JP3011122B2 - 積層型酸化物絶縁膜 - Google Patents
積層型酸化物絶縁膜Info
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
- H10N60/207—Field effect devices
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物絶縁膜に関
する。より詳細には、酸化物超電導体と組み合わせて使
用するのに適した酸化物絶縁膜の構成に関する。
する。より詳細には、酸化物超電導体と組み合わせて使
用するのに適した酸化物絶縁膜の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体は、従来の金属系超電導
体に比較して臨界温度が高く、実用性がより高いと考え
られている。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
の臨界温度は80Ｋ以上であり、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸
化物超電導体およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体の臨界温度は 100Ｋ以上と発表されている。
体に比較して臨界温度が高く、実用性がより高いと考え
られている。例えば、Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系酸化物超電導体
の臨界温度は80Ｋ以上であり、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系酸
化物超電導体およびTl−Ba−Ca−Cu−Ｏ系酸化物超電導
体の臨界温度は 100Ｋ以上と発表されている。
【０００３】酸化物超電導体を超電導素子、超電導集積
回路等いわゆる超電導エレクトロニクス技術に応用する
場合、一般には酸化物超電導体を薄膜化したいわゆる酸
化物超電導薄膜を使用しなければならない。また、この
ような酸化物超電導膜の応用においては、酸化物超電導
体と格子整合し、各種の温度係数等が相等しいか、近い
値である絶縁膜が必要である。このような絶縁膜は、例
えば、超電導素子のトンネル障壁層、ゲート絶縁膜、あ
るいは、層間絶縁膜等に使用される。
回路等いわゆる超電導エレクトロニクス技術に応用する
場合、一般には酸化物超電導体を薄膜化したいわゆる酸
化物超電導薄膜を使用しなければならない。また、この
ような酸化物超電導膜の応用においては、酸化物超電導
体と格子整合し、各種の温度係数等が相等しいか、近い
値である絶縁膜が必要である。このような絶縁膜は、例
えば、超電導素子のトンネル障壁層、ゲート絶縁膜、あ
るいは、層間絶縁膜等に使用される。
【０００４】これらの絶縁材料としては、現在主とし
て、チタン酸ストロンチウム（SrTiＯ3、以下ＳＴＯと
記す）等の強誘電体が使用されている。ＳＴＯは、酸化
物超電導体とほぼ等しい物理定数を持ち、ほぼ等しい成
膜条件で形成できるため、上記の絶縁材料として好まし
い。
て、チタン酸ストロンチウム（SrTiＯ3、以下ＳＴＯと
記す）等の強誘電体が使用されている。ＳＴＯは、酸化
物超電導体とほぼ等しい物理定数を持ち、ほぼ等しい成
膜条件で形成できるため、上記の絶縁材料として好まし
い。
【０００５】しかしながら、強誘電体は、誘電特性の温
度依存性が大きく、構成元素、組成、形成条件に対応し
た特定の温度で比誘電率が最大値を有し、この温度を離
れると急速にその値が低下する。例えば、図２に反応性
共蒸着法で形成したＳＴＯ薄膜の比誘電率の温度特性を
示す。このＳＴＯ薄膜は、試料温度35Ｋで、比誘電率が
最大値 825となるが、室温での値は 300〜400 である。
また、ＳＴＯは、酸素欠損が生じやすく、絶縁耐圧が低
いという問題もある。
度依存性が大きく、構成元素、組成、形成条件に対応し
た特定の温度で比誘電率が最大値を有し、この温度を離
れると急速にその値が低下する。例えば、図２に反応性
共蒸着法で形成したＳＴＯ薄膜の比誘電率の温度特性を
示す。このＳＴＯ薄膜は、試料温度35Ｋで、比誘電率が
最大値 825となるが、室温での値は 300〜400 である。
また、ＳＴＯは、酸素欠損が生じやすく、絶縁耐圧が低
いという問題もある。
【０００６】また、強誘電体の中には常温付近で最大値
を持ち、温度の低下に伴って、その特性値が単調に低下
する材料も存在する。
を持ち、温度の低下に伴って、その特性値が単調に低下
する材料も存在する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】温度依存性のある材料
