JP3006508B2 - アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 - Google Patents
アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体装置の
配線に用いられる、アルミニウム膜又はＣｕ，Ｓｉを少
量含むアルミニウム合金膜のドライエッチング方法に関
するものである。
配線に用いられる、アルミニウム膜又はＣｕ，Ｓｉを少
量含むアルミニウム合金膜のドライエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチング法で用いられているプ
ラズマソースの代表的なものとしては、平行平板型ＲＩ
Ｅ、マグネトロンＲＩＥ、更に最近では低圧・高密度プ
ラズマソースとして、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
プラズマ）、ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）、ヘリコン
波プラズマなどがある。この内、平行平板型では、圧力
は数十〜百ｍＴｏｒｒ程度であり、得られる電子密度は
１０10／ｃｍ3 オーダーである。このような圧力領域で
は平均自由行程が短く、微細なパターンにおいては異方
性エッチングは困難である。
ラズマソースの代表的なものとしては、平行平板型ＲＩ
Ｅ、マグネトロンＲＩＥ、更に最近では低圧・高密度プ
ラズマソースとして、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
プラズマ）、ＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）、ヘリコン
波プラズマなどがある。この内、平行平板型では、圧力
は数十〜百ｍＴｏｒｒ程度であり、得られる電子密度は
１０10／ｃｍ3 オーダーである。このような圧力領域で
は平均自由行程が短く、微細なパターンにおいては異方
性エッチングは困難である。
【０００３】一方、低圧・高密度プラズマソースにおい
ては、数ｍＴｏｒｒ程度の低圧領域においてプラズマを
発生させることが可能であり、１０12〜１０13／ｃｍ3
レベルの高密度プラズマを得ることができる。低圧・高
密度プラズマソースであれば低圧力で処理することによ
って十分な異方性を確保し、なおかつ、低圧力で損なわ
れるエッチングレートは高密度のプラズマによって補う
ことができる。このような理由により、近年のドライエ
ッチング法においては低圧・高密度プラズマが必要不可
欠と考えられている。
ては、数ｍＴｏｒｒ程度の低圧領域においてプラズマを
発生させることが可能であり、１０12〜１０13／ｃｍ3
レベルの高密度プラズマを得ることができる。低圧・高
密度プラズマソースであれば低圧力で処理することによ
って十分な異方性を確保し、なおかつ、低圧力で損なわ
れるエッチングレートは高密度のプラズマによって補う
ことができる。このような理由により、近年のドライエ
ッチング法においては低圧・高密度プラズマが必要不可
欠と考えられている。
【０００４】特にＡｌ膜及びＡｌ合金膜は化学反応主体
でエッチングが進行するため、異方性エッチングを実現
するには、さらに側壁のサイドエッチングを防止する為
の側壁保護膜が必要になる。一般に側壁保護膜の成分
は、エッチング中にフォトレジスト膜のマスクから発生
するデポジション成分を利用している。しかし、エッチ
ング初期においてはこのマスクから発生するデポジショ
ン成分の量が十分でないために形状異常を生じる。この
形状異常を発生するメカニズムを図４（ａ）〜（ｃ）に
示した断面図を用いて説明する。
でエッチングが進行するため、異方性エッチングを実現
するには、さらに側壁のサイドエッチングを防止する為
の側壁保護膜が必要になる。一般に側壁保護膜の成分
は、エッチング中にフォトレジスト膜のマスクから発生
するデポジション成分を利用している。しかし、エッチ
ング初期においてはこのマスクから発生するデポジショ
ン成分の量が十分でないために形状異常を生じる。この
形状異常を発生するメカニズムを図４（ａ）〜（ｃ）に
示した断面図を用いて説明する。
【０００５】図４（ａ）はシリコン基板上に熱酸化膜１
