JP3003291B2 - Solid-state imaging device and driving method thereof - Google Patents

Solid-state imaging device and driving method thereof

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JP3003291B2
JP3003291B2 JP3177176A JP17717691A JP3003291B2 JP 3003291 B2 JP3003291 B2 JP 3003291B2 JP 3177176 A JP3177176 A JP 3177176A JP 17717691 A JP17717691 A JP 17717691A JP 3003291 B2 JP3003291 B2 JP 3003291B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置及びその
駆動方法に関し、特に撮像領域の各フォトセンサに蓄積
された信号電荷の高速読み出し動作が可能な固体撮像装
およびその駆動方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device and a solid-state imaging device.
More particularly, the present invention relates to a solid-state imaging device capable of performing a high-speed reading operation of signal charges accumulated in each photosensor in an imaging region and a driving method thereof .

【0002】[0002]

【技術的背景】固体撮像装置の一例として、例えばイン
ターライン転送方式のCCD固体撮像装置の構成を図6
に示す。同図において、画素単位で2次元配列されて光
電変換を行う複数個のフォトセンサ1と、これらフォト
センサ1に蓄積された信号電荷を読み出す読み出しゲー
ト2と、フォトセンサ1から読み出しゲート2を介して
垂直列毎に読み出された信号電荷を垂直方向に転送する
複数本の垂直CCD(垂直転送部)3とによって撮像領
域4が構成されている。
2. Description of the Related Art As an example of a solid-state imaging device, for example, a configuration of an interline transfer type CCD solid-state imaging device is shown in FIG.
Shown in In FIG. 1, a plurality of photosensors 1 which are two-dimensionally arranged in pixel units and perform photoelectric conversion, a read gate 2 for reading signal charges accumulated in the photosensor 1, and a read gate 2 from the photosensor 1 via a read gate 2 An image pickup area 4 is constituted by a plurality of vertical CCDs (vertical transfer units) 3 for vertically transferring signal charges read out for each vertical column.

【0003】垂直CCD3に読み出された信号電荷は、
水平ブランキング期間の一部にて1走査線に相当する部
分ずつ水平CCD(水平転送部)5へ移される。この1
走査線分の信号電荷は、水平CCD5にて順次水平方向
に転送され、出力部6を通して電気信号として出力され
る。
[0003] The signal charges read to the vertical CCD 3 are:
In a part of the horizontal blanking period, a portion corresponding to one scanning line is transferred to a horizontal CCD (horizontal transfer section) 5. This one
The signal charges for the scanning lines are sequentially transferred in the horizontal direction by the horizontal CCD 5, and output as electric signals through the output unit 6.

【0004】一方、この種のCCD固体撮像装置には、
撮像領域4の各フォトセンサ1に蓄積された信号電荷を
所定のタイミングで半導体基板に掃き出すことにより、
フォトセンサ1における信号電荷の蓄積時間(露光時
間)の制御が可能ないわゆる電子シャッタ機能を有する
ものがある。
On the other hand, this type of CCD solid-state imaging device includes:
By sweeping out signal charges accumulated in each photosensor 1 in the imaging region 4 to the semiconductor substrate at a predetermined timing,
Some photosensors have a so-called electronic shutter function that can control the accumulation time (exposure time) of signal charges in the photosensor 1.

【0005】[0005]

【従来の技術】この電子シャッタ機能を有するCCD固
体撮像装置における通常の電子シャッタによるタイミン
グの一例を図7に示す。同図において、通常は、1/6
0秒間のうちの任意の期間、例えば1/240秒の期間
だけ信号電荷を蓄積し、この信号電荷を読み出しパルス
によって垂直CCD3に読み出し、残りの期間にフォト
センサ1に蓄積された信号電荷を電子シャッタパルスに
よって半導体基板等に掃き捨てている。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows an example of a timing of a normal electronic shutter in a CCD solid-state imaging device having an electronic shutter function. In the figure, normally, 1/6
The signal charge is stored for an arbitrary period of 0 second, for example, 1/240 second, and the signal charge is read out to the vertical CCD 3 by a read pulse, and the signal charge stored in the photo sensor 1 for the remaining period is converted to an electron. It is swept away to a semiconductor substrate or the like by a shutter pulse.

