JP2971469B2 - 卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびセラミック電子部品の電極形成方法 - Google Patents
卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびセラミック電子部品の電極形成方法Info
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- JP2971469B2 JP2971469B2 JP63097062A JP9706288A JP2971469B2 JP 2971469 B2 JP2971469 B2 JP 2971469B2 JP 63097062 A JP63097062 A JP 63097062A JP 9706288 A JP9706288 A JP 9706288A JP 2971469 B2 JP2971469 B2 JP 2971469B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はセラミック基材上へ局部メッキを施す際に使
用する卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびそれ
を用いたセラミック電子部品の電極形成方法に関するも
のである。
用する卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびそれ
を用いたセラミック電子部品の電極形成方法に関するも
のである。
従来の技術 従来、メッキ下地活性用金属ペーストとして、例えば
特公昭60−1951号公報に記載されているように、Ag成分
が99.5〜0.5重量％、Ni,Cu,Al,Zn,W,Mo成分の１種或は
２種以上の成分が0.5〜99.5重量％よりなる金属材料を
用意し、この金属材料を金属成分として1.0〜40重量％
含むようにビヒクル中に分散させたペーストが知られて
いる。
特公昭60−1951号公報に記載されているように、Ag成分
が99.5〜0.5重量％、Ni,Cu,Al,Zn,W,Mo成分の１種或は
２種以上の成分が0.5〜99.5重量％よりなる金属材料を
用意し、この金属材料を金属成分として1.0〜40重量％
含むようにビヒクル中に分散させたペーストが知られて
いる。
そして上記ペーストで、例えばSrTiO3−CaTiO3系材料
よりなる円板形の誘電体セラミック基材上に塗布しコン
デンサとしての電極を形成するには、先ず誘電体セラミ
ック基材の両面にそのペーストをスクリーン印刷法にて
塗布し、その後600〜800℃で焼き付ける。ただしこのペ
ーストを使用すると焼き付けの際にペースト中の金属の
酸化が発生し、不活性化された状態で焼き付けられるこ
ととなるために、Pdイオンを含む溶液に浸漬して再度活
性化させ、その後無電解Niメッキまたは無電解Cuメッキ
を施して電極を形成していた。
よりなる円板形の誘電体セラミック基材上に塗布しコン
デンサとしての電極を形成するには、先ず誘電体セラミ
ック基材の両面にそのペーストをスクリーン印刷法にて
塗布し、その後600〜800℃で焼き付ける。ただしこのペ
ーストを使用すると焼き付けの際にペースト中の金属の
酸化が発生し、不活性化された状態で焼き付けられるこ
ととなるために、Pdイオンを含む溶液に浸漬して再度活
性化させ、その後無電解Niメッキまたは無電解Cuメッキ
を施して電極を形成していた。
発明が解決しようとする課題 従来のペーストは上述したように、焼き付け時に被メ
ッキ部分が酸化等によって不活性化状態となるために、
その後にPdイオンなどを含む溶液に浸漬して再度活性化
を行わなければならず、またAg以外の卑金属が多いペー
ストをSrTiO3−CaTiO3系の誘電体セラミック基材上に塗
布し電極を形成し、コンデンサを形成した場合このコン
デンサのＱ特性が劣化してしまうという問題点を有して
いた。
ッキ部分が酸化等によって不活性化状態となるために、
その後にPdイオンなどを含む溶液に浸漬して再度活性化
を行わなければならず、またAg以外の卑金属が多いペー
ストをSrTiO3−CaTiO3系の誘電体セラミック基材上に塗
布し電極を形成し、コンデンサを形成した場合このコン
デンサのＱ特性が劣化してしまうという問題点を有して
いた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、ペースト
の焼き付け時に、ペーストが酸化等により不活性状態と
なることを抑制し、ペーストの再活性化の作業が不要な
生産効率の高いメッキ下地用金属ペーストを提供するこ
とを目的とする。
の焼き付け時に、ペーストが酸化等により不活性状態と
なることを抑制し、ペーストの再活性化の作業が不要な
生産効率の高いメッキ下地用金属ペーストを提供するこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段 そこで、本発明は、Zn成分を99.9〜80重量部、Ti単体