を絶縁体として使用すると、以下のような不具合が生ず
る。例えば、酸化物超電導体を配線材料に使用する多層
配線構造において、層間絶縁膜に誘電特性が温度により
変化する強誘電体を使用すると、信号の伝送速度、損失
等が、これと同様の温度依存性を持つようになる。特
に、回路の動作温度を、比誘電率が最大となる温度に設
定して設計すると、安定して動作できる温度範囲が、極
めて狭くなる。また、温度依存性の少ない領域で使用す
ると、強誘電体の特長を十分活用できない。
を絶縁体として使用すると、以下のような不具合が生ず
る。例えば、酸化物超電導体を配線材料に使用する多層
配線構造において、層間絶縁膜に誘電特性が温度により
変化する強誘電体を使用すると、信号の伝送速度、損失
等が、これと同様の温度依存性を持つようになる。特
に、回路の動作温度を、比誘電率が最大となる温度に設
定して設計すると、安定して動作できる温度範囲が、極
めて狭くなる。また、温度依存性の少ない領域で使用す
ると、強誘電体の特長を十分活用できない。
【０００８】一方、酸化物超電導体を使用した超電導素
子のひとつに、超電導電界効果型トランジスタがある。
この素子は、酸化物超電導体で形成された超電導チャネ
ルと、超電導チャネル上にゲート絶縁膜を介して配置さ
れたゲート電極とを備え、ゲート電極に印加された信号
電圧により超電導チャネルを流れる超電導電流を制御す
る。この超電導電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜
に上記のような強誘電体を使用すると、ゲート電極に印
加されたゲート電圧のうち、実際に超電導体に加わる割
合に温度依存性を生じる。これは、超電導チャネルに加
わる電圧とゲート絶縁膜に加わる電圧との比が、各々の
誘電率の比に依存するためである。このため、トランジ
スタの入出力特性にも温度依存性が生じる。
子のひとつに、超電導電界効果型トランジスタがある。
この素子は、酸化物超電導体で形成された超電導チャネ
ルと、超電導チャネル上にゲート絶縁膜を介して配置さ
れたゲート電極とを備え、ゲート電極に印加された信号
電圧により超電導チャネルを流れる超電導電流を制御す
る。この超電導電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜
に上記のような強誘電体を使用すると、ゲート電極に印
加されたゲート電圧のうち、実際に超電導体に加わる割
合に温度依存性を生じる。これは、超電導チャネルに加
わる電圧とゲート絶縁膜に加わる電圧との比が、各々の
誘電率の比に依存するためである。このため、トランジ
スタの入出力特性にも温度依存性が生じる。
【０００９】これらの温度依存性の一部は、適切な帰還
路、あるいは、逆の温度依存性を有する個別の素子等を
組み合わせて補償できる場合もある。ただし、この場合
でも、装荷する素子、回路が複雑なものになれば動作速
度が低下したり、消費電力が増大し、超電導素子の特長
である高速性、低電力消費を活かすことができなくな
る。従って、超電導素子の特性が温度依存性を有するこ
とが避けられない場合でも、できるだけ単純な温度依存
性を持つことが望ましい。このためには、絶縁体に適当
な温度依存性が設定できることも必要となる。
路、あるいは、逆の温度依存性を有する個別の素子等を
組み合わせて補償できる場合もある。ただし、この場合
でも、装荷する素子、回路が複雑なものになれば動作速
度が低下したり、消費電力が増大し、超電導素子の特長
である高速性、低電力消費を活かすことができなくな
る。従って、超電導素子の特性が温度依存性を有するこ
とが避けられない場合でも、できるだけ単純な温度依存
性を持つことが望ましい。このためには、絶縁体に適当
な温度依存性が設定できることも必要となる。
【００１０】そこで本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決した新規な構成の絶縁膜を提供することにあ
る。
題点を解決した新規な構成の絶縁膜を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、誘電率
の温度依存性の異なる二種類以上の強誘電体酸化物絶縁
材料の層が、少なくとも二層以上積層され、少なくとも
80Ｋ〜120Ｋの温度範囲でほぼ一定の誘電率を有するこ
とを特徴とする積層型酸化物絶縁膜が提供される。本発
明の積層型酸化物絶縁膜で使用される強誘電体として
は、SrTiＯ3、BaxSr1-xTiＯ3（０≦ｘ＜１、以下ＢＳＴ
Ｏと記す）およびPb(Zry,Ti1-y)Ｏ3（０＜ｙ＜１、以下
ＰＺＴと記す）が好ましい。
の温度依存性の異なる二種類以上の強誘電体酸化物絶縁
