JP3012708B2 - フォトカプラの出力回路及びフォトカプラ - Google Patents
フォトカプラの出力回路及びフォトカプラInfo
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- JP3012708B2 JP3012708B2 JP18511291A JP18511291A JP3012708B2 JP 3012708 B2 JP3012708 B2 JP 3012708B2 JP 18511291 A JP18511291 A JP 18511291A JP 18511291 A JP18511291 A JP 18511291A JP 3012708 B2 JP3012708 B2 JP 3012708B2
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- Japan
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- photocoupler
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- transistor
- photodiode
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種信号の伝送などに
利用されるフォトカプラに関する。
利用されるフォトカプラに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、フォトカプラは電気−光
変換素子と光−電気変換素子とを同一のパッケージ内に
封入した電子部品であり、通常、電気−光変換素子には
発光ダイオードが、また光−電気変換素子にはフォトト
ランジスタやフォトダイオード等の半導体素子が使用さ
れる。図５の(a)及び(b)は２極タイプあるいは３極タイ
プのフォトトランジスタが使用された例を、(c)はフォ
トダイオードが使用された例をそれぞれ示すものであ
り、フォトダイオード式は出力電流が小さいため図のよ
うに増幅用トランジスタを内蔵させる場合もある。
変換素子と光−電気変換素子とを同一のパッケージ内に
封入した電子部品であり、通常、電気−光変換素子には
発光ダイオードが、また光−電気変換素子にはフォトト
ランジスタやフォトダイオード等の半導体素子が使用さ
れる。図５の(a)及び(b)は２極タイプあるいは３極タイ
プのフォトトランジスタが使用された例を、(c)はフォ
トダイオードが使用された例をそれぞれ示すものであ
り、フォトダイオード式は出力電流が小さいため図のよ
うに増幅用トランジスタを内蔵させる場合もある。
【０００３】フォトカプラを使用する時には、光−電気
変換素子として使用されている半導体素子の動作はオン
オフによるスイッチングであり、一般にトランジスタを
スイッチング用として用いる場合はオン時の動作が飽和
領域で行われるように出力側の回路が構成される。しか
し、トランジスタを飽和領域で作動させるとベースに余
剰キャリアが多量に生じ、ターンオン時間及びターンオ
フ時間(以下、単にオン時間及びオフ時間という)、特に
オフ時間が長くなるという特性があるので、オフ時間を
短縮するには負荷電流を活性領域内の最大値に選定し
て、飽和寸前の領域で動作させることが最も望ましい。
しかしながら、負荷電流をこのような値に選定して飽和
状態寸前で作動させることは、特性のバラツキ等のため
に実際には困難であり、飽和領域での作動時にはオフ時
間が長くなり、また、活性領域で作動させると発熱量が
増大したり出力信号が小さくなったりするという問題が
生ずる。
変換素子として使用されている半導体素子の動作はオン
オフによるスイッチングであり、一般にトランジスタを
スイッチング用として用いる場合はオン時の動作が飽和
領域で行われるように出力側の回路が構成される。しか
し、トランジスタを飽和領域で作動させるとベースに余
剰キャリアが多量に生じ、ターンオン時間及びターンオ
フ時間(以下、単にオン時間及びオフ時間という)、特に
オフ時間が長くなるという特性があるので、オフ時間を
短縮するには負荷電流を活性領域内の最大値に選定し
て、飽和寸前の領域で動作させることが最も望ましい。
しかしながら、負荷電流をこのような値に選定して飽和
状態寸前で作動させることは、特性のバラツキ等のため
に実際には困難であり、飽和領域での作動時にはオフ時
間が長くなり、また、活性領域で作動させると発熱量が
増大したり出力信号が小さくなったりするという問題が
生ずる。
【０００４】フォトトランジスタ式のフォトカプラは比
較的安価ではあるが、上記のような問題があるためパル
ス信号の伝送等で速い伝送速度が要求される用途には適
しておらず、この場合には高価ではあるがオフ時間の短
