JP2948695B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関し、特に記録密度を決定付ける磁極を形成する
ための磁性層のパターニングに特徴を有する。
方法に関し、特に記録密度を決定付ける磁極を形成する
ための磁性層のパターニングに特徴を有する。
【０００２】薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ディスク
装置などの高密度記録化にともなってますます微細化の
要求が高まっている。それ故、微細加工時の歩留りが高
く生産性に優れた製造方法が望まれている。
装置などの高密度記録化にともなってますます微細化の
要求が高まっている。それ故、微細加工時の歩留りが高
く生産性に優れた製造方法が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】図３（ａ）及び（ｂ）は一般的な薄膜磁
気ヘッド１の構造を示す図である。図３（ａ）は要部の
断面図であり、図３（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
気ヘッド１の構造を示す図である。図３（ａ）は要部の
断面図であり、図３（ｂ）は要部の平面図である。な
お、図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ矢視断面に対応す
る。
【０００４】薄膜磁気ヘッド１は、支持体１１、絶縁層
１２、下部及び上部の磁極１３，１７、ギャップ層１
４、層間絶縁体１５、渦巻き状のコイル１６、及び保護
膜１８などから構成されている。磁極１３，１７は磁気
コアを構成するようにコンタクト部１３７で一体化され
ており、また、コイル１６の内端及び外端はそれぞれ図
示しない外部接続端子に接続されている。
１２、下部及び上部の磁極１３，１７、ギャップ層１
４、層間絶縁体１５、渦巻き状のコイル１６、及び保護
膜１８などから構成されている。磁極１３，１７は磁気
コアを構成するようにコンタクト部１３７で一体化され
ており、また、コイル１６の内端及び外端はそれぞれ図
示しない外部接続端子に接続されている。
【０００５】さて、磁極１３，１７は、以下に説明する
ように、それぞれＦｅＮ又はＮｉ−Ｆｅなどの磁性層を
フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることに
よって形成される。
ように、それぞれＦｅＮ又はＮｉ−Ｆｅなどの磁性層を
フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることに
よって形成される。
【０００６】図４は従来の製造方法による磁極形成の各
段階の状態を示す要部断面図であり、代表的に上部の磁
極１７の形成の様子を示している。なお、同図は図３の
ＩＩＩ−ＩＩＩ矢視断面に対応する。
段階の状態を示す要部断面図であり、代表的に上部の磁
極１７の形成の様子を示している。なお、同図は図３の
ＩＩＩ−ＩＩＩ矢視断面に対応する。
【０００７】図３をも参照して、薄膜磁気ヘッド１の製
造に際しては、支持体１１の上面に、絶縁層１２、所定
パターン形状の下部の磁極１３、及びギャップ層１４
（厳密にはパターニング前の層１４ａ）とを順に設けた
後、層間絶縁体１５内に埋没させる形でコイル１６を設
ける。そして、上部の磁極１７の形成工程に移る。
造に際しては、支持体１１の上面に、絶縁層１２、所定
パターン形状の下部の磁極１３、及びギャップ層１４
（厳密にはパターニング前の層１４ａ）とを順に設けた
後、層間絶縁体１５内に埋没させる形でコイル１６を設
ける。そして、上部の磁極１７の形成工程に移る。
【０００８】まず、前工程で設けられた各部の表面を覆
うように、スパッタリングなどによって上部の磁極１７
に対応する磁性層１７ａを設ける。なお、スパッタリン
グの開始時点では、下部の磁極１３はコンタクト部１３
７において部分的に露出している。
うように、スパッタリングなどによって上部の磁極１７
に対応する磁性層１７ａを設ける。なお、スパッタリン
グの開始時点では、下部の磁極１３はコンタクト部１３
７において部分的に露出している。
【０００９】続いて、磁性層１７ａ上に塗布形成したレ
ジスト層をパターニングしてエッチングマスク６０を設
ける［図４（ａ）］。なお、エッチングマスク６０のパ
ターン幅は、下部の磁極１３のパターン幅ｗとほぼ同一
の値に選定される。
ジスト層をパターニングしてエッチングマスク６０を設
ける［図４（ａ）］。なお、エッチングマスク６０のパ
