JP2982413B2 - Common defect inspection method - Google Patents
Common defect inspection methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、複数の同一のチップパ
ターンが形成される一面付レチクルにおける繰り返して
現われるパターンの同一場所にある同一形状の共通欠陥
を検査する共通欠陥検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a common defect inspection method for inspecting a common defect having the same shape at the same position of a pattern that appears repeatedly on a single-sided reticle on which a plurality of identical chip patterns are formed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の共通欠陥検査は、ガラス
板あるいはシリコンウェーハ上にフォトリソグラフィー
法によりレチクルのチップパターンを転写し、この転写
されたチップパターンを比較することによって欠陥検査
を行っていた。すなわち、この方法は、図２に示す共通
欠陥検査装置を用いられていた。この方法は、まず、左
顕微鏡３と右顕微鏡４の下にあるウェーハ１におけるそ
れぞれのチップのパターンを撮像し、これら撮像信号を
比較演算部６で処理し、ＣＲＴ７で表示し、その違いを
見つけ共通欠陥としていた。すなわち、２つのチップ間
に相違点が同じ場所にあるかどうかを確認することによ
り共通欠陥検査を行っていた。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of common defect inspection is performed by transferring a chip pattern of a reticle onto a glass plate or a silicon wafer by photolithography and comparing the transferred chip patterns. Was. That is, in this method, the common defect inspection apparatus shown in FIG. 2 was used. In this method, first, a pattern of each chip on the wafer 1 under the left microscope 3 and the right microscope 4 is imaged, these imaged signals are processed by the comparison operation unit 6, displayed on the CRT 7, and the difference is found. It was a common defect. That is, the common defect inspection is performed by confirming whether or not the difference exists between the two chips at the same place.
【０００３】また、別の方法として、レチクル上におけ
るチップパターンデータとウェーハに形成されたチップ
パターンデータを直接比較する方法がある。この方法は
レチクルのパターンデータを縮小寸法になるようにデー
タ変換したり、露光現像後の近接効果を考慮してレチク
ルのパターンデータをウェーハに転写されるパターンデ
ータに変換し、比較出来るデータにしてから互いのデー
タを比較する方法である。Another method is to directly compare chip pattern data on a reticle with chip pattern data formed on a wafer. This method converts the reticle pattern data to a reduced size, or converts the reticle pattern data to pattern data transferred to the wafer in consideration of the proximity effect after exposure and development, and makes it comparable data. Is a method of comparing data with each other.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】この従来の共通欠陥検
査方法で前者の場合は、ガラスやシリコンのウェーハ上
にフォトリソグラフィー法によりレチクルのチップパタ
ーンを形成しウェーハにおける左右のチップ内における
パターンどうしを画像比較するため二面付以上のレチク
ルのようにレチクル上の異なるチップに異なるパターン
を含んでいるため、比較検査できるが、一面付レチクル
のように、レチクル上に同一パターンが形成されている
ので、パターンを比較しても凝似欠陥として検査される
ので正確な検査が困難である。In the former common defect inspection method, in the former case, a reticle chip pattern is formed on a glass or silicon wafer by a photolithography method, and patterns in left and right chips on the wafer are compared with each other. Since different patterns are included in different chips on the reticle like a reticle with two or more sides for image comparison, comparison and inspection can be performed, but since the same pattern is formed on the reticle like a reticle with one side. Even if patterns are compared, it is difficult to perform accurate inspection because they are inspected as pseudo defects.
【０００５】また、後者のレチクルパターンデータとチ
ップに形成されたパターンデータとを比較するときは、
データ構造の違う２つのデータを変換してから比較する
という煩雑な処理が必要であり、時間がかかるという問
題やウェーハ上のチップパターンの露光現像後の寸法変
化やホールパターン等の近接効果による形状変化により
凝似欠陥として見なしてまう問題がある。When comparing the latter reticle pattern data with the pattern data formed on the chip,
Complicated processing of converting two data with different data structures and then comparing them is necessary, which takes time, the dimensional change after exposure and development of a chip pattern on a wafer, and the shape due to proximity effects such as hole patterns. There is a problem that it is regarded as a pseudo defect due to change.
