JP2956905B2 - Optical disk drive - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体レーザからの楕円ビームを円形ビームに整形す
るためのビーム整形光学系を有する光ディスク装置に関
し、 光の波長が変化したといでも射出角度の変化が小さく
なるように補正でき、しかも従来に比べてコストアップ
とならない構成とすることを目的とし、 半導体レーザを有する光源部から放射された光束断面
形状が楕円のコリメートビームを、光束断面形状が円形
のビームに整形するためのビーム整形光学系を通した後
対物レンズを通して、光ディスク上に照射する光ディス
ク装置において、前記ビーム整形光学系を少なくとも前
記コリメートビームが所定の入射角で入射される第１の
プリズムと、該第１のプリズムを透過したコリメートビ
ームが入射されこれを前記対物レンズ方向へ出射する第
２のプリズムで構成し、且つ、上記入射角が64.6〜74.0
であり、該第１のプリズムの前記コリメートビームが入
射する面と上記第２のプリズムに対向する面とがなす頂
角が85.9〜89.8であり、ビームの整形倍率が２〜３であ
り、該第１のプリズムの材料及び該第２のプリズムの材
料を、該第１のプリズムの材料のアッベ数νd1が該第２
のプリズムの材料のアッベ数νd2より大きく、且つ、
（nd1−１）・νd1/νd2（ここで、nd1は該第１のプリ
ズムの材料のｄ線に対する屈折率である）が、0.75より
大きく、1.1より小さい値となるように定めて構成す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] An optical disc device having a beam shaping optical system for shaping an elliptical beam from a semiconductor laser into a circular beam is provided so that a change in an emission angle becomes small even when a wavelength of light changes. A collimated beam with an elliptical cross-section emitted from a light source section having a semiconductor laser is shaped into a beam with a circular cross-section. An optical disc device for irradiating an optical disc through an objective lens after passing through a beam shaping optical system for performing a beam shaping optical system, a first prism on which at least the collimated beam is incident at a predetermined incident angle; A collimated beam transmitted through the first prism is incident, and is emitted toward the objective lens. And the incident angle is 64.6 to 74.0
Wherein the vertex angle between the surface of the first prism on which the collimated beam is incident and the surface facing the second prism is 85.9 to 89.8, the beam shaping magnification is 2 to 3, The material of the first prism and the material of the second prism are different from the material of the first prism by the Abbe number νd1 of the second prism.
Greater than the Abbe number νd2 of the prism material, and
(Nd1-1) · νd1 / νd2 (where nd1 is the refractive index of the material of the first prism with respect to d-line) is determined to be a value larger than 0.75 and smaller than 1.1.
本発明は光ディスク装置に係り、特に半導体レーザか
らの楕円ビームを円形ビームに整形するためのビーム整
形光学系を有する光ディスク装置に関する。The present invention relates to an optical disk device, and more particularly to an optical disk device having a beam shaping optical system for shaping an elliptical beam from a semiconductor laser into a circular beam.
光ディスク装置において、光ディスクの情報の記録・
再生は、波長オーダーの非常に小さな光スポットを光デ
ィスク上に形成して行なう。この光スポットを得るため
には、開口数（NA）の大きな対物レンズを用いる。In an optical disk device, recording / recording information on an optical disk
The reproduction is performed by forming a very small light spot on the order of the wavelength on the optical disk. In order to obtain this light spot, an objective lens having a large numerical aperture (NA) is used.
一方、半導体レーザを用いた光ディスク装置において
は、半導体レーザの発光強度のファーフィールドパター
ンが楕円であるので、そのまま対物レンズに半導体レー
ザビームを入射すると、対物レンズにより光ディスク上
に集束される光スポット形状が楕円となってしまい、記
録・再生に支障をきたす。そこで、半導体レーザからの
光束断面形状が楕円のレーザビームを円形の光束断面形
状をもつビーム（円形ビーム）に補正してから対物レン
ズに入射するビーム整形光学系が必要とされる。On the other hand, in an optical disk device using a semiconductor laser, since the far field pattern of the emission intensity of the semiconductor laser is elliptical, if the semiconductor laser beam is incident on the objective lens as it is, the light spot shape focused on the optical disk by the objective lens Becomes an ellipse, which hinders recording and reproduction. Therefore, a beam shaping optical system that corrects a laser beam having a light beam cross-sectional shape from a semiconductor laser having an elliptical cross-sectional shape into a beam having a circular light beam cross-sectional shape (a circular beam) and then enters the objective lens is required.
