JP2976699B2 - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JP2976699B2 JP2976699B2 JP4145283A JP14528392A JP2976699B2 JP 2976699 B2 JP2976699 B2 JP 2976699B2 JP 4145283 A JP4145283 A JP 4145283A JP 14528392 A JP14528392 A JP 14528392A JP 2976699 B2 JP2976699 B2 JP 2976699B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高記録密度を有する量産
性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体で、その産業上での
利用分野は映像機器および情報機器分野など多岐にわた
る。
性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体で、その産業上での
利用分野は映像機器および情報機器分野など多岐にわた
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は磁気記録密度の向
上に見られるようにその技術的発展はめざましいものが
ある。従来の磁気記録媒体の例としては、オーディオ，
ビデオ用テープ材料に用いられる酸化鉄粉末，酸化クロ
ム粉末，純鉄粉末などを研磨剤，樹脂などのバインダー
とともに高分子フイルム上に塗布した、塗布型の磁気記
録媒体がある。
上に見られるようにその技術的発展はめざましいものが
ある。従来の磁気記録媒体の例としては、オーディオ，
ビデオ用テープ材料に用いられる酸化鉄粉末，酸化クロ
ム粉末，純鉄粉末などを研磨剤，樹脂などのバインダー
とともに高分子フイルム上に塗布した、塗布型の磁気記
録媒体がある。
【０００３】しかし、従来の塗布型のテープより保磁
力，記録密度電磁変換特性を改良するため、真空蒸着
法，イオンプレイティイング，スパッタリング法などで
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒなどの金属を単独もしくは合金
で高分子フイルム上に蒸着する金属薄膜型磁気記録媒体
の検討がなされている。また、斜方蒸着方によるオーデ
ィオ用，ビデオ用金属薄膜型磁気記録媒体が既に実用化
されている。また、コンピュータのメモリーとして用い
られるハードディスク用磁気記録媒体はスパッター法に
よりアルミニュウム，ガラス基板上にコバルト酸化物を
蒸着する。
力，記録密度電磁変換特性を改良するため、真空蒸着
法，イオンプレイティイング，スパッタリング法などで
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒなどの金属を単独もしくは合金
で高分子フイルム上に蒸着する金属薄膜型磁気記録媒体
の検討がなされている。また、斜方蒸着方によるオーデ
ィオ用，ビデオ用金属薄膜型磁気記録媒体が既に実用化
されている。また、コンピュータのメモリーとして用い
られるハードディスク用磁気記録媒体はスパッター法に
よりアルミニュウム，ガラス基板上にコバルト酸化物を
蒸着する。
【０００４】また、これらのメモリー媒体においては記
録密度の向上と高画質化ますます要望され、そのために
今後さらにこれら従来の金属薄膜型磁気記録媒体の磁気
特性と電磁電子変換特性の大きな飛躍と繰り返し耐久走
行の改善が期待されている。
録密度の向上と高画質化ますます要望され、そのために
今後さらにこれら従来の金属薄膜型磁気記録媒体の磁気
特性と電磁電子変換特性の大きな飛躍と繰り返し耐久走
行の改善が期待されている。
【０００５】金属薄膜磁気記録媒体を製造する方法とし
ては、図３に示すように連続巻き取り真空蒸着法が特に
その生産性において他を凌いでおり、現実的量産方法と
して非常に有力である。高分子フイルム１を送り軸２に
セットし、クーリングキャン３を経て巻取軸５で巻き取
る。クーリングキャンの下方からセラミックるつぼ７内
の磁性金属８を電子銃１０で溶解し蒸発させ、高分子フ
イルム上に形成する。このとき、蒸着に不要な金属蒸気
流は遮蔽板１１，１２でマスキングする。通常蒸着テー
プ（ＭＥ）はＣｏ磁性金属を４０度から９０度位の蒸着
角成分を使用する。これを比較例とした。
ては、図３に示すように連続巻き取り真空蒸着法が特に
その生産性において他を凌いでおり、現実的量産方法と
して非常に有力である。高分子フイルム１を送り軸２に
セットし、クーリングキャン３を経て巻取軸５で巻き取
る。クーリングキャンの下方からセラミックるつぼ７内
の磁性金属８を電子銃１０で溶解し蒸発させ、高分子フ
