JP3007727B2 - Ｘ線ミラー及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線ミラー及びその製造方法Info
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- JP3007727B2 JP3007727B2 JP3248801A JP24880191A JP3007727B2 JP 3007727 B2 JP3007727 B2 JP 3007727B2 JP 3248801 A JP3248801 A JP 3248801A JP 24880191 A JP24880191 A JP 24880191A JP 3007727 B2 JP3007727 B2 JP 3007727B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線望遠
鏡、Ｘ線リソグラフィ等に用いられるＸ線ミラー及びそ
の製造方法に関するものである。
鏡、Ｘ線リソグラフィ等に用いられるＸ線ミラー及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線ミラーは、イオンビームスパ
ッタリング、電子ビーム蒸着、レーザＣＶＤなどの手法
を用いて、基板上に薄膜あるいは多層膜を直接堆積して
作製していた。この薄膜は、例えば、金、白金等であ
り、また、多層膜は、通常、炭素、珪素等の軽元素層
と、タングステン、モリブデン等の重元素層を、交互に
１０〜１００層程度積層したものである。これらのＸ線
ミラーは、使用される波長が数十nm以下であることか
ら、ミラーの表面粗さを極めて滑らか（例えば数nm以
下）にする必要がある。このため、平面ミラーの作製に
おいては、フロートポリシング等の超精密加工法を用い
て基板の表面を滑らかに仕上げることが必要であり、基
板材料もシリコンウエハ、フロートガラス等に限られて
いた。この課題を解決するための手段としては、例え
ば、特開平１−２０２７００号公報に記載された方法が
ある。
ッタリング、電子ビーム蒸着、レーザＣＶＤなどの手法
を用いて、基板上に薄膜あるいは多層膜を直接堆積して
作製していた。この薄膜は、例えば、金、白金等であ
り、また、多層膜は、通常、炭素、珪素等の軽元素層
と、タングステン、モリブデン等の重元素層を、交互に
１０〜１００層程度積層したものである。これらのＸ線
ミラーは、使用される波長が数十nm以下であることか
ら、ミラーの表面粗さを極めて滑らか（例えば数nm以
下）にする必要がある。このため、平面ミラーの作製に
おいては、フロートポリシング等の超精密加工法を用い
て基板の表面を滑らかに仕上げることが必要であり、基
板材料もシリコンウエハ、フロートガラス等に限られて
いた。この課題を解決するための手段としては、例え
ば、特開平１−２０２７００号公報に記載された方法が
ある。
【０００３】以下、図４を参照しながら従来のＸ線ミラ
ーの製造方法について説明する。図４は従来のＸ線ミラ
ーの工程順断面図である。図４において、４１は基板、
４２は高分子材料よりなる中間層、４３は多層膜であ
る。以上のような構成において、まず基板４１を、一般
に用いられている旋盤、研磨機等を用いて表面加工する
（図４（ａ））。次に、この上に高分子材料よりなる中
間層４２を形成する（図４（ｂ））。この中間層の製造
方法としては、スピンコーティング法を用いることによ
り、基板の凹凸の影響を受けることなく極めて滑らかな
表面を実現できる。その上に、従来法で用いられている
各種蒸着法を用いて多層膜４３を形成する（図４
（ｃ））。
ーの製造方法について説明する。図４は従来のＸ線ミラ
ーの工程順断面図である。図４において、４１は基板、
４２は高分子材料よりなる中間層、４３は多層膜であ
る。以上のような構成において、まず基板４１を、一般
に用いられている旋盤、研磨機等を用いて表面加工する
（図４（ａ））。次に、この上に高分子材料よりなる中
間層４２を形成する（図４（ｂ））。この中間層の製造
方法としては、スピンコーティング法を用いることによ
り、基板の凹凸の影響を受けることなく極めて滑らかな
表面を実現できる。その上に、従来法で用いられている
各種蒸着法を用いて多層膜４３を形成する（図４
（ｃ））。
【０００４】一方、Ｘ線ミラーをＸ線の集光等に用いる
場合には、基板を放物面等の非平面形状に超精密加工
し、その上に多層膜を形成していた。例えば、発散Ｘ線
を平行Ｘ線に変換するＸ線ミラーとして、特開昭６２ー