材料の層が、少なくとも二層以上積層され、少なくとも
80Ｋ〜120Ｋの温度範囲でほぼ一定の誘電率を有するこ
とを特徴とする積層型酸化物絶縁膜が提供される。本発
明の積層型酸化物絶縁膜で使用される強誘電体として
は、SrTiＯ3、BaxSr1-xTiＯ3（０≦ｘ＜１、以下ＢＳＴ
Ｏと記す）およびPb(Zry,Ti1-y)Ｏ3（０＜ｙ＜１、以下
ＰＺＴと記す）が好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】ＢＳＴＯは、組成により比誘電率
の最大値および比誘電率が最大となる温度が変わるので
本発明に使用するのに特に好ましい。この場合、ｘの異
なる複数の組成のＢＳＴＯの層を有する積層型酸化物絶
縁膜とすることができる。また、ｘが連続的に変化する
組成を有する層を含む積層型酸化物絶縁膜としてもよ
い。ｘが連続的に変化する組成にすると、比誘電率の温
度による変化が小さいからである。また、隣接する層ま
たは近傍に配置される層を構成する材料の比誘電率に合
わせてＢＳＴＯの組成を変更し、絶縁膜全体および／ま
たは素子全体の特性が温度依存性をなるべく持たないよ
うにすることが好ましい。
の最大値および比誘電率が最大となる温度が変わるので
本発明に使用するのに特に好ましい。この場合、ｘの異
なる複数の組成のＢＳＴＯの層を有する積層型酸化物絶
縁膜とすることができる。また、ｘが連続的に変化する
組成を有する層を含む積層型酸化物絶縁膜としてもよ
い。ｘが連続的に変化する組成にすると、比誘電率の温
度による変化が小さいからである。また、隣接する層ま
たは近傍に配置される層を構成する材料の比誘電率に合
わせてＢＳＴＯの組成を変更し、絶縁膜全体および／ま
たは素子全体の特性が温度依存性をなるべく持たないよ
うにすることが好ましい。
【００１３】また、本発明の積層型酸化物絶縁膜は、全
ての温度範囲で特性が一定である必要はなく、使用予定
の温度範囲で特性が一定であればよい。本発明の積層型
酸化物絶縁膜を作製する場合には、各層を連続して形成
することが好ましい。連続して形成するという意味は、
下側の層を形成した後、空気に触れさせることなく上側
の層を続けて形成する、いわゆるその場（in-situ)の成
膜を行うことである。特に下側の層と上側の層を同じ成
膜方法で形成する場合には、成膜時の圧力、雰囲気等を
できるだけ変更せずに続けて成膜することが好ましい。
各層を連続して形成することにより、成膜直後の層の表
面が汚染されたり、劣化することがなく各層間の界面が
シャープに形成される。従って、各界面のエネルギ準位
が十分低くなり無用な影響を与えることがないので、積
層型酸化物絶縁膜は、設計通りの性能を発揮する。本発
明において、積層型酸化物絶縁膜の各層を成膜する方法
は、反応性共蒸着法、パルスレーザ蒸着法が好ましい。
また、これらの成膜法を組み合わせて使用してもよい。
ての温度範囲で特性が一定である必要はなく、使用予定
の温度範囲で特性が一定であればよい。本発明の積層型
酸化物絶縁膜を作製する場合には、各層を連続して形成
することが好ましい。連続して形成するという意味は、
下側の層を形成した後、空気に触れさせることなく上側
の層を続けて形成する、いわゆるその場（in-situ)の成
膜を行うことである。特に下側の層と上側の層を同じ成
膜方法で形成する場合には、成膜時の圧力、雰囲気等を
できるだけ変更せずに続けて成膜することが好ましい。
各層を連続して形成することにより、成膜直後の層の表
面が汚染されたり、劣化することがなく各層間の界面が
シャープに形成される。従って、各界面のエネルギ準位
が十分低くなり無用な影響を与えることがないので、積
層型酸化物絶縁膜は、設計通りの性能を発揮する。本発
明において、積層型酸化物絶縁膜の各層を成膜する方法
は、反応性共蒸着法、パルスレーザ蒸着法が好ましい。
また、これらの成膜法を組み合わせて使用してもよい。
【００１４】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１５】
【実施例】本発明の積層型酸化物絶縁膜およびを従来の
単層の絶縁膜を作製し、それぞれの特性を比較した。
単層の絶縁膜を作製し、それぞれの特性を比較した。
【００１６】実施例１ 厚さがいずれも 114nmのＳＴＯ層、ＢＳＴＯ（Ba0.15Sr
0.85TiＯ3)層およびＳＴＯ層をこの順で積層し、本発明
の積層型酸化物絶縁膜を作製した。各層は、パルスレー
ザ蒸着法により連続的に形成して積層した。主な成膜条
件を以下に示す。 成膜条件（各層共通） 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃
0.85TiＯ3)層およびＳＴＯ層をこの順で積層し、本発明
の積層型酸化物絶縁膜を作製した。各層は、パルスレー
ザ蒸着法により連続的に形成して積層した。主な成膜条
件を以下に示す。 成膜条件（各層共通） 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃
【００１７】比較のために作製した従来の単層の強誘電
体膜による絶縁膜は、厚さが 300nmのＳＴＯ膜およびＢ
ＳＴＯ（Ba0.15Sr0.85TiＯ3)膜とした。それぞれの主な
成膜条件を以下に示す。 ＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.03Torr 基板温度 580℃ 膜厚 300nm ＢＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.03Torr 基板温度 600℃ 膜厚 300nm
体膜による絶縁膜は、厚さが 300nmのＳＴＯ膜およびＢ
ＳＴＯ（Ba0.15Sr0.85TiＯ3)膜とした。それぞれの主な
成膜条件を以下に示す。 ＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.03Torr 基板温度 580℃ 膜厚 300nm ＢＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.03Torr 基板温度 600℃ 膜厚 300nm
【００１８】図１に、上記本発明の積層型酸化物絶縁膜
と、従来の単層の絶縁膜の比誘電率の温度依存性を示
す。図１からわかるよう、本発明の積層型酸化物絶縁膜
の比誘電率は、40Ｋ〜 120Ｋの温度範囲で約1600のほぼ
一定の値を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範
囲で特性が安定している。
と、従来の単層の絶縁膜の比誘電率の温度依存性を示
す。図１からわかるよう、本発明の積層型酸化物絶縁膜
の比誘電率は、40Ｋ〜 120Ｋの温度範囲で約1600のほぼ
一定の値を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範
囲で特性が安定している。
【００１９】また、絶縁耐圧を測定したところ、上記本
発明の積層型酸化物絶縁膜の絶縁耐圧は、３×106 Ｖ／
cmであったのに対し、本発明の積層型酸化物絶縁膜より
も厚い厚さ400 nmのＳＴＯ膜の絶縁耐圧は、１×106 Ｖ
／cmであった。
発明の積層型酸化物絶縁膜の絶縁耐圧は、３×106 Ｖ／
cmであったのに対し、本発明の積層型酸化物絶縁膜より
も厚い厚さ400 nmのＳＴＯ膜の絶縁耐圧は、１×106 Ｖ
／cmであった。
【００２０】実施例２ 厚さがいずれも 114nmのＳＴＯ層、ＰＺＴ（Pb(Zr0.5Ti
0.5)Ｏ3)層およびＳＴＯ層をこの順で積層し、本発明の
積層型酸化物絶縁膜を作製した。各層は、パルスレーザ
蒸着法により連続的に形成して積層した。主な成膜条件
を以下に示す。 ＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃ ＰＺＴ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.2Torr 基板温度 550℃
0.5)Ｏ3)層およびＳＴＯ層をこの順で積層し、本発明の
積層型酸化物絶縁膜を作製した。各層は、パルスレーザ
蒸着法により連続的に形成して積層した。主な成膜条件
を以下に示す。 ＳＴＯ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃ ＰＺＴ層 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.2Torr 基板温度 550℃
【００２１】上記本発明の積層型酸化物絶縁膜の比誘電
率は、40Ｋ〜 140Ｋの温度範囲で約1400のほぼ一定の値
を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性
が安定していた。また、絶縁耐圧を測定したところ、上
記本発明の積層型酸化物絶縁膜の絶縁耐圧は、２×106
Ｖ／cmであった。
率は、40Ｋ〜 140Ｋの温度範囲で約1400のほぼ一定の値
を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性
が安定していた。また、絶縁耐圧を測定したところ、上
記本発明の積層型酸化物絶縁膜の絶縁耐圧は、２×106
Ｖ／cmであった。
【００２２】実施例３ 厚さがいずれも 200nmのそれぞれ組成が異なるＢＳＴＯ