第４図は従来の光ディスク装置のビーム整形光学系の
一例の構成図を示す。同図中、11は光源部で、半導体レ
ーザ12とコリメートレンズ13とからなる。14はビームス
プリッタ（BS）で、各々同一材料の第１の三角プリズム
15と第２の三角プリズム16とが組合わされた構成とされ
ている。また、17は対物レンズで、光ディスク（図示せ
ず）上に光スポットを形成する。FIG. 4 shows a configuration diagram of an example of a beam shaping optical system of a conventional optical disk device. In the figure, reference numeral 11 denotes a light source unit, which comprises a semiconductor laser 12 and a collimating lens 13. 14 is a beam splitter (BS), the first triangular prism of the same material
15 and a second triangular prism 16 are combined. An objective lens 17 forms a light spot on an optical disk (not shown).
上記の構成において、半導体レーザ12から放射された
レーザビームはコリメートレンズ13により平行光とされ
た後、第１の三角プリズム15に入射された後、更に第２
の三角プリズム16を透過した後対物レンズ17に入射され
る。In the above configuration, the laser beam emitted from the semiconductor laser 12 is collimated by the collimating lens 13, then incident on the first triangular prism 15,
After passing through the triangular prism 16 of FIG.
ここで、コリメートレンズ13を透過するレーザビーム
の光束断面形状は前記したように楕円であるが、三角プ
リズム15及び16により一方向のビーム径だけが拡大され
ることにより、三角プリズム16からは円形ビームがい取
り出され、対物レンズ17に入射される。従って、対物レ
ンズ17により形成される光スポットは円形となる。Here, the light beam cross-sectional shape of the laser beam transmitted through the collimating lens 13 is elliptical as described above. However, since only the beam diameter in one direction is enlarged by the triangular prisms 15 and 16, it is circular from the triangular prism 16. The beam is extracted and incident on the objective lens 17. Therefore, the light spot formed by the objective lens 17 is circular.
半導体レーザ12はいろいろな理由によりモードホップ
が起こり、レーザビームの波長が変化することが知られ
ている。例えば、半導体レーザ12を再生時の低出力状態
から記録のために高出力状態へ切替えると、その瞬間に
モードホップが起こり、レーザビームの波長が変化す
る。また、温度変化や戻り光の影響によってもモードホ
ップが起こり、波長が変化する。It is known that mode hops occur in the semiconductor laser 12 for various reasons, and the wavelength of the laser beam changes. For example, when the semiconductor laser 12 is switched from a low output state during reproduction to a high output state for recording, a mode hop occurs at that moment, and the wavelength of the laser beam changes. Mode hops also occur due to temperature changes and the influence of return light, and the wavelength changes.
これにより、モードホップが起こる前は第５図に実線
Ａで示す如き光路で伝搬しているレーザビームが、上記
のモードホップによる波長の変化により、ビームスプリ
ッタ14での屈折率が変化してしまい、同図に破線Ｂで示
す如き光路へシフトする。As a result, before the mode hop occurs, the laser beam propagating along the optical path shown by the solid line A in FIG. 5 causes the refractive index of the beam splitter 14 to change due to the change in the wavelength due to the mode hop. The optical path shifts as shown by the broken line B in FIG.
この結果、従来は光スポットが第５図に18で示す如く
光軸に垂直な方向（紙面に平行な方向）にシフトしてし
まうという欠点があった。As a result, the conventional technique has a disadvantage that the light spot is shifted in a direction perpendicular to the optical axis (a direction parallel to the paper surface) as indicated by 18 in FIG.
また、半導体レーザ12を高周波駆動すると、レーザビ
ームの発振波長が多少広がるので、光軸に垂直方向にス
ポット径が大きくなってしまう。Further, when the semiconductor laser 12 is driven at a high frequency, the oscillation wavelength of the laser beam broadens somewhat, so that the spot diameter increases in the direction perpendicular to the optical axis.
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、光の波長
が変化したときでも射出角度の変化が小さくなるように
補正でき、しかも従来に比べてコストアップとならない
構成とした光ディスク装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above points, and provides an optical disk device having a configuration which can correct a change in an emission angle even when a wavelength of light changes so as to be small, and which does not increase the cost as compared with the related art. The purpose is to do.