い増幅用トランジスタ付きのフォトダイオード式のもの
が使用されることが多い。
較的安価ではあるが、上記のような問題があるためパル
ス信号の伝送等で速い伝送速度が要求される用途には適
しておらず、この場合には高価ではあるがオフ時間の短
い増幅用トランジスタ付きのフォトダイオード式のもの
が使用されることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明はこのような
問題点に着目し、フォトカプラのオフ時間を短縮するこ
とを課題としてなされたものである。
問題点に着目し、フォトカプラのオフ時間を短縮するこ
とを課題としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を達成するた
めに、第１の発明では、フォトカプラの出力端子に出力
信号の増幅用トランジスタを接続し、上記フォトカプラ
の光−電気変換素子を活性領域で作動させると共に、上
記増幅用トランジスタのベース及びコレクタの各々に、
同種の余剰キャリア吸収用のダイオードをそれぞれ接続
している。また第２の発明では、光−電気変換素子とし
てフォトダイオードを用い、増幅用トランジスタを内蔵
したフォトカプラにおいて、上記増幅用トランジスタの
ベース及びコレクタの各々に、同種の余剰キャリア吸収
用のダイオードをそれぞれ接続した回路を、上記フォト
ダイオードと共に一つのパッケージ内に封入している。
めに、第１の発明では、フォトカプラの出力端子に出力
信号の増幅用トランジスタを接続し、上記フォトカプラ
の光−電気変換素子を活性領域で作動させると共に、上
記増幅用トランジスタのベース及びコレクタの各々に、
同種の余剰キャリア吸収用のダイオードをそれぞれ接続
している。また第２の発明では、光−電気変換素子とし
てフォトダイオードを用い、増幅用トランジスタを内蔵
したフォトカプラにおいて、上記増幅用トランジスタの
ベース及びコレクタの各々に、同種の余剰キャリア吸収
用のダイオードをそれぞれ接続した回路を、上記フォト
ダイオードと共に一つのパッケージ内に封入している。
【０００７】
【作用】第１の発明においては、光−電気変換素子とし
て使用されている半導体素子を活性領域で作動させるの
で、オフ時間は短くなる。また、トランジスタのベース
電流が大き過ぎるとコレクタ電圧が低くなり過ぎて飽和
領域で作動する状態となり、上述のようにベースに余剰
キャリアが残ってこれがオフ時間を伸ばす原因となるの
であるが、この発明では余剰キャリア吸収用のダイオー
ドを通じてコレクタ電流が流れて余剰キャリアが吸収さ
れる結果となり、飽和領域に入る手前でコレクタ電圧の
低下を止めることができて余剰キャリアが生じない。こ
のため、増幅用トランジスタも活性領域で作動させるこ
とが可能となって全体としてはオフ動作に要する時間が
大幅に短縮され、しかも増幅された出力信号を得ること
ができる。
て使用されている半導体素子を活性領域で作動させるの
で、オフ時間は短くなる。また、トランジスタのベース
電流が大き過ぎるとコレクタ電圧が低くなり過ぎて飽和
領域で作動する状態となり、上述のようにベースに余剰
キャリアが残ってこれがオフ時間を伸ばす原因となるの
であるが、この発明では余剰キャリア吸収用のダイオー
ドを通じてコレクタ電流が流れて余剰キャリアが吸収さ
れる結果となり、飽和領域に入る手前でコレクタ電圧の
低下を止めることができて余剰キャリアが生じない。こ
のため、増幅用トランジスタも活性領域で作動させるこ
とが可能となって全体としてはオフ動作に要する時間が
大幅に短縮され、しかも増幅された出力信号を得ること
ができる。
【０００８】また第２の発明では、内蔵された増幅用ト
ランジスタを活性領域で作動させることが可能となり、
元来フォトトランジスタよりもオフ時間が短いというフ
ォトダイオードの特性も加味されて、オフ動作に要する
時間が短く、しかも単体の電子部品として取り扱うこと
のできるフォトカプラが得られるのである。
ランジスタを活性領域で作動させることが可能となり、
元来フォトトランジスタよりもオフ時間が短いというフ
ォトダイオードの特性も加味されて、オフ動作に要する
時間が短く、しかも単体の電子部品として取り扱うこと
のできるフォトカプラが得られるのである。
【０００９】
【実施例】次に、実施例について説明する。図１は光−
電気変換素子として図５の(ａ)に対応する２極タイプの
フォトトランジスタを使用したフォトカプラの場合の実
施例である。(ａ)図において、１ａはフォトカプラ、２
は発光ダイオード、３ａはフォトトランジスタ、Ｒ1は
フォトトランジスタ３ａに直列に接続された負荷抵抗、
４は増幅用トランジスタ、Ｒ2はトランジスタ４の負荷
抵抗、Ｄ1及びＤ2はトランジスタ４のベース及びコレク
タの各々に接続された同種の余剰キャリア吸収用のダイ