を５００ｎｍの厚さに形成し、その後、バリアメタルと
してのＴｉＮ膜２Ａを５０ｎｍ、Ａｌ−Ｃｕ膜３を５０
０ｎｍ、反射防止膜としてのＴｉＮ膜２Ｂを５０ｎｍス
パッタ法にて形成した積層構造の膜上にフォトレジスト
膜４を塗布しパターニングしてマスクを形成した状態を
示している。図４（ｂ）は、エッチングが開始されて１
０〜２０秒経ったときの断面形状を表したものである。
エッチング初期においてはマスク４はほとんどエッチン
グされておらず、チャンバー内にデポジション成分が希
薄であるために、反射防止膜としてのＴｉＮ膜２ＢとＡ
ｌ−Ｃｕ膜３との界面にノッチ（局部的にエッチングさ
れた状態）６が入る、或いはＡｌ膜及びＡｌ合金膜のエ
ッチング初期にサイドエッチングが生じるなどの問題が
発生する。図４（ｃ）はエッチング終了後の断面形状を
表したものである。エッチング初期に生じたノッチやサ
イドエッチングが“くびれ”として残り、その部分をデ
ポジション成分が後から付着しデポジション膜５Ａが形
成された状態を示している。
を５００ｎｍの厚さに形成し、その後、バリアメタルと
してのＴｉＮ膜２Ａを５０ｎｍ、Ａｌ−Ｃｕ膜３を５０
０ｎｍ、反射防止膜としてのＴｉＮ膜２Ｂを５０ｎｍス
パッタ法にて形成した積層構造の膜上にフォトレジスト
膜４を塗布しパターニングしてマスクを形成した状態を
示している。図４（ｂ）は、エッチングが開始されて１
０〜２０秒経ったときの断面形状を表したものである。
エッチング初期においてはマスク４はほとんどエッチン
グされておらず、チャンバー内にデポジション成分が希
薄であるために、反射防止膜としてのＴｉＮ膜２ＢとＡ
ｌ−Ｃｕ膜３との界面にノッチ（局部的にエッチングさ
れた状態）６が入る、或いはＡｌ膜及びＡｌ合金膜のエ
ッチング初期にサイドエッチングが生じるなどの問題が
発生する。図４（ｃ）はエッチング終了後の断面形状を
表したものである。エッチング初期に生じたノッチやサ
イドエッチングが“くびれ”として残り、その部分をデ
ポジション成分が後から付着しデポジション膜５Ａが形
成された状態を示している。
【０００６】このようなデポジション成分の不足を補う
手段の一つとして、ダミーパターンを形成し、ウェハ上
におけるフォトレジスト膜の占有面積を大きくするとい
う方法がある（特開昭６３−２５０８２３号公報）。更
にウェハに依存せずにデポジション成分の不足を補う手
段として、窒素ガス或いはＣ原子を含むガスといったデ
ポジション性ガスを添加する方法もある。
手段の一つとして、ダミーパターンを形成し、ウェハ上
におけるフォトレジスト膜の占有面積を大きくするとい
う方法がある（特開昭６３−２５０８２３号公報）。更
にウェハに依存せずにデポジション成分の不足を補う手
段として、窒素ガス或いはＣ原子を含むガスといったデ
ポジション性ガスを添加する方法もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】Ａｌ膜及びＡｌ合金膜
をエッチングする際、デポジション成分を補わずにエッ
チングを行うと、エッチング初期においてデポジション
成分が希薄であるために、ノッチ或いはサイドエッチン
グを生じる。
をエッチングする際、デポジション成分を補わずにエッ
チングを行うと、エッチング初期においてデポジション
成分が希薄であるために、ノッチ或いはサイドエッチン
グを生じる。
【０００８】デポジション成分の不足を補う手段の一つ
として、ダミーパターンを形成し、ウェハにおけるフォ
トレジストの占有面積を大きくするという方法がある
が、この方法でもエッチング初期にデポジション成分が
希薄であることは変わらず、むしろエッチング後半に必
要以上のデポジション成分が発生するために寸法制御が
困難になる恐れがある。さらに、高集積化が進んでいる
昨今では、ウェハ上に無用のパターンを形成することは
設計上困難ともいえる。
として、ダミーパターンを形成し、ウェハにおけるフォ
トレジストの占有面積を大きくするという方法がある
が、この方法でもエッチング初期にデポジション成分が
希薄であることは変わらず、むしろエッチング後半に必
要以上のデポジション成分が発生するために寸法制御が
困難になる恐れがある。さらに、高集積化が進んでいる
昨今では、ウェハ上に無用のパターンを形成することは
設計上困難ともいえる。