イルム上に形成する。このとき、蒸着に不要な金属蒸気
流は遮蔽板１１，１２でマスキングする。通常蒸着テー
プ（ＭＥ）はＣｏ磁性金属を４０度から９０度位の蒸着
角成分を使用する。これを比較例とした。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、磁気記録媒体、
特にビデオ用テープにおいては小型化，高画質化が強く
要望され、また、情報機器においては高記録密度化が要
望され、磁気記録媒体の磁気特性，電磁変換特性の向上
と走行耐久性の改善がより重要な課題である。
特にビデオ用テープにおいては小型化，高画質化が強く
要望され、また、情報機器においては高記録密度化が要
望され、磁気記録媒体の磁気特性，電磁変換特性の向上
と走行耐久性の改善がより重要な課題である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明は、反応性蒸着法を用い、高分子基板上に真空蒸
着法で強磁性金属含有の非磁性のＣｏ系金属酸化物の第
１層を形成し、その表面に、第１層と同じＣｏ強磁性金
属を含む第２層目の磁性層を連続的に２から２０倍の厚
みで形成したものである。
本発明は、反応性蒸着法を用い、高分子基板上に真空蒸
着法で強磁性金属含有の非磁性のＣｏ系金属酸化物の第
１層を形成し、その表面に、第１層と同じＣｏ強磁性金
属を含む第２層目の磁性層を連続的に２から２０倍の厚
みで形成したものである。
【０００８】また、高分子基板上に強磁性金属を含有す
るＣｏ系金属酸化物またはＣｏ合金を形成し、該表面に
前記磁性金属と同じＣｏ金属の磁性層を連続に積層する
とき、下層の磁性金属化合物の保磁力が５０から５００
Ｏｅの磁気特性を有するよう構成したものである。
るＣｏ系金属酸化物またはＣｏ合金を形成し、該表面に
前記磁性金属と同じＣｏ金属の磁性層を連続に積層する
とき、下層の磁性金属化合物の保磁力が５０から５００
Ｏｅの磁気特性を有するよう構成したものである。
【０００９】
【作用】反応性蒸着法により高分子基板上に強磁性金属
のＣｏ系金属酸化物層、あるいは合金を形成し、該表面
にＣｏ系金属を連続的に積層することで、信頼性，電磁
変換特性の優れた金属薄膜型磁気記録媒体を得る。特
に、反応性蒸着法で高分子フイルム基板上に連続的に積
層するとき、第１層の金属酸化物層に対し２から２０倍
の同じ磁性金属層を形成、あるいは３０から３００Ｏｅ
の金属酸化物、あるいは合金上にＣｏ磁性金属層を形成
することで電磁変換の周波数特性の優れたノイズの低
い、かつ耐久走行性の優れた磁気記録媒体にできる。
のＣｏ系金属酸化物層、あるいは合金を形成し、該表面
にＣｏ系金属を連続的に積層することで、信頼性，電磁
変換特性の優れた金属薄膜型磁気記録媒体を得る。特
に、反応性蒸着法で高分子フイルム基板上に連続的に積
層するとき、第１層の金属酸化物層に対し２から２０倍
の同じ磁性金属層を形成、あるいは３０から３００Ｏｅ
の金属酸化物、あるいは合金上にＣｏ磁性金属層を形成
することで電磁変換の周波数特性の優れたノイズの低
い、かつ耐久走行性の優れた磁気記録媒体にできる。
【００１０】７ＭＨＺでの電磁変換特性は出力，Ｃ／Ｎ
とも従来例に比べ＋８ｄＢ以上の結果を示し、走行耐久
性も改善できる。
とも従来例に比べ＋８ｄＢ以上の結果を示し、走行耐久
性も改善できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
【００１２】（実施例１） 図１は金属薄膜型蒸着テープの製造装置の外観模式図を
示す。蒸着の原理は高分子フイルム１を送り軸２にセッ
トし、キャン３，４と中間ローラ６を経て巻取軸５で巻
き取る。下方よりセラミックるつぼ７内の磁性金属８を
電子ビーム１０で溶解する。具体的な製造方法は、高分
子フイルム上１に酸素ガス９による反応性蒸着により、
垂直蒸着に近いＣｏ蒸気流を過剰な酸素雰囲気中で非磁
性のコバルト酸化層を形成する。その表面に斜方蒸着で
Ｃｏの酸化膜を形成する。斜方蒸着の蒸着入射角として
高入射角７０度，低入射角２０度行った。蒸着に不要な
金属蒸気流はマスク１１でそれぞれカットする。また、
遮蔽板１２は蒸着時の金属蒸気流の不必要な部分への回
り込みを防ぐ。
示す。蒸着の原理は高分子フイルム１を送り軸２にセッ
トし、キャン３，４と中間ローラ６を経て巻取軸５で巻
き取る。下方よりセラミックるつぼ７内の磁性金属８を
電子ビーム１０で溶解する。具体的な製造方法は、高分
子フイルム上１に酸素ガス９による反応性蒸着により、
垂直蒸着に近いＣｏ蒸気流を過剰な酸素雰囲気中で非磁
性のコバルト酸化層を形成する。その表面に斜方蒸着で
Ｃｏの酸化膜を形成する。斜方蒸着の蒸着入射角として
高入射角７０度，低入射角２０度行った。蒸着に不要な
