JP2984147B2 - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
- Publication number
- JP2984147B2 JP2984147B2 JP4184396A JP18439692A JP2984147B2 JP 2984147 B2 JP2984147 B2 JP 2984147B2 JP 4184396 A JP4184396 A JP 4184396A JP 18439692 A JP18439692 A JP 18439692A JP 2984147 B2 JP2984147 B2 JP 2984147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface treatment
- treatment method
- laser
- scattered
- laser irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ表面処理方法に
おいて、飛散する物質の材料への付着を防止する表面処
理方法に関する。
おいて、飛散する物質の材料への付着を防止する表面処
理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザによる表面処理方法、特に紫外線
照射による表面処理方法では、レーザ照射領域近傍に飛
散した物質が材料に付着するため、レーザ処理後に除去
する必要がある。特に有機物、高分子材料での付着物は
顕著である。その除去方法は、アルコールなどの有機溶
剤による洗浄が主流であり、液体であるために、付着物
除去後に乾燥工程が必要である。また、他の対策とし
て、対象物の表面に薄いフィルムを貼り、フィルムごと
表面処理を行い、その後フィルムを剥し、フィルム上の
付着物を処理する方法がある。
照射による表面処理方法では、レーザ照射領域近傍に飛
散した物質が材料に付着するため、レーザ処理後に除去
する必要がある。特に有機物、高分子材料での付着物は
顕著である。その除去方法は、アルコールなどの有機溶
剤による洗浄が主流であり、液体であるために、付着物
除去後に乾燥工程が必要である。また、他の対策とし
て、対象物の表面に薄いフィルムを貼り、フィルムごと
表面処理を行い、その後フィルムを剥し、フィルム上の
付着物を処理する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の付着物
除去の方法である有機溶剤による洗浄では、付着物除去
後にアブレーション対象物を乾燥させる必要があり、工
程が複雑になる。また、アブレーション対象物にフィル
ムを貼る方法では、フィルムが無駄であり、工程も増え
るという問題がある。
除去の方法である有機溶剤による洗浄では、付着物除去
後にアブレーション対象物を乾燥させる必要があり、工
程が複雑になる。また、アブレーション対象物にフィル
ムを貼る方法では、フィルムが無駄であり、工程も増え
るという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決し、レー
ザアブレーションの飛散物を除去し、アブレーション対
象物への付着を防止する表面処理方法を提供することに
ある。
ザアブレーションの飛散物を除去し、アブレーション対
象物への付着を防止する表面処理方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明における表面処理方法は、電極とマスク電極間
に電圧を印加して材料の表面と垂直方向の電界を作り、
マスク電極をマスクとして利用し、材料の表面処理を行
う部分にレーザを照射し、飛散した物質をマスク電極で
トラップすることにより飛散した物質の材料への付着を
防止することに特徴を有している。また、本発明におけ
る表面処理方法は、レーザを照射する部分だけを覆うよ
うな小型容器を材料に載置し、この小型容器内を真空中
かつ真空ポンプで排気しながらレーザ照射を行い、材料
のレーザ照射部分と照射しない部分を小型容器で遮蔽し
ながら飛散した物質の材料への付着を防止することに特
徴を有している。さらに、本発明における表面処理方法
は、鉛直方向下向きからレーザを照射し、飛散した物質
を鉛直方向下向きに落下させ、表面に飛散物を付着させ
ないことに特徴を有している。
に本発明における表面処理方法は、電極とマスク電極間
に電圧を印加して材料の表面と垂直方向の電界を作り、
マスク電極をマスクとして利用し、材料の表面処理を行
う部分にレーザを照射し、飛散した物質をマスク電極で
トラップすることにより飛散した物質の材料への付着を
防止することに特徴を有している。また、本発明におけ
る表面処理方法は、レーザを照射する部分だけを覆うよ
うな小型容器を材料に載置し、この小型容器内を真空中
かつ真空ポンプで排気しながらレーザ照射を行い、材料
のレーザ照射部分と照射しない部分を小型容器で遮蔽し
ながら飛散した物質の材料への付着を防止することに特
徴を有している。さらに、本発明における表面処理方法
は、鉛直方向下向きからレーザを照射し、飛散した物質
を鉛直方向下向きに落下させ、表面に飛散物を付着させ
ないことに特徴を有している。
【０００６】
【作用】高分子などの有機物から成る材料へのレーザ照
射は、照射近傍に飛散物が付着しやすい。この飛散物の
付着を防止する方法として、レーザ照射により飛散した
物質は帯電している。従って、レーザ照射を材料の表面
と垂直方向の電界中で行い、材料への付着を防止する。
また、飛散物は、大気中の気体分子と衝突し、材料表面
に付着する物もあることから、レーザを照射する部分に
小型容器を載置し、この小型容器内を真空中で照射を行
い、材料表面への付着をなくす。さらに、上記の各々の
処理方法に加えて、衝突と重力により落下する飛散物を
防止するため、鉛直方向下向きからレーザを照射し、自
由落下させる。以上のように、本発明においては、レー
ザアブレーションにより飛散した物質を母材表面に付着
することなしに、除去させる。
射は、照射近傍に飛散物が付着しやすい。この飛散物の
付着を防止する方法として、レーザ照射により飛散した
物質は帯電している。従って、レーザ照射を材料の表面
と垂直方向の電界中で行い、材料への付着を防止する。
また、飛散物は、大気中の気体分子と衝突し、材料表面
に付着する物もあることから、レーザを照射する部分に
小型容器を載置し、この小型容器内を真空中で照射を行