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
一面付レチクルの共通欠陥を正確に検査出来る共通欠陥
検査方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a common defect inspection method capable of accurately inspecting a common defect of a one-sided reticle to solve such a problem.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の共通欠陥検査方
法は、第１の一面付レチクルを用いて第１のウェーハ上
に第１および第２のチップパターンを形成する工程と、
第２の一面付レチクルを用いて第２のウェーハ上に第３
および第４のチップパターンを形成する工程と、前記第
１乃至第４のチップパターンを撮像し画像データを画像
データ記憶部に記憶する工程と、前記第１のチップパタ
ーンのデータと第３のチップパターンのデータを比較す
ることで欠陥部の座標を決定し第１の座標として記憶す
る工程と、前記第２のチップパターンのデータと第４の
チップパターンのデータを比較することで欠陥部の座標
を決定し第２の座標として記憶する工程と、前記第１の
座標と前記第２の座標を比較し第１の一面付レチクルお
よび第２の一面付レチクルの欠陥を検出する工程とを有
することを特徴とする。According to the present invention, there is provided a method of inspecting a common defect, comprising: forming a first and a second chip pattern on a first wafer by using a first one-sided reticle;
Using a second one-sided reticle, place a third reticle on the second wafer.
Forming the first and fourth chip patterns, storing the image data in the image data storage unit by capturing the first to fourth chip patterns, and storing the data of the first chip pattern and the third chip. Determining the coordinates of the defective portion by comparing the data of the patterns and storing the coordinates as the first coordinates; and comparing the data of the second chip pattern with the data of the fourth chip pattern to obtain the coordinates of the defective portion. And storing as a second coordinate, and comparing the first coordinate with the second coordinate to detect a defect of the first single-sided reticle and the second single-sided reticle. It is characterized by.
【０００８】[0008]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００９】図１は本発明の共通欠陥検査方法一実施例
を説明するための共通欠陥検査装置を示す概略図であ
る。この共通欠陥検査方法は、図１に示す共通欠陥検査
装置を使用したことであるこの共通欠陥検査装置は、パ
ターンデータを記憶する画像データ記憶部５を設けたこ
とである。それ以外は従来例と同じである。FIG. 1 is a schematic diagram showing a common defect inspection apparatus for explaining an embodiment of a common defect inspection method according to the present invention. This common defect inspection method uses the common defect inspection device shown in FIG. 1. This common defect inspection device is provided with an image data storage unit 5 for storing pattern data. Otherwise, it is the same as the conventional example.
【００１０】次に、この共通欠陥検査方法について説明
する。まず、同一製品・同一工程の一面付レチクルを２
枚使用し、フォトリソグラフィー法によりそれぞれをガ
ラス板あるいはウェーハパターン形成する。次に、第１
のレチクルでパターン形成された第１のウェーハ上の２
つのチップを左右２つの顕微鏡３，４で同時に走査し、
撮像する。次に、それぞれの顕微鏡から得られたチップ
パターンのデータを同様に２つ別々に画像データ記憶部
５に記憶する。次に、第１のレチクルでパターンが形成
されたウェーハ上を左顕微鏡３で走査して得られた画像
データと、第２のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ左顕微鏡３で走査して得られた画像データを画像デ
ータ記憶部５から抽出し、比較演算部６でこれら２つの
画像データを比較し両者間で相違点つまり欠陥があれば
これをチップパターン上の座標で記憶する。（比較デー
タ１）次に第１のレチクルでパターンが形成されたウェ
ーハ上を右顕微鏡４で走査して、得られた画像データと
第２のレチクルでパターンが形成されたウェーハ上を右
顕微鏡４で走査して得られた画像データで同様に比較し
て両者間で相違点つまり欠陥があればこれをチップパタ
ーン上の座標で記憶する。（比較データ２）さらに比較
データ１と比較データ２を比較演算部６で比較し、チッ
プパターン上の同じ座標に欠陥があれば共通欠陥の疑い
があるので、その部分の画像データをＣＲＴ７上に写し
出して人間の目で共通欠陥がどうか確認する。Next, the common defect inspection method will be described. First, two reticles of the same product and one process with one surface
Each of them is used, and a glass plate or a wafer pattern is formed by photolithography. Next, the first
2 on the first wafer patterned with the reticle
One chip is scanned simultaneously by two microscopes 3 and 4 on the left and right,
Take an image. Next, two pieces of chip pattern data obtained from the respective microscopes are similarly separately stored in the image data storage unit 5. Next, image data obtained by scanning the wafer on which the pattern is formed with the first reticle with the left microscope 3 and image data obtained by scanning the wafer with the pattern formed with the second reticle with the left microscope 3 The extracted image data is extracted from the image data storage unit 5, and the comparison operation unit 6 compares these two image data. If there is a difference between the two, that is, a defect, this is stored as coordinates on the chip pattern. (Comparative data 1) Next, the right microscope 4 scans the wafer on which the pattern is formed with the first reticle, and obtains the obtained image data and the right microscope 4 on the wafer on which the pattern is formed with the second reticle. Similarly, if there is a difference, that is, a defect between the two, the image data obtained by scanning is stored as coordinates on the chip pattern. (Comparison data 2) Further, the comparison data 1 and the comparison data 2 are compared by the comparison operation unit 6, and if there is a defect at the same coordinates on the chip pattern, there is a suspicion of a common defect. Project and check with the human eye for common defects.