第１図は本発明の原理構成図を示す。同図中、第４図
と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。第１図において、21は第１のプリズム、22は第２の
プリズムである。本発明は少なくともこれら２つのプリ
ズム21及び22からなり、且つ、上記入射角が64.6〜74.0
であり、該第１のプリズムの前記コリメートビームが入
射する面と上記第２のプリズムに対向する面とがなす頂
角が85.9〜89.8であり、ビームの整形倍率が２〜３であ
り、該第１のプリズムの材料及び該第２のプリズムの材
料を、該第１のプリズムの材料のアッベ数νd1が該第２
のプリズムの材料のアッベ数νd2より大きく、且つ、
（nd1−１）・νd1/νd2（ここで、nd1は該第１のプリ
ズムの材料のｄ線に対する屈折率である）が、0.75より
大きく、1.1より小さい値となるように定めて構成した
ものである。FIG. 1 shows a principle configuration diagram of the present invention. 4, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a first prism, and reference numeral 22 denotes a second prism. The present invention comprises at least these two prisms 21 and 22, and the incident angle is 64.6 to 74.0.
Wherein the vertex angle between the surface of the first prism on which the collimated beam is incident and the surface facing the second prism is 85.9 to 89.8, the beam shaping magnification is 2 to 3, The material of the first prism and the material of the second prism are different from the material of the first prism by the Abbe number νd1 of the second prism.
Greater than the Abbe number νd2 of the prism material, and
(Nd1-1) · νd1 / νd2 (where nd1 is the refractive index of the material of the first prism with respect to the d-line) is set to be larger than 0.75 and smaller than 1.1. It is.
光源部11から放射された光束断面形状が楕円のコリメ
ートビームは第１のプリズム21に所定角度付近の入射角
で入射された後、第２のプリズム22を透過して対物レン
ズ17に入射される。本発明では第１のプリズム21の材料
（第１の材料）のアッベ数をνd1,第２のプリズム22の
材料（第２の材料）のアッベ数をνd2とすると、 νd1＞νd2 （１） なる条件に設定されている。The collimated beam having an elliptical cross section emitted from the light source unit 11 is incident on the first prism 21 at an incident angle near a predetermined angle, and then passes through the second prism 22 and is incident on the objective lens 17. . In the present invention, if the Abbe number of the material of the first prism 21 (first material) is ν d1 and the Abbe number of the material of the second prism 22 (second material) is ν d2 , ν d1 > ν d2 (1) The conditions are set as follows.
ここで、アッベ数νｄは一般にフラウンホーファーの
Ｃ線（波長656.28nm）,d線（波長587.56nm）,F線（波長
486.13nm）に対する屈折率を夫々nc,nd,nFとしたとき、 νｄ＝（nd−１）／（nF−nc） （２） と表わされる。従って、第１の材料のＣ線、ｄ線及びＦ
線に対する屈折率を夫々nc1,nd1,及びnF1とし、第２の
材料のそれを夫々nc2,nd2,及びnF2としたとき、νd1,ν
d2は νd1＝（nd1−１）／（nF1−nc1） （３） νd2＝（nd2−１）／（nF2−nc2） （４） となる。Here, Abbe number ν d is generally the Fraunhofer C line (wavelength 656.28 nm), d line (wavelength 587.56 nm), F line (wavelength
Each n c the refractive index for 486.13nm), n d, when the n F, ν d = denoted (n d -1) / (n F -n c) (2). Therefore, the C-line, d-line and F
When the refractive indices for the line are n c1 , n d1 , and n F1 , and those of the second material are n c2 , n d2 , and n F2 , respectively, ν d1 , ν
d2 is the ν d1 = (n d1 -1) / (n F1 -n c1) (3) ν d2 = (n d2 -1) / (n F2 -n c2) (4).
前記（１）式の条件設定により、第２のプリズム22の
分散が第１のプリズム21のそれよりも大となり、第１の
プリズム21に入射されたコリメートビームが第２のプリ
ズム22を透過して出射される際に、波長変化によるビー
ムシフトを補正する方向にシフトされる。By setting the condition of the above equation (1), the dispersion of the second prism 22 becomes larger than that of the first prism 21, and the collimated beam incident on the first prism 21 passes through the second prism 22. When the light is emitted, the light is shifted in a direction to correct the beam shift due to the wavelength change.
これにより、コリメートビームが或る波長のときに第
１図に実線Ｉで示す光路を形成している状態において、
波長が変化してもその光路は同図に破線IIで示す如くに
することができ、ビームシフトが補正される。Thus, when the collimated beam has a certain wavelength and forms an optical path indicated by a solid line I in FIG.
Even if the wavelength changes, the optical path can be made as shown by a broken line II in the figure, and the beam shift is corrected.