２４２９０１の構成がある。
場合には、基板を放物面等の非平面形状に超精密加工
し、その上に多層膜を形成していた。例えば、発散Ｘ線
を平行Ｘ線に変換するＸ線ミラーとして、特開昭６２ー
２４２９０１の構成がある。
【０００５】以下、図５を参照しながら従来のＸ線ミラ
ーについて説明する。図５は従来のＸ線ミラーの構成図
である。図５において、５１は表面を放物面状に超精密
加工した基板、５２は基板５１上に従来の蒸着法により
形成された多層膜、５３はＸ線源、５４は発散Ｘ線、５
５は平行Ｘ線である。以上のような構成において、その
動作方法を説明する。Ｘ線源５３から出射した発散Ｘ線
５４は、多層膜５２により反射される。この時、Ｘ線源
５３が基板５１の放物面の焦点となるように設置してお
けば、多層膜５２により反射されたＸ線は平行Ｘ線５５
となる。また、逆に、平行Ｘ線を放物面の焦点位置に集
光することもできる。
ーについて説明する。図５は従来のＸ線ミラーの構成図
である。図５において、５１は表面を放物面状に超精密
加工した基板、５２は基板５１上に従来の蒸着法により
形成された多層膜、５３はＸ線源、５４は発散Ｘ線、５
５は平行Ｘ線である。以上のような構成において、その
動作方法を説明する。Ｘ線源５３から出射した発散Ｘ線
５４は、多層膜５２により反射される。この時、Ｘ線源
５３が基板５１の放物面の焦点となるように設置してお
けば、多層膜５２により反射されたＸ線は平行Ｘ線５５
となる。また、逆に、平行Ｘ線を放物面の焦点位置に集
光することもできる。
【０００６】このような放物面等の非平面ミラーの作製
においては、基板の加工精度がＸ線ミラーの性能を左右
する。従来、非平面基板の加工法としては、研削により
形状の前加工を行い、研磨により表面を仕上げるという
手順を用いていた。
においては、基板の加工精度がＸ線ミラーの性能を左右
する。従来、非平面基板の加工法としては、研削により
形状の前加工を行い、研磨により表面を仕上げるという
手順を用いていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、基板を放物面等の非平面形状に加工しよ
うとした場合、フロートポリシング等の平面基板の超精
密加工に用いる手法を用いることができず、平面基板の
加工に比べ、加工精度、表面粗さ等が悪くなり、Ｘ線ミ
ラーとしての性能が悪くなるという課題を有していた。
さらに、基板としてセラミック等の脆い材料、Ａｌ等の
靱性の高い材料を用いることはできず、材料が非常に限
られていた。
来の構成では、基板を放物面等の非平面形状に加工しよ
うとした場合、フロートポリシング等の平面基板の超精
密加工に用いる手法を用いることができず、平面基板の
加工に比べ、加工精度、表面粗さ等が悪くなり、Ｘ線ミ
ラーとしての性能が悪くなるという課題を有していた。
さらに、基板としてセラミック等の脆い材料、Ａｌ等の
靱性の高い材料を用いることはできず、材料が非常に限
られていた。
【０００８】また、スピンコーティング法を用いて高分
子材料からなる中間層を形成する場合は、多層膜形成法
と違う手法であるため、Ｘ線ミラーの製造方法が複雑に
なるという課題を有していた。さらに、非平面形状の基
板の場合には、従来のスピンコーティング法を用いた均
一な中間層の形成は困難である。
子材料からなる中間層を形成する場合は、多層膜形成法
と違う手法であるため、Ｘ線ミラーの製造方法が複雑に
なるという課題を有していた。さらに、非平面形状の基
板の場合には、従来のスピンコーティング法を用いた均
一な中間層の形成は困難である。
【０００９】本発明は上記従来技術の課題を解決するも
ので、非平面形状の超精密加工を必要とせず、さらに、
基板となる材料の選択範囲を広げることが可能となるＸ
線ミラー及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
ので、非平面形状の超精密加工を必要とせず、さらに、
基板となる材料の選択範囲を広げることが可能となるＸ
線ミラー及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＸ線ミラーは、所望の形状創成を行った中間
層を用いるという構成を有している。そして、このＸ線
ミラーの製造方法としては、基板上に中間層を堆積し、
この中間層の上に多層膜を堆積するという方法がある。
さらに、この中間層は基板面内方向に膜厚を変化させ、
所望の形状創成を行ったものである。
に本発明のＸ線ミラーは、所望の形状創成を行った中間
