JP2986568B2

JP2986568B2 - 図形処理方法

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Publication number: JP2986568B2
Application number: JP5524291A
Authority: JP
Inventors: 伸二阪納
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-03-20
Filing date: 1991-03-20
Publication date: 1999-12-06
Anticipated expiration: 2014-12-06
Also published as: JPH04291464A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は図形処理方法に係り、詳
しくは半導体装置の作成に必須な露光データ、即ちパタ
ーンの基本図形データに基づいて作成される描画図形の
データを生成する露光データ作成処理装置内で図形デー
タにおける傾きが±１とならない任意角辺を水平、垂直
線分にて近似させるために必要となる階段近似方法に関
する。

【０００２】近年の半導体装置における大規模化、高集
積度化に伴い、半導体装置を構成する図形集合群中の基
本図形データのパターンが多様化しており、そのパター
ンに従来から使用されてきた傾きが±１となる正斜角辺
の他に、傾きが±１とならない任意角辺が用いられるよ
うになってきた。このため、任意角辺を有するパターン
の基本図形データを露光データとして使用するには、任
意角辺を処理できる露光データ作成処理装置や露光装置
を新たに設ける必要がある。一方、新たな装置を設ける
代わりに、従来の露光データ作成処理装置内で基本図形
データを任意角辺のままで処理した場合には、基本図形
データの精度と処理効率が正斜角辺を処理した場合に比
べて低下することになる。又、現在運用中の露光データ
作成処理装置や露光装置を任意角辺対応型の装置に変換
していくためには、開発コストや運用ラインの装置の置
き換え等が必要になる。

【０００３】従って、任意角辺を有する基本図形データ
に対しては、露光データ作成処理装置内である種の図形
近似処理、例えば階段近似処理を施して正斜角辺のみの
基本図形に変換することにより、従来の露光データ作成
処理装置や露光装置の使用を可能にし、かつ基本図形デ
ータの処理効率及び精度を従来の正斜角辺を有する基本
図形データと同様に維持する必要がある。

【０００４】

【従来の技術】従来、半導体装置の作成に必須な露光デ
ータを作成するにあたり、ＸＹ軸直交二次元座標におい
てＸ軸を基準座標軸としたとき、その基となる基本図形
データが傾きが±１とならない任意角辺を有するパター
ンである場合には、その任意角辺をＸ軸に平行な線分及
び垂直な線分によって階段状に近似させるようになって
いた。

【０００５】即ち、例えば図１０に示すように、ＸＹ軸
直交二次元座標に傾きが±１とならない、即ち、Ｘ軸に
対する傾斜角度が±４５度とならない任意角辺８１〜８
４を有する基本図形８５と、この基本図形８５を９０度
（図１０において反時計方向を正とする）回転した基本
図形８６とが配置されている場合、Ｘ軸と垂直に任意の
等間隔で分割線Ｄ（破線で示す）を発生させる。

【０００６】次に、互いに隣合う一対の分割線Ｄによっ
て挟まれる領域をそれぞれスリットＳとし、各基本図形
８５，８６の各任意角辺８１〜８４を各スリットＳにて
複数の線分に分割する。この後、各スリットＳには分割
線Ｄと平行に仮想中心線Ｌ（一点鎖線で示す）を発生さ
せ、その仮想中心線Ｌと各任意角辺８１〜８４との交点
を通過して分割線Ｄと直交する近似線分１（図１０では
二点鎖線で示す）を発生させる。

【０００７】そして、図１１に示すように、互いに隣接
する一対のスリットＳにおける各近似線分１の端点間を
各スリットＳの分割線Ｄ上に発生させた線分２によって
階段状に結ぶことにより近似処理を行い、近似図形８５
Ａ，８６Ａを形成している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の階段近似方法では基本図形８５，８６が形状及び大
きさが共に同一である合同な図形であるにも関わらず、
基本図形８５ではＸ軸に対する各任意角辺８１〜８４の
傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きい、即ち、分割線
Ｄに対する各任意角辺８１〜８４の傾斜角度の絶対値が
４５度未満であるため、各任意角辺８１〜８４を分割す
るスリットＳの数は少なくなる。逆に基本図形８６では
Ｘ軸に対する各任意角辺８１〜８４の傾斜角度の絶対値
が４５度未満、即ち、分割線Ｄに対する各任意角辺８１
〜８４の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいため、
各任意角辺８１〜８４を分割するスリットＳの数は多く
なる。図１０に示す例では基本図形８５の各任意角辺８
１〜８４を分割するスリットＳの数は各２個であり、基
本図形８６の各任意角辺８１〜８４を分割するスリット
Ｓの数は各４個である。

