JP2972506B2 - Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 - Google Patents
Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｐｔを主成分とする合
金のエッチング方法に関し、特に半導体デバイス，薄膜
キャパシタデバイス，薄膜磁気ヘッドなどの薄膜デバイ
スにおいて、バリアメタルや電極として用いられている
Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法に関する。
金のエッチング方法に関し、特に半導体デバイス，薄膜
キャパシタデバイス，薄膜磁気ヘッドなどの薄膜デバイ
スにおいて、バリアメタルや電極として用いられている
Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｐｔを主成分とする合金をエッチ
ング処理するには、主にアルゴンイオンビーム照射によ
るスパッタエッチングが行われてきた。これは、プラズ
マによりイオン化したアルゴンガスを電界下で加速し、
固体試料に照射するときに試料表面で起こるスパッタリ
ング現象をエッチングとして利用するものであって物理
的エッチングといえる。通常、アルゴンイオンミリング
の条件は、アルゴンガス圧４×１０-4Ｔｏｒｒ，イオン
加速電圧５００Ｖ，イオン電流密度０．６ｍＡ／ｃｍ
2 ，イオンビーム入射角は０〜４５度の範囲内に設定さ
れ、そのエッチングレートとしては、４０〜５０ｎｍ／
分程度である。また、特開昭６２−９２３２３号公報に
開示されているように、塩素系ガスを主成分とするガス
を用いたドライエッチング方法も提案されている。
ング処理するには、主にアルゴンイオンビーム照射によ
るスパッタエッチングが行われてきた。これは、プラズ
マによりイオン化したアルゴンガスを電界下で加速し、
固体試料に照射するときに試料表面で起こるスパッタリ
ング現象をエッチングとして利用するものであって物理
的エッチングといえる。通常、アルゴンイオンミリング
の条件は、アルゴンガス圧４×１０-4Ｔｏｒｒ，イオン
加速電圧５００Ｖ，イオン電流密度０．６ｍＡ／ｃｍ
2 ，イオンビーム入射角は０〜４５度の範囲内に設定さ
れ、そのエッチングレートとしては、４０〜５０ｎｍ／
分程度である。また、特開昭６２−９２３２３号公報に
開示されているように、塩素系ガスを主成分とするガス
を用いたドライエッチング方法も提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したアルゴンイオ
ンによるＰｔを主成分とする合金のエッチング技術にお
いては、物理的なエッチングであることから、フォトレ
ジスト（以下、ＰＲという）も同時にエッチングされる
ため、ＰＲとＰｔとを主成分とする合金のエッチングの
選択比が問題である。Ｐｔを主成分とする合金とＰＲの
エッチングレート比が約１：２であり、充分ではない。
例えば、５００ｎｍ厚のＰｔを主成分とする合金をエッ
チングする際には、最低でも約１μｍ厚の、実質的には
プロセスマージンを考慮して２μｍ以上の厚みの垂直な
ＰＲパターンを形成する必要があり、微細幅のマスクを
形成するプロセス上に問題がある。また、エッチングレ
ートも５０ｎｍ／分程度であるため、例えば、５００ｎ
ｍの厚みをエッチングするのに約１０分間ほど要するた
め、上述の従来技術を応用した製品は、スループットが
上らず製品価格が高くなるという欠点がある。
ンによるＰｔを主成分とする合金のエッチング技術にお
いては、物理的なエッチングであることから、フォトレ
ジスト（以下、ＰＲという）も同時にエッチングされる
ため、ＰＲとＰｔとを主成分とする合金のエッチングの
選択比が問題である。Ｐｔを主成分とする合金とＰＲの
エッチングレート比が約１：２であり、充分ではない。
例えば、５００ｎｍ厚のＰｔを主成分とする合金をエッ
チングする際には、最低でも約１μｍ厚の、実質的には
プロセスマージンを考慮して２μｍ以上の厚みの垂直な
ＰＲパターンを形成する必要があり、微細幅のマスクを
形成するプロセス上に問題がある。また、エッチングレ
ートも５０ｎｍ／分程度であるため、例えば、５００ｎ
ｍの厚みをエッチングするのに約１０分間ほど要するた
め、上述の従来技術を応用した製品は、スループットが
上らず製品価格が高くなるという欠点がある。
【０００４】さらに、最も問題となるのは、加工された