【0006】このため、通常の電子シャッタによるタイ
ミングでは、画像として再生されるのは、1/240秒
間に蓄積された信号電荷に対応した画像情報のみとな
り、例えばゴルフスイングのインパクトの瞬間を撮影し
ようとしても、その瞬間が信号電荷の掃き捨て期間であ
った場合には、その瞬間のシーンが撮影されない、いわ
ゆるシーンの撮りこぼしが生ずることになってしまう。
For this reason, at the timing of the normal electronic shutter, only the image information corresponding to the signal charges accumulated for 1/240 seconds is reproduced as an image. However, if the moment is during the sweeping-out period of the signal charges, the scene at the moment is not photographed, that is, a so-called missing scene occurs.

【0007】このような高速度の現象をCCD固体撮像
装置を用いて捕らえる方法の1つとして、各フォトセン
サ1に蓄積された信号電荷の読み出しのタイミングを変
更する方法が考えられる。すなわち、通常は、図7のタ
イミングチャートに示すように、1/60秒に1回のタ
イミングで信号電荷を読み出すのに対し、例えば、1/
240秒に1回のタイミングで信号電荷を読み出す方法
である。
As one method of capturing such a high-speed phenomenon by using a CCD solid-state imaging device, a method of changing the timing of reading out signal charges stored in each photosensor 1 can be considered. That is, normally, as shown in the timing chart of FIG. 7, the signal charge is read out once every 1/60 second, for example, 1/60 second.
In this method, signal charges are read out once every 240 seconds.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8の
タイミングチャートに示すように、読み出しタイミング
(読み出しパルスの周波数)を通常の4倍速に変更した
場合、シーンの撮りこぼしはないものの、他のタイミン
グ、例えば垂直CCD3や水平CCD5の駆動周波数を
通常の4倍に変更する必要がある。特に、水平CCD5
の駆動周波数は、NTSC方式の38万画素のCCD固
体撮像装置を例に採ると、通常約15MHzが4倍の6
0MHzとなり、水平転送の駆動がほぼ不可能となる。
However, as shown in the timing chart of FIG. 8, when the readout timing (frequency of the readout pulse) is changed to a normal quadruple speed, the scene is not missed, but other timings are not obtained. For example, it is necessary to change the drive frequency of the vertical CCD 3 and the horizontal CCD 5 to four times the normal frequency. In particular, horizontal CCD5
Taking the example of an NTSC 380,000 pixel CCD solid-state image pickup device as an example, the driving frequency of
0 MHz, making horizontal transfer driving almost impossible.

【0009】本発明は、上述した点に鑑みてなされたも
のであり、水平転送の駆動動作に悪影響を及ぼすことな
く、撮像領域の各フォトセンサに蓄積された信号電荷の
高速読み出しを可能とした固体撮像装置を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and has made it possible to read out signal charges accumulated in each photosensor in an imaging region at a high speed without adversely affecting the driving operation of horizontal transfer. It is an object to provide a solid-state imaging device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像装
置は、画素単位で行列状に配列され、少なくとも行方向
において互いに隣接する少なくとも2個が単位セルとな
複数個のフォトセンサと、これらフォトセンサに蓄積
された信号電荷を読み出す複数個の読み出しゲートと、
複数個のフォトセンサが形成された基板に所定の周期で
各フォトセンサの蓄積電荷を掃き出す電子シャッタパル
スを印加するとともに、少なくとも2個のフォトセンサ
に電子シャッタパルスの印加後に蓄積された信号電荷を
上記所定の周期ごとに順次読み出す読み出しパルスを対
応する読み出しゲートに供給して読み出し駆動を行う駆
動回路と、単位セルごとに各フォトセンサから順次読み
出された信号電荷を順に垂直転送する垂直転送部と、こ
の垂直転送部から単位セルごとに転送される信号電荷を
順に水平転送する水平転送部とを備えた構成となってい
る。
A solid-state imaging device according to the present invention is arranged in a matrix on a pixel-by-pixel basis, and at least in a row direction.
, At least two adjacent cells are unit cells.
A plurality of photosensors; a plurality of read gates for reading signal charges stored in the photosensors;
At a predetermined cycle on a substrate on which a plurality of photosensors are formed
Electronic shutter pallet that sweeps out the accumulated charge of each photo sensor
And at least two photo sensors
The signal charge accumulated after the application of the electronic shutter pulse
Read pulses sequentially read out at the above-mentioned predetermined cycles are paired.
Drive to supply readout drive to the corresponding readout gate.
Read sequentially from each photosensor for each driving circuit and unit cell.
A vertical transfer section for sequentially transferring the output signal charges vertically;
Signal charge transferred from the vertical transfer section of each unit cell
And a horizontal transfer unit for sequentially performing horizontal transfer .

