JP2961946B2 - 電子波干渉素子 - Google Patents
電子波干渉素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体を用いた高
速電子素子に関し、特に電子波の干渉を利用した電子波
干渉素子に関するものである。
速電子素子に関し、特に電子波の干渉を利用した電子波
干渉素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子波干渉素子の一例の構成を図
４および図５に示す。図４および図５において、１は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ+ −ソース電極、３はｎ+
−ドレイン電極、４はリング状チャネルであり、基板１
上にリング状チャネル４を配設し、そのチャネル３の両
端にソースおよびドレイン電極２および３を配設する。
ここで、ソースおよびドレイン電極２および３をチャネ
ル４に貼りつけて熱処理することにより、ソースおよび
ドレイン電極２および３を構成する金属材料をチャネル
４および基板１内に拡散させて、それぞれ、ソースおよ
びドレイン領域を形成する。ここで、基板１はチャネル
４より電子親和力が大きい半導体から構成されており、
両者間にヘテロ接合が形成される。電子親和力の大きい
基板１側には電子が高密度がたまるので、２次元電子ガ
ス（２ＤＥＧ）９が形成される。ただし、リング状の内
部のシャロウエッチドくぼみえＢの下側はチャネル４の
厚さがうすいので、電子がたまりにくく、２次元電子ガ
スはできず、したがって、電流が流れにくい。
４および図５に示す。図４および図５において、１は半
絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ+ −ソース電極、３はｎ+
−ドレイン電極、４はリング状チャネルであり、基板１
上にリング状チャネル４を配設し、そのチャネル３の両
端にソースおよびドレイン電極２および３を配設する。
ここで、ソースおよびドレイン電極２および３をチャネ
ル４に貼りつけて熱処理することにより、ソースおよび
ドレイン電極２および３を構成する金属材料をチャネル
４および基板１内に拡散させて、それぞれ、ソースおよ
びドレイン領域を形成する。ここで、基板１はチャネル
４より電子親和力が大きい半導体から構成されており、
両者間にヘテロ接合が形成される。電子親和力の大きい
基板１側には電子が高密度がたまるので、２次元電子ガ
ス（２ＤＥＧ）９が形成される。ただし、リング状の内
部のシャロウエッチドくぼみえＢの下側はチャネル４の
厚さがうすいので、電子がたまりにくく、２次元電子ガ
スはできず、したがって、電流が流れにくい。
【０００３】従来の電子波干渉素子では、かかる構成の
素子に垂直に磁場を印加し、電子波位相を制御する。
素子に垂直に磁場を印加し、電子波位相を制御する。
【０００４】この種電子波干渉素子では、そのリング状
チャネル４において、磁場に対して周期的な振動を示す
アハラノフーボーム（Ａｈａｒｏｎｏｖ−Ｂｏｈｍ；Ａ
−Ｂ）効果が、メソスコピック系における電子波干渉効
果として知られている。
チャネル４において、磁場に対して周期的な振動を示す
アハラノフーボーム（Ａｈａｒｏｎｏｖ−Ｂｏｈｍ；Ａ
−Ｂ）効果が、メソスコピック系における電子波干渉効
果として知られている。
【０００５】すなわち、かかる電子波干渉素子に対して
垂直に磁場を印加すると、ソース領域５からの入射電子
波はチャネル４のリング４Ａのところで２つの電子波に
分岐され、再び合流してドレイン領域６に至る。このと
き印加されている磁場の強さをＢとして、リング４Ａの
内側の中空の面積をＳとすると、２つの電子波の位相差
φは φ＝２πＢ／φ0 φ0 ：量子磁束ｈ／ｅ となる。この位相差が２πの整数倍のとき、２つの電子
波は同相であるから加算され、電流が多く流れる。他
方、半整数倍のときは打ち消すように逆相で加算され、
電流は流れなくなる。このように印加磁場の大きさを変
えることにより、電流の大きさを制御することができ
る。
垂直に磁場を印加すると、ソース領域５からの入射電子
波はチャネル４のリング４Ａのところで２つの電子波に
分岐され、再び合流してドレイン領域６に至る。このと
き印加されている磁場の強さをＢとして、リング４Ａの
内側の中空の面積をＳとすると、２つの電子波の位相差