若しくはAl,Mgの少なくとも１種類とTiとからなる金属
成分を0.1〜20重量部含み、合計が100重量部となる金属
材料を金属成分として30〜85重量部だけビヒクルあるい
はガラス粉を含んだビヒクルに分散させた。
若しくはAl,Mgの少なくとも１種類とTiとからなる金属
成分を0.1〜20重量部含み、合計が100重量部となる金属
材料を金属成分として30〜85重量部だけビヒクルあるい
はガラス粉を含んだビヒクルに分散させた。
作 用 上記成分とすることにより、ペーストはPdイオンでの
再活性処理が不要となる。
再活性処理が不要となる。
実 施 例 先ず、Zn成分を100〜70重量部、Ti,Al,Mgの内の１種
または２種以上の成分を０〜30重量部含み、合計が100
重量部となる金属材料に対し、ホウケイ酸鉛系ガラス粉
末を第１表に示す量とテルピオール５重量部を混合し、
金属ワニスを作成した。この金属ワニス15重量部％エチ
ルセルロースをテルピオネールに溶かしたビヒクルを15
重量部加え、混練しメッキ下地活性用金属ペーストを作
成した。そして直径6mm、厚さ0.3mmのSrTiO3−CaTiO3系
の誘電体セラミック基材の両面に直径5mmの円形にスク
リーン印刷法を用いて前記ペーストを塗布し、これを空
気中で約500℃で10分間焼き付けした。この際、昇温及
び降温時間を含め合計60分間炉中に入れた。
または２種以上の成分を０〜30重量部含み、合計が100
重量部となる金属材料に対し、ホウケイ酸鉛系ガラス粉
末を第１表に示す量とテルピオール５重量部を混合し、
金属ワニスを作成した。この金属ワニス15重量部％エチ
ルセルロースをテルピオネールに溶かしたビヒクルを15
重量部加え、混練しメッキ下地活性用金属ペーストを作
成した。そして直径6mm、厚さ0.3mmのSrTiO3−CaTiO3系
の誘電体セラミック基材の両面に直径5mmの円形にスク
リーン印刷法を用いて前記ペーストを塗布し、これを空
気中で約500℃で10分間焼き付けした。この際、昇温及
び降温時間を含め合計60分間炉中に入れた。
次いで、硫酸銅、水酸化ナトリウム、ホルマリン、酒
石酸ナトリウム・カリウムからなる化学メッキ液に約20
分浸漬して、ペーストの焼き付け部分に約２μｍの銅メ
ッキ膜を作り電極を形成した。
石酸ナトリウム・カリウムからなる化学メッキ液に約20
分浸漬して、ペーストの焼き付け部分に約２μｍの銅メ
ッキ膜を作り電極を形成した。
上述の方法にて作成した誘電体セラミックコンデンサ
50個の夫々に、0.5mmφのリード線を半田付けした。
50個の夫々に、0.5mmφのリード線を半田付けした。
半田付けした誘電体セラミックコンデンサについてそ
のＱと電極の引っ張り強度を測定した。
のＱと電極の引っ張り強度を測定した。
なお、Ｑの測定はＱメータを用い、測定周波数は1MH
z、測定電圧は200mVで行った。また、引っ張り試験はシ
ョッパー型引っ張り試験機を用い、誘電体セラミックコ
ンデンサの電極に半田付けされたリード線を引っ張り、
電極面または半田付け面が破壊された時の荷重を読み、
その値を見掛けの引っ張り強度とした。このようにして
測定したＱおよび見掛けの引っ張り強度の値を第１表に
示す。
z、測定電圧は200mVで行った。また、引っ張り試験はシ
ョッパー型引っ張り試験機を用い、誘電体セラミックコ
ンデンサの電極に半田付けされたリード線を引っ張り、
電極面または半田付け面が破壊された時の荷重を読み、
その値を見掛けの引っ張り強度とした。このようにして
測定したＱおよび見掛けの引っ張り強度の値を第１表に
示す。
尚、第１表中において資料番号3,4,17,18,23,24,26,2
7は本発明の範囲内のものであり、それ以外が本発明の
範囲外のものである。
7は本発明の範囲内のものであり、それ以外が本発明の
範囲外のものである。
試料番号２〜16はTi,Al,Mgまたはガラス粉末を単独で
添加した場合で、Ti金属を添加すると、Ｑと見掛けの引
っ張り強度は共に良好なものとなった。またガラス粉末
の添加では見掛けの引っ張り強度が良好となることが確
認された。
添加した場合で、Ti金属を添加すると、Ｑと見掛けの引
っ張り強度は共に良好なものとなった。またガラス粉末
の添加では見掛けの引っ張り強度が良好となることが確
認された。
試料番号17〜27はTi,Al,Mgの１種以上とTiとを複合し
て添加したものであり、これらのものではＱおよび見掛
けの引っ張り強度がともに良好となっていることが確認
された。
て添加したものであり、これらのものではＱおよび見掛
けの引っ張り強度がともに良好となっていることが確認
された。
本実施例に示してきた本発明の範囲内にあるメッキ下
地活性用金属ペーストを用いることにより、従来必要で
あった貴金属イオンによる活性化処理が不要となるだけ
でなく、金属成分として全て卑金属を使用した局部メッ
キが可能となり、コストの低減にもつながる。更に本ペ
ーストを誘導体セラミック基板に焼き付け、その後無電
解メッキにて得られる電極は引っ張り強度の良好なもの
となる。
地活性用金属ペーストを用いることにより、従来必要で