【０００９】従って、図１１に示すように各近似図形８
５Ａ，８６Ａは近似形状が全く異なったものとなってし
まい、半導体装置に要求される特性の均一化を図ること
ができないという問題点がある。又、図１１に示すよう
に基本図形８５の近似図形８５Ａでは各任意角辺８１〜
８４を近似して形成された端点数がそれぞれ５つと少な
くなり、基本図形８６の近似図形８６Ａでは各任意角辺
８１〜８４を近似して形成された端点数はそれぞれ７つ
と多くなる。従って、ＬＳＩ設計者が基本図形で見積も
った特性が要求される場合には、近似図形８５Ａでは近
似形状が大きく異なるために特性が大幅にずれるという
問題点があった。更に、特性がさほど要求されない、即
ち、近似図形の形状がさほど要求されない場合には、近
似図形８６Ａでは各任意角辺８１〜８４を近似して形成
された端点数がそれぞれ７つと多くなるため、処理時間
がかかるという問題点があった。

【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、任意角辺の階段近似の精度を均一化
して半導体装置に要求される特性の均一化を図ることが
できる図形処理方法を提供することを目的とする。又、
本発明は特性の均一化を図りつつ、基本図形で見積もっ
た特性に近い特性を得られるように任意角辺を階段近似
することができる図形処理方法を提供することを目的と
する。

【００１１】更に、本発明は特性の均一化を図りつつ、
階段近似処理の処理時間を短縮化できる図形処理方法を
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１発明では、直交二次元座標のいずれか一方の座
標軸を基準としたときその基準座標軸に対する傾斜角度
の絶対値が４５度とならない任意角辺を有する複数の基
本図形データに対して露光データ作成のための図形処理
を行うに際し、直交二次元座標の２つの座標軸のうち、
基準座標軸又は他方の座標軸と垂直に描画図形作成のた
めの最小間隔の整数倍の等間隔で分割線を発生させる。
互いに隣合う一対の分割線によって挟まれる領域をそれ
ぞれスリットとして各任意角辺を複数の線分に分割す
る。各スリットには分割線と平行に仮想中心線を発生さ
せ、その仮想中心線と各任意角辺との交点を通過して分
割線と直交する近似線分を発生させる。

【００１３】そして、互いに隣接する一対のスリットに
おける各近似線分の端点間を各スリットの分割線上に発
生させた線分によって結ぶことにより任意角辺を階段状
に近似させる。この際、基準座標軸に対する各任意角辺
の傾斜角度の絶対値が、４５度未満のときと４５度より
大きいときとではそれぞれ異なる座標軸と垂直に分割線
を発生させて各任意角辺を階段状に近似させるようにし
た。

【００１４】又、第２発明では、基準座標軸に対する各
任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度未満のときにはそ
の基準座標軸と垂直に分割線を発生させ、基準座標軸に
対する各任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大
きいときには他方の座標軸と垂直に分割線を発生させて
当該任意角辺を階段状に近似させるようにした。更に、
第３発明では、基準座標軸に対する各任意角辺の傾斜角
度の絶対値が４５度未満のときには他方の座標軸と垂直
に分割線を発生させ、基準座標軸に対する各任意角辺の
傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいときにはその基
準座標軸と垂直に分割線を発生させて当該任意角辺を階
段状に近似させるようにした。

【００１５】第４発明では、基準座標軸と垂直に描画図
形作成のための最小間隔の整数倍の等間隔で分割線を発
生させ、互いに隣合う一対の分割線によって挟まれる領
域をそれぞれスリットとして各任意角辺を複数の線分に
分割する。各スリットには分割線と平行に仮想中心線を
発生させ、その仮想中心線と各任意角辺との交点を通過
して分割線と直交する近似線分を発生させる。

【００１６】そして、互いに隣接する一対のスリットに
おける各近似線分の端点間を各スリットの分割線上に発
生させた線分によって結ぶことにより任意角辺を階段状
に近似させる。この際、各基本図形データの各任意角辺
について、基準座標軸に対する当該任意角辺の傾斜角度
の絶対値が４５度未満のとき、又は基準座標軸に対する
当該任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度より大きいと
き、当該任意角辺を有する基本図形データを９０度回転
させ、基準座標軸と垂直に分割線を発生させて当該任意
角辺を階段状に近似した後、当該基本図形データを反対
方向に９０度復帰回転させるようにした。

【００１７】又、第５発明では、各基本図形データの各
任意角辺について、基準座標軸に対する当該任意角辺の
傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいとき、当該任意
角辺を有する基本図形データを９０度回転させて当該任
意角辺を階段状に近似させるようにした。更に、第６発
明では、各基本図形データの各任意角辺について、基準
座標軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５
度未満のとき、当該任意角辺を有する基本図形データを
９０度回転させて当該任意角辺を階段状に近似させるよ
うにした。