φは φ＝２πＢ／φ0 φ0 ：量子磁束ｈ／ｅ となる。この位相差が２πの整数倍のとき、２つの電子
波は同相であるから加算され、電流が多く流れる。他
方、半整数倍のときは打ち消すように逆相で加算され、
電流は流れなくなる。このように印加磁場の大きさを変
えることにより、電流の大きさを制御することができ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子波干渉素子では、ソース電極２からドレイン電極３
までチャネル４の両側に境界があるため、高磁場を印加
した場合には、図６に示すように、境界の近傍にのみエ
ッジ電流が流れる。ところで、電流には、チャネル４中
を自由に流れることができるバルク電流とチャネル４の
境界を流れるエッジ電流の２種類があり、磁場が高けれ
ば高いほどエッジ電流成分が大きくなる。
電子波干渉素子では、ソース電極２からドレイン電極３
までチャネル４の両側に境界があるため、高磁場を印加
した場合には、図６に示すように、境界の近傍にのみエ
ッジ電流が流れる。ところで、電流には、チャネル４中
を自由に流れることができるバルク電流とチャネル４の
境界を流れるエッジ電流の２種類があり、磁場が高けれ
ば高いほどエッジ電流成分が大きくなる。
【０００７】このエッジ電流はチャネル４の境界のみを
流れるので、入射電子波はチャネルの分岐点で２つに分
かれることができないし、同様に、分かれている電子波
は１つに合流することができない。また、エッジ電流は
印加磁場の大きさによらず一定の値をとることになる。
ここで、電流は、図７に示すように、エッジ電流とバル
ク電流との和で求められるが、磁場が大きくなると、エ
ッジ電流成分は大きくなり、磁場により振動するバルク
電流成分が少なくなる。このためバルク電流とエッジ電
流の和である電流の磁場による変調比（ｏｎ−ｏｆｆ
比）が小さくなる欠点がある。このように高磁場ではＡ
−Ｂ効果が観測されないことは、たとえば、Ｇ−Ｔｉｍ
ｐ ｅｔ ａｌ．によるＰｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ，５８（１９７８）２８１４にも報
告されている。
流れるので、入射電子波はチャネルの分岐点で２つに分
かれることができないし、同様に、分かれている電子波
は１つに合流することができない。また、エッジ電流は
印加磁場の大きさによらず一定の値をとることになる。
ここで、電流は、図７に示すように、エッジ電流とバル
ク電流との和で求められるが、磁場が大きくなると、エ
ッジ電流成分は大きくなり、磁場により振動するバルク
電流成分が少なくなる。このためバルク電流とエッジ電
流の和である電流の磁場による変調比（ｏｎ−ｏｆｆ
比）が小さくなる欠点がある。このように高磁場ではＡ
−Ｂ効果が観測されないことは、たとえば、Ｇ−Ｔｉｍ
ｐ ｅｔ ａｌ．によるＰｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅ
ｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ，５８（１９７８）２８１４にも報
告されている。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上述した問題点
を解決し、電流の磁場による変調比を大きくすることの
できる電子波干渉素子を提供することにある。
を解決し、電流の磁場による変調比を大きくすることの
できる電子波干渉素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前述の問題点を解決する
ために、本発明では、コルビノディスク（Ｃｏｒｂｉｎ
ｏ ｄｉｓｋ）状のチャネル領域を有し、そのチャネル
の全面にわたって、複数個の微小な閉図形の高抵抗領域
をそれぞれの図形が重ならないように間隔をあけて配置
したアンチドットの形態の構造を持ち、コルビノディス
ク状のチャネル領域の内側および外側に、それぞれ、ソ
ース電極およびドレイン電極を配置する。
ために、本発明では、コルビノディスク（Ｃｏｒｂｉｎ
ｏ ｄｉｓｋ）状のチャネル領域を有し、そのチャネル
の全面にわたって、複数個の微小な閉図形の高抵抗領域
をそれぞれの図形が重ならないように間隔をあけて配置
したアンチドットの形態の構造を持ち、コルビノディス
