より、エッチングと観察をより効率的に行うことができ
る。この場合、観察用に空間分解能の高いビームをより
容易に細く絞ることのできる電子ビームを使うことがで
きる。具体的には、図１０に示すように、位相シフトマ
スク10に対して垂直方向にイオンを照射する収束イオン
ビーム発生装置32の他に、斜め方向に観察用の電子ビー
ムを発生する観察用イオンビーム発生装置41と、その制
御部42を設ければよい。
【００３９】
【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明によれば、位相シフトマスクの修正において、収束
イオンビーム発生装置によるスパッタエッチングを行う
際、ガラス基板面とエッチングとが正確に一致するよう
にエッチングを停止することができ、結果として、高精
度の欠陥修正が可能となる。
発明によれば、位相シフトマスクの修正において、収束
イオンビーム発生装置によるスパッタエッチングを行う
際、ガラス基板面とエッチングとが正確に一致するよう
にエッチングを停止することができ、結果として、高精
度の欠陥修正が可能となる。
【図１】本発明の適用対象としての位相シフトマスクの
断面図。
断面図。
【図２】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正方法を説
明するための位相シフトマスクの断面図。
明するための位相シフトマスクの断面図。
【図３】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正方法を説
明するための位相シフトマスクの断面図及び平面図。
明するための位相シフトマスクの断面図及び平面図。
【図４】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正方法を説
明するための位相シフトマスクの断面図及び斜視観察画
像を示した図。
明するための位相シフトマスクの断面図及び斜視観察画
像を示した図。
【図５】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正方法を説
明するための位相シフトマスクの断面図及び斜視観察画
像を示した図。
明するための位相シフトマスクの断面図及び斜視観察画
像を示した図。
【図６】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正方法を説
明するための斜視観察画像を示した図。
明するための斜視観察画像を示した図。
【図７】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正装置の一
実施例の概略構成図。
実施例の概略構成図。
【図８】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正装置の一
実施例の動作を説明するためのフローチャート。
実施例の動作を説明するためのフローチャート。
【図９】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正装置の他
の実施例の概略構成図。
の実施例の概略構成図。
【図１０】本発明の位相シフトマスクの欠陥修正装置の
もう一つ他の実施例の概略構成図。
もう一つ他の実施例の概略構成図。
１０ 位相シフトマスク １１ ガラス基板 １２ 位相シフトマスク領域 １３ 凸欠陥 １４ カーボン堆積層 １５ イオンビーム １６ スパッタ面 １７ ガラス基板面 １７ａ 欠陥表面 １８ カーボン堆積ライン １９ カーボンライン ２１，２３ カーボンライン画像 ２２，２４ 画像の中心線 ３０ ステージ ３１ ステージ駆動部 ３２ 収束イオンビーム発生装置 ３３ 操作電極 ３４ ハイドロカーボン供給管 ３７ 二次電子検出器 ３８ 画像処理部 ３９ 収束イオンビーム制御装置 ４０ 演算処理装置 ４１ 観察用イオンビーム発生装置
Claims (7)
- 【請求項１】平坦であるべき領域に部分的に突出した形
で残された凸欠陥を除去する位相シフトマスクの欠陥修
正方法において、 前記凸欠陥を覆うようにカーボンを堆積してカーボン堆
積層を形成し、 前記カーボン堆積層の堆積領域のうち、前記凸欠陥を含
み、かつ、前記凸欠陥より広い部分領域を、カーボンと
マスク材のエッチングレートを選択比１の条件で少くと
も前記凸欠陥が露呈するまでエッチングし、 エッチングされたカーボン堆積層の表面と平坦なマスク
表面とが含まれるように、マスク表面を垂直方向から見
て直線状にカーボンを堆積させてカーボン堆積ラインを
形成し、 前記位相シフトマスクを表面斜め方向から観察してエッ
チングにより残されたカーボン堆積層の表面のカーボン
ラインと平坦なマスク表面のカーボン堆積ラインとのず
れ量を測定すると共に、このずれ量がゼロになるまで、
カーボンとマスク材のエッチングレートを選択比１の条
件で前記部分領域をエッチングし、 マスク上に残っている前記カーボン堆積層及びカーボン
ラインを全て除去する、 ことを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項２】前記カーボン堆積層の形成に先立って、前
記平坦なマスク表面と前記凸欠陥の表面とが含まれるよ
うに、マスク表面を垂直方向から見て直線状にカーボン
を堆積させてカーボン堆積ラインを形成し、 前記位相シフトマスクを表面斜め方向から観察して前記
凸欠陥の表面のカーボン堆積ラインと前記平坦なマスク
表面のカーボン堆積ラインとのずれ量を測定すると共
に、凸欠陥の高さを算出し、 算出された凸欠陥の高さに基いて前記カーボン堆積層の
膜厚を決定する、 ことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの欠