【００１８】

【作用】第１発明では、任意角辺を階段状に近似させる
図形処理を行うに際し、直交二次元座標の２つの座標軸
のうち、基準座標軸又は他方の座標軸と垂直に描画図形
作成のための最小間隔の整数倍の等間隔で分割線を発生
させ、互いに隣合う一対の分割線によって挟まれる領域
をそれぞれスリットとして各任意角辺を複数の線分に分
割する。各スリットには分割線と平行に仮想中心線を発
生させ、その仮想中心線と各任意角辺との交点を通過し
て分割線と直交する近似線分を発生させる。そして、互
いに隣接する一対のスリットにおける各近似線分の端点
間を各スリットの分割線上に発生させた線分によって結
ぶことにより任意角辺を階段状に近似させる。この際、
基準座標軸に対する各任意角辺の傾斜角度の絶対値が、
４５度未満のときと４５度より大きいときとではそれぞ
れ異なる座標軸と垂直に分割線が発生される。

【００１９】このため、複数の基本図形データにおける
各任意角辺と当該任意角辺を分割するスリットの分割線
とがなす角度の絶対値は全て４５度未満となるか、又は
４５度より大きくなる。従って、全ての任意角辺は同一
の条件で分割されることとなり、階段近似の精度が均一
化される。特に、直交二次元座標に任意角辺を有する基
本図形と、この基本図形を９０度回転した基本図形とが
配置されている場合、処理後における各近似図形も同一
となり、従って、半導体装置に要求される特性も均一化
される。

【００２０】又、第２発明では、基準座標軸に対する各
任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度未満のときにはそ
の基準座標軸と垂直に分割線を発生させ、基準座標軸に
対する各任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大
きいときには他方の座標軸と垂直に分割線を発生させて
当該任意角辺を階段状に近似させるようにしているの
で、複数の基本図形データにおける各任意角辺と当該任
意角辺を分割するスリットの分割線とがなす角度の絶対
値は全て４５度より大きくなる。従って、各任意角辺を
分割するスリットの数が多くなり、各任意角辺が高精度
に近似されて半導体装置に要求される特性は精度の高い
ものとなる。

【００２１】更に、第３発明では、基準座標軸に対する
各任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度未満のときには
他方の座標軸と垂直に分割線を発生させ、基準座標軸に
対する各任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大
きいときにはその基準座標軸と垂直に分割線を発生させ
て当該任意角辺を階段状に近似させるようにしているの
で、複数の基本図形データにおける各任意角辺と当該任
意角辺を分割するスリットの分割線とがなす角度の絶対
値は全て４５度未満となる。従って、各任意角辺を分割
するスリットの数、即ち、近似線分の端点数が少なくな
るため、階段近似の処理時間が短縮化される。

【００２２】第４発明では、分割線を基準座標軸と垂直
に発生させ、各基本図形データの各任意角辺について、
基準座標軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の絶対値が
４５度未満のとき、又は基準座標軸に対する当該任意角
辺の傾斜角度の絶対値が４５度より大きいとき、当該任
意角辺を有する基本図形データを９０度回転させ、基準
座標軸と垂直に分割線を発生させて当該任意角辺を階段
状に近似した後、当該基本図形データを反対方向に９０
度復帰回転させるようにしている。従って、第１発明と
同様に複数の基本図形データにおける各任意角辺と当該
任意角辺を分割するスリットの分割線とがなす角度の絶
対値は全て４５度未満となるか、又は４５度より大きく
なり、全ての任意角辺は同一の条件で分割されて階段近
似の精度が均一化される。

【００２３】又、第５発明では、各基本図形データの各
任意角辺について、基準座標軸に対する当該任意角辺の
傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいとき、当該任意
角辺を有する基本図形データを９０度回転させて当該任
意角辺を階段状に近似させるようにしているので、第２
発明と同様に複数の基本図形データにおける各任意角辺
と当該任意角辺を分割するスリットの分割線とがなす角
度の絶対値は全て４５度より大きくなり、各任意角辺が
高精度に近似されて半導体装置に要求される特性は精度
の高いものとなる。

【００２４】更に、第６発明では、各基本図形データの
各任意角辺について、基準座標軸に対する当該任意角辺
の傾斜角度の絶対値が４５度未満のとき、当該任意角辺
を有する基本図形データを９０度回転させて当該任意角
辺を階段状に近似させるようにしているので、第３発明
と同様に複数の基本図形データにおける各任意角辺と当
該任意角辺を分割するスリットの分割線とがなす角度の
絶対値は全て４５度未満となって各任意角辺の近似線分
の端点数が少なくなり、階段近似の処理時間が短縮化さ
れる。

【００２５】

【実施例】［第１実施例］以下、本発明を具体化した第
１実施例を図１〜図６に従って説明する。図１は本実施
例における任意角辺処理条件対応型露光データ作成処理
装置１１を示す概略構成図である。