層（それぞれBa0.15Sr0.85TiＯ3 およびBa0.3Sr0.7TiＯ
3)をこの順で積層し、本発明の積層型酸化物絶縁膜を作
製した。各層は、パルスレーザ蒸着法により連続的に形
成して積層した。主な成膜条件を以下に示す。 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃
層（それぞれBa0.15Sr0.85TiＯ3 およびBa0.3Sr0.7TiＯ
3)をこの順で積層し、本発明の積層型酸化物絶縁膜を作
製した。各層は、パルスレーザ蒸着法により連続的に形
成して積層した。主な成膜条件を以下に示す。 成膜法 パルスレーザ蒸着法 酸素圧 0.3Torr 基板温度 600℃
【００２３】上記本発明の積層型酸化物絶縁膜の比誘電
率は、80Ｋ〜 160Ｋの温度範囲で約1500のほぼ一定の値
を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性
が安定していた。
率は、80Ｋ〜 160Ｋの温度範囲で約1500のほぼ一定の値
を示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性
が安定していた。
【００２４】本発明の積層型酸化物絶縁膜の各層は、そ
の電気的な特性が歪等の影響で変化しないだけの厚さで
なければならない。積層型酸化物絶縁膜全体の最終的な
膜厚および使用可能な温度範囲から各層の厚さの範囲お
よび積層数が決定される。一般的には、各層はそれぞれ
数10〜 200nmの膜厚で、数層が積層されて用いられるこ
とが好ましい。
の電気的な特性が歪等の影響で変化しないだけの厚さで
なければならない。積層型酸化物絶縁膜全体の最終的な
膜厚および使用可能な温度範囲から各層の厚さの範囲お
よび積層数が決定される。一般的には、各層はそれぞれ
数10〜 200nmの膜厚で、数層が積層されて用いられるこ
とが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の積層型酸化
物絶縁膜は、広い温度範囲で比誘電率がほぼ一定の値を
示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性が
安定している。また、本発明の積層型酸化物絶縁膜で
は、絶縁特性等温度依存性以外の誘電特性を所定の値に
設定することも可能である。さらに、本発明の積層型酸
化物絶縁膜は、絶縁耐圧の改善および総合拡散の抑制に
効果があり、これらと組合せて、総合的な超電導体／絶
縁体積層構造の電気特性を設計することが可能である。
物絶縁膜は、広い温度範囲で比誘電率がほぼ一定の値を
示し、従来の単層の絶縁膜よりも広い温度範囲で特性が
安定している。また、本発明の積層型酸化物絶縁膜で
は、絶縁特性等温度依存性以外の誘電特性を所定の値に
設定することも可能である。さらに、本発明の積層型酸
化物絶縁膜は、絶縁耐圧の改善および総合拡散の抑制に
効果があり、これらと組合せて、総合的な超電導体／絶
縁体積層構造の電気特性を設計することが可能である。
【図１】 本発明の積層型酸化物絶縁膜と、従来の単層
の絶縁膜の比誘電率の温度依存性を示すグラフである。
の絶縁膜の比誘電率の温度依存性を示すグラフである。
【図２】 誘電体膜の比誘電率の温度依存性を示すグラ
フである。
フである。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 39/02 H01L 39/24 C30B 29/22 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電率の温度依存性の異なる二種類以上
の強誘電体酸化物絶縁材料の層が、少なくとも二層以上
積層され、少なくとも80Ｋ〜120Ｋの温度範囲でほぼ一
定の誘電率を有することを特徴とする積層型酸化物絶縁
膜。 - 【請求項２】 前記強誘電体が、SrTiＯ3、BaxSr1-xTi
Ｏ3（０≦ｘ＜１）およびPb(Zr,Ti)Ｏ3で構成される群
からなる少なくとも１種のものを含むことを特徴とする
請求項１に記載の積層型酸化物絶縁膜。 - 【請求項３】 前記強誘電体酸化物絶縁材料の層が、下
から順に第１のSrTiＯ 3 層、Ba x Sr 1-x TiＯ 3 （０＜ｘ＜
１）層および第２のSrTiＯ 3 層であることを特徴とする
請求項２に記載の積層型酸化物絶縁膜。 - 【請求項４】 前記強誘電体酸化物絶縁材料の層が、下
から順に第１のSrTiＯ 3 層、Pb(Zr y ,Ti 1-y )Ｏ 3 層および
第２のSrTiＯ 3 層であることを特徴とする請求項２に記
載の積層型酸化物絶縁膜。 - 【請求項５】 前記強誘電体酸化物絶縁材料の層が、Ba