【0011】本発明による固体撮像装置の駆動方法は、
画素単位で行列状に配列され、少なくとも行方向におい
て互いに隣接する少なくとも2個が単位セルとなる複数
個のフォトセンサと、これらフォトセンサに蓄積された
信号電荷を読み出す複数個の読み出しゲートと、単位セ
ルごとに各フォトセンサから順次読み出された信号電荷
を順に垂直転送する垂直転送部と、この垂直転送部から
単位セルごとに転送される信号電荷を順に水平転送する
水平転送部とを具備する固体撮像装置において、複数個
のフォトセンサが形成された基板に所定の周期で各フォ
トセンサの蓄積電荷を掃き出す電子シャッタパルスを印
加するとともに、少なくとも2個のフォトセンサに電子
シャッタパルスの印加後に蓄積された信号電荷を上記所
定の周期ごとに順次読み出す読み出しパルスを対応する
読み出しゲートに供給して読み出し駆動を行うようにす
る。
[0011] A method for driving a solid-state imaging device according to the present invention comprises:
Arranged in a matrix in pixel units , at least in the row direction
A plurality of photosensors at least two is a unit cell adjacent to each other Te, a plurality of readout gate for reading the accumulated signal charges in these photosensor unit cell
Signal charge sequentially read from each photo sensor
From the vertical transfer unit, which vertically transfers the
Horizontally transfer the signal charges transferred for each unit cell in order
In the solid-state imaging device including a horizontal transfer portion, a plurality
Each photo on the substrate on which
The electronic shutter pulse that sweeps out the charge stored in the sensor.
And at least two photo sensors
The signal charge accumulated after the application of the shutter pulse is
Corresponds to read pulses that are read sequentially at regular intervals
The data is supplied to a read gate to perform read driving.

【0012】[0012]

【作用】本発明による固体撮像装置及びその駆動方法に
おいては、基板に所定の周期で電子シャッタパルスを印
加することによって各フォトセンサの蓄積電荷を掃き出
す一方、単位セルを形成する少なくとも行方向において
互いに隣接する少なくとも2個のフォトセンサにシャッ
タパルス印加後に蓄積された信号電荷を上記所定の周期
順次読み出すことにより、ある撮影期間の信号電荷が
必ず単位セル内のいずれかのフォトセンサに蓄積される
ことになるため、シーンの撮りこぼしがなくなり、また
読み出しタイミングを通常の例えば4倍速としても、水
平転送部の駆動周波数は2倍、読み出しパルスの周波数
は従来のままで済む。
In the solid-state imaging device and the driving method according to the present invention , an electronic shutter pulse is printed on the substrate at a predetermined cycle.
Sweeps out the accumulated charge of each photo sensor
On the other hand, at least in the row direction forming a unit cell
Shut down at least two photosensors adjacent to each other.
The signal charge accumulated after the application of the
, The signal charge during a certain photographing period is always accumulated in any of the photosensors in the unit cell, so that the scene is not missed, and the read timing can be set to, for example, 4 times the normal speed. In this case, the driving frequency of the horizontal transfer unit is doubled, and the frequency of the read pulse is the same as the conventional one.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施例を示す構成図で
ある。図において、画素単位で2次元配列された複数個
のフォトセンサ1と、これらフォトセンサ1に蓄積され
た信号電荷の読み出しゲート2と、フォトセンサ1の垂
直列毎に配された複数本の垂直CCD3とによって撮像
領域4が構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention. In the figure, a plurality of photosensors 1 arranged two-dimensionally in pixel units, a gate 2 for reading out signal charges stored in these photosensors 1, and a plurality of vertical An imaging area 4 is constituted by the CCD 3.