ターン幅は、下部の磁極１３のパターン幅ｗとほぼ同一
の値に選定される。
【００１０】次に、エッチングマスク６０を用いて磁性
層１７ａのエッチング（パターニング）を行う［図４
（ｂ）］。ここで、磁極１３，１７の寸法精度は、磁気
記録のトラック幅を決定付ける重要な要素である。した
がって、磁性層１７ａのエッチング手法としては、異方
性ドライエッチング手法の中でも特に高精度のパターニ
ングの可能なイオンミリングが用いられる。イオンミリ
ングでは、イオンの衝突によりエッチング面が物理的に
切削される形でエッチングが進行する。
層１７ａのエッチング（パターニング）を行う［図４
（ｂ）］。ここで、磁極１３，１７の寸法精度は、磁気
記録のトラック幅を決定付ける重要な要素である。した
がって、磁性層１７ａのエッチング手法としては、異方
性ドライエッチング手法の中でも特に高精度のパターニ
ングの可能なイオンミリングが用いられる。イオンミリ
ングでは、イオンの衝突によりエッチング面が物理的に
切削される形でエッチングが進行する。
【００１１】以上の工程によって、ギャップ層１４を介
して下部の磁極１３と重なる上部の磁極１７が形成さ
れ、エッチングマスク６０を除去した後に保護膜１８を
設ける工程を経て薄膜磁気ヘッド１が完成される。
して下部の磁極１３と重なる上部の磁極１７が形成さ
れ、エッチングマスク６０を除去した後に保護膜１８を
設ける工程を経て薄膜磁気ヘッド１が完成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来では、図４（ｂ）
に示されるように、イオンミリング時において、切削屑
７０ａが大量に飛散することから、磁性層１７ａの切削
面やエッチングマスク６０の側面への切削屑７０ａの堆
積（いわゆる再付着）が著しい。
に示されるように、イオンミリング時において、切削屑
７０ａが大量に飛散することから、磁性層１７ａの切削
面やエッチングマスク６０の側面への切削屑７０ａの堆
積（いわゆる再付着）が著しい。
【００１３】このため、図４（ｃ）に示されるように、
エッチングマスク６０を除去した後において、下部及び
上部の磁極１３，１７が切削屑７０ａの堆積層７０でつ
ながって磁気的な短絡が生じたり、上部の磁極１７の上
端部に後工程の障害となる突起が形成されてしまうこと
から、薄膜磁気ヘッド１の製造の歩留りが低いという問
題があった。
エッチングマスク６０を除去した後において、下部及び
上部の磁極１３，１７が切削屑７０ａの堆積層７０でつ
ながって磁気的な短絡が生じたり、上部の磁極１７の上
端部に後工程の障害となる突起が形成されてしまうこと
から、薄膜磁気ヘッド１の製造の歩留りが低いという問
題があった。
【００１４】なお、上述の説明では上部の磁極１７に着
目したが、下部の磁極１３についても、イオンミリング
時の再付着によって上端部に突起が形成されてしまい、
そのためにギャップ層１４の形成に支障が生じていた。
目したが、下部の磁極１３についても、イオンミリング
時の再付着によって上端部に突起が形成されてしまい、
そのためにギャップ層１４の形成に支障が生じていた。
【００１５】本発明は、上述の問題に鑑み、磁極を形成
するためのイオンミリングに係る再付着を可及的に抑え
ることによって、製造の歩留りの向上を図ることを目的
としている。
するためのイオンミリングに係る再付着を可及的に抑え
ることによって、製造の歩留りの向上を図ることを目的
としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る製
造方法は、上述の課題を解決するため、図１及び図２に
示すように、磁性層１７ａをパターニングして磁極１７
を形成する薄膜磁気ヘッド１の製造方法であって、前記
磁性層１７ａの大半を除去して前記磁極１７のパターン
形状を包含するパターン形状の磁性層１７ｂを形成する
予備パターニング工程と、前記磁性層１７ｂ上に、前記
磁極１７のパターン形状に対応するパターン形状のエッ
チングマスク６１ｂを設け、当該エッチングマスク６１
ｂを用いてイオンミリングによって前記磁性層１７ｂを
部分的に除去して前記磁極１７を形成する本パターニン
グ工程とを含む。
造方法は、上述の課題を解決するため、図１及び図２に
示すように、磁性層１７ａをパターニングして磁極１７
を形成する薄膜磁気ヘッド１の製造方法であって、前記
磁性層１７ａの大半を除去して前記磁極１７のパターン
形状を包含するパターン形状の磁性層１７ｂを形成する
予備パターニング工程と、前記磁性層１７ｂ上に、前記
磁極１７のパターン形状に対応するパターン形状のエッ