い、材料表面への付着をなくす。さらに、上記の各々の
処理方法に加えて、衝突と重力により落下する飛散物を
防止するため、鉛直方向下向きからレーザを照射し、自
由落下させる。以上のように、本発明においては、レー
ザアブレーションにより飛散した物質を母材表面に付着
することなしに、除去させる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。材料として印刷回路基板金属表面または樹脂部（こ
こでは、ＰＧＡ［Pin Grid Array］）を用いている。実
施例１：エキシマレーザ５による高分子のアブレーショ
ンでは、アブレーション対象物表面及び飛散物が帯電す
ることが知られている。従って、ＰＧＡ１をその表面と
垂直方向の電界中に挿入することにより、アブレーショ
ン時に飛散してくる飛散物２をマスク電極６でトラップ
することができる。図１はそのときの外観図である。こ
のとき、レーザの照射方向と電極の方向が一致している
が、エキシマレーザ５の加工方法で、一般的なマスクイ
メージング方法を用いて、電極そのものをマスク替わり
にすれば有効である。また、ＰＧＡ１と電極７を導通さ
せることにより、飛散物２と電極の電位差が大きくなり
効果は増大する。また、ＰＧＡ１そのものに電位がある
とアブレーション時の飛散のしやすさ（結合の分解）が
容易になる。このとき、アブレーション対象物により帯
電電位は異なるので、材料別に電位を変化させてやる必
要がある。たとえば、ポリイミドの場合はレーザ照射に
より、表面電位は１Ｖ程度上昇する。従って、トラップ
側のマスク電極６の電位は、プラス電位が望ましい。
る。材料として印刷回路基板金属表面または樹脂部（こ
こでは、ＰＧＡ［Pin Grid Array］）を用いている。実
施例１：エキシマレーザ５による高分子のアブレーショ
ンでは、アブレーション対象物表面及び飛散物が帯電す
ることが知られている。従って、ＰＧＡ１をその表面と
垂直方向の電界中に挿入することにより、アブレーショ
ン時に飛散してくる飛散物２をマスク電極６でトラップ
することができる。図１はそのときの外観図である。こ
のとき、レーザの照射方向と電極の方向が一致している
が、エキシマレーザ５の加工方法で、一般的なマスクイ
メージング方法を用いて、電極そのものをマスク替わり
にすれば有効である。また、ＰＧＡ１と電極７を導通さ
せることにより、飛散物２と電極の電位差が大きくなり
効果は増大する。また、ＰＧＡ１そのものに電位がある
とアブレーション時の飛散のしやすさ（結合の分解）が
容易になる。このとき、アブレーション対象物により帯
電電位は異なるので、材料別に電位を変化させてやる必
要がある。たとえば、ポリイミドの場合はレーザ照射に
より、表面電位は１Ｖ程度上昇する。従って、トラップ
側のマスク電極６の電位は、プラス電位が望ましい。
【０００８】実施例２：図２は、ＰＧＡ１を真空チャン
バー内に入れずに、エキシマレーザ５を照射する部分に
レンズ１２を設けた小型容器１３を載置し、小型容器１
３を載置した部分だけを簡易的に真空にする。真空中か
つ真空ポンプで排気しながらレンズ１２を通してエキシ
マレーザ５を照射し、レーザアブレーションを行うこと
により、飛散物２を小型容器１３の外に排気し、ＰＧＡ
１への付着を防止する方法である。レーザアブレートさ
れた飛散物２は、大気中の気体分子と衝突し、ＰＧＡ１
の表面に付着するので、衝突する分子数を根本的に減少
させ、付着を防止する。
バー内に入れずに、エキシマレーザ５を照射する部分に
レンズ１２を設けた小型容器１３を載置し、小型容器１
３を載置した部分だけを簡易的に真空にする。真空中か
つ真空ポンプで排気しながらレンズ１２を通してエキシ
マレーザ５を照射し、レーザアブレーションを行うこと
により、飛散物２を小型容器１３の外に排気し、ＰＧＡ
１への付着を防止する方法である。レーザアブレートさ
れた飛散物２は、大気中の気体分子と衝突し、ＰＧＡ１
の表面に付着するので、衝突する分子数を根本的に減少
させ、付着を防止する。
【０００９】実施例３：大気中におけるレーザアブレー
ションによる付着物は、レーザアブレートした飛散物が
大気中の気体分子と衝突し、材料表面に落下して付着す
るものが多い。従って、飛散物の落下を無くすためにレ
ーザ照射を鉛直方向上向きにし、飛散物の飛散方向を鉛
直方向下向きにすることにより、飛散物の付着を防止す
る。図４は、上記方法の実施例であり、ＰＧＡ１にエキ
シマレーザ５を下から照射している。この場合、上述の
他の実施例と組み合わせて行う。
ションによる付着物は、レーザアブレートした飛散物が
大気中の気体分子と衝突し、材料表面に落下して付着す
るものが多い。従って、飛散物の落下を無くすためにレ
ーザ照射を鉛直方向上向きにし、飛散物の飛散方向を鉛
直方向下向きにすることにより、飛散物の付着を防止す
る。図４は、上記方法の実施例であり、ＰＧＡ１にエキ
シマレーザ５を下から照射している。この場合、上述の
他の実施例と組み合わせて行う。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明による表面
処理方法によれば、レーザアブレーションにより生じる
アブレーション対象物表面の付着物をなくすことがで
き、対象物表面をアブレーション処理前の状態にしてお
くことができる。
処理方法によれば、レーザアブレーションにより生じる
アブレーション対象物表面の付着物をなくすことがで
き、対象物表面をアブレーション処理前の状態にしてお
くことができる。
【図１】本発明の第１実施例における表面処理方法の説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の第２実施例における表面処理方法の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の第３実施例における表面処理方法の説
明図である。
明図である。