層を用いるという構成を有している。そして、このＸ線
ミラーの製造方法としては、基板上に中間層を堆積し、
この中間層の上に多層膜を堆積するという方法がある。
さらに、この中間層は基板面内方向に膜厚を変化させ、
所望の形状創成を行ったものである。
【００１１】
【作用】本発明は上記構成によって、Ｘ線ミラーにおい
て、所望の形状創成を行った中間層を設けることによ
り、従来の平面基板を用いて、Ｘ線集光等に用いる非平
面形状のＸ線ミラーを得ることができる。また、このＸ
線ミラーの製造方法として、基板上に中間層を堆積する
ことによって所望の形状創成を行い、その上に多層膜を
堆積するという工程を設けることにより、基板の非平面
形状の加工に伴う加工精度、表面粗さ等の劣化が生じる
こともない。さらに、基板となる材料の選択範囲を広げ
ることができる。
て、所望の形状創成を行った中間層を設けることによ
り、従来の平面基板を用いて、Ｘ線集光等に用いる非平
面形状のＸ線ミラーを得ることができる。また、このＸ
線ミラーの製造方法として、基板上に中間層を堆積する
ことによって所望の形状創成を行い、その上に多層膜を
堆積するという工程を設けることにより、基板の非平面
形状の加工に伴う加工精度、表面粗さ等の劣化が生じる
こともない。さらに、基板となる材料の選択範囲を広げ
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例におけるＸ線ミラ
ーの構成図である。図１において、１１は平面基板、１
２は平面基板１１上に基板面内方向に膜厚分布を変化さ
せて形成した中間層（この図では放物面状としてい
る）、１３はその上に形成した多層膜である。
ーの構成図である。図１において、１１は平面基板、１
２は平面基板１１上に基板面内方向に膜厚分布を変化さ
せて形成した中間層（この図では放物面状としてい
る）、１３はその上に形成した多層膜である。
【００１４】以上のような構成のＸ線ミラーの製造方法
としては、例えば、レーザＣＶＤ法を用いればよい。以
下、レーザＣＶＤ法を用いたＸ線ミラーの製造方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
としては、例えば、レーザＣＶＤ法を用いればよい。以
下、レーザＣＶＤ法を用いたＸ線ミラーの製造方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
【００１５】図２は、レーザＣＶＤ法を用いたＸ線ミラ
ーの製造装置の構成図である。図２において、２１はレ
ーザ光源、２２はレーザ光源２１から照射されたレーザ
光、２３はレーザ光２２を反射するミラー、２４は反応
容器、２５は図１の平面基板１１と同様の基板、２６は
材料ガスの導入口、２７は材料ガスの排気口である。材
料ガスとしては、例えば、タングステン−炭素（Ｗ／
Ｃ）多層膜を形成する場合には、六弗化タングステン及
びベンゼンを用いる。また、図３は、レーザＣＶＤ法を
用いたＸ線ミラーの工程順断面図である。図３におい
て、３１はレーザ光であり、１１〜１３は、図１と同様
である。
ーの製造装置の構成図である。図２において、２１はレ
ーザ光源、２２はレーザ光源２１から照射されたレーザ
光、２３はレーザ光２２を反射するミラー、２４は反応
容器、２５は図１の平面基板１１と同様の基板、２６は
材料ガスの導入口、２７は材料ガスの排気口である。材
料ガスとしては、例えば、タングステン−炭素（Ｗ／
Ｃ）多層膜を形成する場合には、六弗化タングステン及
びベンゼンを用いる。また、図３は、レーザＣＶＤ法を
用いたＸ線ミラーの工程順断面図である。図３におい
て、３１はレーザ光であり、１１〜１３は、図１と同様
である。
【００１６】以上のような構成において、まず、平面基
板１１を表面加工し（図３（ａ））、図２の反応容器２
４内に設置した後、反応容器２４内を高真空排気すると
ともに基板２５を所定の温度に加熱する。次に、中間層
の形成を行う。中間層は、例えば、Ｗ／Ｃ多層膜を形成
する場合、炭素膜を用いればよい。レーザ光源２１から
出射したレーザ光２２はミラー２３により反射され、反
応容器２４内に設置された基板２５上に照射する。一
方、材料ガスは導入口２６から反応容器２４内に導入さ
れ、レーザ光２２により光分解され、基板２５上でレー
ザ光２２の照射された部分に膜が形成される。この時、
例えば、ミラー２３を振動させることにより、レーザ光
２２を基板２５上で走査させることができ、基板面内方
向に膜厚を変化させた薄膜が形成される。すなわち、図