オード、５は信号出力端子である。負荷抵抗Ｒ1の抵抗
値はフォトトランジスタ３ａがノイズで誤動作しないよ
うな値に選定されており、またダイオードＤ1及びＤ2は
トランジスタ４のベースとコレクタの間に図の極性でそ
れぞれ接続されている。
電気変換素子として図５の(ａ)に対応する２極タイプの
フォトトランジスタを使用したフォトカプラの場合の実
施例である。(ａ)図において、１ａはフォトカプラ、２
は発光ダイオード、３ａはフォトトランジスタ、Ｒ1は
フォトトランジスタ３ａに直列に接続された負荷抵抗、
４は増幅用トランジスタ、Ｒ2はトランジスタ４の負荷
抵抗、Ｄ1及びＤ2はトランジスタ４のベース及びコレク
タの各々に接続された同種の余剰キャリア吸収用のダイ
オード、５は信号出力端子である。負荷抵抗Ｒ1の抵抗
値はフォトトランジスタ３ａがノイズで誤動作しないよ
うな値に選定されており、またダイオードＤ1及びＤ2は
トランジスタ４のベースとコレクタの間に図の極性でそ
れぞれ接続されている。
【００１０】図のような構成において、発光ダイオード
２が発光するとフォトトランジスタ３ａに電流が流れる
が、電流はダイオードＤ2を通じてトランジスタ４から
供給されて動作は活性領域で行われる。この電流値はフ
ォトトランジスタ３ａが熱破壊しないように一般に小さ
く選定され、フォトトランジスタ３ａのオフ動作は飽和
領域の場合より短縮される。なお、ベースリードの浮遊
容量などがオフ時間を長くする方向に作用するが、その
影響は比較的小さい。一方、トランジスタ４はダイオー
ドＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れて余剰キャリア
が吸収されるため活性領域での動作が可能となり、飽和
領域で行われる単なるオンオフとは異なってオフ動作が
速くなり、また負荷抵抗Ｒ1で得られる出力信号が増幅
されるので大きな出力信号を得ることができる。このた
め、比較的安価なフォトトランジスタ式のフォトカプラ
１ａでもパルス信号の高速伝送等に使用できるようなオ
フ時間の短い動作が可能となるのである。
２が発光するとフォトトランジスタ３ａに電流が流れる
が、電流はダイオードＤ2を通じてトランジスタ４から
供給されて動作は活性領域で行われる。この電流値はフ
ォトトランジスタ３ａが熱破壊しないように一般に小さ
く選定され、フォトトランジスタ３ａのオフ動作は飽和
領域の場合より短縮される。なお、ベースリードの浮遊
容量などがオフ時間を長くする方向に作用するが、その
影響は比較的小さい。一方、トランジスタ４はダイオー
ドＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れて余剰キャリア
が吸収されるため活性領域での動作が可能となり、飽和
領域で行われる単なるオンオフとは異なってオフ動作が
速くなり、また負荷抵抗Ｒ1で得られる出力信号が増幅
されるので大きな出力信号を得ることができる。このた
め、比較的安価なフォトトランジスタ式のフォトカプラ
１ａでもパルス信号の高速伝送等に使用できるようなオ
フ時間の短い動作が可能となるのである。
【００１１】図２は、光−電気変換素子として図５の
(b)に対応する３極タイプのフォトトランジスタを使用
し、これをベース接地してフォトダイオードとして作動
させるようにしたフォトカプラの場合の実施例である。
１ｂはフォトカプラ、３ｂはフォトトランジスタであ
り、他の構成は図１と同様である。図２の構成において
も、発光ダイオード２の発光に伴うフォトトランジスタ
３ｂの電流値は飽和領域となる値よりも小さく、動作は
活性領域で行われる。一方、トランジスタ４はダイオー
ドＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れ、余剰キャリア
が吸収されて活性領域で作動する。すなわち、フォトト
ランジスタをフォトダイオードとして使用しているので
オフ時間が短縮されることに加えて、トランジスタ４の
オフ動作も速くなるので全体のオフ動作は大幅に短縮さ
れ、パルス信号の高速伝送等に使用できるようなオフ時
間の短い動作が可能となるのである。
(b)に対応する３極タイプのフォトトランジスタを使用
し、これをベース接地してフォトダイオードとして作動
させるようにしたフォトカプラの場合の実施例である。
１ｂはフォトカプラ、３ｂはフォトトランジスタであ
り、他の構成は図１と同様である。図２の構成において
も、発光ダイオード２の発光に伴うフォトトランジスタ
３ｂの電流値は飽和領域となる値よりも小さく、動作は
活性領域で行われる。一方、トランジスタ４はダイオー
ドＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れ、余剰キャリア