金属蒸気流はマスク１１でそれぞれカットする。また、
遮蔽板１２は蒸着時の金属蒸気流の不必要な部分への回
り込みを防ぐ。
【００１３】高分子基板として厚さ１０μｍのポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用い、磁性層を厚
さ第１層目２００Å，第２層目１８００Å，全厚２００
０Åとした。このとき、電子ビーム蒸発源からの平均膜
堆積速度は３０００ｎｍ／秒とし、回転ドラム３，４の
温度設定を−２０度とした。１層目を形成する場合の酸
素ガスの導入量は必要理論上の２倍導入した。
レンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用い、磁性層を厚
さ第１層目２００Å，第２層目１８００Å，全厚２００
０Åとした。このとき、電子ビーム蒸発源からの平均膜
堆積速度は３０００ｎｍ／秒とし、回転ドラム３，４の
温度設定を−２０度とした。１層目を形成する場合の酸
素ガスの導入量は必要理論上の２倍導入した。
【００１４】（実施例２） 図１の実施例１と同様の蒸着装置で斜方蒸着でＣｏ金属
蒸気流中に過剰の酸素ガスを導入し、非磁性のコバルト
酸化層を形成する。その表面に斜方蒸着でＣｏの酸化膜
を形成する。斜方蒸着の蒸着入射角として第１層目，第
２層目とも、高入射角７０度，低入射角２０度行った。
蒸着に不用な金属蒸気流はマスク１１でそれぞれカット
する。また、遮蔽板１２は蒸着時の金属蒸気流の不必要
な部分への回り込みを防ぐ。
蒸気流中に過剰の酸素ガスを導入し、非磁性のコバルト
酸化層を形成する。その表面に斜方蒸着でＣｏの酸化膜
を形成する。斜方蒸着の蒸着入射角として第１層目，第
２層目とも、高入射角７０度，低入射角２０度行った。
蒸着に不用な金属蒸気流はマスク１１でそれぞれカット
する。また、遮蔽板１２は蒸着時の金属蒸気流の不必要
な部分への回り込みを防ぐ。
【００１５】高分子基板として厚さ１０μｍのポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）基板を用い、磁性層を厚さ
第１層目５００Å，第２層目１５００Å，全厚２０００
Åとした。このとき、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆
積速度は３０００ｎｍ／秒とし、蒸着時の回転ドラム３
温度−２０度、回転ドラム４の温度設定を９０度とし
た。
レンナフタレート（ＰＥＮ）基板を用い、磁性層を厚さ
第１層目５００Å，第２層目１５００Å，全厚２０００
Åとした。このとき、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆
積速度は３０００ｎｍ／秒とし、蒸着時の回転ドラム３
温度−２０度、回転ドラム４の温度設定を９０度とし
た。
【００１６】（実施例３）図２の実施例２と同様の蒸着
装置で斜方蒸着でＣｏ−Ｃｒ金属薄膜層を形成する。そ
の表面に斜方蒸着でＣｏの酸化膜を形成する。斜方蒸着
の蒸着入射角として第１層目２０度から７０度、第２層
目高入射角６５度、低入射角２０度の蒸着入射角の範囲
で行った。
装置で斜方蒸着でＣｏ−Ｃｒ金属薄膜層を形成する。そ
の表面に斜方蒸着でＣｏの酸化膜を形成する。斜方蒸着
の蒸着入射角として第１層目２０度から７０度、第２層
目高入射角６５度、低入射角２０度の蒸着入射角の範囲
で行った。
【００１７】高分子基板として厚さ１０μｍのポリイミ
ド（ＰＩ）基板を用い、磁性層を厚さ第１層目３００
Å，第２層目１７００Å，全厚２０００Åとした。この
とき、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆積速度は３００
０ｎｍ／秒とし、蒸着時の回転ドラム３温度２００度、
回転ドラム４の温度設定を１５０度とした。
ド（ＰＩ）基板を用い、磁性層を厚さ第１層目３００
Å，第２層目１７００Å，全厚２０００Åとした。この
とき、電子ビーム蒸発源からの平均膜堆積速度は３００
０ｎｍ／秒とし、蒸着時の回転ドラム３温度２００度、
回転ドラム４の温度設定を１５０度とした。
【００１８】８mmデッキによる電磁変換特性，走行耐久
試験の評価結果を（表１）に示す。第１層目のＣｒ比は
Ｃｏに対し、１５ｗｔ％とした。
試験の評価結果を（表１）に示す。第１層目のＣｒ比は
Ｃｏに対し、１５ｗｔ％とした。
【００１９】
【表１】
【００２０】以上のような実施例による金属薄膜型磁気
記録媒体の性能と効果について述べる。金属薄膜型磁気
記録媒体の評価法は蒸着後８mmテープにし、市販の８mm
ビデオデッキを評価装置に改造し、メタルヘッドを用い
て電磁変換特性を調べた。
記録媒体の性能と効果について述べる。金属薄膜型磁気
記録媒体の評価法は蒸着後８mmテープにし、市販の８mm