ク状のチャネル領域の内側および外側に、それぞれ、ソ
ース電極およびドレイン電極を配置する。
【００１０】すなわち、本発明は、コルビノデイスク状
のチャネル領域を構成する第１の化合物半導体と、前記
第１の化合物半導体とヘテロ接合を構成し、かつ前記第
１の化合物半導体よりも電子親和力が大きい第２の化合
物半導体と、前記チャネル領域上にその全面にわたっ
て、かつ互いに重ならないように離隔して配置された複
数個の微小な閉図形の高抵抗領域と、前記チャネルの内
側に配置されたドレイン電極と、前記チャネルの外側に
配置されたソース電極とを具えたことを特徴とする。
のチャネル領域を構成する第１の化合物半導体と、前記
第１の化合物半導体とヘテロ接合を構成し、かつ前記第
１の化合物半導体よりも電子親和力が大きい第２の化合
物半導体と、前記チャネル領域上にその全面にわたっ
て、かつ互いに重ならないように離隔して配置された複
数個の微小な閉図形の高抵抗領域と、前記チャネルの内
側に配置されたドレイン電極と、前記チャネルの外側に
配置されたソース電極とを具えたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明によれば、チャネル領域をコルビノディ
スク状に構成したので、ソース電極からドレイン電極を
つなぐ端がない構造となり、したがって印加した磁場に
よってソース電極からドレイン電極にエッジ電流が流れ
ないため、電流の磁場による変調比が大きくなる。
スク状に構成したので、ソース電極からドレイン電極を
つなぐ端がない構造となり、したがって印加した磁場に
よってソース電極からドレイン電極にエッジ電流が流れ
ないため、電流の磁場による変調比が大きくなる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図１，図２および図３は本発明の一実施例
を示し、ここで、１１は半絶縁性のＧａＡｓ基板、１２
はｎ+ −ソース（またはドレイン）電極、１３はｎ+ −
ドレイン（またはソース）電極、１４はこれら電極１２
と１３との間にコルビノディスクの形状で配置されたチ
ャネル領域、１５はチャネル領域１４にマルチチャネル
を構成する複数個のアンチドットを限界するための区画
として、チャネル領域１４の全面にわたって、互いに重
ならないように互いに離隔して配置された微小な閉図
形、たとえば正方形の浅いくぼみによる高抵抗絶縁領域
である。
を示し、ここで、１１は半絶縁性のＧａＡｓ基板、１２
はｎ+ −ソース（またはドレイン）電極、１３はｎ+ −
ドレイン（またはソース）電極、１４はこれら電極１２
と１３との間にコルビノディスクの形状で配置されたチ
ャネル領域、１５はチャネル領域１４にマルチチャネル
を構成する複数個のアンチドットを限界するための区画
として、チャネル領域１４の全面にわたって、互いに重
ならないように互いに離隔して配置された微小な閉図
形、たとえば正方形の浅いくぼみによる高抵抗絶縁領域
である。
【００１４】より具体的には、図３に示すように、基板
１１の上に順次に無添加ＧａＡｓ層１６およびドナー不
純物（たとえばＳｉ）添加ＡｌＧａＡｓ層１７を配置
し、さらにそのドナー不純物添加ＡｌＧａＡｓ層１７を
エッチバック処理してドレイン電極１３の外周全体の形
状に対応する矩形パターンのドナー不純物添加ＡｌＧａ
Ａｓ層１８を形成する。そして、この層１８の上に上述
した電極１２および１３を形成すると共に、両電極１２
と１３との間のチャネル領域に複数個の浅いくぼみ１５
を形成して、図１および図２に示す構造を得る。なお、
１９はソース電極１２の金属材料を層１８，１７，１
６，１１に拡散させて形成したソース領域、２０は同様
に形成したドレイン領域である。
１１の上に順次に無添加ＧａＡｓ層１６およびドナー不
純物（たとえばＳｉ）添加ＡｌＧａＡｓ層１７を配置
し、さらにそのドナー不純物添加ＡｌＧａＡｓ層１７を
エッチバック処理してドレイン電極１３の外周全体の形
状に対応する矩形パターンのドナー不純物添加ＡｌＧａ
Ａｓ層１８を形成する。そして、この層１８の上に上述
した電極１２および１３を形成すると共に、両電極１２
と１３との間のチャネル領域に複数個の浅いくぼみ１５
を形成して、図１および図２に示す構造を得る。なお、
１９はソース電極１２の金属材料を層１８，１７，１
６，１１に拡散させて形成したソース領域、２０は同様
に形成したドレイン領域である。