Ｐｔを主成分とする合金の断面形状である。ここで、図
２（ａ）に示すような、直径０．３μｍから５μｍ程度
の円形断面を持ったＰＲパターンで、この従来技術のエ
ッチング方法を適用すると、基板に対して垂直方向から
イオンを照射した際には、エッチングされたＰｔがマス
ク側壁に再付着するため、加工を継続するに従ってマス
ク側壁へ王冠状に再付着物が堆積し、最終的にマスクを
剥離した後では、図２（ｂ）に示すように、円錐台形の
電極に王冠を載せたような形状にエッチングされる。す
なわち、Ｐｔの断面形状としては台形に角が生えたよう
な形状となる。このため、狭いパターンでは基板面まで
エッチングすることができない。
Ｐｔを主成分とする合金の断面形状である。ここで、図
２（ａ）に示すような、直径０．３μｍから５μｍ程度
の円形断面を持ったＰＲパターンで、この従来技術のエ
ッチング方法を適用すると、基板に対して垂直方向から
イオンを照射した際には、エッチングされたＰｔがマス
ク側壁に再付着するため、加工を継続するに従ってマス
ク側壁へ王冠状に再付着物が堆積し、最終的にマスクを
剥離した後では、図２（ｂ）に示すように、円錐台形の
電極に王冠を載せたような形状にエッチングされる。す
なわち、Ｐｔの断面形状としては台形に角が生えたよう
な形状となる。このため、狭いパターンでは基板面まで
エッチングすることができない。
【０００５】この再付着を防ぐために、基板垂直方向に
対して角度を持たせてイオンビームを照射した場合は、
マスク側壁への再付着は防げるものの、マスク材によっ
てはイオンビームの照射方向から影になる部分が発生
し、加工後の断面が同様に円錐台状になったり、また、
加工深さが深い場合には、イオンビームが底にまで到達
せず、エッチングができない場合がある。
対して角度を持たせてイオンビームを照射した場合は、
マスク側壁への再付着は防げるものの、マスク材によっ
てはイオンビームの照射方向から影になる部分が発生
し、加工後の断面が同様に円錐台状になったり、また、
加工深さが深い場合には、イオンビームが底にまで到達
せず、エッチングができない場合がある。
【０００６】このように、アルゴン・イオンビームを用
いた従来技術によると、断面形状が台形となるため、半
導体デバイスの薄膜キャパシタ用電極の作製プロセスに
適用した場合、幅を小さくして集積度を上げていくと電
極上部面積が小さくなるため、充分な電極面積が取れ
ず、しかも、最終的には円錐形状となるため、幅１μｍ
以下の微細化に限界があるなどの問題が発生している。
いた従来技術によると、断面形状が台形となるため、半
導体デバイスの薄膜キャパシタ用電極の作製プロセスに
適用した場合、幅を小さくして集積度を上げていくと電
極上部面積が小さくなるため、充分な電極面積が取れ
ず、しかも、最終的には円錐形状となるため、幅１μｍ
以下の微細化に限界があるなどの問題が発生している。
【０００７】また、塩素系ガスを主成分とするガスを用
いるドライエッチング方法では、反応生成物である白金
塩化物がエッチング後のマスク側壁に再付着し、Ｐｔが
再付着した上述のアルゴン・イオンエッチングを行った
場合と同様に、加工後の断面が円錐台状になる。さら
に、マスク側壁に再付着した白金塩化物は、マスク剥離
後やはり王冠状に残留し、白金電極上部に次の工程で別
の薄膜を堆積する際に、王冠状に残留した白金塩化物に
より薄膜の連続性が損なわれる（破れる）という欠点が
ある。
いるドライエッチング方法では、反応生成物である白金
塩化物がエッチング後のマスク側壁に再付着し、Ｐｔが
再付着した上述のアルゴン・イオンエッチングを行った
場合と同様に、加工後の断面が円錐台状になる。さら
に、マスク側壁に再付着した白金塩化物は、マスク剥離
後やはり王冠状に残留し、白金電極上部に次の工程で別
の薄膜を堆積する際に、王冠状に残留した白金塩化物に
より薄膜の連続性が損なわれる（破れる）という欠点が
ある。
【０００８】王冠状の再付着物の除去には、例えば、青
木他、９１年秋季応用物理学会学術講演会講演予稿集、
５１６ページ、９ｐ−ＺＦ−１７、１９９１年に開示さ
れているように、ウォータージェットの照射や綿棒など
による物理的な剥離が必要であり、デバイス量産性の低
下、プロセス信頼性の低下が問題となっている。また、
塩素を含む物質が基板表面にエッチング後も多量に残留
するため、デバイス信頼性確保の観点から後処理などの
工程を実施する必要があり、スループットの低下が問題
である。加えて、ドライエッチング時のマスク材料とし