なお、第１のプリズム21と第２のプリズム22との境界
面23をビームスプリッタ面とした場合は、従来と同じ部
品点数とすることができる。When the boundary surface 23 between the first prism 21 and the second prism 22 is a beam splitter surface, the number of components can be the same as in the conventional case.
第２図は本発明の一実施例を用いた光学系の構成図を
示す。同図中、第１図と同一構成部分には同一符号を付
してある。第２図において、25は第１のプリズム21に相
当する三角プリズム、26は第２のプリズム22に相当する
三角プリズムで、それらの組合わされてそれらの境界面
27がビームスプリッタ面となるように構成されている。FIG. 2 shows a configuration diagram of an optical system using one embodiment of the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 2, reference numeral 25 denotes a triangular prism corresponding to the first prism 21, and reference numeral 26 denotes a triangular prism corresponding to the second prism 22.
27 is configured to be a beam splitter surface.
三角プリズム25のアッベ数をνd1,三角プリズム26の
アッベ数をνd2としたとき、それらの間には前記（１）
式〜（４）式で示した関係があるようになされている。Assuming that the Abbe number of the triangular prism 25 is ν d1 and the Abbe number of the triangular prism 26 is ν d2 , (1)
Equations (4) to (4) are established.
光源部11内の半導体レーザから放射されたレーザビー
ムは光源部11内のコリメートレンズにより平行光とさ
れ、光束断面形状が楕円のコリメートビームとして三角
プリズム25に入射される。三角プリズム25及び26により
所定の一方向のビーム径が拡大されて光束断面形状が円
形に整形され、また光束が三角プリズム25の入射光のそ
れよりも２倍〜３倍程度大にされたコリメートビーム
は、対物レンズ17により光ディスク28の表面に焦点一致
して集束され、円形の光スポットを形成する。The laser beam emitted from the semiconductor laser in the light source unit 11 is collimated by the collimating lens in the light source unit 11, and is incident on the triangular prism 25 as a collimated beam having a light beam cross-sectional shape of an ellipse. A collimator in which the beam diameter in one predetermined direction is enlarged by the triangular prisms 25 and 26 so that the cross section of the light beam is shaped into a circle, and the light beam is approximately two to three times larger than that of the incident light of the triangular prism 25. The beam is focused by the objective lens 17 so as to be focused on the surface of the optical disk 28 to form a circular light spot.
これにより、光ディスク28さら反射した光は対物レン
ズ17及び三角プリズム26を順次透過すると共に、境界面
27で一部が反射され、更に1/2波長板29,収束レンズ30を
透過し、偏光ビームスプリッタ31で二つの偏光成分に分
離される。As a result, the light reflected from the optical disk 28 passes through the objective lens 17 and the triangular prism 26 sequentially, and
Part of the light is reflected at 27, further passes through a half-wave plate 29 and a converging lens 30, and is split into two polarized components by a polarizing beam splitter 31.
分離された二つの偏光成分は各々分割光ディテクタ32
及び33に入射され、そこで光電変換される。分割光ディ
テクタ32,33の各出力信号は、再生信号、フォーカスエ
ラー信号、トラッキングエラー信号として使用される。The two separated polarized light components are respectively split light detectors 32.
And 33, where they are photoelectrically converted. Each output signal of the split light detectors 32 and 33 is used as a reproduction signal, a focus error signal, and a tracking error signal.
ところで、このような光ディスク装置の光学系に用い
られるビーム整形光学系において、第３図に示す如く、
三角プリズム25の入射コリメートビームの光束をdi,三
角プリズム26の出射コリメートビームの光束をd0とする
と、整形倍率ｂはd0/diで表わされる。また、第３図に
示す如く、三角プリズム25へのコリメートビームの入射
角をθ1,三角プリズム25の頂角をθ2,波長が変化したと
きのビームシフト量を△×とする。ここで、ビームシフ
トの方向は図中、左方向を負、右方向を正とする。更に Ｐ＝（nd1−１）・νd1/νd2 （５） とおく。By the way, in a beam shaping optical system used in the optical system of such an optical disk device, as shown in FIG.
The light beam incident collimated beam of the triangular prism 25 di, when the light beam emitted collimated beam of the triangular prism 26 and d 0, shaping magnification b is represented by d 0 / di. As shown in FIG. 3, the incident angle of the collimated beam to the triangular prism 25 is θ 1 , the apex angle of the triangular prism 25 is θ 2 , and the beam shift amount when the wavelength changes is ΔX. Here, the direction of the beam shift is negative in the left direction and positive in the right direction. Further, P = (n d1 −1) · ν d1 / ν d2 (5).