チングマスク６１ｂを設け、当該エッチングマスク６１
ｂを用いてイオンミリングによって前記磁性層１７ｂを
部分的に除去して前記磁極１７を形成する本パターニン
グ工程とを含む。
【００１７】請求項２の発明に係る製造方法は、磁性層
１７ａ上に前記磁極１７のパターン形状を包含するパタ
ーン形状のエッチングマスク６１を設け、当該エッチン
グマスク６１を用いて当該磁性層１７ａの大半を除去す
る予備パターニング工程を含む。
１７ａ上に前記磁極１７のパターン形状を包含するパタ
ーン形状のエッチングマスク６１を設け、当該エッチン
グマスク６１を用いて当該磁性層１７ａの大半を除去す
る予備パターニング工程を含む。
【００１８】請求項３の発明に係る製造方法は、前記予
備パターニング工程に際して、ポジ型レジスト層からな
る前記エッチングマスク６１を設け、当該エッチングマ
スク６１に対して遮光状態を保ちつつウエットエッチン
グ法によって前記磁性層１７ａを部分的に除去するとと
もに、前記本パターニング工程に際して、前記エッチン
グマスク６１に対するパターン露光及び現像処理によっ
て前記エッチングマスク６１ｂを設ける。
備パターニング工程に際して、ポジ型レジスト層からな
る前記エッチングマスク６１を設け、当該エッチングマ
スク６１に対して遮光状態を保ちつつウエットエッチン
グ法によって前記磁性層１７ａを部分的に除去するとと
もに、前記本パターニング工程に際して、前記エッチン
グマスク６１に対するパターン露光及び現像処理によっ
て前記エッチングマスク６１ｂを設ける。
【００１９】
【作用】予備パターニング工程では、パターン形状の上
で磁極１７に比べて若干大きめ（いわゆるラフパター
ン）のエッチングマスク６１を用いたエッチングなどの
パターニング手法によって、磁極１７となる部分及びそ
の周囲を僅かに残す形で磁性層１７ａの大半が除去され
る。したがって、イオンミリングによる本パターニング
工程では、被エッチング部が僅かであって切削屑が少な
いことから再付着が抑えられる。
で磁極１７に比べて若干大きめ（いわゆるラフパター
ン）のエッチングマスク６１を用いたエッチングなどの
パターニング手法によって、磁極１７となる部分及びそ
の周囲を僅かに残す形で磁性層１７ａの大半が除去され
る。したがって、イオンミリングによる本パターニング
工程では、被エッチング部が僅かであって切削屑が少な
いことから再付着が抑えられる。
【００２０】なお、予備パターニング工程においては、
エッチングマスク６１としてポジ型レジスト層が設けら
れ、ウエットエッチング法を用いて遮光環境下でエッチ
ングが行われる。そして、本パターニング工程において
は、エッチングマスク６１にパターン露光及び現像処理
を施してエッチングマスク６１ｂが形成され、エッチン
グマスク６１の一部がエッチングマスク６１ｂとして再
利用される。
エッチングマスク６１としてポジ型レジスト層が設けら
れ、ウエットエッチング法を用いて遮光環境下でエッチ
ングが行われる。そして、本パターニング工程において
は、エッチングマスク６１にパターン露光及び現像処理
を施してエッチングマスク６１ｂが形成され、エッチン
グマスク６１の一部がエッチングマスク６１ｂとして再
利用される。
【００２１】
【実施例】以下、図３に示した薄膜磁気ヘッド１の一対
の磁極１３，１７の内、代表的に上部の磁極１７の形成
に着目して本発明の製造方法を説明する。
の磁極１３，１７の内、代表的に上部の磁極１７の形成
に着目して本発明の製造方法を説明する。
【００２２】図１は本発明の製造方法に係る磁極形成の
各段階を示す要部断面図、図２は図１のエッチングマス
ク６１のパターン形状と磁極１７のパターン形状との関
係を示す平面図である。なお、図１は図３のＩＩＩ−Ｉ
ＩＩ矢視断面に対応する。
各段階を示す要部断面図、図２は図１のエッチングマス
ク６１のパターン形状と磁極１７のパターン形状との関
係を示す平面図である。なお、図１は図３のＩＩＩ−Ｉ
ＩＩ矢視断面に対応する。
【００２３】ここでは、既に、絶縁層１２上に所定パタ
ーン形状の下部の磁極１３、ギャップ層１４に対応する
二酸化珪素膜１４ａが設けられ、さらに、図１では図示
しない熱硬化性樹脂などの層間絶縁体１５及びＣｕメッ
キ膜からなるコイル１６が設けられているものとする。
なお、下部の磁極１３は、以下に説明する上部の磁極１
７の形成と同様に、本発明の特徴となる２段階のパター
ニング工程によって形成されている。
ーン形状の下部の磁極１３、ギャップ層１４に対応する
二酸化珪素膜１４ａが設けられ、さらに、図１では図示
しない熱硬化性樹脂などの層間絶縁体１５及びＣｕメッ