が吸収されて活性領域で作動する。すなわち、フォトト
ランジスタをフォトダイオードとして使用しているので
オフ時間が短縮されることに加えて、トランジスタ４の
オフ動作も速くなるので全体のオフ動作は大幅に短縮さ
れ、パルス信号の高速伝送等に使用できるようなオフ時
間の短い動作が可能となるのである。
【００１２】図３は、図５の(c)に示したような増幅用
トランジスタ内蔵のフォトダイオード式フォトカプラに
この発明を適用した実施例であり、１ｃはフォトカプ
ラ、６はフォトダイオード、７は内蔵の増幅用トランジ
スタであり、外部に付加された出力回路の構成は図１と
同様である。
トランジスタ内蔵のフォトダイオード式フォトカプラに
この発明を適用した実施例であり、１ｃはフォトカプ
ラ、６はフォトダイオード、７は内蔵の増幅用トランジ
スタであり、外部に付加された出力回路の構成は図１と
同様である。
【００１３】図３の構成の場合、フォトダイオード６に
は図１や図２のフォトトランジスタ３ａ，３ｂのような
オフ時間の遅れはないが、増幅用トランジスタ７を飽和
領域で作動させるとオフ時間が長くなる。そこで、この
実施例では増幅用トランジスタ７を活性領域で作動させ
るように負荷抵抗Ｒ1の抵抗値を選定してある。従っ
て、増幅用トランジスタ７は飽和領域での動作と比較し
てオフ時間が短縮され、しかも付加回路のトランジスタ
４はダイオードＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れる
ので余剰キャリアが吸収され、活性領域で作動するため
オフ動作が速くなるのであり、より一層オフ時間の短い
動作が可能となるのである。
は図１や図２のフォトトランジスタ３ａ，３ｂのような
オフ時間の遅れはないが、増幅用トランジスタ７を飽和
領域で作動させるとオフ時間が長くなる。そこで、この
実施例では増幅用トランジスタ７を活性領域で作動させ
るように負荷抵抗Ｒ1の抵抗値を選定してある。従っ
て、増幅用トランジスタ７は飽和領域での動作と比較し
てオフ時間が短縮され、しかも付加回路のトランジスタ
４はダイオードＤ1，Ｄ2を通じてコレクタ電流が流れる
ので余剰キャリアが吸収され、活性領域で作動するため
オフ動作が速くなるのであり、より一層オフ時間の短い
動作が可能となるのである。
【００１４】ちなみに、図１及び図２において、ダイオ
ードＤ1，Ｄ2を設けない場合にはそれぞれオン時間が３
μsec前後、オフ時間が１５〜３０μsecであるのに対し
て、ダイオードＤ1，Ｄ2を設けた実施例では、図１の場
合はオン時間はほとんど変わらないがオフ時間が０．５
〜１μsecに短縮され、また図２の場合はオン時間とオ
フ時間が共に０．０２μsec前後となって大幅に短縮さ
れた。更に、図３においてダイオードＤ1，Ｄ2を設けな
い場合にはそれぞれオン時間が０．５μsec前後、オフ
時間が１μsec前後であるのに対して、ダイオードＤ1，
Ｄ2を設けた実施例では、オン時間はほとんど変わらな
いがオフ時間が０．１μsec前後に短縮された。
ードＤ1，Ｄ2を設けない場合にはそれぞれオン時間が３
μsec前後、オフ時間が１５〜３０μsecであるのに対し
て、ダイオードＤ1，Ｄ2を設けた実施例では、図１の場
合はオン時間はほとんど変わらないがオフ時間が０．５
〜１μsecに短縮され、また図２の場合はオン時間とオ
フ時間が共に０．０２μsec前後となって大幅に短縮さ
れた。更に、図３においてダイオードＤ1，Ｄ2を設けな
い場合にはそれぞれオン時間が０．５μsec前後、オフ
時間が１μsec前後であるのに対して、ダイオードＤ1，
Ｄ2を設けた実施例では、オン時間はほとんど変わらな
いがオフ時間が０．１μsec前後に短縮された。
【００１５】なお、図１の(ａ)と図２及び図３は増幅用
トランジスタ４がＰＮＰ型の場合の例をそれぞれ示して
いるが、同トランジスタがＮＰＮ型の場合には例えば図
１の(ｂ)のように出力回路を構成すればよく、図２，図
３の場合もこれに準じた回路構成とすればよい。図１の
(ｂ)において、Ｄ3及びＤ4はトランジスタ４のベース及
びコレクタの各々に接続される同種の余剰キャリア吸収
用のダイオード、Ｒ3はベース抵抗である。
トランジスタ４がＰＮＰ型の場合の例をそれぞれ示して
いるが、同トランジスタがＮＰＮ型の場合には例えば図
１の(ｂ)のように出力回路を構成すればよく、図２，図
３の場合もこれに準じた回路構成とすればよい。図１の
(ｂ)において、Ｄ3及びＤ4はトランジスタ４のベース及
びコレクタの各々に接続される同種の余剰キャリア吸収
用のダイオード、Ｒ3はベース抵抗である。
【００１６】図４は第２の発明の実施例の接続を示す図
であり、増幅用トランジスタ内蔵のフォトダイオード式
のものにこの発明を適用して単体のフォトカプラを構成
したものである。すなわち、Ｄ5及びＤ6は同種の余剰キ