【００２６】任意角辺処理条件対応型露光データ作成処
理装置１１は任意角辺処理条件対応型階段近似処理装置
（以下、階段近似処理装置という）１２と従来型露光デ
ータ作成処理装置１３からなる。階段近似処理装置１２
は磁気テープ１９Ａ等に予め記憶された図形集合群中か
ら半導体装置作成用の基本図形データを読み込み、その
読み込んだ基本図形中に任意角辺が含まれているとその
任意角辺を階段状に近似した近似図形を、基本図形中に
任意角辺が含まれていないとその基本図形を従来型露光
データ作成処理装置１３に出力する。

【００２７】従来型露光データ作成処理装置１３は階段
近似処理装置１２から処理が移行された近似図形、又は
基本図形に対する図形論理演算処理、図形拡大縮小処
理、図形分割処理及び露光データフォーマット変換処理
等の各種処理を実行し、その処理データを半導体装置露
光データとして磁気テープ１９Ｂ等に出力する。階段近
似処理装置１２は任意角辺検出部１４、処理選択部１
５、高精度階段近似用スリット発生部１６、頂点データ
量削減用スリット発生部１７、及び階段近似処理部１８
等で構成されており、図２に階段近似処理装置１２が実
行する処理を示す。

【００２８】即ち、まず、任意角辺検出部１４はステッ
プ１０１において、前記磁気テープ１９Ａ等から読み込
んだ基本図形中に、ＸＹ軸直交二次元座標（以下、単に
ＸＹ座標という）において傾きが±１とならない、即
ち、Ｘ軸に対する傾斜角度が±４５度とならない任意角
辺が含まれているか否かを判定する。そして、任意角辺
検出部１４は基本図形中に任意角辺が含まれていないと
判定すると、前記従来型露光データ作成処理装置１３に
当該基本図形の処理を移行する。一方、任意角辺検出部
１４は基本図形中に任意角辺が含まれていると判定する
と、処理選択部１５に処理を移行する。

【００２９】処理選択部１５はステップ１０２にて外部
から入力された処理条件が高精度近似か否かを判定し、
高精度近似であると判定すると高精度階段近似用スリッ
ト発生部１６に処理を移行し、高精度近似でないと判定
すると頂点データ量削減用スリット発生部１７に処理を
移行する。高精度階段近似用スリット発生部１６はステ
ップ１０３で基本図形中に含まれている任意角辺をサー
チする。そして、ＸＹ座標のＸ，Ｙ軸のうち、Ｘ軸を基
準座標軸として同Ｘ軸に対する当該任意角辺の傾斜角度
の絶対値が４５度より大きいか否かを判定する。即ち、
図３（ａ）に示すように、任意角辺２１〜２４を有する
基本図形２５である場合には、まず、任意角辺２１の傾
斜角度の絶対値が４５度より大きいか否かが判定され、
任意角辺２１は４５度より大きいと判定される。尚、任
意角辺２１と２４及び２２と２３はそれぞれ平行である
とともに、任意角辺２１と２２とは線対称となってい
る。又、図４（ａ）に示すように前記基本図形２５を−
９０度（図４における時計方向）回転した基本図形２６
の場合には任意角辺２１の傾斜角度の絶対値は４５度未
満と判定される。

【００３０】そして、高精度階段近似用スリット発生部
１６はステップ１０３で任意角辺の傾斜角度の絶対値が
４５度より大きいと判定すると、ステップ１０６に進ん
でＹ軸と垂直にスリットを発生させ、着目している任意
角辺を複数の線分に分割する。即ち、図３（ａ）に示す
基本図形２５では任意角辺２１に対する傾斜角度の絶対
値が４５度より大きくなるように描画図形作成のための
最小間隔で分割線ＤをＹ軸と垂直に発生させ、互いに隣
合う一対の分割線によって挟まれる領域をそれぞれスリ
ットＳとして任意角辺２１を分割する。

【００３１】又、高精度階段近似用スリット発生部１６
はステップ１０３で任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５
度未満であると判定すると、ステップ１０５に進んでＸ
軸と垂直にスリットを発生させ、着目している任意角辺
を複数の線分に分割する。即ち、図４（ａ）に示す基本
図形２６では任意角辺２１に対する傾斜角度の絶対値が
４５度より大きくなるように前記した描画図形作成のた
めの最小間隔で分割線ＤをＸ軸と垂直に発生させ、互い
に隣合う一対の分割線によって挟まれる領域をそれぞれ
スリットＳとして任意角辺２１を分割する。従って、図
３（ａ）に示す基本図形２５の任意角辺２１と、図４
（ａ）に示す基本図形２６の任意角辺２１とは同数のス
リットＳにて分割されるとともに、このスリットＳの数
は４つとなる。

【００３２】そして、階段近似処理部１８はステップ１
０７において、従来と同様にして階段近似処理を実行す
る。即ち、図３（ａ），図４（ａ）に示すように、各ス
リットＳには分割線Ｄと平行に仮想中心線Ｌを発生さ
せ、その仮想中心線Ｌと任意角辺２１との交点を通過し
て分割線Ｄと直交する近似線分１を発生させる。この
後、図３（ｂ），図４（ｂ）に示すように、互いに隣接
する一対のスリットＳにおける各近似線分１の端点間を
分割線Ｄ上に発生させた線分２によって結ぶことによ
り、任意角辺２１を階段状に近似させる。