キ膜からなるコイル１６が設けられているものとする。
なお、下部の磁極１３は、以下に説明する上部の磁極１
７の形成と同様に、本発明の特徴となる２段階のパター
ニング工程によって形成されている。
【００２４】磁極１７の形成に際しては、まず、従来と
同様に絶縁層１２の上面を一様に被覆するように、スパ
ッタリングなどの成膜手法を用いて例えばＦｅＮ又はパ
ーマロイからなる厚さが２〜４μｍ程度の磁性層１７ａ
を設ける。
同様に絶縁層１２の上面を一様に被覆するように、スパ
ッタリングなどの成膜手法を用いて例えばＦｅＮ又はパ
ーマロイからなる厚さが２〜４μｍ程度の磁性層１７ａ
を設ける。
【００２５】次に、磁性層１７ａの第１段階のパターニ
ング（予備パターニング）を行うために、下部の磁極１
３と位置合わせして磁性層１７ａ上にポジ型レジスト層
からなるエッチングマスク６１を設ける［図１
（ａ）］。
ング（予備パターニング）を行うために、下部の磁極１
３と位置合わせして磁性層１７ａ上にポジ型レジスト層
からなるエッチングマスク６１を設ける［図１
（ａ）］。
【００２６】ここで、エッチングマスク６１のパターン
形状は、形成しようとしている磁極１７のパターン形状
を包含する形状、すなわち磁極１７に比べて広い形状で
あればよいが、本実施例では、図２によく示されるよう
に、磁極１７のパターン形状をその全周にわたって所定
の幅ｗ１だけ均等に押し拡げた形の形状とされている。
したがって、磁極１７の中でも特に高精度のパターニン
グが要求されるギャップ部（図２の下端部）に対応する
部分において、エッチングマスク６１のパターン幅ｗ２
は、磁極１７のパターン幅ｗ（通常は１０μｍ程度）に
比べて幅ｗ１の２つ分だけ大きい（ｗ２＝ｗ＋２×ｗ
１）。なお、幅ｗ１はできるだけ小さい方が望ましい
が、エッチングマスク６１の厚さと同程度に選定すれ
ば、十分に本発明の目的は達成できる。
形状は、形成しようとしている磁極１７のパターン形状
を包含する形状、すなわち磁極１７に比べて広い形状で
あればよいが、本実施例では、図２によく示されるよう
に、磁極１７のパターン形状をその全周にわたって所定
の幅ｗ１だけ均等に押し拡げた形の形状とされている。
したがって、磁極１７の中でも特に高精度のパターニン
グが要求されるギャップ部（図２の下端部）に対応する
部分において、エッチングマスク６１のパターン幅ｗ２
は、磁極１７のパターン幅ｗ（通常は１０μｍ程度）に
比べて幅ｗ１の２つ分だけ大きい（ｗ２＝ｗ＋２×ｗ
１）。なお、幅ｗ１はできるだけ小さい方が望ましい
が、エッチングマスク６１の厚さと同程度に選定すれ
ば、十分に本発明の目的は達成できる。
【００２７】このようなエッチングマスク６１の形成に
は、レジスト液の塗布、パターン露光、及び現像処理か
らなる周知のフォトリソグラフィ手法を用い、その際に
現像終了後もエッチングマスク６１に対する遮光状態を
保つ。
は、レジスト液の塗布、パターン露光、及び現像処理か
らなる周知のフォトリソグラフィ手法を用い、その際に
現像終了後もエッチングマスク６１に対する遮光状態を
保つ。
【００２８】そして、引き続いてエッチングマスク６１
に対する遮光状態を保ちつつ、浸漬法又はシャワー法な
どのウエットエッチング手法を用いて、磁性層１７ａの
非マスキング部を除去する。このエッチング処理によ
り、磁性層１７ａの不要部分の大半が取り除かれ、磁極
１７となる部分及びその周囲を縁取る形の部分が磁性層
１７ｂとして残る［図１（ｂ）］。なお、言うまでもな
く磁性層１７ｂのパターン形状は、上述のエッチングマ
スク６１のパターン形状とほぼ同一である。
に対する遮光状態を保ちつつ、浸漬法又はシャワー法な
どのウエットエッチング手法を用いて、磁性層１７ａの
非マスキング部を除去する。このエッチング処理によ
り、磁性層１７ａの不要部分の大半が取り除かれ、磁極
１７となる部分及びその周囲を縁取る形の部分が磁性層
１７ｂとして残る［図１（ｂ）］。なお、言うまでもな
く磁性層１７ｂのパターン形状は、上述のエッチングマ
スク６１のパターン形状とほぼ同一である。
【００２９】次に、第２段階のパターニング（本パター
ニング）を行うために、エッチングマスク６１に対して
パターン露光及び現像処理を施すことによって、磁極１
７に対応するパターン形状（すなわちギャップ部のパタ
ーン幅がほぼｗである）のエッチングマスク６１ｂを磁
性層１７ｂの上に設ける。
ニング）を行うために、エッチングマスク６１に対して
パターン露光及び現像処理を施すことによって、磁極１
７に対応するパターン形状（すなわちギャップ部のパタ