【０００９】また、ウェハに依存せずにデポジション成
分の不足を補う手段として、デポジション性ガスを添加
する方法があるが、この方法では、１０12／ｃｍ3 レベ
ルの高密度プラズマにおいては、マスク上部及び配線側
壁にデポジション成分が過剰に付着して反応し、寸法制
御が困難になるという問題を生じる。また、ウェット処
理を施しても完全に剥離することができないという問題
も生じてしまう。
分の不足を補う手段として、デポジション性ガスを添加
する方法があるが、この方法では、１０12／ｃｍ3 レベ
ルの高密度プラズマにおいては、マスク上部及び配線側
壁にデポジション成分が過剰に付着して反応し、寸法制
御が困難になるという問題を生じる。また、ウェット処
理を施しても完全に剥離することができないという問題
も生じてしまう。
【００１０】本発明の目的は、寸法制御が容易でしかも
ノッチやサイドエッチングの生じることのないアルミニ
ウム膜又はアルミニウム合金膜のドライエッチング方法
を提供することにある。
ノッチやサイドエッチングの生じることのないアルミニ
ウム膜又はアルミニウム合金膜のドライエッチング方法
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】フォトレジスト膜のマス
クを用いてＡｌ膜又はＡｌ合金膜をドライエッチングす
る場合、エッチング開始直後の１０〜２０秒、好ましく
はエッチング開始後、トータルエッチング時間の３０％
以内の時間、反応ガスに窒素ガス或いはＣ原子を含むガ
スを添加してエッチングする。窒素ガスはＡｌ膜又はＡ
ｌ合金膜との表面反応により形成される物質が堆積性を
有する。又Ｃ原子を含むガスは、ガス単体が少なくとも
堆積性を有する。
クを用いてＡｌ膜又はＡｌ合金膜をドライエッチングす
る場合、エッチング開始直後の１０〜２０秒、好ましく
はエッチング開始後、トータルエッチング時間の３０％
以内の時間、反応ガスに窒素ガス或いはＣ原子を含むガ
スを添加してエッチングする。窒素ガスはＡｌ膜又はＡ
ｌ合金膜との表面反応により形成される物質が堆積性を
有する。又Ｃ原子を含むガスは、ガス単体が少なくとも
堆積性を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為の断面図である。
て説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為の断面図である。
【００１３】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板上に厚さ５００ｎｍの熱酸化膜１を形成したのち、バ
リアメタルとしてのＴｉＮ膜を５０ｎｍ、数％以下のＣ
ｕを含むＡｌ−Ｃｕ膜３を５００ｎｍ、そして反応防止
膜として厚さ５０ｎｍのＴｉＮ膜２Ｂをスパッタ法によ
り順次形成する。次で全面にフォトレジスト膜４を形成
したのちパターニングしマスクとする。
板上に厚さ５００ｎｍの熱酸化膜１を形成したのち、バ
リアメタルとしてのＴｉＮ膜を５０ｎｍ、数％以下のＣ
ｕを含むＡｌ−Ｃｕ膜３を５００ｎｍ、そして反応防止
膜として厚さ５０ｎｍのＴｉＮ膜２Ｂをスパッタ法によ
り順次形成する。次で全面にフォトレジスト膜４を形成
したのちパターニングしマスクとする。
【００１４】次に図１（ｂ）に示すように、反応（エッ
チング）ガスとしてＣｌ2 ／ＢＣｌ3 系ガスにデポジシ
ョン性ガスとしてＣＦ4 を添加してＴｉＮ膜２Ｂ及びＡ
ｌ−Ｃｕ膜３を１０〜２０秒間エッチングする。フォト
レジスト膜４からのデポジション成分の少いエッチング
初期においても、ＣＦ4 が添加されている為エッチング
されたＴｉＮ膜２Ｂ及びＡｌ−Ｃｕ膜３の側面にデポジ
ション膜５が形成され、図４に示した従来例のようにデ
ポジション成分不足によるエッチング形状の異常を抑制
することができる。
チング）ガスとしてＣｌ2 ／ＢＣｌ3 系ガスにデポジシ
ョン性ガスとしてＣＦ4 を添加してＴｉＮ膜２Ｂ及びＡ
ｌ−Ｃｕ膜３を１０〜２０秒間エッチングする。フォト
レジスト膜４からのデポジション成分の少いエッチング
初期においても、ＣＦ4 が添加されている為エッチング
されたＴｉＮ膜２Ｂ及びＡｌ−Ｃｕ膜３の側面にデポジ
ション膜５が形成され、図４に示した従来例のようにデ
ポジション成分不足によるエッチング形状の異常を抑制