ャリア吸収用のダイオード、８はパッケージ、他は図３
と同様であり、発光ダイオード２とフォトダイオード６
を対向させて配置し、フォトダイオード６に接続された
増幅用トランジスタ７のベースとコレクタの間に図のよ
うにダイオードＤ5，Ｄ6をそれぞれ接続し、これらの全
体をパッケージ８内に封入すると共に所要の端子９ａ〜
９ｅをパッケージ８の外に導出して、単体の電子部品で
あるフォトカプラ１ｄを構成している。
であり、増幅用トランジスタ内蔵のフォトダイオード式
のものにこの発明を適用して単体のフォトカプラを構成
したものである。すなわち、Ｄ5及びＤ6は同種の余剰キ
ャリア吸収用のダイオード、８はパッケージ、他は図３
と同様であり、発光ダイオード２とフォトダイオード６
を対向させて配置し、フォトダイオード６に接続された
増幅用トランジスタ７のベースとコレクタの間に図のよ
うにダイオードＤ5，Ｄ6をそれぞれ接続し、これらの全
体をパッケージ８内に封入すると共に所要の端子９ａ〜
９ｅをパッケージ８の外に導出して、単体の電子部品で
あるフォトカプラ１ｄを構成している。
【００１７】従来は内蔵の増幅用トランジスタ自体には
余剰キャリア吸収用のダイオードを接続することはでき
なかったため、図３のように付加回路を設けることによ
ってオフ時間を短縮する必要がある。このため、付加回
路に要する部品代の割には上述の例示のようにオフ時間
の短縮効果が小さかったのに対して、この実施例のよう
にすれば付加回路が不要となり、しかも大量生産すれば
製造コストをほとんど上昇させないでオフ時間の短縮が
可能となるのである。
余剰キャリア吸収用のダイオードを接続することはでき
なかったため、図３のように付加回路を設けることによ
ってオフ時間を短縮する必要がある。このため、付加回
路に要する部品代の割には上述の例示のようにオフ時間
の短縮効果が小さかったのに対して、この実施例のよう
にすれば付加回路が不要となり、しかも大量生産すれば
製造コストをほとんど上昇させないでオフ時間の短縮が
可能となるのである。
【００１８】
【発明の効果】上述の実施例から明らかなように、第１
の発明は、光−電気変換素子として使用されている半導
体素子を活性領域で作動させ、増幅用トランジスタのベ
ース及びコレクタの各々に、同種の余剰キャリア吸収用
のダイオードをそれぞれ接続ししたものである。従っ
て、光−電気変換素子のオフ時間が短縮され、また、増
幅用トランジスタを活性領域で作動させてそのオフ時間
を短縮することも可能となるので、きわめて簡単な回路
構成により比較的安価なフォトトランジスタ式のフォト
カプラの動作を高速化し、回路全体の高速動作を実現で
きる。更に、この発明によれば光−電気変換素子及び増
幅用トランジスタとして使用されている半導体素子の特
性のバラツキや温度等による影響を極力少なくすること
もでき、信頼性に優れた製品を提供することが可能とな
る。
の発明は、光−電気変換素子として使用されている半導
体素子を活性領域で作動させ、増幅用トランジスタのベ
ース及びコレクタの各々に、同種の余剰キャリア吸収用
のダイオードをそれぞれ接続ししたものである。従っ
て、光−電気変換素子のオフ時間が短縮され、また、増
幅用トランジスタを活性領域で作動させてそのオフ時間
を短縮することも可能となるので、きわめて簡単な回路
構成により比較的安価なフォトトランジスタ式のフォト
カプラの動作を高速化し、回路全体の高速動作を実現で
きる。更に、この発明によれば光−電気変換素子及び増
幅用トランジスタとして使用されている半導体素子の特
性のバラツキや温度等による影響を極力少なくすること
もでき、信頼性に優れた製品を提供することが可能とな
る。
【００１９】また第２の発明は、増幅用トランジスタを
内蔵したフォトダイオード式のフォトカプラにおいて、
増幅用トランジスタのベース及びコレクタの各々に、同
種の余剰キャリア吸収用のダイオードをそれぞれ接続し
た回路を、フォトダイオードと共に一つのパッケージ内
に封入したものである。従って、外部の付加回路なしで
フォトダイオード式のオフ時間を一層短縮し、しかも単
体の電子部品として容易に取り扱うことのできるフォト
カプラを低コストで得ることが可能となるのである。
内蔵したフォトダイオード式のフォトカプラにおいて、
増幅用トランジスタのベース及びコレクタの各々に、同
種の余剰キャリア吸収用のダイオードをそれぞれ接続し
た回路を、フォトダイオードと共に一つのパッケージ内
に封入したものである。従って、外部の付加回路なしで
フォトダイオード式のオフ時間を一層短縮し、しかも単
体の電子部品として容易に取り扱うことのできるフォト
カプラを低コストで得ることが可能となるのである。
【図１】第１の発明の一実施例の構成を示す接続図であ
る。
る。
【図２】他の実施例の構成を示す接続図である。