【0014】この撮像領域4において、少なくとも行方
向において互いに隣接する少なくとも2個のフォトセン
サ、本例では上下2行間で行方向において互いに隣接す
る計4個のフォトセンサを1グループとして単位セルが
形成されている。また、互いに隣り合う2本の垂直CC
D3k ,3k+1 の出力端部分が一体化されている。すな
わち、垂直CCD3の本数が、撮像領域4の下の部分で
半分に削減された構成となっている。
In this imaging area 4, at least
At least two photo sensors adjacent to each other in
In this example, two adjacent rows are adjacent to each other in the row direction.
A unit cell is formed with a total of four photosensors as one group. Also, two adjacent vertical CCs
The output terminals of D3 k and 3 k + 1 are integrated. That is, the number of the vertical CCDs 3 is reduced to half in the lower part of the imaging area 4.

【0015】撮像領域4の出力側には例えば単一の水平
CCD5が配され、またこの水平CCD5の最終端に
は、FDA(Floating Diffusion Amplifier)等からなる
出力部6が接続されている。この出力部6は、転送され
てきた信号電荷を検出し、電気信号に変換してテレビジ
ョン信号として出力する。
A single horizontal CCD 5, for example, is arranged on the output side of the image pickup area 4, and an output section 6 such as an FDA (Floating Diffusion Amplifier) is connected to the last end of the horizontal CCD 5. The output unit 6 detects the transferred signal charge, converts the signal charge into an electric signal, and outputs the signal as a television signal.

【0016】撮像領域4における読み出しゲート2の読
み出しパルスφRPや垂直CCD3の4相の駆動パルスφ
V1〜φV4、半導体基板(図示せず)に印加される電子シ
ャッタパルスφSP、さらには水平CCD5の2相の駆動
パルスφH1,φH2等の各種のタイミング信号を発生する
タイミングジェネレータ7が設けられている。これら各
種のタイミング信号は、CCDドライバ8を介して撮像
領域4、半導体基板及び水平CCD5にそれぞれ印加さ
れる。
The read pulse φ RP of the read gate 2 in the imaging area 4 and the four-phase drive pulse φ of the vertical CCD 3
V1 to [phi] V4, electronic shutter pulse phi SP to be applied to the semiconductor substrate (not shown), and further the timing generator 7 for generating various timing signals of H2 such drive pulses phi H1, phi 2-phase horizontal CCD5 Is provided. These various timing signals are applied to the imaging area 4, the semiconductor substrate, and the horizontal CCD 5 via the CCD driver 8.

【0017】次に、撮像領域4の各フォトセンサ1に蓄
積された信号電荷の高速読み出し動作について、図2の
動作説明図及び図3のタイミングチャートを参照しつつ
説明する。なお、説明の都合上、単位セルを形成する4
個のフォトセンサ1には仮に添字1 4 を付し、以下、
フォトセンサ11 〜14 と記すものとする。
Next, the high-speed reading operation of the signal charges stored in each photosensor 1 in the imaging area 4 will be described with reference to the operation explanatory diagram of FIG. 2 and the timing chart of FIG. Note that, for convenience of explanation, 4
The photosensors 1 are temporarily given subscripts 1 to 4 , and
It shall be referred to as a photo-sensor 1 1 to 1 4.

【0018】撮像領域4の各フォトセンサ1に信号電荷
が蓄積され始めてから最初の1/240秒後に、読み出
しパルスφRPが印加されることによって1番のフォトセ
ンサ11 の信号電荷が読み出される。このとき、他の2
番〜4番のフォトセンサ12〜14 の信号電荷は、電子
シャッタパルスφSPが印加されることによって半導体基
板に掃き捨てられる。
After the first 1/240 second, the read pulse phi RP 1 No. photosensor 1 1 signal charges by is applied is read from the [0018] beginning signal charge to each photo sensor 1 of the image pickup area 4 is accumulated . At this time, the other 2
Signal charges turn to 4 No. photosensor 1 2-1 4 is swept into the semiconductor substrate by an electronic shutter pulse phi SP is applied.