ビデオデッキを評価装置に改造し、メタルヘッドを用い
て電磁変換特性を調べた。
【００２１】電磁変換特性は記録周波数７ＭＨＺ近傍の
出力、Ｃ／Ｎで評価し、従来例に対する相対出力として
比較した。また、繰り返しの走行耐久性を比較するため
の市販の８mmビデオデッキを改良し、３００パス繰り返
し走行後のテープ表面のダメイジを光学顕微鏡で観察し
た。
出力、Ｃ／Ｎで評価し、従来例に対する相対出力として
比較した。また、繰り返しの走行耐久性を比較するため
の市販の８mmビデオデッキを改良し、３００パス繰り返
し走行後のテープ表面のダメイジを光学顕微鏡で観察し
た。
【００２２】その結果、本発明の実施例では従来例と比
較して記録波長全域に渡って優れており、特に短波長領
域においてはＣ／Ｎで８ｄＢ以上改善されている。高周
波域での電磁変換特性を高めるために下地層を設けるこ
とで最外層のＣｏ酸化物磁性金属薄膜の配向性を良くす
る。
較して記録波長全域に渡って優れており、特に短波長領
域においてはＣ／Ｎで８ｄＢ以上改善されている。高周
波域での電磁変換特性を高めるために下地層を設けるこ
とで最外層のＣｏ酸化物磁性金属薄膜の配向性を良くす
る。
【００２３】本発明を実施する場合、下地層の非磁性の
酸化物層と上層の膜厚比は２から２０倍の範囲が最適
で、また、下地層の厚みが５０Å以上，２０００Å以下
の範囲の膜がよい。この厚みより薄い条件下では効果が
なく、厚くなると産業上非生産的でコスト増しの要因と
なる。
酸化物層と上層の膜厚比は２から２０倍の範囲が最適
で、また、下地層の厚みが５０Å以上，２０００Å以下
の範囲の膜がよい。この厚みより薄い条件下では効果が
なく、厚くなると産業上非生産的でコスト増しの要因と
なる。
【００２４】また、下地の金属酸化物または合金の保磁
力は３０から３００Ｏｅの範囲が最適で、保磁力が小さ
い場合は効果がなく、逆に大きくなると上層の磁気特性
に影響を与える。
力は３０から３００Ｏｅの範囲が最適で、保磁力が小さ
い場合は効果がなく、逆に大きくなると上層の磁気特性
に影響を与える。
【００２５】一方、８mmデッキによる３００パス繰り返
し走行試験の結果、従来例にはテープ表面に走行時のシ
リンダー，ヘッド，ポストなどのダメージが見られるが
本発明実施例ではいずれも表面のダメージは少なく、と
くに実施例３は優れていた。
し走行試験の結果、従来例にはテープ表面に走行時のシ
リンダー，ヘッド，ポストなどのダメージが見られるが
本発明実施例ではいずれも表面のダメージは少なく、と
くに実施例３は優れていた。
【００２６】以上の結果から、金属薄膜型磁気記録媒体
を製造するとき、高分子フイルム上に非磁性，あるいは
保磁力の小さい磁性金属化合物を形成し、その表面に磁
性金属層を設けることで電磁変換特性の優れた、信頼性
の高い磁気記録媒体を得ることができる。
を製造するとき、高分子フイルム上に非磁性，あるいは
保磁力の小さい磁性金属化合物を形成し、その表面に磁
性金属層を設けることで電磁変換特性の優れた、信頼性
の高い磁気記録媒体を得ることができる。
【００２７】なお、蒸着金属を積層する場合、蒸着膜の
形成は連続的に行うほうが効果がある。
形成は連続的に行うほうが効果がある。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の磁気記録媒体の構
成および製造方法によれば、電磁変換特性，耐久信頼性
の優れた磁気記録媒体を得ることができる。
成および製造方法によれば、電磁変換特性，耐久信頼性
の優れた磁気記録媒体を得ることができる。
【００２９】なお、実施例としては磁性層として第１層
目は非磁性Ｃｏ酸化膜、あるいはＣｏ−Ｃｒ膜、第２層
目は強磁性のＣｏ酸化膜を用いたが第１層目の金属はＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒであれば単独あるいは混合の形で
酸化物で使用することも可能である。また、強磁性金属
としてＣｏ−Ｃｒ以外にＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒを混合
し合金の形で使用可能である。高分子フイルムは本発明
以外にアラミドなど他のフイルムも使用できる。
目は非磁性Ｃｏ酸化膜、あるいはＣｏ−Ｃｒ膜、第２層
目は強磁性のＣｏ酸化膜を用いたが第１層目の金属はＣ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒであれば単独あるいは混合の形で
酸化物で使用することも可能である。また、強磁性金属
としてＣｏ−Ｃｒ以外にＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒを混合
し合金の形で使用可能である。高分子フイルムは本発明