【００３３】ステップ１０７の処理が終了すると、前記
ステップ１０１に戻り、基本図形中に未処理の任意角辺
がなくなるまで、ステップ１０１〜１０３，１０５〜１
０７の処理を実行し、前記と同様にして図３（ａ），図
４（ａ）の基本図形２５，２６における任意角辺２２〜
２４を階段状に近似させる。従って、図３（ｂ），図４
（ｂ）に示すように近似図形２５Ａ，２６Ａはそれぞれ
同数（４つ）の近似線分１にて高精度（多段）に近似さ
れる。このため、この近似図形２５Ａ，２６Ａに対応す
る半導体装置上の各素子の特性を均一化できるととも
に、その特性を基本図形２５，２６で見積もった特性に
近い精度の高いものとすることができる。

【００３４】又、前記ステップ１０２にて処理選択部１
５により高精度近似でないと判定され、頂点データ量削
減用スリット発生部１７に処理が移行されると、頂点デ
ータ量削減用スリット発生部１７はステップ１０４で基
本図形中に含まれている任意角辺をサーチし、Ｘ軸を基
準座標軸として同Ｘ軸に対する当該任意角辺の傾斜角度
の絶対値が４５度より大きいか否かを判定する。即ち、
図５（ａ）に示すように、任意角辺３１〜３４を有する
基本図形３５である場合には、まず、任意角辺３１の傾
斜角度の絶対値が４５度より大きいか否かが判定され、
任意角辺３１は４５度より大きいと判定される。尚、任
意角辺３１と３４及び３２と３３はそれぞれ平行である
とともに、任意角辺３１と３２とは線対称となってい
る。又、図６（ａ）に示すように前記基本図形３５を−
９０度回転した基本図形３６の場合には任意角辺３１の
傾斜角度の絶対値は４５度未満と判定される。

【００３５】そして、頂点データ量削減用スリット発生
部１７はステップ１０４で任意角辺の傾斜角度の絶対値
が４５度より大きいと判定すると、ステップ１０５に進
んでＸ軸と垂直にスリットを発生させ、着目している任
意角辺を複数の線分に分割する。即ち、図５（ａ）に示
す基本図形３５では任意角辺３１に対する傾斜角度の絶
対値が４５度未満となるように前記最小間隔で分割線Ｄ
をＸ軸と垂直に発生させ、互いに隣合う一対の分割線に
よって挟まれる領域をそれぞれスリットＳとして任意角
辺３１を分割する。

【００３６】又、頂点データ量削減用スリット発生部１
７はステップ１０４で任意角辺の傾斜角度の絶対値が４
５度未満であると判定すると、ステップ１０６に進んで
Ｙ軸と垂直にスリットを発生させ、着目している任意角
辺を複数の線分に分割する。即ち、図６（ａ）に示す基
本図形３６では任意角辺３１に対する傾斜角度の絶対値
が４５度未満となるように前記最小間隔で分割線ＤをＹ
軸と垂直に発生させ、互いに隣合う一対の分割線によっ
て挟まれる領域をそれぞれスリットＳとして任意角辺３
１を分割する。従って、図５（ａ）に示す基本図形３５
の任意角辺３１と、図６（ａ）に示す基本図形３６の任
意角辺３１とはそれぞれ同数のスリットＳにて分割され
るとともに、このスリットＳの数は２つとなる。

【００３７】そして、ステップ１０７にて階段近似処理
部１８により、前記と同様にして階段近似処理が実行さ
れ、図５（ｂ），図６（ｂ）に示すように、任意角辺３
１は各近似線分１及び分割線Ｄ上の線分２によって階段
状に近似される。ステップ１０７の処理が終了すると、
前記ステップ１０１に戻り、基本図形中に未処理の任意
角辺がなくなるまで、ステップ１０１，１０２，１０４
〜１０７の処理が実行され、前記と同様にして図５
（ａ），図６（ａ）の基本図形３５，３６における任意
角辺３２〜３４が階段状に近似される。

【００３８】従って、図５（ｂ），図６（ｂ）に示すよ
うに近似図形３５Ａ，３６Ａは同数（２つ）の近似線分
１にて近似され、頂点データ量が少ないものとなる。こ
のため、この近似図形３５Ａ，３６Ａに対応する半導体
装置上の各素子の特性を均一化できるとともに、近似図
形３５Ａ，３６Ａの頂点データ量が少ないため、階段近
似の処理時間を短縮化することができる。