ては、ＰＲが一般に用いられているが、エッチング時の
温度が３５０℃を超えるような場合にはＰＲが軟化した
り、炭化しやすく、微細パターンを高精度に製造するこ
とが不可能なため、マスク材料として用いることはでき
ない。
木他、９１年秋季応用物理学会学術講演会講演予稿集、
５１６ページ、９ｐ−ＺＦ−１７、１９９１年に開示さ
れているように、ウォータージェットの照射や綿棒など
による物理的な剥離が必要であり、デバイス量産性の低
下、プロセス信頼性の低下が問題となっている。また、
塩素を含む物質が基板表面にエッチング後も多量に残留
するため、デバイス信頼性確保の観点から後処理などの
工程を実施する必要があり、スループットの低下が問題
である。加えて、ドライエッチング時のマスク材料とし
ては、ＰＲが一般に用いられているが、エッチング時の
温度が３５０℃を超えるような場合にはＰＲが軟化した
り、炭化しやすく、微細パターンを高精度に製造するこ
とが不可能なため、マスク材料として用いることはでき
ない。
【０００９】本発明の目的は、これらの課題をを解決し
たＰｔを主成分とする合金のエッチング方法を提供する
ことにある。
たＰｔを主成分とする合金のエッチング方法を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＰｔを主成分と
する合金のエッチング方法は、Ｐｔを主成分とする合金
を形成した試料を３５０℃以上に加熱し、かつ減圧しな
がら、塩素系ガスプラズマを用いてでエッチングするこ
とにより、Ｐｔを主成分とする合金を加工することを特
徴としている。また、試料の温度を３５０℃以上に昇温
してエッチングする際に、このエッチング温度域におい
て安定な断面形状の保持が可能な無機物，有機物（例え
ば、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ポリイミドなど）をマ
スク材料として用いてもよい。
する合金のエッチング方法は、Ｐｔを主成分とする合金
を形成した試料を３５０℃以上に加熱し、かつ減圧しな
がら、塩素系ガスプラズマを用いてでエッチングするこ
とにより、Ｐｔを主成分とする合金を加工することを特
徴としている。また、試料の温度を３５０℃以上に昇温
してエッチングする際に、このエッチング温度域におい
て安定な断面形状の保持が可能な無機物，有機物（例え
ば、ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ポリイミドなど）をマ
スク材料として用いてもよい。
【００１１】
【作用】上述したように、イオンミリング法では、Ｐｔ
を主成分とする合金の加工後の断面が台形状となること
から、本発明者は異方性加工の可能な反応性イオンエッ
チング法によりＰｔを主成分とする合金の加工を検討し
た。しかしながら、単なる反応性イオンエッチング法の
適用では前述のように白金の塩化物が再付着し、良好な
エッチング断面形状が得られない。この問題点の原因と
しては、Ｐｔを主成分とする合金のエッチング反応での
反応生成物であるＰｔの塩化物が、塩素系ガスプラズマ
によるエッチング中に試料表面から効果的に取り去られ
ず、マスク側壁に堆積してしまうということが考えられ
る。一般に、物質の試料表面からの脱離のしやすさは蒸
気圧で示され、Ｐｔの塩化物の室温付近での蒸気圧が、
室温でエッチングが進行するＳｉの塩化物などと比べる
とかなり低いことが予想される。この蒸気圧Ｐは次の式
で示される。
を主成分とする合金の加工後の断面が台形状となること
から、本発明者は異方性加工の可能な反応性イオンエッ
チング法によりＰｔを主成分とする合金の加工を検討し
た。しかしながら、単なる反応性イオンエッチング法の
適用では前述のように白金の塩化物が再付着し、良好な
エッチング断面形状が得られない。この問題点の原因と
しては、Ｐｔを主成分とする合金のエッチング反応での
反応生成物であるＰｔの塩化物が、塩素系ガスプラズマ
によるエッチング中に試料表面から効果的に取り去られ
ず、マスク側壁に堆積してしまうということが考えられ
る。一般に、物質の試料表面からの脱離のしやすさは蒸
気圧で示され、Ｐｔの塩化物の室温付近での蒸気圧が、
室温でエッチングが進行するＳｉの塩化物などと比べる
とかなり低いことが予想される。この蒸気圧Ｐは次の式
で示される。
【００１２】 ｌｏｇ（Ｐ）＝−０．２１８５（ａ／Ｔ）＋ｂ この式は、ハンドブック・オブ・ケミストリー・アンド
・フィズィクス・フィフティーフォース・エディショ