３（ｂ）において、レーザ光３１を、ｖ1＝ｆ（ｔ）
（ｔ：時間）と振動させれば、その振動波形に対応し
て、ｄ1＝Ｆ（ｘ）（ｘ：基板上の位置）という膜厚分
布を有する中間層が形成される。その後、導入された材
料ガスは、排気口２７から排気される。続いて、多層膜
の形成を行う。多層膜の第１層目を形成するための材料
ガスを導入し、レーザ光を、ｖ2＝ｇ（ｔ）と振動させ
ることにより、ｄ2＝Ｇ（ｘ）という膜厚分布を有する
層が形成される。この時、Ｘ線に対してブラッグ（Ｂｒ
ａｇｇ）反射を生じさせるように、多層膜１３の膜厚を
基板面内方向に変化させることにより、Ｘ線の利用効率
を上げることができる。その後、材料ガスを排気し、２
層目を形成するための材料ガスを導入する。以上の手順
を繰り返すことにより、多層膜１３を形成する（図３
（ｃ））。
板１１を表面加工し（図３（ａ））、図２の反応容器２
４内に設置した後、反応容器２４内を高真空排気すると
ともに基板２５を所定の温度に加熱する。次に、中間層
の形成を行う。中間層は、例えば、Ｗ／Ｃ多層膜を形成
する場合、炭素膜を用いればよい。レーザ光源２１から
出射したレーザ光２２はミラー２３により反射され、反
応容器２４内に設置された基板２５上に照射する。一
方、材料ガスは導入口２６から反応容器２４内に導入さ
れ、レーザ光２２により光分解され、基板２５上でレー
ザ光２２の照射された部分に膜が形成される。この時、
例えば、ミラー２３を振動させることにより、レーザ光
２２を基板２５上で走査させることができ、基板面内方
向に膜厚を変化させた薄膜が形成される。すなわち、図
３（ｂ）において、レーザ光３１を、ｖ1＝ｆ（ｔ）
（ｔ：時間）と振動させれば、その振動波形に対応し
て、ｄ1＝Ｆ（ｘ）（ｘ：基板上の位置）という膜厚分
布を有する中間層が形成される。その後、導入された材
料ガスは、排気口２７から排気される。続いて、多層膜
の形成を行う。多層膜の第１層目を形成するための材料
ガスを導入し、レーザ光を、ｖ2＝ｇ（ｔ）と振動させ
ることにより、ｄ2＝Ｇ（ｘ）という膜厚分布を有する
層が形成される。この時、Ｘ線に対してブラッグ（Ｂｒ
ａｇｇ）反射を生じさせるように、多層膜１３の膜厚を
基板面内方向に変化させることにより、Ｘ線の利用効率
を上げることができる。その後、材料ガスを排気し、２
層目を形成するための材料ガスを導入する。以上の手順
を繰り返すことにより、多層膜１３を形成する（図３
（ｃ））。
【００１７】以上のように本実施例によれば、平面基板
上に、基板面内方向に膜厚を変化させた中間層を堆積す
ることにより、基板の非平面形状の加工を必要とするこ
となく、所望の形状を有するＸ線ミラーを得ることがで
きる。また、中間層の形成において、材料として多層膜
の構成材料の１つを用い、多層膜形成手法と同じ手法を
用いることにより、Ｘ線ミラーの製造工程を複雑にする
こともない。さらに、ＣＶＤ法を用いた場合、ＣＶＤの
条件を制御することにより、基板よりも滑らかな表面を
有するＸ線ミラーを得ることができる。
上に、基板面内方向に膜厚を変化させた中間層を堆積す
ることにより、基板の非平面形状の加工を必要とするこ
となく、所望の形状を有するＸ線ミラーを得ることがで
きる。また、中間層の形成において、材料として多層膜
の構成材料の１つを用い、多層膜形成手法と同じ手法を
用いることにより、Ｘ線ミラーの製造工程を複雑にする
こともない。さらに、ＣＶＤ法を用いた場合、ＣＶＤの
条件を制御することにより、基板よりも滑らかな表面を
有するＸ線ミラーを得ることができる。
【００１８】なお、第１の実施例では基板を平面基板と
し、中間層を放物面状に形成したが、任意の形状とする
ことが可能である。また、中間層として炭素膜、多層膜
としてＷ／Ｃ多層膜を用いたが、他の材料を用いてもよ
い。さらに、Ｘ線ミラーの製造方法としてレーザＣＶＤ
法を用いたが、その他の製造方法を用いてもよいことは
いうまでもない。
し、中間層を放物面状に形成したが、任意の形状とする
ことが可能である。また、中間層として炭素膜、多層膜
としてＷ／Ｃ多層膜を用いたが、他の材料を用いてもよ
い。さらに、Ｘ線ミラーの製造方法としてレーザＣＶＤ
法を用いたが、その他の製造方法を用いてもよいことは
いうまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明は、Ｘ線ミラーにお
いて、所望の形状創成を行った中間層を設けることによ
り、従来の平面基板を用いて、Ｘ線集光等に用いること
ができる優れた性能のＸ線ミラーを得ることができる。