【００３９】又、本実施例では必要な処理条件に応じ
て、任意角辺を高精度に階段近似できる高精度階段近似
処理と、頂点データ量を低減して処理時間の短縮化を図
ることができる階段近似処理とを選択することができ
る。［第２実施例］次に、本発明の第２実施例を図７〜図９
に従って説明する。

【００４０】図７は階段近似処理装置１２が実行する処
理の別例を示したものであり、図２と同様の部分につい
ては同一の符号を付して説明を一部省略する。高精度階
段近似用スリット発生部１６は処理選択部１５から処理
が移行されると、ステップ１０３で基本図形中に含まれ
ている任意角辺をサーチし、Ｘ軸を基準座標軸として同
Ｘ軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度
より大きいか否かを判定する。従って、図８（ａ）に示
すように、任意角辺４１〜４４を有する基本図形４５で
ある場合には、まず、任意角辺４１の傾斜角度の絶対値
が４５度より大きいと判定される。尚、任意角辺４１と
４４及び４２と４３とはそれぞれ平行であるとともに、
任意角辺４１と４２とは線対称となっている。

【００４１】そして、高精度階段近似用スリット発生部
１６はステップ１０３で任意角辺の傾斜角度の絶対値が
４５度より大きいと判定すると、ステップ１１０に進ん
で着目している任意角辺を有する基本図形を９０度（Ｘ
Ｙ座標において反時計方向）回転させる。従って、図８
（ａ）に示す基本図形４５は図８（ｂ）に示すように回
転される。尚、図９（ａ）に示すように基本図形４６が
基本図形４５を−９０度（ＸＹ座標において時計方向）
回転させたものであるときには、ステップ１０３で任意
角辺４１の傾斜角度の絶対値が４５度未満と判定される
ため、基本図形４６は回転されない。

【００４２】この後、高精度階段近似用スリット発生部
１６はステップ１１１にてＸ軸と垂直にスリットを発生
させ、着目している任意角辺を複数の線分に分割する。
即ち、図８（ｂ）に示す基本図形４５では前記最小間隔
で分割線ＤをＸ軸と垂直に発生させ、互いに隣合う一対
の分割線Ｄによって挟まれる領域をそれぞれスリットＳ
として任意角辺４１を分割する。又、図示しないが、図
９（ａ）に示す基本図形４６の任意角辺４１もＸ軸と垂
直に発生させたスリットによって同様に分割される。従
って、図８（ｂ）に示す基本図形４５の任意角辺４１
と、図９（ａ）に示す基本図形４６の任意角辺４１とは
同数のスリットＳにて分割されるとともに、このスリッ
トＳの数は４つとなる。

【００４３】ステップ１０７にて階段近似処理部１８に
より、前記と同様にして階段近似処理が実行され、図８
（ｃ）に示すように、任意角辺４１は各近似線分１及び
分割線Ｄ上の線分２によって階段状に近似される。次の
ステップ１１２において、階段近似処理部１８はステッ
プ１０７で階段近似した基本図形が回転処理を行ったも
のか否かを判定し、回転処理を行ったものである場合に
は、ステップ１１３で当該図形を−９０度（ＸＹ座標に
おいて時計方向）回転させ、回転処理を行ったものでな
い場合にはそのままとする。従って、図８（ｃ）に示す
図形は図８（ｄ）に示すように元の状態に回転配置され
る。尚、図８（ｃ），図８（ｄ）は全ての任意角辺４１
〜４４を階段状に近似した近似図形４５Ａを示してい
る。

【００４４】そして、ステップ１１３の処理が終了する
と、前記ステップ１０１に戻り、基本図形中に未処理の
任意角辺がなくなるまで、ステップ１０１〜１０３，１
１０〜１１３の処理が実行され、前記と同様にして図８
（ａ）の基本図形４５における任意角辺４２〜４４が階
段状に近似される。従って、図８（ａ）に示した基本図
形４５は図８（ｄ）に示すように４つの近似線分１にて
高精度（多段）に近似された近似図形４５Ａとなる。

【００４５】又、前記ステップ１０２にて処理選択部１
５により高精度近似でないと判定され、頂点データ量削
減用スリット発生部１７に処理が移行されると、頂点デ
ータ量削減用スリット発生部１７はステップ１０４で基
本図形中に含まれている任意角辺をサーチし、Ｘ軸を基
準座標軸として同Ｘ軸に対する当該任意角辺の傾斜角度
の絶対値が４５度より大きいか否かを判定する。従っ
て、図９（ａ）に示すように、任意角辺４１〜４４を有
する基本図形４６である場合には、まず、任意角辺４１
の傾斜角度の絶対値が４５度未満であると判定される。

