JP2982266B2 - Negative photosensitive composition - Google Patents
Negative photosensitive compositionInfo
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は一般に輻射線に感応するネガ型感光性組成物
に関するものであり、更に詳しくは、半導体集積回路を
作成するネガ型フォトレジストに関するものである。Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to radiation-sensitive negative photosensitive compositions, and more particularly to negative photoresists for making semiconductor integrated circuits. It is.
［従来の技術］ 半導体集積回路の高集積度化は、一般に言われるよう
に、３年間に４倍のスピードで進行し、例えばダイナミ
ックランダムアクセスメモリーを例に取れば、現在では
4Mビットの記憶容量を持つものが本格生産されている。[Prior Art] As is generally said, the degree of integration of semiconductor integrated circuits progresses four times faster in three years. For example, if a dynamic random access memory is taken as an example,
Those with a storage capacity of 4M bits are in full production.
集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラフィー技術
に対する要求も年々厳しくなってきている。例えば、4M
ビットDRAMの生産には、0.8μｍレベルのリソグラフィ
ー技術が必要とされ、更に高集積度が進んだ16M、64MDR
AMにおいては、それぞれ0.5μｍ、0.3μｍレベルのリソ
グラフィーが必要とされると予想されている。したがっ
てハーフミクロンリソグラフィーに対応できるレジスト
の開発が切望されていた。The demand for photolithography technology, which is indispensable for the production of integrated circuits, is increasing year by year. For example, 4M
The production of bit DRAM requires lithography technology at the 0.8 μm level, and 16M and 64MDR with higher integration
In AM, it is expected that lithography at the 0.5 μm and 0.3 μm levels will be required, respectively. Therefore, development of a resist that can support half-micron lithography has been desired.
フォトリソグラフィーに使用されるレジストとして、
環化ゴムと架橋剤としてビスアジドを使用するネガ型レ
ジストは周知である。しかしながらこの系は現像に有機
溶剤を必要とするため、現像時に膨潤が起こり、画像の
解像力は３μｍ程度が限界であり、高集積度のデバイス
を製造するには不適当である。また、現像に用いる有機
溶剤は環境上、健康上の面、或は、引火性等の点でも問
題が多い。As a resist used for photolithography,
Negative resists that use cyclized rubber and bisazide as a crosslinker are well known. However, since this system requires an organic solvent for development, swelling occurs at the time of development, and the resolution of an image is limited to about 3 μm, which is unsuitable for producing a highly integrated device. Further, the organic solvent used for development has many problems in terms of environment, health, and flammability.
更に、ナフトキノンジアジドとアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂からなるポジ型レジストも周知である。しかし
ながらこの系は、300nm以下に大きな吸収があり、短波
長露光を行うとパターンプロフィールが著しく劣化する
欠点がある。従って350nm程度以上の波長で露光せざる
を得ず、従って解像力に限界が生じハーフミクロンリソ
グラフィーには対応できないでいた。Further, a positive resist comprising naphthoquinonediazide and an alkali-soluble novolak resin is well known. However, this system has a large absorption below 300 nm, and has a drawback that the pattern profile is significantly deteriorated when short wavelength exposure is performed. Therefore, it is necessary to perform exposure at a wavelength of about 350 nm or more, so that the resolution is limited, and it is not possible to cope with half-micron lithography.
一方、高解像力リソグラフィーに対応できる候補とし
て、Ｘ線リソグラフィー、エレクトロンビームリソグラ
フィー等があげられるが、前者はハードウェアー及び、
レジストの面からの立ち後れがめだち、後者はスループ
ットの面で大量生産に対応できない。On the other hand, candidates for high resolution lithography include X-ray lithography and electron beam lithography, but the former is hardware and
It is difficult to handle mass production in terms of throughput because of the delay in resist.
従って、現時点において、より高い解像力を得るため
には低圧水銀灯やエキシマーレーザー等を光源とするデ
ィープUV領域の光を用いて露光出来、しかも、ハーフミ
クロンリソグラフィーに対応できるパターンプロフィー
ルの良好なレジストの開発が強く望まれている。Therefore, at present, in order to obtain higher resolution, development of a resist that can be exposed using light in the deep UV region using a low-pressure mercury lamp or excimer laser as the light source and has a pattern profile compatible with half-micron lithography Is strongly desired.