することができる。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、エッチン
グ開始約２０秒後にＣＦ4 の添加をやめ、Ｃｌ2 ／ＢＣ
ｌ3 系ガスのみでＡｌ−Ｃｕ膜３及びＴｉＮ膜２Ａを完
全にエッチングする。エッチングのトータル時間は５０
〜６０秒である。このように必要最小限のデポジション
性ガス添加の方法を用いることによりエッチング残査の
発生やフォトレジスト膜及びデポジション膜の剥離不能
といった問題も解消される。
グ開始約２０秒後にＣＦ4 の添加をやめ、Ｃｌ2 ／ＢＣ
ｌ3 系ガスのみでＡｌ−Ｃｕ膜３及びＴｉＮ膜２Ａを完
全にエッチングする。エッチングのトータル時間は５０
〜６０秒である。このように必要最小限のデポジション
性ガス添加の方法を用いることによりエッチング残査の
発生やフォトレジスト膜及びデポジション膜の剥離不能
といった問題も解消される。
【００１６】図２は添加ガスに四フッ化炭素（ＣＦ4 ）
を用いたときの添加量及び添加時間が形状制御、残査抑
制、剥離性に与える効果をまとめたものである。ここで
用いたエッチング装置はヘリコン波プラズマエッチング
装置であり、模式図を図５に示した。
を用いたときの添加量及び添加時間が形状制御、残査抑
制、剥離性に与える効果をまとめたものである。ここで
用いたエッチング装置はヘリコン波プラズマエッチング
装置であり、模式図を図５に示した。
【００１７】この装置は石英製のベルジャー１０の周囲
にアンテナコイル１１が配置され、１３．５６ＭＨｚの
高周波を印加することでプラズマを発生させる。更にア
ンテナコイルの周囲にはプラズマ分布を制御するための
磁場コイル１２が配置されている。ベルジャー内部で発
生したプラズマはチャンバー１３内に拡散し、ベルジャ
ー１０の下方に配置されたウェハ１４に到達する。ウェ
ハを載置するステージ１５にはイオンエネルギーを制御
するために１３．５６ＭＨｚの高周波が印加できるよう
に構成されている。エッチングガスはＣｌ2 ／ＢＣｌ3
系ガス１００ｓｃｃｍにＣＦ4 ガスを添加したものを用
い、プロセス時の条件は、圧力１０ｍＴｏｒｒ、ソース
パワー１５００Ｗ、バイアスパワー１４０Ｗ、磁場コイ
ル電流ＩＮ／ＯＵＴ＝４０Ａ／４０Ａ（アンテナコイル
近傍で１００Ｇ程度）、ステージ温度４０℃（ウェハは
約４０℃）とした。
にアンテナコイル１１が配置され、１３．５６ＭＨｚの
高周波を印加することでプラズマを発生させる。更にア
ンテナコイルの周囲にはプラズマ分布を制御するための
磁場コイル１２が配置されている。ベルジャー内部で発
生したプラズマはチャンバー１３内に拡散し、ベルジャ
ー１０の下方に配置されたウェハ１４に到達する。ウェ
ハを載置するステージ１５にはイオンエネルギーを制御
するために１３．５６ＭＨｚの高周波が印加できるよう
に構成されている。エッチングガスはＣｌ2 ／ＢＣｌ3
系ガス１００ｓｃｃｍにＣＦ4 ガスを添加したものを用
い、プロセス時の条件は、圧力１０ｍＴｏｒｒ、ソース
パワー１５００Ｗ、バイアスパワー１４０Ｗ、磁場コイ
ル電流ＩＮ／ＯＵＴ＝４０Ａ／４０Ａ（アンテナコイル
近傍で１００Ｇ程度）、ステージ温度４０℃（ウェハは
約４０℃）とした。
【００１８】図２に示したように、ＣＦ4 を添加ガスと
して用いる場合には、添加量は１０ｓｃｃｍ以上で効果
が現れる。また、添加時間はエッチング開始後１０ｓｅ
ｃ以上添加することが必要である。しかし、添加時間が
２５ｓｅｃ以上では残査が発生し、更に添加量１５ｓｃ
ｃｍ以上、添加時間２０ｓｅｃ以上を満たす条件になる
と、ウェット処理を施してもフォトレジスト膜及び側壁
に付着したデポジション膜を完全に剥離することができ
ずプロセスとして用いることはできない。結局、ＣＦ4
ガスを添加ガスとして用いた場合には、図２の黒枠で示
した範囲においてのみプロセスが可能であり、その中で
も添加量１０ｓｃｃｍ、添加時間１０ｓｅｃの組み合わ
せにおいて最も良い形状が得られた。尚添加ガスとして
はＣＨＦ3 等を用いることができる。
して用いる場合には、添加量は１０ｓｃｃｍ以上で効果
が現れる。また、添加時間はエッチング開始後１０ｓｅ
ｃ以上添加することが必要である。しかし、添加時間が
２５ｓｅｃ以上では残査が発生し、更に添加量１５ｓｃ
ｃｍ以上、添加時間２０ｓｅｃ以上を満たす条件になる