【００４６】そして、頂点データ量削減用スリット発生
部１７はステップ１０４で任意角辺の傾斜角度の絶対値
が４５度未満であると判定すると、ステップ１１０に進
んで前記高精度階段近似用スリット発生部１６と同様に
して着目している任意角辺を有する基本図形を９０度回
転させる。従って、図９（ａ）に示す基本図形４６は図
９（ｂ）に示すように回転される。尚、図８（ａ）に示
す基本図形４５は図９（ｂ）に示す基本図形４６と同一
位相であり、ステップ１０３で任意角辺４１の傾斜角度
の絶対値が４５度より大きいと判定されるため、基本図
形４５は回転されない。

【００４７】この後、頂点データ量削減用スリット発生
部１７はステップ１１１にて前記と同様にしてＸ軸と垂
直にスリットを発生させ、着目している任意角辺を複数
の線分に分割する。即ち、図９（ｂ）に示す基本図形４
６では前記最小間隔で分割線ＤをＸ軸と垂直に発生さ
せ、互いに隣合う一対の分割線Ｄによって挟まれる領域
をそれぞれスリットＳとして任意角辺４１を分割する。
又、図示しないが、図８（ａ）に示す基本図形４５の任
意角辺４１もＸ軸と垂直に発生させたスリットによって
同様に分割される。従って、図９（ｂ）に示す基本図形
４６の任意角辺４１と、図８（ａ）に示す基本図形４５
の任意角辺４１とは同数のスリットＳにて分割されると
ともに、このスリットＳの数は２つとなる。

【００４８】ステップ１０７にて階段近似処理部１８に
より、前記と同様にして階段近似処理が実行され、図９
（ｃ）に示すように、任意角辺４１は各近似線分１及び
分割線Ｄ上の線分２によって階段状に近似される。そし
て、ステップ１１２で前記と同様にして、ステップ１０
７で階段近似した基本図形が回転処理を行ったものか否
かが判定され、回転処理を行ったものである場合には、
ステップ１１３で当該図形を−９０度（ＸＹ座標におい
て時計方向）回転させ、回転処理を行ったものでない場
合にはそのままとする。従って、図９（ｃ）に示す図形
は図９（ｄ）に示すように元の状態に回転配置される。
尚、図９（ｃ），図９（ｄ）は全ての任意角辺４１〜４
４を階段状に近似した近似図形４６Ａを示している。

【００４９】ステップ１１３の処理が終了すると、前記
ステップ１０１に戻り、基本図形中に未処理の任意角辺
がなくなるまで、ステップ１０１，１０２，１０４，１
１０〜１１３の処理が実行され、前記と同様にして図９
（ａ）の基本図形４６における任意角辺４２〜４４が階
段状に近似される。従って、図９（ａ）に示した基本図
形４６は図９（ｄ）に示すように２つの近似線分１にて
近似された近似図形４６Ａとなる。

【００５０】このように、本実施例ではＸＹ座標のＸ軸
に対する任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度未満のと
き、又は４５度より大きいとき、当該任意角辺を有する
基本図形を９０度回転させ、分割線をＸ軸と垂直に発生
させて当該任意角辺を階段状に近似した後、当該基本図
形を反対方向に９０度復帰回転させるようにしている。
従って、本実施例においても複数の基本図形データにお
ける各任意角辺と当該任意角辺を分割するスリットの分
割線とがなす角度の絶対値は全て４５度未満となるか、
又は４５度より大きくなり、全ての任意角辺を同一の条
件で分割して階段近似の精度を均一化することができ
る。

【００５１】又、本実施例においても高精度階段近似用
スリット発生部１６を選択すれば、各任意角辺を高精度
に近似でき、半導体装置に要求される特性を精度の高い
ものにできる。又、頂点データ量削減用スリット部１７
を選択すれば、頂点データ量を低減でき、階段近似の処
理時間を短縮化できる。尚、上記各実施例では基準座標
軸をＸ軸としたが、Ｙ軸を基準座標軸として処理を実行
してもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上詳述したように、第１及び第４発明
によれば、直交二次元座標のいずれか一方の座標軸を基
準としたときその基準座標軸に対する傾斜角度の絶対値
が４５度とならない任意角辺を有する複数の基本図形デ
ータに対して露光データ作成のための図形処理を行うに
際し、任意角辺の階段近似の精度を均一化して半導体装
置に要求される特性の均一化を図ることができる優れた
効果がある。

【００５３】又、第２及び第５発明によれば、半導体装
置の特性の均一化を図りつつ、基本図形で見積もった特
性に近い特性を得られるように任意角辺を階段近似する
ことができる優れた効果がある。更に、第３及び第６発
明によれば、半導体装置の特性の均一化を図りつつ、階
段近似処理の処理時間を短縮化することができる優れた
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例における任意角辺処理条件対応型露
光データ作成処理装置の構成を示す図である。