【００１５】ここで、高抵抗絶縁領域１５は、たとえば
チャネル領域１４としてのＡｌＧａＡｓ層１８に深さ５
００Å程度にシャロウ・エッチされた一辺が１μｍの正
方形のくぼみとすることができ、このくぼみ１５を１．
５μｍの周期で約２５００個配置して、アンチドット、
つまりくぼみ１５によるドット以外の部分によるマルチ
チャネルを形成することができた。ここで、基板１１と
チャネル領域１４とによる２ＤＥＧウェハーの移動度は
２５０，０００ｃｍ2 ／Ｖ・Ｓ、電子濃度は６．１×１
０11ｃｍ2 （４．２Ｋ）であり、およびコルビノディス
ク状チャネル領域１４の内側は一辺が１００μｍの正方
形とし、同じく外側は一辺が１３０μｍの正方形とし
た。なお、コルビノディスクの形状は正方形に限られ
ず、円形，楕円形とすることができる。
チャネル領域１４としてのＡｌＧａＡｓ層１８に深さ５
００Å程度にシャロウ・エッチされた一辺が１μｍの正
方形のくぼみとすることができ、このくぼみ１５を１．
５μｍの周期で約２５００個配置して、アンチドット、
つまりくぼみ１５によるドット以外の部分によるマルチ
チャネルを形成することができた。ここで、基板１１と
チャネル領域１４とによる２ＤＥＧウェハーの移動度は
２５０，０００ｃｍ2 ／Ｖ・Ｓ、電子濃度は６．１×１
０11ｃｍ2 （４．２Ｋ）であり、およびコルビノディス
ク状チャネル領域１４の内側は一辺が１００μｍの正方
形とし、同じく外側は一辺が１３０μｍの正方形とし
た。なお、コルビノディスクの形状は正方形に限られ
ず、円形，楕円形とすることができる。
【００１６】次に、本発明電子波干渉素子の作製法の一
例について述べる。ＭＯＣＶＤ法もしくはＭＢＥ法で、
ＧａＡｓ半絶縁性基板１１上に、無添加ＧａＡｓ層１
６、引き続きドナー不純物としてのＳｉの添加量を調節
したＡｌＧａＡｓ層１７を成長させてから、ＡｌＧａＡ
ｓ層１８をエッチバックにより形成する。ついで、くぼ
み１５を形成する。さらに、電極１２および１３を形成
してから熱拡散処理を行い、ソースおよびドレイン領域
１９および２０を形成する。
例について述べる。ＭＯＣＶＤ法もしくはＭＢＥ法で、
ＧａＡｓ半絶縁性基板１１上に、無添加ＧａＡｓ層１
６、引き続きドナー不純物としてのＳｉの添加量を調節
したＡｌＧａＡｓ層１７を成長させてから、ＡｌＧａＡ
ｓ層１８をエッチバックにより形成する。ついで、くぼ
み１５を形成する。さらに、電極１２および１３を形成
してから熱拡散処理を行い、ソースおよびドレイン領域
１９および２０を形成する。
【００１７】なお、シャロウエッチドくぼみを製作する
にあたっては、電子の周回軌道の形状がチャネル中の電
子波の過干渉距離より小さくなるように作る必要があ
り、ミクロンからサブミクロンの微細加工が必要にな
る。そのため電子ビーム露光およびドライエッチングプ
ロセス等によりくぼみを形成する。ＰＭＭＡを用いた電
子ビーム露光およびウェットエッチを用いて、試料への
ダメージを極力減らすようにするのが好ましい。
にあたっては、電子の周回軌道の形状がチャネル中の電
子波の過干渉距離より小さくなるように作る必要があ
り、ミクロンからサブミクロンの微細加工が必要にな
る。そのため電子ビーム露光およびドライエッチングプ
ロセス等によりくぼみを形成する。ＰＭＭＡを用いた電
子ビーム露光およびウェットエッチを用いて、試料への
ダメージを極力減らすようにするのが好ましい。
【００１８】次に、本発明実施例の動作について説明す
る。
る。
【００１９】磁場が印加されると、電子は絶縁領域５の
まわりを周回軌道を描いて移動する。ここで、磁場の大
きさをＢ、絶縁領域の面積をＳとすると、絶縁領域５を
貫く磁束はＢＳになる。Ａ−Ｂ効果によって、周回軌道
を描く電子の存在確率は、周期が量子磁束（ｈ／ｅ）の
磁束を周期関数になる。ソースおよびドレイン電極１２
と１３との間を流れる電流は周回軌道を描く電子の存在
確率および隣りの周回軌道へトンネルする確率との積に
よて決まる。電流の磁場による変調は、周回軌道を描く
電子の存在確率が磁場の周期関数であること、およびこ
の系ではエッジ電流がないことによって、図７において
エッジ電流の成分を除いた波形で示されるように、大き
くなる。
まわりを周回軌道を描いて移動する。ここで、磁場の大
きさをＢ、絶縁領域の面積をＳとすると、絶縁領域５を
貫く磁束はＢＳになる。Ａ−Ｂ効果によって、周回軌道