と、ウェット処理を施してもフォトレジスト膜及び側壁
に付着したデポジション膜を完全に剥離することができ
ずプロセスとして用いることはできない。結局、ＣＦ4
ガスを添加ガスとして用いた場合には、図２の黒枠で示
した範囲においてのみプロセスが可能であり、その中で
も添加量１０ｓｃｃｍ、添加時間１０ｓｅｃの組み合わ
せにおいて最も良い形状が得られた。尚添加ガスとして
はＣＨＦ3 等を用いることができる。
【００１９】次に第２の実施形態について説明する。第
２の実施形態は図１に示した第１の実施形態と同様にフ
ォトレジスト膜４をマスクとしてＡｌ−Ｃｕ膜３及びＴ
ｉＮ膜２Ａ，２Ｂをエッチングするものであるが、添加
ガスに窒素（Ｎ2 ）を用いるものである。
２の実施形態は図１に示した第１の実施形態と同様にフ
ォトレジスト膜４をマスクとしてＡｌ−Ｃｕ膜３及びＴ
ｉＮ膜２Ａ，２Ｂをエッチングするものであるが、添加
ガスに窒素（Ｎ2 ）を用いるものである。
【００２０】図４は添加ガスにＮ2 を用いたときの添加
量及び添加時間が形状制御、残査制御、剥離性に与える
効果をまとめたものである。ここで用いたサンプル、エ
ッチング装置、及びプロセス時の条件は第１の実施形態
と同様であり、添加ガスのみＮ2 に変更している。図４
の結果より、Ｎ2 を添加ガスとして用いる場合には、添
加量はＣＦ4 ガスと同様１０ｓｃｃｍ以上で効果を見せ
る。また、添加時間はエッチング開始後１５ｓｅｃ以上
が必要である。しかし、添加時間が２５ｓｅｃ以上では
残査が発生し、添加量１５ｃｃｃｍ以上、添加時間２０
ｓｅｃ以上の組み合わせ（添加量１５ｓｃｃｍ、添加時
間２０ｓｅｃを除く）においては、剥離性が悪くプロセ
スとして用いることはできない。結局、Ｎ2 を添加ガス
として用いた場合には図３の黒枠で示した範囲において
のみプロセスが可能であり、その中でも添加量１０ｓｃ
ｃｍ、添加時間１５ｓｅｃの組み合わせにおいて最も良
い形状が得られた。
量及び添加時間が形状制御、残査制御、剥離性に与える
効果をまとめたものである。ここで用いたサンプル、エ
ッチング装置、及びプロセス時の条件は第１の実施形態
と同様であり、添加ガスのみＮ2 に変更している。図４
の結果より、Ｎ2 を添加ガスとして用いる場合には、添
加量はＣＦ4 ガスと同様１０ｓｃｃｍ以上で効果を見せ
る。また、添加時間はエッチング開始後１５ｓｅｃ以上
が必要である。しかし、添加時間が２５ｓｅｃ以上では
残査が発生し、添加量１５ｃｃｃｍ以上、添加時間２０
ｓｅｃ以上の組み合わせ（添加量１５ｓｃｃｍ、添加時
間２０ｓｅｃを除く）においては、剥離性が悪くプロセ
スとして用いることはできない。結局、Ｎ2 を添加ガス
として用いた場合には図３の黒枠で示した範囲において
のみプロセスが可能であり、その中でも添加量１０ｓｃ
ｃｍ、添加時間１５ｓｅｃの組み合わせにおいて最も良
い形状が得られた。
【００２１】尚、上記本実施の形態においてはＡｌ−Ｃ
ｕ合金膜を用いたが、Ａｌ膜及びＡｌにＳｉとＣｕを含
む合金膜のエッチングにおいても同様の効果があること
を確認している。
ｕ合金膜を用いたが、Ａｌ膜及びＡｌにＳｉとＣｕを含
む合金膜のエッチングにおいても同様の効果があること
を確認している。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応ガス
に窒素又はＣ原子を含むデポジション性ガスをエッチン
グ開始後１０〜２０秒（エッチングトータル時間の３０
％以内の時間）のみ添加することにより、エッチング開
始直後のデポジション成分不足に伴うノッチ及びサイド
エッチングといった形状異常を防止することができる。
また、デポジション性のガスを添加することにより発生
しやすい問題、すなわちエッチング残査の発生や剥離不
能といった問題も解消される。この為、Ａｌ膜又はＡｌ
合金膜を精度良くエッチングすることができる。
に窒素又はＣ原子を含むデポジション性ガスをエッチン
グ開始後１０〜２０秒（エッチングトータル時間の３０
％以内の時間）のみ添加することにより、エッチング開
始直後のデポジション成分不足に伴うノッチ及びサイド
エッチングといった形状異常を防止することができる。
また、デポジション性のガスを添加することにより発生
しやすい問題、すなわちエッチング残査の発生や剥離不
能といった問題も解消される。この為、Ａｌ膜又はＡｌ