陥修正方法。 - 【請求項３】マスク表面と垂直な仮想軸線に対して所定
の角度だけ傾斜させて一次イオンビームを入射させるこ
とにより、実質的に位相シフトマスクの表面斜め方向か
ら観察し、前記カーボンラインのずれ量の測定をする、 ことを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマス
クの欠陥修正方法。 - 【請求項４】平坦であるべき領域に部分的に突出した形
で残された凸欠陥を除去する位相シフトマスクの欠陥修
正装置において、 修正対象の位相シフトマスクを載置するステージと、 前記位相シフトマスクに収束イオンビームを照射するビ
ーム照射手段と、 前記位相シフトマスク表面にハイドロカーボンを供給す
るハイドロカーボン供給手段と、 二次電子を検出して前記位相マスク表面を観察する表面
観察手段と、 前記位相シフトマスクに対する前記表面観察手段の観察
角度を傾斜させる傾斜手段と、 前記表面観察手段の観察結果に基づき、前記ビーム照射
手段、ハイドロカーボン供給手段及び傾斜手段を操作す
ることにより、所定のパターンにて前記位相シフトマス
クに対するカーボンの堆積及びエッチング、並びに、選
択比１の条件でカーボン及びマスク材のエッチングを行
なわせる演算処理手段と、 を備えたことを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正
装置。 - 【請求項５】前記傾斜手段が前記ステージを傾斜させる
ものであることを特徴とする請求項４記載の位相シフト
マスクの欠陥修正装置。 - 【請求項６】前記傾斜手段が前記ビーム照射手段の収束
イオンビームの入射角度を変えるものであることを特徴
とする請求項４記載の位相シフトマスクの欠陥修正装
置。 - 【請求項７】平坦であるべき領域に部分的に突出した形
で残された凸欠陥を除去する位相シフトマスクの欠陥修
正装置において、 修正対象の位相シフトマスクを載置するステージと、 前記位相シフトマスクに収束イオンビームを照射するビ
ーム照射手段と、 前記位相シフトマスク表面にハイドロカーボンを供給す
るハイドロカーボン供給手段と、 二次電子を検出して前記位相マスク表面を観察する表面
観察手段と、 前記位相シフトマスクの表面に対して傾斜した方向から
電子ビームを照射する観察用ビーム照射手段と、 前記表面観察手段の観察結果に基づき、前記ビーム照射
手段、ハイドロカーボン供給手段及び観察用ビーム照射
手段を操作することにより、所定のパターンにて前記位
相シフトマスクに対するカーボンの堆積及びエッチン
グ、並びに、選択比１の条件でカーボン及びマスク材の
エッチングを行なわせる演算処理手段と、 を備えたことを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33148493A JP3015646B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
| US08/364,227 US5569392A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Method and apparatus for repairing defect on plane surface of phase shift mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33148493A JP3015646B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07191449A JPH07191449A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3015646B2 true JP3015646B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=18244166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33148493A Expired - Fee Related JP3015646B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5569392A (ja) |
| JP (1) | JP3015646B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101095674B1 (ko) | 2008-01-29 | 2011-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 불량 검출 방법 |
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| US5752309A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-19 | Quantum Corporation | Method and apparatus for precisely dimensioning pole tips of a magnetic transducing head structure |
| KR0166854B1 (ko) * | 1996-06-27 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상반전 마스크의 결함 수정방법 |
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