を描く電子の存在確率は、周期が量子磁束（ｈ／ｅ）の
磁束を周期関数になる。ソースおよびドレイン電極１２
と１３との間を流れる電流は周回軌道を描く電子の存在
確率および隣りの周回軌道へトンネルする確率との積に
よて決まる。電流の磁場による変調は、周回軌道を描く
電子の存在確率が磁場の周期関数であること、およびこ
の系ではエッジ電流がないことによって、図７において
エッジ電流の成分を除いた波形で示されるように、大き
くなる。
【００２０】ここで、温度０．１Ｋでの１０Ｔ（Ｔ：テ
スラ）までの磁気抵抗には、マルチチャネルのため、コ
ンダクタンスのゆらぎは平均化されて観測されなかっ
た。電子波の振動は、くぼみ１５を貫く磁束に起因する
Ａ−Ｂ効果によって生じ、このＡ−Ｂ効果は磁気抵抗１
０Ｔまで観測された。０Ｔ付近では振動数は４２５
Ｔ-1、振幅は約２．３ｍＳとなり、８Ｔ付近での振動数
は６５Ｔ-1、振幅は約５μＳとなった。振動数から求ま
る、電子の周回軌道の描く面積は０Ｔおよび８Ｔで、そ
れぞれ、１．７６μｍ2 および１．５１μｍ2 となり、
くぼみ１５およびその周囲の空乏層の面積と等しくな
る。
スラ）までの磁気抵抗には、マルチチャネルのため、コ
ンダクタンスのゆらぎは平均化されて観測されなかっ
た。電子波の振動は、くぼみ１５を貫く磁束に起因する
Ａ−Ｂ効果によって生じ、このＡ−Ｂ効果は磁気抵抗１
０Ｔまで観測された。０Ｔ付近では振動数は４２５
Ｔ-1、振幅は約２．３ｍＳとなり、８Ｔ付近での振動数
は６５Ｔ-1、振幅は約５μＳとなった。振動数から求ま
る、電子の周回軌道の描く面積は０Ｔおよび８Ｔで、そ
れぞれ、１．７６μｍ2 および１．５１μｍ2 となり、
くぼみ１５およびその周囲の空乏層の面積と等しくな
る。
【００２１】なお、前述の実施例では、ドナー不純物添
加のＡｌＧａＡｓ層１７と無添加のＧａＡｓ層１６との
半導体異種接合中に作られる二次元電子ガスを例にとっ
て説明したが、ドナー不純物添加の混晶もしくは化合物
半導体層と、この化合物半導体層よりも電子親和力が
０．３〜１ｅＶ程度大きな無添加の混晶もしくは化合物
半導体層の半導体異種接合中に作られる二次元電子ガス
をチャネルとして用いることもできる。
加のＡｌＧａＡｓ層１７と無添加のＧａＡｓ層１６との
半導体異種接合中に作られる二次元電子ガスを例にとっ
て説明したが、ドナー不純物添加の混晶もしくは化合物
半導体層と、この化合物半導体層よりも電子親和力が
０．３〜１ｅＶ程度大きな無添加の混晶もしくは化合物
半導体層の半導体異種接合中に作られる二次元電子ガス
をチャネルとして用いることもできる。
【００２２】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明によれ
ば、コルビノディスク状のチャネル領域に複数個の微小
な閉図形の高抵抗領域を互いに重ならないように間隔を
あけて配置してアンチドットの形態、すなわち高抵抗領
域をドットとみたてたときの残余の部分としてのチャネ
ルを設けるようにしたので、ソース電極からドレイン電
極に至るマルチチャネルの部分に端ができない構造とな
り、したがって、印加した磁場によってソース電極から
ドレイン電極にエッジ電極が流れない。その結果、本発
明によれば、電流の磁場による変調比を大きくすること
ができる。
ば、コルビノディスク状のチャネル領域に複数個の微小
な閉図形の高抵抗領域を互いに重ならないように間隔を
あけて配置してアンチドットの形態、すなわち高抵抗領
域をドットとみたてたときの残余の部分としてのチャネ
ルを設けるようにしたので、ソース電極からドレイン電
極に至るマルチチャネルの部分に端ができない構造とな
り、したがって、印加した磁場によってソース電極から
ドレイン電極にエッジ電極が流れない。その結果、本発
明によれば、電流の磁場による変調比を大きくすること
ができる。
【図１】本発明電子波干渉素子の一実施例を示す平面図
である。
である。
【図２】図１に示した電子波干渉素子の一部分を拡大し
てその平面図と断面図とを対応して示す図である。
てその平面図と断面図とを対応して示す図である。
【図３】図１に示した電子波干渉素子の斜視図である。
【図４】従来の電子波干渉素子の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】図４に示した従来例のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】従来例におけるリング状チャネルの高磁場およ
