JP2934736B2 - TV receiver - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、地上テレビ局または衛
星テレビ局またはケーブルテレビ局または個別に設けら
れたテレビ映像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーデ
ィスク、光磁気ディスク等）より送られる映像信号を具
体的に表示する装置を提案する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a video signal transmitted from a terrestrial television station, a satellite television station, a cable television station, or a separately provided television video recorder (video deck, laser disk, magneto-optical disk, etc.). We propose a device to display.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来地上テレビ局または衛星テレビ局ま
たはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映
像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁
気ディスク等）より送られる映像信号を具体的に表示す
る装置としては、ブラウン管、ＣＲＴと呼ばれる真空管
中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させ
る方式が取られていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a device for specifically displaying a video signal transmitted from a terrestrial television station, a satellite television station, a cable television station, or a separately provided television video recording device (video deck, laser disk, magneto-optical disk, etc.). In the prior art, a method of emitting an electron beam in a vacuum tube called a cathode ray tube or a CRT to emit a fluorescent screen as an object has been adopted.

【０００３】当初表示体の対角は１２〜１４インチがよ
く普及していたが、近年世の中の要求によって、２０イ
ンチはおろか３０インチをゆうに超える大きさのものま
で出現するに至っている。[0003] Initially, the diagonal of the display body was 12 to 14 inches, but recently, due to the demands of the world, the size of 20 inches has come to just over 30 inches.

【０００４】対角３０インチの場合、その奥行きもほぼ
３０インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚み
も強度を保つために１センチを超えるようになった。ま
た、他の装置として、輝度の高いブラウン管を光学系で
拡大表示してスクリーンに映し出す方式も提案され、表
示面積の大きな物に利用されている。その構成の概略を
図２に示す。In the case of a 30-inch diagonal, the depth is about 30 inches, and the thickness of the glass forming it has also exceeded 1 cm in order to maintain strength. As another device, a method of enlarging and displaying a high-luminance cathode ray tube with an optical system and projecting it on a screen has been proposed, and is used for an object having a large display area. The outline of the configuration
As shown in FIG .

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ブラウン管を利用した
テレビ受像機の場合、表示面が３０インチを越えると全
体の重量は１００ｋｇを優に越えることになった。一般
の家庭において１００ｋｇを越えた重量物を置くには、
よっぽど場所を限定しなければ難しいものがある。ま
た、その重量はレイアウト変更等が生じた場合に、人力
で移動させることは難しくなり、一般家庭への普及の障
害となっていた。In the case of a television receiver using a cathode ray tube, if the display surface exceeds 30 inches, the total weight exceeds 100 kg. To put heavy goods over 100kg in general household,
There are things that are difficult unless you limit the location. In addition, it is difficult to move the weight by human power when the layout is changed or the like, which has been an obstacle to the spread to general households.

【０００６】そこで、重量の解決のため、プロジェクシ
ョン型のテレビ受像機が提案されているが、元になる高
輝度ブラウン管の輝度向上にも限界があり、拡大画面に
おける輝度自体は非常に低いものとなっていた。そのた
め、画面が暗いばかりではなく、光学系で拡大している
ために、正面でのコントラスト比は高いものの、斜め方
向からのコントラスト比はブラウン管方式に比べて非常
に劣っていた。しかしながら、本方式は重量の点におい
ては、ブラウン管方式の５０％程度ですむため、問題解
決の一つとなった。図２のプロジェクションテレビ２０
１は、ブラウン管または液晶表示装置２０４、チューナ
ー２０５、光学系２０３、反射板２０２、画面２０６よ
りなる。本発明は、図２の符号２０４で示される部分の
液晶表示装置に関するものである。To solve the problem, a projection-type television receiver has been proposed to solve the problem. However, there is a limit in improving the brightness of a high-brightness CRT, which is the basis of the TV receiver. Had become. For this reason, not only is the screen dark but also enlarged by an optical system, so that the contrast ratio in the front is high, but the contrast ratio in an oblique direction is very inferior to that of the CRT method. However, this method is one of the solutions to the problem because the weight is only about 50% of the CRT method. The projection television 20 of FIG.
1 includes a cathode ray tube or liquid crystal display device 204, a tuner 205, an optical system 203, a reflector 202, and a screen 206. The present invention relates to a liquid crystal display device of the portion indicated by reference numeral 204 in FIG. 2.