【0019】次の1/240秒後には、2番のフォトセ
ンサ12 の信号電荷が読み出され、他のフォトセンサ1
1 ,13 ,14 の信号電荷はやはり掃き捨てられる。同
様の動作を3番のフォトセンサ13 、4番のフォトセン
サ14 と順次行う。以上の動作を繰り返すことにより、
撮像領域4の各フォトセンサ1に蓄積された信号電荷の
高速読み出し動作が行われるのである。
After the next 1/240 second , the signal charge of the second photo sensor 12 is read out, and the other photo sensors 1 are read out.
1, 1 3, 1 4 of the signal charges is sweep again. Similarly operating the third of the photosensor 1 3, fourth sequentially performed photosensor 1-4. By repeating the above operation,
The high-speed reading operation of the signal charges stored in each photosensor 1 in the imaging region 4 is performed.

【0020】かかる高速読み出し動作によれば、特に図
3から明らかなように、あるフォトセンサの信号電荷を
読み出した直後に、電子シャッタ動作によって全てのフ
ォトセンサの信号電荷を掃き捨てているものの、ある撮
影期間の信号電荷は必ずフォトセンサ11 〜14 のうち
のいずれかに蓄積されていることになるため、例えばゴ
ルフスイングのインパクトの瞬間を撮影するような場合
であっても、その瞬間のシーンの撮りこぼしがなくな
る。
According to the high-speed reading operation, as is apparent from FIG. 3, immediately after the signal charges of a certain photosensor are read, the signal charges of all the photosensors are swept away by the electronic shutter operation. there for the signal charge in the imaging period that will be stored in any of the always photosensor 1 1 to 1 4, for example, even when such photographs the moment of impact of the golf swing, the moment Eliminate missed scenes.

【0021】このようにして水平CCD5に転送され、
さらに出力部6に転送されてきた信号電荷は、出力部6
で観察すると、図4に示すイメージとなる。なお、図4
において、信号電荷を表わす図中の番号〜は、図2
におけるフォトセンサ11 〜14 の各信号電荷に対応し
ており、この信号電荷〜の列を、同図に示すように
区切ると、各グループ(図中、I〜IV)は1/240秒
毎に撮った画像を構成していることになる。
In this way, the data is transferred to the horizontal CCD 5 and
Further, the signal charges transferred to the output unit 6 are
Observed at will give the image shown in FIG. FIG.
In FIG. 2, the numbers 〜 in the figure representing the signal charges are shown in FIG.
Corresponds to the signal charges of the photo sensor 1 1 to 1 4 in a row of ~ the signal charges, separating them as shown in the figure, (in the figure, I-IV) each group 1/240 second This means that an image taken every time is constituted.

【0022】すなわち、出力部6から導出される出力信
号は、1/240秒毎に撮った画像情報が順に並んでい
るものとなり、換言すれば、1秒間に240枚の絵(画
像)を撮ることになる。この信号を通常のNTSC方式
のテレビジョン信号に戻すためには、フレームメモリ等
を用いて信号変換処理を行ってやれば良い。但し、1つ
の画面の画素数が通常の1/4となるため、画素間で補
間を行う等の信号処理が必要となる。
That is, the output signal derived from the output unit 6 is a sequence of image information taken every 1/240 second, in other words, 240 pictures (images) are taken per second. Will be. In order to return this signal to a normal NTSC television signal, a signal conversion process may be performed using a frame memory or the like. However, since the number of pixels in one screen is 1 / of the normal number, signal processing such as interpolation between pixels is required.

【0023】なお、上記実施例では、撮像領域4におい
て、互いに隣り合う2本の垂直CCD3k ,3k+1 の出
力端部分を一体化し、垂直CCD3の本数を半分に削減
した構成を採っているが、垂直CCD3に読み出された
1番のフォトセンサ11 の信号電荷を、2番のフォトセ
ンサ12 の信号電荷を垂直CCD3に読み出す前に、全
て水平CCD5に転送してしまえば、垂直CCD3は空
っぽになり、画素間での信号電荷の混合は生じないた
め、2本の垂直CCD3を途中で一体化しても何ら問題
はない。
[0023] In the above embodiment, in the image pickup area 4, employs a configuration having a reduced integrated two vertical CCD3 k, 3 k + 1 of the output end portion adjacent to each other, the number of vertical CCD3 half However, if the signal charges of the first photo sensor 11 read out to the vertical CCD 3 are all transferred to the horizontal CCD 5 before the signal charges of the second photo sensor 12 are read out to the vertical CCD 3, Since the vertical CCD 3 becomes empty and no signal charges are mixed between the pixels, there is no problem even if the two vertical CCDs 3 are integrated in the middle.