ン、シー・アール・シー・プレス、１９７３年、Ｄ−１
８２頁に開示されている。この経験式からＰｔの塩化物
においても、室温からの昇温によって蒸気圧が徐々に増
大するはずである。従って、塩化物が生成した状況下で
昇温を行えば、塩化物が蒸発することによりエッチング
が進行することが期待される。
・フィズィクス・フィフティーフォース・エディショ
ン、シー・アール・シー・プレス、１９７３年、Ｄ−１
８２頁に開示されている。この経験式からＰｔの塩化物
においても、室温からの昇温によって蒸気圧が徐々に増
大するはずである。従って、塩化物が生成した状況下で
昇温を行えば、塩化物が蒸発することによりエッチング
が進行することが期待される。
【００１３】そこで、反応性エッチング装置の基板内部
にヒータを組み込み、試料の温度を種々に昇温してエッ
チングを行った。その結果、図３に示すように、Ｐｔを
主成分とする合金試料の温度を３５０℃以上にすること
により、エッチングレートとして５０ｎｍ／分を超える
値が得られた。また、同一の装置で昇温しなかった場合
は、約３０ｎｍ／分であり、３５０℃よりさらに昇温す
ることにより、従来技術のイオンビームエッチングの場
合よりも高いエッチングレートが得られることが判っ
た。
にヒータを組み込み、試料の温度を種々に昇温してエッ
チングを行った。その結果、図３に示すように、Ｐｔを
主成分とする合金試料の温度を３５０℃以上にすること
により、エッチングレートとして５０ｎｍ／分を超える
値が得られた。また、同一の装置で昇温しなかった場合
は、約３０ｎｍ／分であり、３５０℃よりさらに昇温す
ることにより、従来技術のイオンビームエッチングの場
合よりも高いエッチングレートが得られることが判っ
た。
【００１４】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例を実現するためのエッチ
ング装置を示す断面図である。図１（ａ）において、エ
ッチング装置のエッチングチャンバ１内の基板２内部に
ヒータ３を装着するとともに、真空ポンプ（図示せず）
により１×１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気し、基板２全体
の温度を約４００℃に保持されている。そして、基板２
上には、図１（ｂ）に示すように、Ｐｔを主成分とする
合金４（今回は純Ｐｔを利用）に厚さ１μｍ，直径０．
３から５μｍのＳｉＯ2 パターン５を形成した試料６が
装着され、陽極板７との間に高周波が印加される。さら
に、基板２の周囲には試料表面にガス供給用のガス導入
管８が設けられ、このガス導入管８介して外部からチャ
ンバ１内に必要量の塩素系ガスが供給されるように構成
されている。
る。図１は、本発明の一実施例を実現するためのエッチ
ング装置を示す断面図である。図１（ａ）において、エ
ッチング装置のエッチングチャンバ１内の基板２内部に
ヒータ３を装着するとともに、真空ポンプ（図示せず）
により１×１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排気し、基板２全体
の温度を約４００℃に保持されている。そして、基板２
上には、図１（ｂ）に示すように、Ｐｔを主成分とする
合金４（今回は純Ｐｔを利用）に厚さ１μｍ，直径０．
３から５μｍのＳｉＯ2 パターン５を形成した試料６が
装着され、陽極板７との間に高周波が印加される。さら
に、基板２の周囲には試料表面にガス供給用のガス導入
管８が設けられ、このガス導入管８介して外部からチャ
ンバ１内に必要量の塩素系ガスが供給されるように構成
されている。
【００１５】このように構成されたエッチング装置を準
備し、塩素系ガスとしてＣＣｌ4 を流した状態で所定の
高周波を印加してプラズマを発生させ、反応性イオンエ
ッチングを行った。ここで、代表的なエッチング条件を
次の表に示す。
備し、塩素系ガスとしてＣＣｌ4 を流した状態で所定の
高周波を印加してプラズマを発生させ、反応性イオンエ
ッチングを行った。ここで、代表的なエッチング条件を
次の表に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１に示したエッチング後、試料６をエッ
チングチャンバ１から取り出し、ＳｉＯ2 パターン５を
剥離した後、触針式段差計を用いてＰｔを主成分とする
合金４のエッチング量を測定した。この結果、エッチン
グレートとして約８０ｎｍ／分が得られた。これは、従
来技術のアルゴン・イオンビームエッチングの約１．５