【図２】第１実施例における任意角辺処理条件対応型階
段近似処理装置の処理を説明するフローチャートであ
る。

【図３】（ａ），（ｂ）は第１実施例における作用説明
図である。

【図４】（ａ），（ｂ）は第１実施例における作用説明
図である。

【図５】（ａ），（ｂ）は第１実施例における作用説明
図である。

【図６】（ａ），（ｂ）は第１実施例における作用説明
図である。

【図７】第２実施例における任意角辺処理条件対応型階
段近似処理装置の処理を説明するフローチャートであ
る。

【図８】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は第２実施例
における作用説明図である。

【図９】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は第２実施例
における作用説明図である。

【図１０】従来例における作用説明図である。

【図１１】従来例における作用説明図である。

【符号の説明】

１近似線分２線分２１〜２４，３１〜３４，４１〜４４任意角辺２５，２６，３５，３６，４５，４６基本図形２５Ａ，２６Ａ，３５Ａ，３６Ａ，４５Ａ，４６Ａ近
似図形Ｄ分割線Ｌ仮想中心線Ｓスリット、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G06F 17/50 G03F 1/08 H01L 21/027 G06T 3/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】直交二次元座標のいずれか一方の座標軸
を基準としたときその基準座標軸に対する傾斜角度の絶
対値が４５度とならない任意角辺を有する複数の基本図
形データに対して露光データ作成のための図形処理を行
うに際し、直交二次元座標の２つの座標軸のうち、前記
基準座標軸又は他方の座標軸と垂直に描画図形作成のた
めの最小間隔の整数倍の等間隔で分割線を発生させ、互
いに隣合う一対の分割線によって挟まれる領域をそれぞ
れスリットとして各任意角辺を複数の線分に分割し、各
スリットには分割線と平行に仮想中心線を発生させ、そ
の仮想中心線と各任意角辺との交点を通過して分割線と
直交する近似線分を発生させ、互いに隣接する一対のス
リットにおける各近似線分の端点間を各スリットの分割
線上に発生させた線分によって結ぶことにより任意角辺
を階段状に近似させるようにした図形処理方法におい
て、前記基準座標軸に対する各任意角辺の傾斜角度の絶
対値が、４５度未満のときと４５度より大きいときとで
はそれぞれ異なる座標軸と垂直に分割線を発生させて各
任意角辺を階段状に近似させるようにしたことを特徴と
する図形処理方法。
【請求項２】前記基準座標軸に対する各任意角辺の傾
斜角度の絶対値が４５度未満のときにはその基準座標軸
と垂直に分割線を発生させ、前記基準座標軸に対する各
任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいとき
には前記他方の座標軸と垂直に分割線を発生させて当該
任意角辺を階段状に近似させるようにしたことを特徴と
する請求項１記載の図形処理方法。
【請求項３】前記基準座標軸に対する各任意角辺の傾
斜角度の絶対値が４５度未満のときには前記他方の座標
軸と垂直に分割線を発生させ、前記基準座標軸に対する
各任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度よりも大きいと
きにはその基準座標軸と垂直に分割線を発生させて当該
任意角辺を階段状に近似させるようにしたことを特徴と
する請求項１記載の図形処理方法。
【請求項４】直交二次元座標のいずれか一方の座標軸
を基準としたときその基準座標軸に対する傾斜角度の絶
対値が４５度とならない任意角辺を有する複数の基本図
形データに対して露光データ作成のための図形処理を行
うに際し、前記基準座標軸と垂直に描画図形作成のため
の最小間隔の整数倍の等間隔で分割線を発生させ、互い
に隣合う一対の分割線によって挟まれる領域をそれぞれ
スリットとして各任意角辺を複数の線分に分割し、各ス
リットには分割線と平行に仮想中心線を発生させ、その
仮想中心線と各任意角辺との交点を通過して分割線と直
交する近似線分を発生させ、互いに隣接する一対のスリ
ットにおける各近似線分の端点間を各スリットの分割線
上に発生させた線分によって結ぶことにより任意角辺を
階段状に近似させるようにした図形処理方法において、
各基本図形データの各任意角辺について、前記基準座標
軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の絶対値が４５度未
満のとき、又は前記基準座標軸に対する当該任意角辺の
傾斜角度の絶対値が４５度より大きいとき、当該任意角
辺を有する基本図形データを９０度回転させ、前記基準
座標軸と垂直に分割線を発生させて当該任意角辺を階段
状に近似させた後、当該基本図形データを反対方向に９
０度復帰回転させるようにしたことを特徴とする図形処
理方法。
【請求項５】各基本図形データの各任意角辺につい
て、前記基準座標軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の
絶対値が４５度よりも大きいとき、当該任意角辺を有す
る基本図形データを９０度回転させて当該任意角辺を階
段状に近似させるようにしたことを特徴とする請求項４
記載の図形処理方法。
【請求項６】各基本図形データの各任意角辺につい
て、前記基準座標軸に対する当該任意角辺の傾斜角度の
絶対値が４５度未満のとき、当該任意角辺を有する基本
図形データを９０度回転させて当該任意角辺を階段状に
近似させるようにしたことを特徴とする請求項４記載の
図形処理方法。