び低磁場における電流経路の説明図である。
び低磁場における電流経路の説明図である。
【図７】従来例における電流中のバルク電流とエッジ電
流との割合を示す図である。
流との割合を示す図である。
１，１１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２，１２ ｎ+ −ソース電極 ３，１３ ｎ+ −ドレイン電極 ４ リング状チャネル ４Ａ リング ４Ｂ シャロウエッチドくぼみ ５ ソース領域 ６ ドレイン領域 １４ コルビノディスク状のチャネル領域 １５ 高抵抗絶縁領域 １６ 無添加ＧａＡｓ層 １７ ドナー不純物添加ＡｌＧａＡｓ層 １８ ドナー不純物添加ＡｌＧａＡｓ層 １９ ソース領域 ２０ ドレイン領域
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−317377（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−343439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−18182（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/80
Claims (1)
- 【請求項１】 コルビノデイスク状のチャネル領域を構
成する第１の化合物半導体と、前記第１の化合物半導体
とヘテロ接合を構成し、かつ前記第１の化合物半導体よ
りも電子親和力が大きい第２の化合物半導体と、前記チ
ャネル領域上にその全面にわたって、かつ互いに重なら
ないように離隔して配置された複数個の微小な閉図形の
高抵抗領域と、前記チャネルの内側に配置されたドレイ
ン電極と、前記チャネルの外側に配置されたソース電極
とを具えたことを特徴とする電子波干渉素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11867191A JP2961946B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 電子波干渉素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11867191A JP2961946B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 電子波干渉素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346273A JPH04346273A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2961946B2 true JP2961946B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14742334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11867191A Expired - Fee Related JP2961946B2 (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | 電子波干渉素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961946B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546128B2 (ja) * | 1993-04-09 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 電子波干渉素子 |
| JPH06314800A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Nec Corp | 電子波干渉素子 |
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1991
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