ーン幅がほぼｗである）のエッチングマスク６１ｂを磁
性層１７ｂの上に設ける。
【００３０】そして、イオンミリングによって磁性層１
７ｂの露出部分を除去する［図１（ｃ）］。このとき、
エッチングの対象となる磁性層１７ｂの体積は僅かであ
るので、切削屑が少量であり再付着がほとんど起こらな
い。したがって、図１（ｄ）に示すように、ギャップ部
において下部の磁極１３と分離し且つ上面の平坦な所望
の形状の磁極１７が得られる。
７ｂの露出部分を除去する［図１（ｃ）］。このとき、
エッチングの対象となる磁性層１７ｂの体積は僅かであ
るので、切削屑が少量であり再付着がほとんど起こらな
い。したがって、図１（ｄ）に示すように、ギャップ部
において下部の磁極１３と分離し且つ上面の平坦な所望
の形状の磁極１７が得られる。
【００３１】上述の実施例によれば、エッチングマスク
６１の一部がエッチングマスク６１ｂとして再利用され
るので、薄膜磁気ヘッド１の製造工数の増大を抑えるこ
とができる。つまり、２段階のパターニングを行うため
に、マスキング面積の異なる２つのエッチングマスク６
１，６１ｂをフォトリソグラフィ法を用いて設けるにあ
たって、レジスト液の塗布を１回だけ行えばよい。
６１の一部がエッチングマスク６１ｂとして再利用され
るので、薄膜磁気ヘッド１の製造工数の増大を抑えるこ
とができる。つまり、２段階のパターニングを行うため
に、マスキング面積の異なる２つのエッチングマスク６
１，６１ｂをフォトリソグラフィ法を用いて設けるにあ
たって、レジスト液の塗布を１回だけ行えばよい。
【００３２】上述の実施例において、第１段階のパター
ニングに際して、ウエットエッチング法に代えて、イオ
ンミリングなどのドライエッチング法を用いてもよい。
ただし、その場合には、エッチングマスク６１が変質し
て再利用ができないので、第２段階のパターニングに際
して、改めてレジスト液の塗布を行ってエッチングマス
ク６１ｂを形成する必要がある。
ニングに際して、ウエットエッチング法に代えて、イオ
ンミリングなどのドライエッチング法を用いてもよい。
ただし、その場合には、エッチングマスク６１が変質し
て再利用ができないので、第２段階のパターニングに際
して、改めてレジスト液の塗布を行ってエッチングマス
ク６１ｂを形成する必要がある。
【００３３】また、上述の実施例においては、磁性層１
７ａを設けた後にポジパターンのエッチングマスク６１
を設け、エッチングにより磁性層１７ａのパターニング
（磁性層１７ｂの形成）を行ったが、ネガパターンのレ
ジスト層を設けた後に磁性層１７ａを設け、レジスト層
とともに不要部分の磁性層１７ａを除去するリフトオフ
法によって磁性層１７ａのパターニングを行ってよい。
７ａを設けた後にポジパターンのエッチングマスク６１
を設け、エッチングにより磁性層１７ａのパターニング
（磁性層１７ｂの形成）を行ったが、ネガパターンのレ
ジスト層を設けた後に磁性層１７ａを設け、レジスト層
とともに不要部分の磁性層１７ａを除去するリフトオフ
法によって磁性層１７ａのパターニングを行ってよい。
【００３４】上述の実施例においては、下部及び上部の
磁極１３，１７の形成に際して、それぞれ２段階のパタ
ーニングを行うものとして説明したが、一方の磁極のみ
を２段階のパターニングにより形成し、他方の磁極はイ
オンミリングによる１回のパターニングによって形成す
ることもできる。
磁極１３，１７の形成に際して、それぞれ２段階のパタ
ーニングを行うものとして説明したが、一方の磁極のみ
を２段階のパターニングにより形成し、他方の磁極はイ
オンミリングによる１回のパターニングによって形成す
ることもできる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、磁極を形成するための
イオンミリングに係る再付着を可及的に抑えることがで
き、製造の歩留りを高めることができる。
イオンミリングに係る再付着を可及的に抑えることがで
き、製造の歩留りを高めることができる。
【００３６】請求項３の発明によれば、製造工数の増大
を抑えて製造の歩留りを高めることができる。
を抑えて製造の歩留りを高めることができる。
【図１】本発明の製造方法に係る磁極形成の各段階を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】図１のエッチングマスクのパターン形状と磁極
のパターン形状との関係を示す平面図である。
のパターン形状との関係を示す平面図である。