従来は例えばnd1＝1.51633,θ１＝71.9゜，θ２＝84.
0゜,b＝2.50であり、また三角プリズム25及び26のアッ
ベ数νd1,νd2が同一で、例えば64.1であり（よってＰ
＝0.516）、コリメートビームの波長が830nmから835nm
変化した場合は、シフト量△×は−0.297μｍであった
（ただし、対物レンズ17の焦点距離f0＝4mmのとき）。Conventionally, for example, n d1 = 1.51633, θ 1 = 71.9 °, θ 2 = 84.
0 ゜, b = 2.50, and the Abbe numbers ν d1 and ν d2 of the triangular prisms 25 and 26 are the same, for example, 64.1 (thus, P
= 0.516), collimated beam wavelength from 830nm to 835nm
When it changed, the shift amount Δ × was −0.297 μm (provided that the focal length f 0 of the objective lens 17 was 4 mm).
すなわち、従来は補正を行なっていなかったので、半
導体レーザの波長変化5nmで、光軸方向に約0.3μｍシフ
トしてしまっていた。That is, since no correction has been performed in the past, the wavelength was changed by about 0.3 μm in the optical axis direction when the wavelength of the semiconductor laser changed by 5 nm.
これに対し、以下説明する実施例では各表に示す如く
各パラメータを設定することにより、上記のシフト量△
×に小にしたものである。ただし、対物レンズ17の焦点
距離f0とコリメートビームの波長及びその変化量は従来
と同一条件に設定した。なお、コリメートビームは、半
導体レーザの低出力時（再生時）から高出力時（記録
時）へ切替えると、長波長方向に変化するので、上記の
従来例並びに以下の各実施例では830nmから835nmへ波長
が変化したものとしているが、短波長方向へ変化した場
合も本発明を同様に適用することができることは勿論で
ある。On the other hand, in the embodiment described below, by setting each parameter as shown in each table, the shift amount
It is made small to ×. However, wavelength and variation of the focal length f 0 and collimated beam of the objective lens 17 was set to a conventional under the same conditions. The collimated beam changes in the long wavelength direction when the semiconductor laser is switched from low output (at the time of reproduction) to high output (at the time of recording). Therefore, in the above-described conventional example and each of the following embodiments, 830 nm to 835 nm is used. Although it is assumed that the wavelength has changed, it goes without saying that the present invention can be similarly applied to a case where the wavelength changes in the short wavelength direction.
なお、以下の各表中、「材料１屈折率」は三角プリズ
ム25の波長830nm又は835nmのときの屈折率、「材料２屈
折率」は三角プリズム26の波長830nm又は835nmのときの
屈折率を示す。In the following tables, “Material 1 refractive index” indicates the refractive index of the triangular prism 25 when the wavelength is 830 nm or 835 nm, and “Material 2 refractive index” indicates the refractive index of the triangular prism 26 when the wavelength is 830 nm or 835 nm. Show.
以上の各実施例からわかるように、Ｐは 0.75＜Ｐ＜1.1 （６） なる不等式を満足する必要がある。本発明の実験結果に
よれば、Ｐ≦0.75のときは波長変化によるビームシフト
の補正が不足し、Ｐ≧1.1のときは波長変化によるビー
ムシフトの補正が過剰となるからである。 As can be seen from each of the above embodiments, P needs to satisfy the inequality 0.75 <P <1.1 (6). According to the experimental results of the present invention, when P ≦ 0.75, the beam shift due to the wavelength change is insufficiently corrected, and when P ≧ 1.1, the beam shift due to the wavelength change is excessively corrected.
以上の各実施例によれば、入射角θ１が70゜付近とさ
れ、また従来と同じ波長変化に対してビームシフト量△
×は半分以下となり、特に実施例10の場合には略ゼロに
することができる。According to the embodiments described above, the incident angle theta 1 is a near 70 °, also the beam shift amount for the same wavelength change the conventional △
X is less than half, and especially in the case of the tenth embodiment, can be made substantially zero.
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではな
く、例えば、第１図に示した第２のプリズム22を同じア
ッベ数の２つの三角プリズムから構成してもよい（ただ
し、第１のプリズム21のアッベ数とは異なる）。Note that the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the second prism 22 shown in FIG. 1 may be constituted by two triangular prisms having the same Abbe number (however, the first prism 22 is not limited to the first prism). Is different from the Abbe number of the prism 21).
