JP2988117B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にマイクロ波帯以上の高周波で使用する樹脂封
止型の半導体装置に関する。
関し、特にマイクロ波帯以上の高周波で使用する樹脂封
止型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯以上で使用する半導
体は、誘電損失が小さいセラミック容器に封入されてい
たが、近年マイクロ波帯用の半導体装置が民生機器にも
多く使用され始めてきたため、大幅なコストダウンが必
要となり、手段として樹脂封止型のマイクロ波用半導体
装置の開発が進められていた。しかしながら、単に通常
用いられているエポキシ樹脂をマイクロ波用半導体に用
いて封止を行っても、エポキシ樹脂の誘電率が大きいた
め（通常のエポキシ樹脂における比誘電率： 4.0〜4.8
at１ＭＨZ ）必然的にパッケージの端子間容量が大きく
なり、所望の利得が得られなくなる。このため、従来で
は種々の工夫が行われていた。
体は、誘電損失が小さいセラミック容器に封入されてい
たが、近年マイクロ波帯用の半導体装置が民生機器にも
多く使用され始めてきたため、大幅なコストダウンが必
要となり、手段として樹脂封止型のマイクロ波用半導体
装置の開発が進められていた。しかしながら、単に通常
用いられているエポキシ樹脂をマイクロ波用半導体に用
いて封止を行っても、エポキシ樹脂の誘電率が大きいた
め（通常のエポキシ樹脂における比誘電率： 4.0〜4.8
at１ＭＨZ ）必然的にパッケージの端子間容量が大きく
なり、所望の利得が得られなくなる。このため、従来で
は種々の工夫が行われていた。
【０００３】例えば、図２に示すものは、リードフレー
ム２のダイ面３に半導体素子４を搭載し、ワイヤ５でリ
ードフレーム２との間を電気接続した上で樹脂１で封止
した半導体装置であるが、この樹脂１には通常のエポキ
シ樹脂ではなく、エポキシより誘電率の低い樹脂、例え
ばシリコン系樹脂（信越化学工業（株）の商品名ＫＣＭ
−10）にて封止を行ったものである。又、図３に示すの
は、特開昭６１−２３７４５５号公報にあげられている
もので、公知である２重モールド技術を利用して低誘電
率樹脂であるＢＴ樹脂（ビスマレイド・トリアジン・レ
ジン，三菱瓦斯化学（株）の商品名）１１により第１の
モールドを行い、更に、このＢＴ樹脂の外側をエポキシ
樹脂（例えばＭＰ−10）１２にでモールドしたものであ
る。
ム２のダイ面３に半導体素子４を搭載し、ワイヤ５でリ
ードフレーム２との間を電気接続した上で樹脂１で封止
した半導体装置であるが、この樹脂１には通常のエポキ
シ樹脂ではなく、エポキシより誘電率の低い樹脂、例え
ばシリコン系樹脂（信越化学工業（株）の商品名ＫＣＭ
−10）にて封止を行ったものである。又、図３に示すの
は、特開昭６１−２３７４５５号公報にあげられている
もので、公知である２重モールド技術を利用して低誘電
率樹脂であるＢＴ樹脂（ビスマレイド・トリアジン・レ
ジン，三菱瓦斯化学（株）の商品名）１１により第１の
モールドを行い、更に、このＢＴ樹脂の外側をエポキシ
樹脂（例えばＭＰ−10）１２にでモールドしたものであ
る。
【０００４】図４に示すものは公知であるポッティング
技術を利用したものであり、例えば特開平２−１５４４
５２号公報にあげられているもので、半導体素子４の表
面が含弗素芳香族ポリエーテルアミド樹脂１３でコート
され、更に成形材料樹脂１４で封止されているものであ
る。又、図５に示すものは、低誘電率の液状樹脂１５た
とえばポリイミド系樹脂（住友ベークライト（株）の商
品名ＣＲＣ−6066）で半導体素子４，ワイヤ５等の表面
をコートし、更に成形材料樹脂１６で封止されているも
のである。
技術を利用したものであり、例えば特開平２−１５４４
５２号公報にあげられているもので、半導体素子４の表
面が含弗素芳香族ポリエーテルアミド樹脂１３でコート
され、更に成形材料樹脂１４で封止されているものであ
る。又、図５に示すものは、低誘電率の液状樹脂１５た
とえばポリイミド系樹脂（住友ベークライト（株）の商
品名ＣＲＣ−6066）で半導体素子４，ワイヤ５等の表面
をコートし、更に成形材料樹脂１６で封止されているも
のである。
【０００５】以上のように、２重モールド技術，ポッテ
ィング技術を利用し、樹脂自体の低誘電率化を行うこと
によって、樹脂封止型のマイクロ波帯用半導体装置の開
発が進められていた。尚、前記した各樹脂の誘電特性を
表１に示す。
ィング技術を利用し、樹脂自体の低誘電率化を行うこと
によって、樹脂封止型のマイクロ波帯用半導体装置の開
発が進められていた。尚、前記した各樹脂の誘電特性を
表１に示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来のマイクロ波帯用樹脂封止型の半導体装置におい
て、樹脂自体の低誘電率化には限界があり、所望の高周
波特性を得るまでには至っていないという問題がある。
本発明の目的は、所要の高周波特性を得ることができる
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
従来のマイクロ波帯用樹脂封止型の半導体装置におい
て、樹脂自体の低誘電率化には限界があり、所望の高周
波特性を得るまでには至っていないという問題がある。
本発明の目的は、所要の高周波特性を得ることができる
樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、前
記封止用樹脂層は前記半導体素子を封止する第１の封止
層と、前記第１の封止層の外周を覆う第２の封止層とで
構成されおり、前記第１の封止層は０．１〜１，０００
μｍ程度の径寸法の中空体の粉末を堆積し、かつその表
面を前記第２の封止層を形成する樹脂よりも低誘電率の
樹脂でプリコートした構成とされていること特徴とす
る。
樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置において、前
記封止用樹脂層は前記半導体素子を封止する第１の封止
層と、前記第１の封止層の外周を覆う第２の封止層とで
構成されおり、前記第１の封止層は０．１〜１，０００
μｍ程度の径寸法の中空体の粉末を堆積し、かつその表
面を前記第２の封止層を形成する樹脂よりも低誘電率の
樹脂でプリコートした構成とされていること特徴とす
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例の断面図である。本実施
例では 0.1〜 1,000μｍ程度の微小な中空体７、例えば
ガラス中空球体の粉末をダイ面３に搭載した半導体素子
４の全体を覆うように堆積させ後、低誘電率の液状樹脂
９例えばポリイミド系樹脂でプリコートする。さらにこ
れ全体を成形樹脂１で成形したものである。前記中空体
は、ガラスなどの無機物に限らずＰＴＦＥなどの有機物
であってもよい。前記中空体は、ガラスなどの無機物に
限らずＰＴＦＥなどの有機物であってもよい。更に、中
空体の形状も球状とは限らず、楕円状，多面体状であっ