【００１１】また、欠陥が無いことが確認されたレチク
ルでウェーハ上に形成されたチップパターンの画像デー
タを比較演算部６に入力し、この画像データと別のレチ
クルでウェーハ上に形成されたチップパターンを走査し
ながら比較することにより共通欠陥検査を行っても良
い。この実施例の場合、毎回２枚のレチクルを使用して
ウェーハ上にパターン形成し、比較検査を行う必要がな
いため検査時間を短縮できる利点がある。Further, image data of a chip pattern formed on a wafer with a reticle confirmed to be free of defects is input to a comparison operation section 6, and a chip formed on the wafer with a different reticle from this image data. A common defect inspection may be performed by comparing patterns while scanning them. In the case of this embodiment, there is an advantage that it is not necessary to form a pattern on a wafer using two reticles each time and perform a comparative inspection, thereby shortening the inspection time.
【００１２】[0012]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一面付レ
チクルを２枚使用してそれぞれのレチクルでパターン形
成した２枚のウェーハのチップパターンを画像データと
して別々に記憶し、この２つの画像データを比較するこ
とにより検査を行うようにしたので、一面付きレチクル
の共通欠陥を正確に検査できる共通欠陥検査方法が得ら
れるという効果がある。As described above, according to the present invention, two chip reticles are used, and the chip patterns of two wafers formed by the respective reticles are separately stored as image data. Since the inspection is performed by comparing data, there is an effect that a common defect inspection method capable of accurately inspecting a common defect of a one-sided reticle can be obtained.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の共通欠陥検査方法の一実施例の説明す
るための共通欠陥検査装置を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a common defect inspection apparatus for explaining one embodiment of a common defect inspection method of the present invention.
【図２】従来の共通欠陥検査方法の一例を説明するため
の共通欠陥検査装置を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a common defect inspection apparatus for explaining an example of a conventional common defect inspection method.
１ ウェーハ ２ ステージ ３ 左顕微鏡 ４ 右顕微鏡 ５ 画像データ記憶部 ６ 比較演算部 ７ ＣＲＴ Reference Signs List 1 wafer 2 stage 3 left microscope 4 right microscope 5 image data storage unit 6 comparison operation unit 7 CRT
Claims (1)
ーハ上に第１および第２のチップパターンを形成する工
程と、第２の一面付レチクルを用いて第２のウェーハ上
に第３および第４のチップパターンを形成する工程と、
前記第１乃至第４のチップパターンを撮像し画像データ
を画像データ記憶部に記憶する工程と、前記第１のチッ
プパターンのデータと第３のチップパターンのデータを
比較することで欠陥部の座標を決定し第１の座標として
記憶する工程と、前記第２のチップパターンのデータと
第４のチップパターンのデータを比較することで欠陥部
の座標を決定し第２の座標として記憶する工程と、前記
第１の座標と前記第２の座標を比較し第１の一面付レチ
クルおよび第２の一面付レチクルの欠陥を検出する工程
とを有することを特徴とする共通欠陥検査方法。1. A step of forming first and second chip patterns on a first wafer using a first one-sided reticle, and a step of forming first and second chip patterns on a second wafer using a second one-sided reticle. Forming third and fourth chip patterns;
Capturing the first to fourth chip patterns and storing the image data in an image data storage unit; and comparing the data of the first and third chip patterns with the coordinates of the defective part by comparing the data of the first and third chip patterns. And determining the coordinates of the defective portion by comparing the data of the second chip pattern with the data of the fourth chip pattern, and storing the coordinates of the defective portion as the second coordinates. A step of comparing the first coordinates with the second coordinates to detect a defect of the first one-sided reticle and the second one-sided reticle.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3217659A JP2982413B2 (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Common defect inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| JPH05218159A JPH05218159A (en) | 1993-08-27 |
| JP2982413B2 true JP2982413B2 (en) | 1999-11-22 |
Family
ID=16707713
Family Applications (1)
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| JP3217659A Expired - Lifetime JP2982413B2 (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Common defect inspection method |
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| JP (1) | JP2982413B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108801914B (en) * | 2018-05-29 | 2020-11-24 | 华中科技大学 | Method and system for detecting forming defects of multi-groove profile plate |
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1991
- 1991-08-29 JP JP3217659A patent/JP2982413B2/en not_active Expired - Lifetime
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