あった貴金属イオンによる活性化処理が不要となるだけ
でなく、金属成分として全て卑金属を使用した局部メッ
キが可能となり、コストの低減にもつながる。更に本ペ
ーストを誘導体セラミック基板に焼き付け、その後無電
解メッキにて得られる電極は引っ張り強度の良好なもの
となる。
特に金属ワニスをビヒクルに対して30〜85重量部分散
させることにより、電極形成のために行われる無電解Ni
若しくはCuメッキの析出を良好にすると共に適度な粘性
を保つことができ、電極とペースト間の良好な接合性を
確保すると共に良好な作業性を提供することができる。
させることにより、電極形成のために行われる無電解Ni
若しくはCuメッキの析出を良好にすると共に適度な粘性
を保つことができ、電極とペースト間の良好な接合性を
確保すると共に良好な作業性を提供することができる。
さらにこの範囲においては、誘電体セラミック基板に
本ペーストを印刷して焼成する際に問題となる本ペース
トの酸化を抑制することができ、Ｑ値等の特性に優れ、
かつ、電極となるメッキとペーストとの結合性に優れた
誘電体電子部品を実現することができる。
本ペーストを印刷して焼成する際に問題となる本ペース
トの酸化を抑制することができ、Ｑ値等の特性に優れ、
かつ、電極となるメッキとペーストとの結合性に優れた
誘電体電子部品を実現することができる。
また特にZn成分に少なくともTi成分を添加することに
より、他の金属成分のみを添加する場合に比べて、Ｑ値
及び引っ張り強度の双方ともより大きくすることができ
るので、物理的特性及び機械的特性に優れた高性能で信
頼性の高い誘電体電子部品を実現することができる。
より、他の金属成分のみを添加する場合に比べて、Ｑ値
及び引っ張り強度の双方ともより大きくすることができ
るので、物理的特性及び機械的特性に優れた高性能で信
頼性の高い誘電体電子部品を実現することができる。
以上は誘電体セラミック基材の両面に電極を形成した
誘電体セラミックコンデンサを例にとって述べたが、誘
電体セラミック基材を用いたその他の電子部品において
も同様の効果が奏せられることはいうまでもない。
誘電体セラミックコンデンサを例にとって述べたが、誘
電体セラミック基材を用いたその他の電子部品において
も同様の効果が奏せられることはいうまでもない。
発明の効果 以上説明したように、本発明のメッキ下地活性用金属
ペーストを用いると、従来必要であった貴金属イオンに
よる活性化処理が不要となるだけでなく、金属成分とし
てすべて卑金属を使用した局部メッキが可能となり、コ
ストの低減にもつながる。また、本発明の条件下でメッ
キ下地活性用金属ペーストを誘電体セラミック基材に焼
き付け、その後の無電解メッキにて得られる電極は引っ
張り強度の良好なものになる。
ペーストを用いると、従来必要であった貴金属イオンに
よる活性化処理が不要となるだけでなく、金属成分とし
てすべて卑金属を使用した局部メッキが可能となり、コ
ストの低減にもつながる。また、本発明の条件下でメッ
キ下地活性用金属ペーストを誘電体セラミック基材に焼
き付け、その後の無電解メッキにて得られる電極は引っ
張り強度の良好なものになる。
特に金属ワニスをビヒクルに対して30〜85重量部分散
させることにより、電極形成のために行われる無電解Ni
若しくはCuメッキの析出を良好にすると共に適度な粘性
を保つことができ、電極とペースト間の良好な接合性を
確保すると共に良好な作業性を提供することができる。
させることにより、電極形成のために行われる無電解Ni
若しくはCuメッキの析出を良好にすると共に適度な粘性
を保つことができ、電極とペースト間の良好な接合性を
確保すると共に良好な作業性を提供することができる。
さらにこの範囲においては、誘電体セラミック基板に
本ペーストを印刷して焼成する際に問題となる本ペース
トの酸化を抑制することができ、Ｑ値等の特性に優れ、
かつ、電極となるメッキとペーストとの結合性に優れた
誘電体電子部品を実現することができる。
本ペーストを印刷して焼成する際に問題となる本ペース
トの酸化を抑制することができ、Ｑ値等の特性に優れ、
かつ、電極となるメッキとペーストとの結合性に優れた
誘電体電子部品を実現することができる。
また得にZn成分に少なくともTi成分を添加することに
より、他の金属成分のみを添加する場合に比べて、Ｑ値
及び引っ張り強度の双方ともをより大きくすることがで
きるので、物理的特性及び機械的特性に優れた高性能で
信頼性の高い誘電体電子部品を実現することができる。
より、他の金属成分のみを添加する場合に比べて、Ｑ値
及び引っ張り強度の双方ともをより大きくすることがで
きるので、物理的特性及び機械的特性に優れた高性能で