１ ＰＧＡ ２ 飛散物 ５ エキシマレーザ ６ マスク電極 ７ 電極 １２ レンズ １３ 小型容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−128097（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−271090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−180393（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−248794（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−158998（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−238192（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−28478（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−77693（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−31086（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 26/00 - 26/16
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ照射による表面処理方法におい
て、 電極とマスク電極間に電圧を印加して材料の表面と垂直
方向の電界を作り、 マスク電極をマスクとして利用し、材料の表面処理を行
う部分にレーザを照射し、 飛散した物質をマスク電極でトラップすることにより飛
散した物質の材料への付着を防止することを特徴とする
表面処理方法。 - 【請求項２】 レーザ照射による表面処理方法におい
て、 レーザを照射する部分だけを覆うような小型容器を材料
に載置し、 この小型容器内を真空中かつ真空ポンプで排気しながら
レーザ照射を行い、 材料のレーザ照射部分と照射しない部分を小型容器で遮
蔽しながら飛散した物質の材料への付着を防止すること
を特徴とする表面処理方法。 - 【請求項３】 レーザ照射による表面処理方法におい
て、 鉛直方向下向きからレーザを照射し、 飛散した物質を鉛直方向下向きに落下させ、表面に飛散
物を付着させないことを特徴とする請求項１または２記
載の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184396A JP2984147B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4184396A JP2984147B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06684A JPH06684A (ja) | 1994-01-11 |
| JP2984147B2 true JP2984147B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16152441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4184396A Expired - Fee Related JP2984147B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984147B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3373638B2 (ja) * | 1994-03-09 | 2003-02-04 | 株式会社東芝 | レーザーピーニング方法 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4184396A patent/JP2984147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06684A (ja) | 1994-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3209875B2 (ja) | 基板の製造方法及び基板 | |
| JP2984147B2 (ja) | 表面処理方法 | |
| JPH05281752A (ja) | 集束イオンビームによる加工方法 | |
| JP2655094B2 (ja) | 電子銃蒸着装置 | |
| JPS62195662A (ja) | マスクリペア方法及び装置 | |
| JPH10335399A (ja) | 試料処理装置および方法 | |
| JP3082013B2 (ja) | レーザ加工方法および装置 | |
| JP3018041B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP3189828B2 (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP3619698B2 (ja) | 電子部品搭載用基板の表面改質方法 | |
| JPH05279844A (ja) | レーザーアブレーション装置 | |
| JP3116792B2 (ja) | プラズマクリーニング装置およびプラズマクリーニング方法 | |
| JP3034259B2 (ja) | 有機化合物膜の除去方法 | |
| JPH04260326A (ja) | 半導体基板の異物除去方法 | |
| JPH08155379A (ja) | 微粒子膜の転写付着方法 | |
| JP2004014688A (ja) | 回転処理装置 | |
| JP3074375B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置および集束イオンビーム加工方法 | |
| JP2699200B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03125428A (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JP3341927B2 (ja) | 固体表面の清浄化方法及び装置 | |
| JPS61124568A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JP2580085Y2 (ja) | 電子線硬化装置 | |
| JPS6053023A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH07312337A (ja) | 基板加熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |