JP2950016B2 - Method of measuring plating film thickness and etching groove depth in wet process - Google Patents
Method of measuring plating film thickness and etching groove depth in wet processInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、湿式プロセスにおけ
るめっき膜厚およびエッチング溝深さのインプロセスで
の測定方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for measuring in-process plating film thickness and etching groove depth in a wet process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１（ａ）に示すようなめっき膜厚ｔ
の測定法には例えば刊行物（「実用電気めっき」日刊工
業新聞社発行ｐ２２５〜ｐ２３２）に記載されているよ
うに、顕微鏡、電気化学的または化学的な溶解による破
壊試験法と、マイクロメーター、磁気、高周波渦電流ま
たはβ線などを利用した非破壊試験法がある。なお、図
１１（ａ）において、２は被めっき物、４はめっき膜で
ある。2. Description of the Related Art A plating film thickness t as shown in FIG.
As described in, for example, a publication (“Practical Electroplating”, published by Nikkan Kogyo Shimbun, p225 to p232), a destructive test method using a microscope, electrochemical or chemical dissolution, a micrometer, There is a non-destructive test method using magnetism, high-frequency eddy current or β-ray. In FIG. 11A, reference numeral 2 denotes an object to be plated, and reference numeral 4 denotes a plating film.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の測定法はすべてめっき終了後に行わなければならず、
インプロセス測定ができない。又、浴温、電流密度、イ
オン濃度等を制御することにより、めっき膜厚をプロセ
ス条件により管理していたが、他の外乱などで一定条件
下でのめっきが困難であった。そのため、めっき厚さの
ばらつきが大きく、ひどい場合には無めっき（めっきが
全くされない）さえ発生する場合があった。一方、図１
１（ｂ）に示すエッチングにおける溝深さｄの測定にお
いても、インプロセスにおける正確な溝深さ測定は不可
能であり、新しい測定方法の開発が待ち望まれていた。
なお、図１１（ｂ）において、６は被エッチング物であ
る。However, all of these measurement methods must be performed after plating is completed.
In-process measurement is not possible. Further, the plating film thickness is controlled according to the process conditions by controlling the bath temperature, the current density, the ion concentration, and the like. However, it is difficult to perform plating under certain conditions due to other disturbances. For this reason, the plating thickness varies greatly, and in severe cases, even non-plating (no plating is performed) may occur. On the other hand, FIG.
Even in the measurement of the groove depth d in the etching shown in FIG. 1B, accurate measurement of the groove depth in the in-process is impossible, and the development of a new measurement method has been awaited.
In FIG. 11B, reference numeral 6 denotes an object to be etched.
【０００４】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、インプロセスで正確なめっき膜厚測
定とエッチング溝深さ測定を可能にすることを目的とし
ている。The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to enable accurate measurement of a plating film thickness and an etching groove depth in an in-process.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】この発明に係わる湿式プ
ロセスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測
定方法は、水溶液中で定電流下または定電位下に保持さ
れためっき部材またはエッチング部材にレーザビームを
照射し、レーザビーム照射時における単位時間当たりの
電位変化量または電流変化量を検出することにより上記
めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚またはエ
ッチング溝深さを測定するものである。According to the present invention, there is provided a method for measuring a plating film thickness and an etching groove depth in a wet process, which comprises applying a laser beam to a plating member or an etching member held at a constant current or a constant potential in an aqueous solution. It is to measure a plating film thickness or an etching groove depth of the plating member or the etching member by irradiating a beam and detecting a potential change amount or a current change amount per unit time during laser beam irradiation. is there.
【０００６】さらに、エッチング部材に照射するレーザ
ビームは、凹レンズを通過させて発散させた後凸レンズ
を通過させて集光したものである。Further, a laser for irradiating the etching member
The beam is converged by passing through a concave lens and then diverging after passing through a convex lens.
【０００７】[0007]
【作用】水溶液中で定電流下に保持されためっき部材
（またはエッチング部材）（初期電流Ｉ0、初期電位
Ｖ0）にレーザビームを照射すると、照射された部分で
温度上昇が起こる。図８はレーザ照射時の電流Ｉと電圧
Ｖの変化を示している。一般に、電気化学反応は、温度
に対して正の依存性を示すので、レーザ照射部分で電気
化学反応が加速され、図８に示すように変化する。この
場合、定電流状態であるので、レーザを照射しても電流
値はＩ0のままであり、電位がＶ0からＶ1に変化する。
図９はめっき時における膜厚の違いによるレーザ１照射
部の熱影響を示しており、下地２と膜４の熱電導度が異
なるために、膜厚によってレーザ照射による熱影響部分
３の体積と温度の上昇度合が変化し、電気化学反応の加
速の程度が異なってくる。つまり、膜厚によってレーザ
１照射による電位変化度合が異なってくる。そこで、レ
ーザ照射による電位変化を検出することによって膜厚測
定が可能である。また、被めっき材２が定電位下に保持
されている場合には、レーザビームを照射することによ
り、電位Ｖ0は一定のままで電流がＩ0からＩ1に変化す
る。この電流変化を検出することにより膜厚を測定す
る。When a plating member (or an etching member) (initial current I 0 , initial potential V 0 ) held at a constant current in an aqueous solution is irradiated with a laser beam , a temperature rise occurs in the irradiated portion. FIG. 8 shows changes in current I and voltage V during laser irradiation. In general, the electrochemical reaction shows a positive dependence on temperature, so that the electrochemical reaction is accelerated in the laser irradiation part and changes as shown in FIG. In this case, since the laser beam is in a constant current state, the current value remains at I 0 even when the laser is irradiated, and the potential changes from V 0 to V 1 .
Figure 9 shows the thermal influence of the laser 1 irradiating portion due to the difference in film thickness at the time of plating, in order to heat conductivity of the base 2 and the film 4 are different, and the volume of the heat-affected portion 3 by laser irradiation by the thickness The degree of temperature rise changes, and the degree of acceleration of the electrochemical reaction differs. That is, the degree of potential change due to the irradiation of the laser beam 1 differs depending on the film thickness. Therefore, the film thickness can be measured by detecting a potential change due to laser irradiation. When the material to be plated 2 is held at a constant potential, the current changes from I 0 to I 1 by irradiating a laser beam while keeping the potential V 0 constant. The film thickness is measured by detecting this current change.
【０００８】また、水溶液中で定電流状態に保持されて
いる被エッチング材にレーザを照射すると、照射部分で
の電気化学反応が加速され、電位が変化する。図１０は
エッチング時における溝深さの測定原理図である。図１
０（ａ）に示すようにレーザビーム１は被エッチング材
６表面に焦点を合わされているが、エッチングが進むに
つれて図１０（ｂ）に示すように焦点がずれ、レーザ１
が被エッチング材６に到達したときのパワー密度が変化
する。そのため、電気化学反応の加速の程度、すなわち
電位の変化量も変化してくる。これよりレーザ照射によ
る電位の変化を検出することによってエッチングにおけ
る溝深さの測定が可能である。なお、図１０において、
５はエッチングレジストである。一方、同様にエッチン
グ材６が定電位に保持されている場合には、レーザビー
ム１を照射することにより電流が変化する。この電流変
化を検出することにより溝深さを測定する。When a material to be etched, which is maintained in a constant current state in an aqueous solution, is irradiated with a laser, an electrochemical reaction in the irradiated portion is accelerated and the potential changes. FIG. 10 is a diagram illustrating the principle of measuring the groove depth during etching. FIG.
As shown in FIG. 10A, the laser beam 1 is focused on the surface of the material 6 to be etched, but as the etching proceeds, the laser beam 1 is defocused as shown in FIG.
The power density at the time of reaching the material 6 to be etched changes. Therefore, the degree of acceleration of the electrochemical reaction, that is, the amount of change in the potential also changes. Thus, the groove depth in etching can be measured by detecting a change in potential due to laser irradiation. In FIG. 10,
Reference numeral 5 denotes an etching resist. On the other hand, similarly, when the etching material 6 is maintained at a constant potential, the current is changed by irradiating the laser beam 1. The groove depth is measured by detecting this current change.
【０００９】さらに、溝深さ測定において、レーザビー
ムを凹レンズを通過させて発散させた後凸レンズを通過
させて集光すると、焦点が少しずれただけでパワー密度
は大きく変化するので、溝深さのわずかな変化も測定可
能となる。Further, in the measurement of the groove depth, when the laser beam is passed through a concave lens and diverged, and then condensed through a convex lens, the power density changes greatly even if the focus is slightly shifted. Can be measured.
【００１０】[0010]
実施例１．図１はこの発明の一実施例によるめっき膜厚
測定方法を説明する構成図である。図において、１はレ
ーザビーム、２は被めっき物、７は被めっき物２をめっ
きするための金属イオンを含むめっき液、８はめっき液
７を保持する容器、９はめっき液７に浸されたアノー
ド、１０は電位の絶対値を知るための参照電極、１１は
一定の電流を流すためのガルバノスタット、１２はレー
ザ１を発振するためのレーザ発振器、１３はレーザ１を
被めっき物２へ導く光ファイバ、１４はレーザ発振器１
２をＸ−Ｙ−Ｚ方向に動かすＸ−Ｙ−Ｚパルスステー
ジ、１５は微小変化電流または微小変化電位を検出する
ロックインアンプ、１６はＸ−Ｙ−Ｚパルスステージ１
４を制御すると共に膜厚を計算するコンピュータであ
る。Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a laser beam, 2 is a plating object, 7 is a plating solution containing metal ions for plating the plating object 2, 8 is a container holding the plating solution 7, and 9 is dipped in the plating solution 7. Anode 10, reference electrode for knowing the absolute value of the potential, 11 is a galvanostat for flowing a constant current, 12 is a laser oscillator for oscillating laser 1, and 13 is laser 1 to plating object 2. Optical fiber for guiding, 14 is the laser oscillator 1
XYZ pulse stage for moving 2 in the XYZ directions, 15 a lock-in amplifier for detecting a minute change current or a minute change potential, 16 an XYZ pulse stage 1
4 is a computer for controlling the number 4 and calculating the film thickness.
【００１１】次に測定方法について説明する。ガルバノ
スタット１１で定電流状態に保持されたカソードすなわ
ち被めっき材２に変調したレーザ１を照射し、レーザ１
照射による周期的な電位変化をレーザ発振器１２への変
調信号を参照入力とするロックインアンプ１５で定常電
位と分離し、検出する。この変化量がめっき厚さによっ
て異なってくることを利用してめっき厚さｔを測定す
る。ここで用いるレーザは、レーザ照射部分でめっきの
異常析出が起こらない程度のパワーを持つものが好まし
いが、必ずしもその限りではない。このように、簡単、
正確、迅速にインプロセス測定できる。また、インプロ
セス測定できるので不良をその場で発見することがで
き、無駄な工程を踏む必要がなくなる。さらに、測定は
コンピュータ１６によって行うことができ、人手不足対
策にもなる。Next, a measuring method will be described. The modulated laser 1 is applied to the cathode, that is, the material to be plated 2, which is maintained at a constant current state by the galvanostat 11,
A periodic potential change due to irradiation is separated from a steady potential by a lock-in amplifier 15 using a modulation signal to the laser oscillator 12 as a reference input and detected. The plating thickness t is measured using the fact that the amount of change varies depending on the plating thickness. The laser used here has a plating
It is preferable to have a power that does not cause abnormal precipitation.
However, this is not always the case. In this way, easy,
Accurate and quick in-process measurement. In addition, since in-process measurement can be performed, a defect can be found on the spot, and it is not necessary to take unnecessary steps. Further, the measurement can be performed by the computer 16, which is also a measure against labor shortage.
【００１２】実施例２． 図２はこの発明の他の実施例によるめっき膜厚測定方法
を説明する構成図である。図において、１７はポテンシ
オスタットであり、上記実施例１ではガルバノスタット
１１で定電流状態に保持されたカソードすなわち被めっ
き材２にレーザビーム１を照射し、そのときの周期的な
電位変化を検出したが、この実施例２ではガルバノスタ
ット１１に代わってポテンシオスタット１７を用い、カ
ソードすなわち被めっき物２を定電位下に保持する。こ
の被めっき物２に変調したレーザ１を照射し、レーザ照
射による周期的な電流変化をレーザ発振器１２への変調
信号を参照入力とするロックインアンプ１５で定状電流
と分離し、検出する。この変化量の度合がめっき厚さに
よって異なってくることを利用してめっき厚さｔを測定
する。ここで用いるレーザは実施例１と同様である。こ
の例においても上記実施例１と同様の効果が得られる。Embodiment 2 FIG. FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to another embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 17 denotes a potentiostat. In the first embodiment, a laser beam 1 is applied to a cathode, that is, a material 2 to be plated, which is maintained at a constant current state by a galvanostat 11, and a periodic potential change at that time is obtained. According to the second embodiment, a potentiostat 17 is used in place of the galvanostat 11, and the cathode, that is, the object to be plated 2 is maintained at a constant potential. The modulated laser 1 is irradiated on the plating target 2, and a periodic current change due to the laser irradiation is separated from a fixed current by a lock-in amplifier 15 using a modulation signal to a laser oscillator 12 as a reference input and detected. The plating thickness t is measured by utilizing the fact that the degree of the change varies depending on the plating thickness. The laser used here is the same as in the first embodiment. In this example, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００１３】実施例３． 上記実施例１、２は主に電気めっきにおけるめっき膜厚
測定にこの発明を適用する場合について説明したが、無
電解めっきにも適用でき、その例を図３に示す。すなわ
ち、実施例１では電気めっきで利用する電極間すなわち
アノード９とカソードすなわち被めっき物２間を定電流
状態に保持したが、無電解めっきの場合は液に浸漬する
だけでめっきが行われるため、めっき膜厚測定用として
特別に対極１８を設け、被めっき物２と対極１８間を電
解による析出が起こらない程度の定電流状態に保持す
る。この状態において、変調したレーザ１を被めっき物
２に照射し、レーザ照射による周期的な電位変化をレー
ザ発振器１２への変調信号を参照入力とするロックイン
アンプ１５で定常電位と分離し、検出する。この変化量
の度合がめっき厚さによって異なってくることを利用し
てめっき厚さを測定する。もちろん、電解による析出が
起こってもかまわない。その場合は電解によるめっきの
析出速度が無電解めっきのそれよりも小さくなるように
電流値を設定するのが好ましい。 Embodiment 3 FIG. In the first and second embodiments, the case where the present invention is applied mainly to the measurement of the plating film thickness in electroplating has been described. However, the present invention can also be applied to electroless plating, and an example thereof is shown in FIG. That is, in the first embodiment, a constant current state is maintained between the electrodes used in the electroplating, that is, between the anode 9 and the cathode, that is, between the objects to be plated 2, but in the case of electroless plating, plating is performed only by immersion in a solution. A counter electrode 18 is specially provided for measuring the plating film thickness, and a voltage is applied between the plating object 2 and the counter electrode 18.
It is maintained at a constant current state at which precipitation by solution does not occur . In this state, the modulated laser 1 is irradiated on the plating object 2, and a periodic potential change due to the laser irradiation is separated from a steady potential by a lock-in amplifier 15 using a modulation signal to the laser oscillator 12 as a reference input, and detected. I do. The plating thickness is measured by utilizing the fact that the degree of the change varies depending on the plating thickness. Of course, electrolytic deposition
It can happen. In that case, the plating
So that the deposition rate is lower than that of electroless plating
It is preferable to set a current value.
【００１４】実施例４． 上記実施例３では無電解めっきの膜厚測定法として被め
っき物２と対極１８間をガルバノスタット１１で定電流
状態に保持する場合について説明したが、図４に示す実
施例４では被めっき物２と対極１８間をポテンシオスタ
ット１７で電解による析出が起こらない程度の定電位下
に保持する。この被めっき物２にレーザビーム１を照射
することにより実施例２と同様にしてめっき膜厚が測定
できる。もちろん、電解による析出が起こってもかまわ
ない。その場合は電解によるめっきの析出速度が無電解
めっきのそれよりも小さくなるように電位を設定するの
が好ましい。 Embodiment 4 FIG. In the third embodiment, the case where the galvanostat 11 is used to maintain a constant current between the plating object 2 and the counter electrode 18 as a method of measuring the film thickness of the electroless plating is described. In the fourth embodiment shown in FIG. The potential between the electrode 2 and the counter electrode 18 is maintained at a constant potential by the potentiostat 17 to such an extent that precipitation by electrolysis does not occur . By irradiating the object to be plated 2 with the laser beam 1, the plating film thickness can be measured in the same manner as in Example 2. Of course, it does not matter if deposition by electrolysis occurs.
Absent. In that case, the deposition rate of plating by electrolysis is
Set the potential to be less than that of the plating
Is preferred.
【００１５】実施例５．以上の実施例は何れもめっき膜
厚の測定に関するものであったが、以下、エッチング溝
深さの測定方法について説明する。図５は無電解エッチ
ング時のエッチング溝深さの測定方法を説明する構成図
である。図において、６は被エッチング物、１９はエッ
チング液である。測定方法は、ガルバノスタット１１で
定電流状態に保持された被エッチング物６に変調したレ
ーザ１を照射し、レーザ１照射による周期的な電位変化
をレーザ発振器１２への変調信号を参照入力とするロッ
クインアンプ１５で定常電位と分離し、測定する。この
変化量の度合がエッチング溝深さによって異なってくる
ことを利用してエッチング溝深さｄを測定する。Embodiment 5 FIG. Although all of the above examples relate to the measurement of the plating film thickness, a method of measuring the etching groove depth will be described below. FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a method for measuring the etching groove depth during electroless etching. In the figure, 6 is an object to be etched, and 19 is an etching solution. The measuring method irradiates the modulated laser 1 to the etching target 6 held in a constant current state by the galvanostat 11, and uses the modulation signal to the laser oscillator 12 as a reference input of a periodic potential change due to the irradiation of the laser 1. It is separated from the stationary potential by the lock-in amplifier 15 and measured. The depth d of the etching groove is measured by utilizing the fact that the degree of the change varies depending on the depth of the etching groove.
【００１６】実施例６． 上記実施例５では被エッチング物６を定電流状態に保っ
たが、図６に示すようにポテンシオスタット１７を用い
て定電位状態に保ってもよい。この定電位状態に保たれ
た被エッチング物６に変調したレーザ１を照射し、レー
ザ１照射による周期的な電流変化をレーザ発振器１２へ
の変調信号を参照入力とするロックインアンプ１５で定
常電流と分離し、測定する。この変化量の度合がエッチ
ング溝深さによって異なってくることを利用してエッチ
ング溝深さｄを測定する。Embodiment 6 FIG. In the fifth embodiment, the object 6 to be etched is kept in a constant current state, but may be kept in a constant potential state using a potentiostat 17 as shown in FIG. The irradiated with laser 1 modulated in the etching object 6 which is kept at a constant potential state, state current periodic current change by laser 1 irradiating with the lock-in amplifier 15 to a reference input to the modulation signal to the laser oscillator 12 And measure. The depth d of the etching groove is measured by utilizing the fact that the degree of the change varies depending on the depth of the etching groove.