【０００７】近年、ブラウン管に代わって、アモルファ
スシリコンを使った薄膜トランジスタ方式の液晶パネル
をその元となる表示体として使用した実施例がよく提案
されている。重量はブラウン管方式に比べて、３０％程
度ですむために一般家庭への普及を助ける要因の一つと
なった。しかし、ブラウン管方式に比べて、表示輝度が
まだまだ低く、光源の強度を上げる方向で検討が進めら
れているが、光源強度をあげた場合、液晶パネルの温度
上昇と光照射に伴う薄膜トランジスタのＯＦＦ時におけ
る抵抗値の低下で、満足する表示ができないのが現実で
ある。In recent years, an embodiment in which a thin film transistor type liquid crystal panel using amorphous silicon is used as a base display body instead of a cathode ray tube has been often proposed. The weight is about 30% less than that of the cathode ray tube method, which has become one of the factors that help spread it to general households. However, the display brightness is still lower than that of the cathode ray tube method, and studies are being conducted to increase the intensity of the light source. However, when the intensity of the light source is increased, when the thin film transistor is turned off due to a rise in the temperature of the liquid crystal panel and light irradiation. It is a reality that satisfactory display cannot be performed due to the decrease in the resistance value in the above.

【０００８】またクラーク・ラグァウォールらによって
提案された強誘電性液晶を用いたディスプレイがある。
図３にその概念図を示す。強誘電性液晶は自発分極を有
するために、螺旋がほどけるまで液晶層の厚みを薄くし
た場合、界面安定状態（ＳＳＦＬＣ）が出来、一度電界
を加えたあとは、その電界を取り去っても透過または非
透過の状態が継続するメモリー効果を得ることが出来
た。このメモリー状態を利用することによって、ＴＦＴ
のアクティブマトリックスＬＣＤと同じような、スタテ
ィック的な駆動が可能になっている。There is also a display using a ferroelectric liquid crystal proposed by Clark Laguawall et al.
FIG. 3 shows a conceptual diagram thereof. Since the ferroelectric liquid crystal has spontaneous polarization, when the thickness of the liquid crystal layer is reduced until the helix is unwound, an interface stable state (SSFLC) is created, and once an electric field is applied, transmission occurs even when the electric field is removed. Alternatively, a memory effect in which a non-transmissive state continues can be obtained. By utilizing this memory state, TFT
Static driving like the active matrix LCD of the above is possible.

【０００９】しかしながら強誘電性液晶の場合、透過、
非透過の２個の安定状態しかとらないために、情報の多
様化にともなう階調表示を苦手としていた。特にこれら
の液晶電気光学装置を映像目的に使用する場合、階調表
示は不可欠なものである。これを解決する方法として、
単位画素を面積的に多分割して複数のドットで構成する
ことにより、階調を表示することがなされている。例え
ば、単位画素を面積比で１：２：４に分割し、それらの
ＯＮ／ＯＦＦの組み合わせで８階調を得る等が考案され
ている。図４ａ、ｂ に２階調表示の時の電極構造と、
８階調表示の時の電極構造を示す。However, in the case of a ferroelectric liquid crystal, transmission,
Since only two non-transmissive stable states are taken, gradation display with diversification of information is not good. In particular, when these liquid crystal electro-optical devices are used for image purposes, gradation display is indispensable. To solve this,
A gradation is displayed by dividing a unit pixel into a large number of areas and forming a plurality of dots. For example, it has been devised that a unit pixel is divided into 1: 2: 4 in an area ratio and eight gradations are obtained by a combination of ON / OFF. FIGS. 4A and 4B show the electrode structure at the time of two gradation display,
The electrode structure at the time of 8 gradation display is shown.