上述の如く、本発明によれば、半導体レーザの発振波
長が、再生時（低出力時）と記録時（高出力時）との切
替わりの直後などに起こるモードホップにより変化して
も、プリズムから射出する角度の変化を小さくなるよう
に補正できるので、光スポットのシフト量を小さくで
き、また、波長の変化に起因するビームシフトを過不足
なく補正出来，また半導体レーザの発振波長の広がりに
よる光スポットの拡大も小さく補正することができ、ま
たビームシフトに起因する記録再生特性の劣化が小さく
なり、記録特性を向上できるという特徴を有するもので
ある。As described above, according to the present invention, even if the oscillation wavelength of a semiconductor laser changes due to a mode hop that occurs immediately after switching between reproduction (at the time of low output) and recording (at the time of high output), prisms can be used. Can be corrected so as to reduce the change in the angle of light emitted from the laser, so that the shift amount of the light spot can be reduced, the beam shift due to the change in wavelength can be corrected without excess or deficiency, and the spread of the oscillation wavelength of the semiconductor laser can be corrected. It is characterized in that the enlargement of the light spot can be corrected to be small, the deterioration of the recording / reproducing characteristics due to the beam shift is reduced, and the recording characteristics can be improved.
第１図は本発明の原理構成図、 第２図は本発明の一実施例を用いた光学系の構成図、 第３図は本発明の実施例の説明図、 第４図は従来の一例の構成図、 第５図は従来の問題点を説明する図である。 図において、 17は対物レンズ、 21は第１のプリズム、 22は第２のプリズム、 23,27はビームスプリッタ面、 25,26は三角プリズム を示す。 FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of an optical system using an embodiment of the present invention, FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional problem. In the drawing, 17 is an objective lens, 21 is a first prism, 22 is a second prism, 23 and 27 are beam splitter surfaces, and 25 and 26 are triangular prisms.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−205420（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−131413（ＪＰ，Ａ)Continuation of the front page (56) References JP-A-60-205420 (JP, A) JP-A-63-131413 (JP, A)
Claims (1)
た光束断面形状が楕円のコリメートビームを、光束断面
形状が円形のビームに整形するためのビーム整形光学系
を通した後対物レンズを通して光ディスク上に照射する
光ディスク装置において、 前記ビーム整形光学系を、少なくとも前記コリメートビ
ームが所定の入射角で入射される第１のプリズマと、該
第１のプリズムを透過したコリメートビームが入射され
これを前記対物レンズ方向へ出射する第２のプリズムで
構成し、 且つ、上記入射角が64.6〜74.0であり、 該第１のプリズムの前記コリメートビームが入射する面
と上記第２のプリズムに対向する面とがなす頂角が85.9
〜89.8であり、 ビームの整形倍率が２〜３であり、 該第１のプリズムの材料及び該第２をプリズムの材料
を、該第１のプリズムの材料のアッベ数νd1が該第２の
プリズムの材料のアッブ数νd2より大きく、且つ、（nd
1−１）・νd1/νd2（ここで、nd1は該第１のプリズム
の材料のｄ線に対する屈折率である）が、0.75より大き
く、1.1より小さい値となるように定めた構成としたこ
とを特徴とする光ディスク装置。1. An optical disk having an elliptical cross-sectional shape emitted from a light source unit having a semiconductor laser and having an elliptical cross-sectional shape passed through a beam-shaping optical system for shaping the collimated beam into a circular beam. An optical disk device for irradiating the beam shaping optical system with a first prism that receives at least the collimated beam at a predetermined incident angle and a collimated beam that has passed through the first prism, A second prism that emits light in the lens direction, wherein the incident angle is 64.6 to 74.0, and a surface of the first prism on which the collimated beam is incident and a surface of the first prism facing the second prism. Apex angle of 85.9
The beam shaping magnification is 2-3, the material of the first prism and the material of the second prism, the Abbe number νd1 of the material of the first prism is the second prism Is larger than the Abbe number νd2 of the material of
1-1) · νd1 / νd2 (where nd1 is the refractive index of the material of the first prism with respect to the d-line) is set to be larger than 0.75 and smaller than 1.1. An optical disc device characterized by the above-mentioned.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068446A JP2956905B2 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Optical disk drive |
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| JPH02247612A JPH02247612A (en) | 1990-10-03 |
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ID=13373938
Family Applications (1)
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-
1989
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Also Published As
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