【0024】これをさらに押し進めると、図5に示すよ
うな実施例が考えられる。この実施例では、フォトセン
サ1の2本の垂直列に対して1本の垂直CCD3を配し
た構造となっている。いずれの実施例の構造を採って
も、実効的な水平方向のフォトセンサの数が半分になる
ため、フォトセンサ1の垂直列毎に1本の垂直CCD3
を配した通常の構成で高速読み出し動作を行う場合に比
較して水平転送周波数を半分にすることができることに
なる。
When this is pushed further, an embodiment as shown in FIG. 5 can be considered. This embodiment has a structure in which one vertical CCD 3 is arranged for two vertical columns of the photosensor 1. Regardless of the structure of any of the embodiments, the effective number of photosensors in the horizontal direction is halved, so that one vertical CCD 3
, The horizontal transfer frequency can be halved as compared with the case where the high-speed read operation is performed with the normal configuration in which.

【0025】また、上記実施例においては、互いに隣接
する4個のフォトセンサを1グループとして単位セルを
形成し、高速読み出し速度を4倍速とする場合について
説明したが、高速読み出し速度は4倍速に限定されるも
のではなく、2倍速以上のN倍速であれば良く、その倍
速に対応して単位セルを形成するフォトセンサの数Nが
決定されることになる。
Further, in the above embodiment, the case where the unit cell is formed with four photosensors adjacent to each other as one group and the high-speed reading speed is quadrupled has been described. The present invention is not limited to this, and it suffices if the speed is 2 times or more and N times speed, and the number N of photosensors forming the unit cell is determined corresponding to the double speed.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に所定の周期で電子シャッタパルスを印加すること
によって各フォトセンサの蓄積電荷を掃き出す一方、
位セルを形成する少なくとも行方向において互いに隣接
する少なくとも2個のフォトセンサにシャッタパルス印
加後に蓄積された信号電荷を上記所定の周期で順次読み
出す構成としたことにより、ある撮影期間の信号電荷が
必ずいずれかのフォトセンサに蓄積されることになるた
め、シーンの撮りこぼしがなく、また読み出しタイミン
グを通常の例えば4倍速(N=4)としても、水平CC
Dの駆動周波数は2倍、読み出しパルスの周波数は従来
のままで済む効果がある。
As described above, according to the present invention,
Applying an electronic shutter pulse to the substrate at a predetermined cycle
Sweeps out the accumulated charge of each photosensor while adjoining each other at least in the row direction to form a unit cell.
Shutter pulse marking on at least two photo sensors
By sequentially reading out the signal charges accumulated after the addition at the above-described predetermined cycle, the signal charges in a certain shooting period are always accumulated in any of the photosensors, so that the scene is not missed, Further, even when the read timing is set to, for example, 4 times the normal speed (N = 4), the horizontal CC
There is an effect that the driving frequency of D is doubled and the frequency of the read pulse remains the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention.

【図2】高速読み出し動作の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a high-speed read operation.

【図3】高速読み出し動作時のタイミングチャートであ
る。
FIG. 3 is a timing chart during a high-speed read operation.

【図4】出力信号のイメージ図である。FIG. 4 is an image diagram of an output signal.

【図5】本発明の他の実施例を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing another embodiment of the present invention.

【図6】インターライン転送方式CCD固体撮像装置の
一例の構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of an example of an interline transfer type CCD solid-state imaging device.

【図7】従来の電子シャッタによる通常動作時のタイミ
ングチャートである。
FIG. 7 is a timing chart during a normal operation by a conventional electronic shutter.