合金膜を精度良くエッチングすることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を説明する為の断面図
である。
である。
【図２】本発明の第１の実施形態におけるＣＦ4 の添加
量、添加時間とその結果の関係を示す図である。
量、添加時間とその結果の関係を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態におけるＮ2 の添加
量、添加時間とその結果の関係を示す表である。
量、添加時間とその結果の関係を示す表である。
【図４】デポジション性ガスを添加しない従来のエッチ
ング方法を説明する為の断面図である。
ング方法を説明する為の断面図である。
【図５】本発明の実施形態に用いたプラズマ処理装置の
模式図である。
模式図である。
１ 熱酸化膜 ２Ａ，２Ｂ ＴｉＮ膜 ３ Ａｌ−Ｃｕ膜 ４ フォトレジスト膜 ５，５Ａ デポジション膜 ６ ノッチ １０ ベルジャー １１ アンテナコイル １２ 磁場発生コイル １３ チャンバー １４ ウェハ １５ ステージ
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトレジスト膜のマスクを用いてアル
ミニウム膜又はアルミニウム合金膜をドライエッチング
する方法において、エッチング開始後１０〜２０秒間反
応ガスに、ガス単体、またはガスと被エッチング物との
表面反応により形成される物質が堆積性を有するデポジ
ション性ガスを添加し、フォトレジスト膜から発生する
デポジション成分の少ないエッチング初期において被エ
ッチング物の側面にデポジション膜を形成することを特
徴とするアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項２】 デポジション性ガスはＮ2 又はＣ原子を
含むガスである請求項１記載のアルミニウム膜又はアル
ミニウム合金膜のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272145A JP3006508B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272145A JP3006508B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10116819A JPH10116819A (ja) | 1998-05-06 |
| JP3006508B2 true JP3006508B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17509719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8272145A Expired - Fee Related JP3006508B2 (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006508B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177353B1 (en) * | 1998-09-15 | 2001-01-23 | Infineon Technologies North America Corp. | Metallization etching techniques for reducing post-etch corrosion of metal lines |
| JP4221902B2 (ja) | 1999-05-12 | 2009-02-12 | 株式会社日立製作所 | 電子機器、電子機器システム制御方法及び電子機器システム |
| JP4546667B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP8272145A patent/JP3006508B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10116819A (ja) | 1998-05-06 |
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