かかるレジストとして、特開昭62−164045には、酸硬
化性樹脂とある種のハロゲン化有機化合物から選ばれた
フォート酸発生剤からなるネガ型フォトレジストが開示
されている。しかしながら、解像性或は感度の点で十分
満足のいくものではない。As such a resist, JP-A-62-164045 discloses a negative photoresist comprising an acid-curable resin and a fort acid generator selected from certain halogenated organic compounds. However, they are not satisfactory in terms of resolution or sensitivity.
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、デ
ィープUV領域の光を用いても露光出来、しかも、ハーフ
ミクロンリソグラフィに対応できるパターンプロフィー
ルの良好なレジストを開発することにある。[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to achieve exposure even by using light in a deep UV region, and to achieve a good pattern profile that can support half-micron lithography. Development of resist.
［課題を解決するための手段］ 本発明者等は、上記目的を達成すべく種々検討を重ね
た結果、ポリビニルフェノール樹脂、特定の光酸発生
剤、および架橋剤を組み合わせたレジスト組成物を露光
後アルカリ水で現像することにより、非膨潤、高解像力
のパターンプロフィールを得ることができる高性能のネ
ガ型フォトレジスト組成物であるとの知見を得た。[Means for Solving the Problems] The present inventors have conducted various studies to achieve the above object, and as a result, exposed a resist composition combining a polyvinylphenol resin, a specific photoacid generator, and a crosslinking agent. After developing with alkaline water, it was found that the composition was a high-performance negative photoresist composition capable of obtaining a non-swelling and high-resolution pattern profile.
本発明はかかる知見を基に完成されたものであり、そ
の要旨は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤および酸性
条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有す
るネガ型感光性組成物において、該アルカリ可溶性樹脂
がポリビニルフェノール樹脂であり、該光酸発生剤が２
以上の臭素原子もしくはヨウ素原子のみで置換されたC1
〜C9のパラフィン系炭化水素またはC3〜C10のシクロパ
ラフィン系炭化水素であることを特徴とする半導体集積
回路作成用ネガ型感光性組成物に存する。The present invention has been completed based on such findings, and the gist of the present invention is to provide a negative photosensitive composition containing an alkali-soluble resin, a photoacid generator and a crosslinking agent for an alkali-soluble resin that operates under acidic conditions. The alkali-soluble resin is a polyvinylphenol resin, and the photoacid generator is 2
C 1 substituted with only the above bromine or iodine atom
It consists in paraffinic hydrocarbons or C 3 semiconductor integrated circuit for creating negative photosensitive composition which is a cycloparaffinic hydrocarbons -C 10 of -C 9.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂は、ポリビニ
ルフェノール樹脂である。架橋剤としては、酸存在下に
ポリビニルフェノール樹脂と架橋反応をする化合物であ
れば特に限定されないが、好ましくは、分子中に−Ｎ
（CH2OR）２基を有する化合物（Ｒは低級、アルキル基
を示す。）、特開昭59−113435号、特開昭60−263143
号、特開昭62−164045号各公報に引用されている化合
物、A.knop,L.A.Pilato著Phenolic Resins記載の化合物
等が挙げられる。中でもメラミン樹脂や尿素樹脂等のア
ミノ樹脂よりモノマーが好ましく、具体的には、R1OCH2
NHCONHCH2OR2（R1及びR2は夫々独立に水素原子またはア
ルキル基を示す。）、 下記式 （R3,R4,R5及びR6は夫々独立して、水素原子又はアルキ
ル基を示す）で示される化合物、カルボン酸アミドの−
NH2−基を−Ｎ（CH2OR7）２基で置換した化合物（R7は
低級アルキル基を示す。）、 または下記式 ［式中、Ｚは を示す。（R8及びR9は夫々独立に水素原子又はアルキル
基を示す。）］で示される化合物等が挙げられる。The alkali-soluble resin used in the present invention is a polyvinyl phenol resin. The crosslinking agent is not particularly limited as long as it is a compound that undergoes a crosslinking reaction with the polyvinylphenol resin in the presence of an acid.