【図３】別の実施例の構成を示す接続図である。
【図４】第２の発明の一実施例の構成を示す接続図であ
る。
る。
【図５】一般的なフォトカプラの構成を示す接続図であ
る。
る。
１ａ〜１ｄ フォトカプラ ２ 発光ダイオード ３ａ，３ｂ フォトトランジスタ ４，７ 増幅用トランジスタ ６ フォトダイオード ８ パッケージ ９ａ〜９ｅ 端子 Ｒ1 負荷抵抗 Ｄ1〜Ｄ6 余剰キャリア吸収用ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−188020（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−97236（ＪＰ，Ｕ) 鈴木康夫、樋口武尚編，「特許パルス 回路技術事典」，第１版，株式会社オー ム社，1980年５月，ｐ．７−８ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/78 H01L 31/12 H03H 11/02
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトカプラの出力端子に出力信号の増
幅用トランジスタを接続し、上記フォトカプラの光−電
気変換素子を活性領域で作動させると共に、上記増幅用
トランジスタのベース及びコレクタの各々に、同種の余
剰キャリア吸収用のダイオードをそれぞれ接続したこと
を特徴とするフォトカプラの出力回路。 - 【請求項２】 光−電気変換素子としてフォトダイオー
ドを用い、増幅用トランジスタを内蔵したフォトカプラ
において、上記増幅用トランジスタのベース及びコレク
タの各々に、同種の余剰キャリア吸収用のダイオードを
それぞれ接続した回路を、上記フォトダイオードと共に
一つのパッケージ内に封入したことを特徴とするフォト
カプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18511291A JP3012708B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | フォトカプラの出力回路及びフォトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18511291A JP3012708B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | フォトカプラの出力回路及びフォトカプラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514161A JPH0514161A (ja) | 1993-01-22 |
| JP3012708B2 true JP3012708B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=16165073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18511291A Expired - Fee Related JP3012708B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | フォトカプラの出力回路及びフォトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3012708B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101186385B1 (ko) * | 2009-11-18 | 2012-09-26 | 파나소닉 덴코 에스유엔엑스 가부시키가이샤 | 디지털 입력 회로 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18511291A patent/JP3012708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 鈴木康夫、樋口武尚編，「特許パルス回路技術事典」，第１版，株式会社オーム社，１９８０年５月，ｐ．７−８ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101186385B1 (ko) * | 2009-11-18 | 2012-09-26 | 파나소닉 덴코 에스유엔엑스 가부시키가이샤 | 디지털 입력 회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0514161A (ja) | 1993-01-22 |
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