倍のエッチングレートであり、また、試料温度を２５℃
に設定した以外は、表１と全く同様の条件で反応性イオ
ンエッチングを行った場合に比べて約２．５倍であっ
た。
チングチャンバ１から取り出し、ＳｉＯ2 パターン５を
剥離した後、触針式段差計を用いてＰｔを主成分とする
合金４のエッチング量を測定した。この結果、エッチン
グレートとして約８０ｎｍ／分が得られた。これは、従
来技術のアルゴン・イオンビームエッチングの約１．５
倍のエッチングレートであり、また、試料温度を２５℃
に設定した以外は、表１と全く同様の条件で反応性イオ
ンエッチングを行った場合に比べて約２．５倍であっ
た。
【００１８】また、エッチング前後のパターン変換差の
問題についても、走査型電子顕微鏡による観察による
と、例えば、図２（ａ）示すように、直径約０．３μｍ
のＳｉＯ2 マスクパターンに対し、本実施例の方法を適
用した場合、図２（ｃ）に示すように、ほぼ垂直（約８
５度）の側壁角度を有するパターンが得られ、パターン
変換差がほとんどないことが確認された。さらに、反応
生成物の再付着も認められず、従来よりも大きな上面積
を有するＰｔ電極パターンを形成することができた。
問題についても、走査型電子顕微鏡による観察による
と、例えば、図２（ａ）示すように、直径約０．３μｍ
のＳｉＯ2 マスクパターンに対し、本実施例の方法を適
用した場合、図２（ｃ）に示すように、ほぼ垂直（約８
５度）の側壁角度を有するパターンが得られ、パターン
変換差がほとんどないことが確認された。さらに、反応
生成物の再付着も認められず、従来よりも大きな上面積
を有するＰｔ電極パターンを形成することができた。
【００１９】なお、本実施例に用いたＰｔを主成分とす
る合金の組成およびエッチング条件はその一例である。
また、本実施例では塩素系ガスとしてＣＣｌ4 のみを用
いた例のみについて言及したが、他の塩素系ガスを用い
てもよく、塩素系ガスにアルゴンなどの不活性ガスや水
素などの還元性ガス、さらには、ＣｌＯ化合物形成を狙
って酸素を混合したものを用いてもよい。
る合金の組成およびエッチング条件はその一例である。
また、本実施例では塩素系ガスとしてＣＣｌ4 のみを用
いた例のみについて言及したが、他の塩素系ガスを用い
てもよく、塩素系ガスにアルゴンなどの不活性ガスや水
素などの還元性ガス、さらには、ＣｌＯ化合物形成を狙
って酸素を混合したものを用いてもよい。
【００２０】また、エッチング方法として反応性イオン
エッチング法を用いた例を示したが、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ），ヘリコン波，マイクロ波，マグネト
ロンなどの高密度プラズマ生成手法を用いた場合には、
さらに高いエッチングレートが得られる。本実施例で
は、マスク材料としてＳｉＯ2 を用いた場合について説
明したが、図３に示すように、３５０℃以上の温度域に
おいて安定機能するマスク材料として、他の無機物（例
えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 など）や、有機物（例え
ば、ポリイミドなど）を用いてもよい。
エッチング法を用いた例を示したが、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ），ヘリコン波，マイクロ波，マグネト
ロンなどの高密度プラズマ生成手法を用いた場合には、
さらに高いエッチングレートが得られる。本実施例で
は、マスク材料としてＳｉＯ2 を用いた場合について説
明したが、図３に示すように、３５０℃以上の温度域に
おいて安定機能するマスク材料として、他の無機物（例
えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 など）や、有機物（例え
ば、ポリイミドなど）を用いてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ方法を用いることにより、Ｐｔを主成分とする合金の
反応性イオンエッチングが可能となる。その結果、エッ
チングレートが小さいという従来の方法の問題点を解決
し、デバイス製造時のスループットの大幅な向上が可能
となる。さらに、従来のエッチング方法では困難であっ
たＰｔを主成分とする合金を矩形断面を持つ、再付着物
の無いパターンに加工することが可能となり、幅１μｍ
以下の微細加工が可能となる。
グ方法を用いることにより、Ｐｔを主成分とする合金の