(CH 2 OR) Compound having two groups (R represents a lower alkyl group), JP-A-59-113435, JP-A-60-263143
And compounds cited in JP-A-62-164045, compounds described in Phenolic Resins by A. knop and LAPilato, and the like. Among them, monomers are preferable to amino resins such as melamine resin and urea resin, and specifically, R 1 OCH 2
NHCONHCH 2 OR 2 (R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group); Wherein R 3 , R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
A compound in which an NH 2 — group is substituted with a —N (CH 2 OR 7 ) 2 group (R 7 represents a lower alkyl group), or the following formula [Where Z is Is shown. (R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.)].
尚、R1〜R9及びＲで表わされるアルキル基の炭素数は
１〜４程度である。The alkyl group represented by R 1 to R 9 and R has about 1 to 4 carbon atoms.
本発明で用いられる光酸発生剤は、２以上の臭素原子
もしくはヨウ素原子のみで置換されたC1〜C9のパラフィ
ン系炭化水素またはC3〜C10のシクロパラフィン系炭化
水素である。The photoacid generator used in the present invention is a C 1 to C 9 paraffinic hydrocarbon or a C 3 to C 10 cycloparaffinic hydrocarbon substituted with only two or more bromine atoms or iodine atoms.
臭素原子又はヨウ素原子で置換されるC1〜C9のパラフ
ィン系炭化水素としては、メタン、エタン、ｎ−プロパ
ン、ｉ−プロパン、ｎ−ブタン、ｔ−ブタン、ｎ−ペン
タン,n−ヘキサン、ｎ−オクタン等の直鎖または分枝鎖
のアルカンが挙げられ、臭素原子又はヨウ素原子で置換
されるC3〜C10のシクロパラフィン系炭化水素として
は、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカンが挙げられる。中でもC1〜C6のパラフィ
ン系炭化水素またはC5〜C7のシクロパラフィン系炭化水
素が好ましく、更に好ましくはC1〜C4のパラフィン系炭
化水素またはシクロヘキサンである。The paraffinic hydrocarbons C 1 -C 9 substituted with bromine or iodine atom, methane, ethane, n- propane, i- propane, n- butane, t-butane, n- pentane, n- hexane, include alkanes straight or branched chain n- octane, as the cycloparaffinic hydrocarbons C 3 -C 10 substituted with a bromine atom or an iodine atom, cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane,
Cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane and cyclooctane are exemplified. Among them, C 1 to C 6 paraffinic hydrocarbons or C 5 to C 7 cycloparaffinic hydrocarbons are preferred, and more preferably C 1 to C 4 paraffinic hydrocarbons or cyclohexane.
これらのパラフィン系炭化水素またはシクロパラフィ
ン系炭化水素は、２以上の臭素原子またはヨウ素原子の
みで置換されていれば、置換の数は特に限定されず、炭
化水素の水素原子の全てが臭素原子またはヨウ素原子で
置換されていてもよい。又、臭素原子またはヨウ素原子
の置換位置は特定されない。As long as these paraffinic hydrocarbons or cycloparaffinic hydrocarbons are substituted with only two or more bromine atoms or iodine atoms, the number of substitutions is not particularly limited, and all of the hydrocarbon hydrogen atoms are bromine atoms or It may be substituted by an iodine atom. Further, the substitution position of a bromine atom or an iodine atom is not specified.
かかる光酸発生剤は液体、固体のいずれでも使用可能
であるがフォトレジスト組成物の基板への塗布後の乾燥
工程で蒸発、昇華しない必要があり、従って、沸点が18
0℃以上のもの、とくに沸点が220℃以上のものが好まし
い。Such a photoacid generator can be used in any of a liquid and a solid.
Those having a boiling point of 220 ° C. or higher are preferred.