【図３】一般的な薄膜磁気ヘッドの構造を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の製造方法による磁極形成の各段階の状態
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド １７ 磁極 １７ａ 磁性層 １７ｂ 磁性層 ６１ エッチングマスク ６１ｂ エッチングマスク
Claims (3)
- 【請求項１】磁性層（１７ａ）をパターニングして磁極
（１７）を形成する薄膜磁気ヘッド（１）の製造方法で
あって、 前記磁性層（１７ａ）の大半を除去して前記磁極（１
７）のパターン形状を包含するパターン形状の磁性層
（１７ｂ）を形成する予備パターニング工程と、 前記磁性層（１７ｂ）上に、前記磁極（１７）のパター
ン形状に対応するパターン形状のエッチングマスク（６
１ｂ）を設け、当該エッチングマスク（６１ｂ）を用い
てイオンミリングによって前記磁性層（１７ｂ）を部分
的に除去して前記磁極（１７）を形成する本パターニン
グ工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項２】磁性層（１７ａ）をパターニングして磁極
（１７）を形成する薄膜磁気ヘッド（１）の製造方法で
あって、 前記磁性層（１７ａ）上に前記磁極（１７）のパターン
形状を包含するパターン形状のエッチングマスク（６
１）を設け、当該エッチングマスク（６１）を用いて当
該磁性層（１７ａ）の大半を除去する予備パターニング
工程と、 前記予備エッチング工程を経た後に残存する磁性層（１
７ｂ）上に、前記磁極（１７）のパターン形状に対応す
るパターン形状のエッチングマスク（６１ｂ）を設け、
当該エッチングマスク（６１ｂ）を用いてイオンミリン
グによって当該磁性層（１７ｂ）を部分的に除去して前
記磁極（１７）を形成する本パターニング工程とを含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
であって、 前記予備パターニング工程に際して、ポジ型レジスト層
のパターン露光及び現像処理によって前記エッチングマ
スク（６１）を設け、当該エッチングマスク（６１）に
対して遮光状態を保ちつつウエットエッチング法によっ
て前記磁性層（１７ａ）を部分的に除去するとともに、 前記本パターニング工程に際して、前記エッチングマス
ク（６１）に対するパターン露光及び現像処理によって
前記エッチングマスク（６１ｂ）を設けることを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32301891A JP2948695B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP32301891A JP2948695B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159223A JPH05159223A (ja) | 1993-06-25 |
| JP2948695B2 true JP2948695B2 (ja) | 1999-09-13 |
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ID=18150211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32301891A Expired - Fee Related JP2948695B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| JP (1) | JP2948695B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554764B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lift-off method for forming write pole of a magnetic write head and write pole formed thereby |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32301891A patent/JP2948695B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05159223A (ja) | 1993-06-25 |
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