以外にアラミドなど他のフイルムも使用できる。
【００３０】その他、蒸着時の入射角，蒸着温度，蒸着
膜厚，酸素ガス導入など本発明を実施するにあたり本発
明の製造法に限定することなく他の方法も可能である。
本発明は磁気記録媒体に限らず、液晶配向膜，そのほか
の各種機能性薄膜にも応用できることは言うまでもな
い。
膜厚，酸素ガス導入など本発明を実施するにあたり本発
明の製造法に限定することなく他の方法も可能である。
本発明は磁気記録媒体に限らず、液晶配向膜，そのほか
の各種機能性薄膜にも応用できることは言うまでもな
い。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法の第１の実施
例を示す模式図
例を示す模式図
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の第２の実施
例を示す模式図
例を示す模式図
【図３】従来の磁気記録媒体の製造方法を示す模式図
【符号の説明】 １ 高分子フイルム ２ 送り軸 ３，４ 回転キャン ５ 巻取軸 ６ 中間ローラ ７ るつぼ ８ 磁性金属 ９ 酸素ガスノズル １０ 電子銃 １１ マスク １２ 遮蔽板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−139920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−9821（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76813（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−207014（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子フイルム上に強磁性金属を含有す
る非磁性のＣｏ系金属酸化物を形成し、該表面に斜方蒸
着法でＣｏ酸化物の磁性層を２から２０倍の厚みで積層
することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 反応性蒸着法で高分子フイルム上に強磁
性金属を含有する非磁性のＣｏ系金属酸化物を形成し、
該表面に斜方蒸着法でＣｏ酸化物の磁性層を２から２０
倍の厚みで連続に積層することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項３】 高分子フイルム上に強磁性金属を含有す
るＣｏ系金属酸化物またはＣｏ合金を３０から３００Ｏ
ｅの範囲で形成し、該表面に斜方蒸着法でＣｏ酸化物の
磁性層を積層することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 反応性蒸着法により高分子フイルム上に
強磁性金属を含有するＣｏ系金属酸化物またはＣｏ合金
を形成し、該表面に斜方蒸着法でＣｏ酸化物の磁性層を
連続に積層するとき、３０から３００Ｏｅの範囲の下層
の磁気特性を有することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145283A JP2976699B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4145283A JP2976699B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342552A JPH05342552A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2976699B2 true JP2976699B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=15381563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4145283A Expired - Fee Related JP2976699B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976699B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP4145283A patent/JP2976699B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05342552A (ja) | 1993-12-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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