光酸発生剤の具体例としては四臭化炭素、ブロモホル
ム、ヨードホルム、トリブロモエタン、テトラブロモエ
タン、ジブロモブタン、トリブロモブタン、テトラブロ
モブタン、トリブロモヘキサン、ヘキサブロモヘキサ
ン、ジブロモシクロヘキサン、トリブロモシクロヘキサ
ン、ヘキサブロモシクロヘキサン等が挙げられる。尚、
臭素原子及びヨウ素原子の置換位置はいずれでもよい。Specific examples of the photoacid generator include carbon tetrabromide, bromoform, iodoform, tribromoethane, tetrabromoethane, dibromobutane, tribromobutane, tetrabromobutane, tribromohexane, hexabromohexane, dibromocyclohexane, tribromo Cyclohexane, hexabromocyclohexane and the like. still,
The bromine atom and the iodine atom may be substituted at any position.
本発明のフォトレジスト組成物におけるポリビニルフ
ェノール樹脂、光酸発生剤および架橋剤の割合は、ポリ
ビニルフェノール樹脂100重量部に対し光酸発生剤0.05
〜20重量部、好ましくは0.1〜10重量部、また架橋剤は
ポリビニルフェノール樹脂100重量部に対し１〜50重量
部、好ましくは５〜30重量部の割合で用いられる。The ratio of the polyvinyl phenol resin, the photoacid generator and the crosslinking agent in the photoresist composition of the present invention is 0.05 parts per 100 parts by weight of the polyvinyl phenol resin.
The crosslinking agent is used in an amount of 1 to 50 parts by weight, preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyvinylphenol resin.
本発明の組成物は通常溶媒に溶解して使用されるが、
溶媒としては樹脂及び感光剤に対して十分な溶解度を持
ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限はな
く、例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メ
チルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト等のセロソルブ系溶媒、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳
酸メチル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルフ
ォルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性溶媒、
あるいは、これらの混合溶媒さらには、芳香族炭化水素
を添加した混合溶媒等が挙げられる。溶媒の使用割合
は、固形分の総量に対し重量比として１〜20倍の範囲で
ある。The composition of the present invention is usually used by dissolving in a solvent,
The solvent is not particularly limited as long as it has a sufficient solubility in the resin and the photosensitizing agent and gives good coating properties. System solvents, butyl acetate, amyl acetate, methyl lactate, ester solvents such as ethyl lactate, dimethylformamide, highly polar solvents such as N-methylpyrrolidone,
Alternatively, a mixed solvent to which an aromatic hydrocarbon is added as well as a mixed solvent thereof may, for example, be mentioned. The usage ratio of the solvent is in the range of 1 to 20 times by weight based on the total amount of the solid content.
さらに種々の添加剤、例えば染料、塗布性改良剤、分
光増感剤、現像改良剤などの添加も可能である。Further, various additives such as dyes, coatability improvers, spectral sensitizers, development improvers and the like can be added.
本発明のネガ型感光性組成物は、以下に述べるような
塗布、露光、露光後加熱（ポストエクスポージャーベイ
ク;PEB）、現像の各工程を経て、フォトレジストとして
使用される。The negative photosensitive composition of the present invention is used as a photoresist through the following steps of coating, exposure, post-exposure bake (PEB), and development as described below.
塗布には通常スピンコーターが使用され、膜厚として
は0.5ミクロン〜２ミクロン程度が適当である。A spin coater is usually used for coating, and a film thickness of about 0.5 to 2 μm is appropriate.
露光にはディープUV領域の光、例えば低圧水銀灯を光
源とする254nmの光や、エキシマレーザー等を光源とす
る157nm、193nm、222nm、249nmの光が好適に使用され
る。尚、高圧水銀灯の366nm、436nmの光なども適用可能
である。露光の際の光は単色光でなくブロードであって
もよい。またフェーズシフト法用レジストとしても好適
である。For exposure, light in the deep UV region, for example, light of 254 nm using a low-pressure mercury lamp as a light source, or light of 157 nm, 193 nm, 222 nm, or 249 nm using a light source such as an excimer laser is preferably used. In addition, 366 nm and 436 nm light of a high-pressure mercury lamp can be applied. Light at the time of exposure may be broad instead of monochromatic light. It is also suitable as a resist for a phase shift method.