信頼性の高い誘電体電子部品を実現することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多木 宏光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 帆足 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−27003（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−1951（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭63−10887（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭57−23402（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】Zn成分を99.9〜80重量部、Ti単体若しくは
Al,Mgの少なくとも１種類とTiとからなる金属成分を0.1
〜20重量部含み、合計が100重量部となる金属材料が溶
剤に分散させてなる金属ワニスを、脂溶性樹脂と水溶性
樹脂と両溶性樹脂の内の１種或いは２種以上よりなるビ
ヒクルに、金属成分として30〜85重量部を分散させてな
る卑金属メッキ下地活性用金属ペースト。 - 【請求項２】Zn成分を99.9〜80重量部、Ti単体若しくは
Al,Mgの少なくとも１種類とTiとからなる金属成分を0.1
〜20重量部含み、合計が100重量部となる金属材料を溶
剤に分散させてなる金属ワニスを、脂溶性樹脂と水溶性
樹脂と両溶性樹脂の内の１種或いは２種以上よりなるビ
ヒクルに、金属成分として30〜85重量部分散させると共
に、324メッシュパス以下の粉末粒径のガラスを30重量
部以下分散させたことを特徴とする卑金属メッキ下地活
性用金属ペースト。 - 【請求項３】融点が250〜850℃のガラスを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の卑金属メッキ
下地活性用金属ペースト。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項に記載の卑金属メッ
キ下地活性用金属ペーストを、セラミック基材上へ塗布
し、450〜900℃の温度範囲内で焼き付け処理を行い、そ
の後無電解Cuメッキまたは無電解Niメッキを行い電極を
形成することを特徴とするセラミック電子部品の電極形
成方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第２項に記載の卑金属メッ
キ下地活性用金属ペーストを、セラミック基材上へ塗布
し、450〜900℃の温度範囲内に焼き付け処理を行い、そ
の後無電解Cuメッキまたは無電解Niメッキを行い電極を
形成することを特徴とするセラミック電子部品の電極形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097062A JP2971469B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびセラミック電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097062A JP2971469B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびセラミック電子部品の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267903A JPH01267903A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2971469B2 true JP2971469B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14182160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097062A Expired - Lifetime JP2971469B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 卑金属メッキ下地活性用金属ペーストおよびセラミック電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971469B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127003A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | ティーディーケイ株式会社 | 導電性ペ−スト組成物 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097062A patent/JP2971469B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01267903A (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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