【図8】従来の高速読み出し動作時のタイミングチャー
トである。
FIG. 8 is a timing chart during a conventional high-speed read operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フォトセンサ 3 垂直CCD 4 撮像領域 5 水平CCD 7 タイミングジェネレータ 8 CCDドライバ Reference Signs List 1 photo sensor 3 vertical CCD 4 imaging area 5 horizontal CCD 7 timing generator 8 CCD driver

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 画素単位で行列状に配列され、少なくと
も行方向において互いに隣接する少なくとも2個が単位
セルとなる複数個のフォトセンサと、前記複数個の フォトセンサに蓄積された信号電荷を読み
出す複数個の読み出しゲートと、前記複数個のフォトセンサが形成された基板に所定の周
期で各フォトセンサの蓄積電荷を掃き出す電子シャッタ
パルスを印加するとともに、前記少なくとも2個のフォ
トセンサに前記電子シャッタパルスの印加後に蓄積され
た信号電荷を前記所定の周期ごとに順次読み出す読み出
しパルスを対応する前記読み出しゲートに供給して読み
出し駆動を行う駆動回路と、 前記単位セルごとに各フォトセンサから前記読み出しゲ
ートを介して順次読み出された信号電荷を順に垂直転送
する垂直転送部と、 前記垂直転送部から前記単位セルごとに転送される信号
電荷を順に水平転送する水平転送部と を備えた ことを特
徴とする固体撮像装置。
1. An image display device comprising: a plurality of pixels arranged in a matrix in pixel units ;
Also, at least two units adjacent to each other in the row direction are units
A plurality of photosensor comprising a cell, wherein the plurality of the plurality of read-out gate to read out the signal charge accumulated in the photosensors, predetermined peripheral to the substrate where the plurality of photosensors are formed
Shutter that sweeps out the accumulated charge of each photo sensor in the period
Applying a pulse and applying the pulses to the at least two
Stored after the application of the electronic shutter pulse to the
Reading the read signal charges sequentially at the predetermined period.
Pulse to the corresponding read gate to read
A drive circuit for performing readout drive, and the readout gate from each photosensor for each unit cell.
Signal charges sequentially read out via the gate
And a signal transferred from the vertical transfer unit for each unit cell
The solid-state imaging device being characterized in that a horizontal transfer unit for sequentially horizontally transferring the charges.
【請求項2】 画素単位で行列状に配列され、少なくと
も行方向において互いに隣接する少なくとも2個が単位
セルとなる複数個のフォトセンサと、これらフォトセン
サに蓄積された信号電荷を読み出す複数個の読み出しゲ
ートと、前記単位セルごとに各フォトセンサから前記読み出しゲ
ートを介して順次読み出された信号電荷を順に垂直転送
する垂直転送部と、前記垂直転送部から前記単位セルご
とに転送される信号電荷を順に水平転送する水平転送部
を具備する固体撮像装置において、前記複数個のフォトセンサが形成された基板に所定の周
期で各フォトセンサの蓄積電荷を掃き出す電子シャッタ
パルスを印加するとともに、前記少なくとも2個のフォ
トセンサに前記電子シャッタパルスの印加後に蓄積され
た信号電荷を前記所定の周期ごとに順次読み出す読み出
しパルスを対応する前記読み出しゲートに供給して読み
出し駆動を行う ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方
法。
2. Arranged in a matrix in pixel units , at least
Also, at least two units adjacent to each other in the row direction are units
A plurality of photosensors serving as cells; a plurality of read gates for reading signal charges accumulated in the photosensors; and a read gate from each photosensor for each unit cell.
Signal charges sequentially read out via the gate
A vertical transfer unit, and the unit cells from the vertical transfer unit.
Horizontal transfer unit that horizontally transfers the signal charges transferred to the
In the solid-state imaging device including bets, predetermined circumference substrate on which the plurality of photosensors are formed
Shutter that sweeps out the accumulated charge of each photo sensor in the period
Applying a pulse and applying the pulses to the at least two
Stored after the application of the electronic shutter pulse to the
Reading the read signal charges sequentially at the predetermined period.
Pulse to the corresponding read gate to read
The driving method of the solid-state imaging device, characterized in that for driving out.
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