【００１７】なお、上記実施例５、６は共に無電解エッ
チングの場合について示したが、電解エッチングの場合
にも適用でき、その場合の装置系はそれぞれ図１、２に
示す装置系と同様となる。Although Embodiments 5 and 6 have been described with reference to the case of electroless etching, they can also be applied to the case of electrolytic etching. In that case, the apparatus system is the same as the apparatus system shown in FIGS. Become.
【００１８】実施例７．以下、本発明の別の発明を図を
もとに説明する。図７は本発明の別の発明の要部を説明
する構成図であり、全体的な構成は図５、図６に示した
ものと同様である。この例では、レーザビーム１を凹レ
ンズ２０を通過させて発散させた後、凸レンズ２１を通
過させて集光し、被エッチング物６に照射するように構
成している。このように構成することにより、焦点が少
しずれただけでパワー密度は大きく変化するので、溝深
さのわずかな変化も測定可能となる。Embodiment 7 FIG. Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a configuration diagram for explaining a main part of another invention of the present invention, and the overall configuration is the same as that shown in FIGS. In this example, the laser beam 1 passes through the concave lens 20 and diverges, then passes through the convex lens 21, condenses, and irradiates the workpiece 6. With this configuration, even if the focus is slightly deviated, the power density greatly changes, so that a slight change in the groove depth can be measured.
【００１９】なお、上記各実施例１〜７において、レー
ザ発振器１２をＸ−Ｙ−Ｚパルスステージ１４に固定し
ているが、容器８をＸ−Ｙ−Ｚパルスステージ１４に固
定してもよい。さらに、Ｘ−Ｙ−Ｚパルスステージ１４
を特に設けなくても問題なく、光ファイバ１３がフレキ
シブルであってもよい。Although the laser oscillator 12 is fixed to the XYZ pulse stage 14 in each of the first to seventh embodiments, the container 8 may be fixed to the XYZ pulse stage 14. . Further, the XYZ pulse stage 14
The optical fiber 13 may be flexible without any particular problem.
【００２０】また、コンピュータ１６制御されたＸ−Ｙ
−Ｚパルスステージ１４をレーザが部材表面を走査する
ように動かしてもよく、この場合には、めっき膜厚の厚
さ分布やエッチングの溝深さ分布の測定も可能となる。XY controlled by the computer 16
The -Z pulse stage 14 may be moved so that the laser scans the surface of the member. In this case, the thickness distribution of the plating film thickness and the groove depth distribution of the etching can be measured.
【００２１】なお、めっき膜厚の測定において、膜厚の
増加と共にレーザビームの焦点がずれてくるが、通常の
めっきでは膜厚は５０μｍ以下であるので、焦点のずれ
はほとんど無視できる。また、長焦点レンズを通過した
レーザビームを被めっき材に照射することにより、焦点
のずれを少なくすることができる。In the measurement of the plating film thickness, the focal point of the laser beam shifts as the film thickness increases. However, since the film thickness is less than 50 μm in ordinary plating, the shift of the focal point can be almost ignored. By irradiating the material to be plated with the laser beam that has passed through the long focal length lens, it is possible to reduce the focus shift.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、水溶
液中で定電流下または定電位下に保持されためっき部材
またはエッチング部材にレーザビームを照射し、レーザ
ビーム照射時における単位時間当たりの電位変化量また
は電流変化量を検出することにより上記めっき部材また
はエッチング部材のめっき膜厚またはエッチング溝深さ
を測定するので、インプロセスで正確なめっき膜厚測定
とエッチング溝深さ測定が可能となる。As described above, according to the present invention, a plating member or an etching member maintained at a constant current or a constant potential in an aqueous solution is irradiated with a laser beam, and the laser beam is irradiated per unit time during the laser beam irradiation. By measuring the amount of potential change or the amount of change in current of the plating member, the plating film thickness or etching groove depth of the above-mentioned plating member or etching member is measured, so that accurate plating film thickness measurement and etching groove depth measurement can be performed in-process. Becomes
【００２３】さらに、エッチング部材に照射するレーザ
ビームは、凹レンズを通過させて発散させた後凸レンズ
を通過させて集光すれば、焦点が少しずれただけでパワ
ー密度は大きく変化するので、溝深さのわずかな変化も
測定可能となる。Further, a laser for irradiating the etching member
If the beam passes through a concave lens and diverges, and then passes through a convex lens and is condensed, the power density changes greatly even if the focus is slightly shifted, so that a slight change in the groove depth can be measured.
【図１】この発明の実施例１によるめっき膜厚測定方法
を説明する構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例２によるめっき膜厚測定方法
を説明する構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例３によるめっき膜厚測定方法
を説明する構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to a third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例４によるめっき膜厚測定方法
を説明する構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram illustrating a plating film thickness measuring method according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】この発明の実施例５によるエッチング溝深さ測
定方法を説明する構成図である。5 is a block diagram illustrating the etching trench depth measurement method according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】この発明の実施例６によるエッチング溝深さ測
定方法を説明する構成図である。6 is a block diagram illustrating the etching trench depth measurement method according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例７によるエッチング溝深さ測
定方法の要部を説明する構成図である。7 is a block diagram illustrating a major part of the etching trench depth measurement method according to an embodiment 7 of the present invention.
【図８】レーザビーム照射時の電流Ｉと電圧Ｖの変化を
示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing changes in current I and voltage V during laser beam irradiation.
【図９】この発明のめっき膜厚測定原理を説明する説明
図である。FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating the principle of measuring the thickness of a plated film according to the present invention.
【図１０】この発明のエッチング溝深さ測定原理を説明
する説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining the principle of measuring the etching groove depth according to the present invention.
【図１１】めっき膜厚とエッチング溝深さを示す断面図
である。FIG. 11 is a sectional view showing a plating film thickness and an etching groove depth.
１ レーザビーム ２ 被めっき材 ６ 被エッチング材 ７ めっき液 １９ エッチング液 ２０ 凹レンズ ２１ 凸レンズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser beam 2 Material to be plated 6 Material to be etched 7 Plating solution 19 Etching solution 20 Concave lens 21 Convex lens
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 7/00 - 7/34 G01B 21/00 - 21/32 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G01B 7/00-7/34 G01B 21/00-21/32
Claims (2)
持されためっき部材またはエッチング部材にレーザビー
ムを照射し、レーザビーム照射時における単位時間当た
りの電位変化量または電流変化量を検出することにより
上記めっき部材またはエッチング部材のめっき膜厚また
はエッチング溝深さを測定する湿式プロセスにおけるめ
っき膜厚およびエッチング溝深さの測定方法。1. A laser beam is irradiated to a plating member or an etching member which is maintained at a constant current or a constant potential in an aqueous solution, and is irradiated for a unit time during laser beam irradiation.
A method for measuring a plating film thickness and an etching groove depth in a wet process of measuring a plating film thickness or an etching groove depth of the plating member or the etching member by detecting a potential change amount or a current change amount of the plating member.
は、凹レンズを通過させて発散させた後凸レンズを通過
させて集光したものである請求項第１項記載の湿式プロ
セスにおけるめっき膜厚およびエッチング溝深さの測定
方法。2. A plating film thickness and an etching groove in a wet process according to claim 1, wherein the laser beam applied to the etching member passes through a concave lens, diverges after passing through the concave lens, and condenses through a convex lens. How to measure depth.
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|---|---|---|---|
| JP4130576A JP2950016B2 (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Method of measuring plating film thickness and etching groove depth in wet process |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH05322880A JPH05322880A (en) | 1993-12-07 |
| JP2950016B2 true JP2950016B2 (en) | 1999-09-20 |
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|---|---|---|---|---|
| CN108426531A (en) * | 2018-04-13 | 2018-08-21 | 清华大学深圳研究生院 | A kind of composite film thickness on-line measurement system |
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-
1992
- 1992-05-22 JP JP4130576A patent/JP2950016B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05322880A (en) | 1993-12-07 |
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