露光後加熱（PEB）の条件はホットプレートをもち
い、90〜140℃、１分〜10分程度の条件が好適に使用さ
れる。ホットプレートのかわりにコンベンションオーブ
ンを用いても良い。この場合は通常ホットプレートを使
用した場合より長い時間が必要とされる。The post-exposure baking (PEB) is preferably performed using a hot plate at 90 to 140 ° C. for about 1 to 10 minutes. A convention oven may be used instead of a hot plate. In this case, a longer time is usually required than when a hot plate is used.
そして、現像液には、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピ
ルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ
−プロピルアミン等の第二級アミン、トリエチルアミ
ン、トリメチルアミン等の第３級アミン類、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエ
チルアンモニウムハイドロキシド等の第４級アンモニウ
ム塩の水溶液よりなるアルカリ現像液が好適に使用され
る。現像液には必要に応じて、アルコール、界面活性剤
等を添加して使用することもある。In the developing solution, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as ammonia water, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, di-n
-An alkaline developer comprising an aqueous solution of a secondary amine such as propylamine, a tertiary amine such as triethylamine or trimethylamine, or a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide or trimethylhydroxyethylammonium hydroxide is preferable. used. If necessary, an alcohol, a surfactant or the like may be added to the developing solution before use.
なお、フォトレジスト溶液、現像液は、使用に際し、
ろ過して不溶分を除去して使用される。In addition, the photoresist solution and the developer, when using,
It is used after filtering to remove insolubles.
本発明のネガ型感光性組成物は、超LSIの製造のみな
らず、一般のIC製造用、さらには、マスク製造用、平
板、凹版、凸版等の作成、プリント配線作成の為のフォ
トレジスト、ソルダーレジスト、レリーフ像や画像複製
などの画像形成、光硬化のインク、塗料、接着剤等に利
用できる。The negative photosensitive composition of the present invention is not only for the production of VLSI, but also for general IC production, furthermore, for mask production, flat plates, intaglio, relief printing, etc. It can be used for solder resist, image formation such as relief image and image duplication, photocurable ink, paint, adhesive and the like.
［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り実施例により制約は受
けない。[Examples] Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
The present invention is not limited by the embodiments unless it exceeds the gist.
実施例１〜５ 重量平均分子量5100のポリビニルフェノール2g、ヘキ
サメトキシメチル化メラミン0.4g、及び表１に記載の光
酸発生剤の表１に記載量を乳酸エチル7gに溶解し、0.2
μのテフロン製ろ紙を用いてろ過し、フォトレジスト組
成物を調製した。Examples 1 to 5 2 g of polyvinylphenol having a weight-average molecular weight of 5100, 0.4 g of hexamethoxymethylated melamine, and the amount shown in Table 1 of the photoacid generator shown in Table 1 were dissolved in 7 g of ethyl lactate, and 0.2 g was dissolved in 0.2 g of ethyl lactate.
The mixture was filtered using a μ Teflon filter paper to prepare a photoresist composition.
このフォトレジスト組成物を直径４インチのシリコン
ウェハ上にスピンコーターを用いて1.0μｍの厚さに塗
布し、ホットプレート上で100℃、70秒間乾燥した。こ
れを低圧水銀灯下約20cmに置き、光エネルギー0.4mW/cm
2で０秒から10分まで時間を変化させて露光した。その
後ホットプレート上で110℃90秒加熱し（PEB）、1.23％
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で
25℃10分間現像してレジストの溶解速度を求め、感度
（最適露光量）を求めた。The photoresist composition was applied to a silicon wafer having a diameter of 4 inches to a thickness of 1.0 μm using a spin coater, and dried on a hot plate at 100 ° C. for 70 seconds. This is placed about 20 cm under a low-pressure mercury lamp, and the light energy is 0.4 mW / cm
Exposure was performed by changing the time from 0 seconds to 10 minutes with 2 . Then heat on a hot plate at 110 ° C for 90 seconds (PEB), 1.23%
With aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide
After developing at 25 ° C. for 10 minutes, the dissolution rate of the resist was determined, and the sensitivity (optimal exposure amount) was determined.