x Sr 1-x TiＯ 3 （０＜ｘ＜１）層を含み、そのｘが異なる
複数の組成の層を有することを特徴とする請求項２に記
載の積層型酸化物絶縁膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049706A JP3011122B2 (ja) | 1996-12-03 | 1997-02-18 | 積層型酸化物絶縁膜 |
| EP97402922A EP0847092A1 (en) | 1996-12-03 | 1997-12-03 | Oxide insulator film having a layered structure. |
| CA002223362A CA2223362A1 (en) | 1996-12-03 | 1997-12-03 | Oxide insulator film having a layered structure |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-337573 | 1996-12-03 | ||
| JP33757396 | 1996-12-03 | ||
| JP9049706A JP3011122B2 (ja) | 1996-12-03 | 1997-02-18 | 積層型酸化物絶縁膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219431A JPH10219431A (ja) | 1998-08-18 |
| JP3011122B2 true JP3011122B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=26390151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049706A Expired - Lifetime JP3011122B2 (ja) | 1996-12-03 | 1997-02-18 | 積層型酸化物絶縁膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0847092A1 (ja) |
| JP (1) | JP3011122B2 (ja) |
| CA (1) | CA2223362A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326721A (en) * | 1992-05-01 | 1994-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating high-dielectric constant oxides on semiconductors using a GE buffer layer |
| US5472935A (en) * | 1992-12-01 | 1995-12-05 | Yandrofski; Robert M. | Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films |
| US5471364A (en) * | 1993-03-31 | 1995-11-28 | Texas Instruments Incorporated | Electrode interface for high-dielectric-constant materials |
| JPH0745880A (ja) * | 1993-07-29 | 1995-02-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 絶縁体薄膜と酸化物超電導薄膜との積層膜 |
-
1997
- 1997-02-18 JP JP9049706A patent/JP3011122B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-03 CA CA002223362A patent/CA2223362A1/en not_active Abandoned
- 1997-12-03 EP EP97402922A patent/EP0847092A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0847092A1 (en) | 1998-06-10 |
| CA2223362A1 (en) | 1998-06-03 |
| JPH10219431A (ja) | 1998-08-18 |
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