てもよい。
る。図１は本発明の第１実施例の断面図である。本実施
例では 0.1〜 1,000μｍ程度の微小な中空体７、例えば
ガラス中空球体の粉末をダイ面３に搭載した半導体素子
４の全体を覆うように堆積させ後、低誘電率の液状樹脂
９例えばポリイミド系樹脂でプリコートする。さらにこ
れ全体を成形樹脂１で成形したものである。前記中空体
は、ガラスなどの無機物に限らずＰＴＦＥなどの有機物
であってもよい。前記中空体は、ガラスなどの無機物に
限らずＰＴＦＥなどの有機物であってもよい。更に、中
空体の形状も球状とは限らず、楕円状，多面体状であっ
てもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子を樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、前記封止用樹脂層は前記半導体素子を封止する第１
の封止層と、前記第１の封止層の外周を覆う第２の封止
層とで構成されおり、前記第１の封止層は０．１〜１，
０００μｍ程度の径寸法の中空体の粉末を堆積し、かつ
その表面を前記第２の封止層を形成する樹脂よりも低誘
電率の樹脂でプリコートした構成にしていることによ
り、第１の封止層における中空によって生じる低誘電率
特性によって所望の高周波特性を得ることができ、樹脂
封止型半導体装置の高周波帯での適用を実現することが
できる効果がある。
子を樹脂で封止してなる樹脂封止型半導体装置におい
て、前記封止用樹脂層は前記半導体素子を封止する第１
の封止層と、前記第１の封止層の外周を覆う第２の封止
層とで構成されおり、前記第１の封止層は０．１〜１，
０００μｍ程度の径寸法の中空体の粉末を堆積し、かつ
その表面を前記第２の封止層を形成する樹脂よりも低誘
電率の樹脂でプリコートした構成にしていることによ
り、第１の封止層における中空によって生じる低誘電率
特性によって所望の高周波特性を得ることができ、樹脂
封止型半導体装置の高周波帯での適用を実現することが
できる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】〜
【図５】それぞれ従来の異なる樹脂封止型半導体装置の
断面図である。
断面図である。
１ 成形樹脂 ２ リードフレーム ４ 半導体素子 ７ 中空体 ９ プリコート層
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂
封止型半導体装置において、前記封止用樹脂層は前記半
導体素子を封止する第１の封止層と、前記第１の封止層
の外周を覆う第２の封止層とで構成され、前記第１の封
止層は０．１〜１，０００μｍ程度の径寸法の中空体の
粉末を堆積し、かつその表面を前記第２の封止層を形成
する樹脂よりも低誘電率の樹脂でプリコートした構成と
されていること特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10363492A JP2988117B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10363492A JP2988117B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283561A JPH05283561A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2988117B2 true JP2988117B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=14359208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10363492A Expired - Fee Related JP2988117B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2988117B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69514201T2 (de) * | 1994-11-24 | 2000-08-03 | Dow Corning Toray Silicone | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| JP2871591B2 (ja) * | 1996-05-14 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 高周波用電子部品および高周波用電子部品の製造方法 |
| EP1311072A1 (en) * | 2000-08-17 | 2003-05-14 | Hitachi, Ltd. | Transmitter and receiver module |
| JP2002201358A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品の封止材料、電子部品の封止方法、半導体パッケージ、および半導体パッケージの作製方法 |
| US7435625B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-10-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with reduced package cross-talk and loss |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380554A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-11 | Toshiba Corp | 樹脂封止半導体装置 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP10363492A patent/JP2988117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283561A (ja) | 1993-10-29 |
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| JP3125868B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH03151657A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980825 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990907 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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