また、このＸ線ミラーの製造方法として、基板上に中間
層を堆積することによって所望の形状創成を行い、その
上に多層膜を堆積するという工程を設けることにより、
基板の非平面形状の加工に伴う加工精度、表面粗さ等の
劣化が生じることもなく、さらに、基板となる材料の選
択範囲を広げることができ、実用上きわめて有利なもの
である。
いて、所望の形状創成を行った中間層を設けることによ
り、従来の平面基板を用いて、Ｘ線集光等に用いること
ができる優れた性能のＸ線ミラーを得ることができる。
また、このＸ線ミラーの製造方法として、基板上に中間
層を堆積することによって所望の形状創成を行い、その
上に多層膜を堆積するという工程を設けることにより、
基板の非平面形状の加工に伴う加工精度、表面粗さ等の
劣化が生じることもなく、さらに、基板となる材料の選
択範囲を広げることができ、実用上きわめて有利なもの
である。
【図１】本発明の第１の実施例におけるＸ線ミラーの構
成図
成図
【図２】本発明の第１の実施例におけるレーザＣＶＤ法
を用いたＸ線ミラーの製造装置の構成図
を用いたＸ線ミラーの製造装置の構成図
【図３】本発明の第１の実施例におけるレーザＣＶＤ法
を用いたＸ線ミラーの工程順断面図
を用いたＸ線ミラーの工程順断面図
【図４】従来のＸ線ミラーの工程順断面図
【図５】従来のＸ線ミラーの構成図
１１ 平面基板 １２ 中間層 １３ 多層膜 ２１ レーザ光源 ２２ レーザ光 ２３ ミラー ２４ 反応容器 ２５ 基板 ２６ 材料ガスの導入口 ２７ 材料ガスの排気口 ３１ レーザ光
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 1/06
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に中間層を堆積し、さらにこの中
間層の上に少なくとも２種類の薄膜を交互に積層した多
層膜を堆積するＸ線ミラーの製造方法であって、反応容
器内に供給された材料ガスを、レーザ光源から出射した
レーザビームにより分解し、反応容器内の基板上に膜を
形成するレーザＣＶＤ法を用いて、基板面内方向に膜厚
を変化させた中間層を形成することを特徴とするＸ線ミ
ラーの製造方法。 - 【請求項２】 中間層は、少なくとも２種類の薄膜を交
互に積層した多層膜を構成する薄膜のうちの１種類の薄
膜と同じ材料であることを特徴とする請求項１記載のＸ
線ミラーの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の製造方法を用
いて作製したことを特徴とするＸ線ミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248801A JP3007727B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248801A JP3007727B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0587990A JPH0587990A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3007727B2 true JP3007727B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17183608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248801A Expired - Fee Related JP3007727B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線ミラー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3007727B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3248801A patent/JP3007727B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0587990A (ja) | 1993-04-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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