また、別にフォトマスク（凸版印刷製）と密着させて
最適露光量で10〜30秒露光し同様のPEBを行った後、同
様にして25℃、50秒間現像してパターンを形成させ、走
査型電子顕微鏡で解像性を見た。結果を表１に示すが、
未露光部の溶解速度（現像性を示す）は充分大きく、ま
た感度（最適露光量）も良好であった。解像性も0.5μ
ｍのライン＆スペースが解像されていた。Separately, it is brought into close contact with a photomask (manufactured by Toppan Printing), exposed for 10 to 30 seconds at the optimal exposure amount, and then subjected to the same PEB, followed by developing at 25 ° C. for 50 seconds in the same manner to form a pattern. The resolution was checked with an electron microscope. The results are shown in Table 1,
The dissolution rate (indicating developability) of the unexposed portion was sufficiently high, and the sensitivity (optimal exposure amount) was also good. 0.5μ resolution
m lines and spaces were resolved.
比較例１〜４ 実施例１における光酸発生剤に代えて表１の化合物を
用いた以外は、実施例１と同様にしてレジスト液を調製
し、同様に評価を行なった。結果を表１に示したが、比
較例１乃至３は感度が著しく悪く、また比較例４及び５
は未露光部の溶解速度がきわめて小さく、未露光部も現
像できず、いずれの場合も画像は形成されなかった。Comparative Examples 1 to 4 A resist solution was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the compounds in Table 1 were used instead of the photoacid generator in Example 1. The results are shown in Table 1. Comparative Examples 1 to 3 were extremely poor in sensitivity, and Comparative Examples 4 and 5
In Example 2, the dissolution rate of the unexposed portion was extremely low, the unexposed portion could not be developed, and no image was formed in any case.
［発明の効果］ 本発明のネガ型感光性組成物は高感度で、しかも乾
燥、露光後加熱等における加熱によっても未露光部のレ
ジスト膜現像性の良好なレジスト組成物であり、ディー
プUV領域の波長の光を用いて露光することにより、高解
像力のリソグラフィーが極めて短時間の露光により可能
となり極めて有用である。 [Effects of the Invention] The negative photosensitive composition of the present invention is a resist composition having high sensitivity and good developability of the resist film in the unexposed area even by heating such as drying and post-exposure heating. Exposure using light having a wavelength of is very useful because lithography with high resolution can be achieved by exposure in a very short time.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠崎 美香 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三菱化成株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平３−107162（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−134345（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−49703（ＪＰ，Ａ) 特公 昭44−23044（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭47−1390（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Mika Shinozaki, Inventor: 1000 Kamoshita-cho, Midori-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsubishi Chemical Research Institute (56) References JP-A-3-107162 (JP, A) JP-A Heisei JP-A-4-134345 (JP, A) JP-A-4-226454 (JP, A) JP-A-49-49703 (JP, A) JP-B-44-23044 (JP, B1) JP-B-47-1390 (JP, A) B1) (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G03F 7/ 00-7/42
Claims (1)
性条件下で作用するアルカリ可溶性樹脂の架橋剤を含有
するネガ型感光性組成物において、該アルカリ可溶性樹
脂がポリビニルフェノール樹脂であり、該光酸発生剤が
２以上の臭素原子もしくはヨウ素原子のみで置換された
C1〜C9のパラフィン系炭化水素またはC3〜C10のシクロ
パラフィン系炭化水素であることを特徴とする半導体集
積回路作成用ネガ型感光性組成物。1. A negative photosensitive composition comprising an alkali-soluble resin, a photo-acid generator and a cross-linking agent for an alkali-soluble resin acting under acidic conditions, wherein the alkali-soluble resin is a polyvinyl phenol resin, The acid generator has been replaced with only two or more bromine or iodine atoms
A negative photosensitive composition for producing a semiconductor integrated circuit, comprising a C 1 to C 9 paraffinic hydrocarbon or a C 3 to C 10 cycloparaffinic hydrocarbon.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2260156A JP2982266B2 (en) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Negative photosensitive composition |
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