反応性イオンエッチングが可能となる。その結果、エッ
チングレートが小さいという従来の方法の問題点を解決
し、デバイス製造時のスループットの大幅な向上が可能
となる。さらに、従来のエッチング方法では困難であっ
たＰｔを主成分とする合金を矩形断面を持つ、再付着物
の無いパターンに加工することが可能となり、幅１μｍ
以下の微細加工が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を実現するためのエッチング
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図２】本発明の方法と従来の方法によるパターン変換
差を示す図である。
差を示す図である。
【図３】Ｐｔを主成分とする材料を昇温してエッチング
を行った際のエッチングレートと試料温度との関係を示
す図である。
を行った際のエッチングレートと試料温度との関係を示
す図である。
１ エッチングチャンバ ２ 基板 ３ ヒータ ４ Ｐｔを主成分とする合金 ５ ＳｉＯ2 パターン ６ 試料 ７ 陽極板 ８ ガス導入管
Claims (3)
- 【請求項１】Ｐｔを主成分とする合金を形成した試料の
温度を少なくとも３５０℃以上に加熱し、かつ減圧しな
がら塩素を成分として含むガス雰囲気中でエッチングす
ることを特徴とするＰｔを主成分とする合金のエッチン
グ方法。 - 【請求項２】前記試料の温度を３５０℃以上に昇温して
エッチングする際に、前記温度域において安定な断面形
状を保ち得る無機物もしくは有機物をマスク材料として
用いることを特徴とする請求項１記載のＰｔを主成分と
する合金のエッチング方法。 - 【請求項３】前記無機物もしくは有機物がＳｉＯ2また
はＳｉ3Ｎ4またはＡｌ2Ｏ3またはポリイミドであること
を特徴とする請求項２記載のＰｔを主成分とする合金の
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274220A JP2972506B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274220A JP2972506B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130712A JPH07130712A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2972506B2 true JP2972506B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17538704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5274220A Expired - Fee Related JP2972506B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | Ｐｔを主成分とする合金のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972506B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100413649B1 (ko) * | 1996-01-26 | 2004-04-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치의제조방법 |
| US5983906A (en) * | 1997-01-24 | 1999-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment |
| US6046116A (en) | 1997-11-19 | 2000-04-04 | Tegal Corporation | Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer |
| WO2001040540A1 (en) | 1999-12-02 | 2001-06-07 | Tegal Corporation | Improved reactor with heated and textured electrodes and surfaces |
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