【００１０】しかしながら、１つの単位画素につき３個
のデーター信号を加えなければならないため、外部回路
が非常に複雑になってきてしまい、コストの上昇および
外部回路接続時の歩留りの低下が生じてしまった。また
さらに、分割のために電極間の絶縁区間をとるため、開
口率の低下が起きてしまっている。例えば、２５０μｍ
ピッチ、２５μｍギャップの単位画素を考えた場合、分
割をしない場合の開口率は８１％であるのに対して、同
一ギャップで分割した場合、６３％まで低下してしまう
ことが判る。またさらに、分割のために一番細い電極
（１０３）の幅は、前記ピッチ、ギャップの場合、２５
μｍとなってしまう。液晶表示装置として１０００×１
０００画素のものをＩＴＯのシート抵抗が５Ω以下のも
のを使い作製した場合でも、データー方向の電極は端か
ら端まで約５０ｋΩの抵抗を有することになる。これで
は、電極の両端における液晶にかかる電界強度が異な
り、均一な表示が出来なくなってしまうことになり、現
実性に欠けていた。そこで、より現実的に階調が制御で
きる手段が求められていた。However, since three data signals must be applied to one unit pixel, the external circuit becomes very complicated, resulting in an increase in cost and a decrease in the yield when the external circuit is connected. Was. Further, since an insulating section is provided between the electrodes for division, the aperture ratio is reduced. For example, 250 μm
When a unit pixel having a pitch of 25 μm is considered, the aperture ratio is 81% when no division is made, whereas it is reduced to 63% when divided with the same gap. Furthermore, the width of the thinnest electrode (103) for division is 25 in the case of the pitch and gap.
μm. 1000 × 1 as a liquid crystal display
Even when a pixel having 000 pixels is manufactured using an ITO sheet resistance of 5Ω or less, the electrode in the data direction has a resistance of about 50 kΩ from end to end. In this case, the electric field intensity applied to the liquid crystal at both ends of the electrode is different, and uniform display cannot be performed, which lacks realism. Therefore, there has been a demand for a means capable of controlling the gradation more realistically.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、表示のための
マトリックス液晶装置に階調表示をさせるのではなく照
明のための光源強度を時間的に変化させることで階調表
示を可能にしたものである。照明のための光源強度を時
間的に変化させる手段として本発明においては、第２の
液晶装置の透過率をコントロールするものである。本発
明においては上記の階調表示を可能とするための構成と
して、基板上に電極およびリードを有する第一の基板
と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板とに
よって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物を
少なくとも初期において配向する手段とを挟持する第一
の装置と、基板上に電極およびリードを有する第一の基
板と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板と
によって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物
を少なくとも初期において配向する手段とを挟持する第
二の装置を、光源と映像を出力するスクリーン間の光路
上に設けた構成をゆうする。この液晶を用いた第１、第
２の装置は、例えば、基板上にマトリックス構成を有す
る液晶装置であって、それぞれの画素にＰチャネル型薄
膜トランジスタとＮチャネル型薄膜トランジスタとを相
補型の構成をせしめて設け、該相補型トランジスタの出
力を前記画素に連結せしめた構成を有するものである。
また、前記第二の液晶表示装置は、光の透過率が概略２
^０対２^１対２^２対、・・、対２^ｎ（ｎは任意の数）に時
間を追って変化する事を特徴とする。本発明の一例とし
て図１にプロジェクション型テレビ受像機を示す。図１
において８０が前記第１の装置であり、８１が前記第２
の装置である。また８２は光源ランプ、８６はチューナ
ー及びコントロール部分、８５は投影用光学系、８４は
反射板、８３はスクリーンである。本発明においては、
８０、８１の装置として液晶表示装置をもちいている
が、他の透過性を有する表示装置を用いることもでき
る。また、この例のようにリヤプロジェクター型に限ら
ず、あらゆる形式の投影型のプロジェクターに応用でき
ることはいまでもない。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention enables gradation display by changing the intensity of a light source for illumination with time, instead of causing a matrix liquid crystal device for display to perform gradation display. Things. In the present invention, the transmittance of the second liquid crystal device is controlled as a means for temporally changing the intensity of the light source for illumination. In the present invention, as a configuration for enabling the above-mentioned gradation display, a first substrate having electrodes and leads on the substrate and a second substrate having electrodes and leads on the substrate have a ferroelectric property. A first device sandwiching a liquid crystal composition showing a liquid crystal composition and a means for orienting the liquid crystal composition at least initially, a first substrate having electrodes and leads on the substrate, and a first device having electrodes and leads on the substrate. A second device for holding a liquid crystal composition exhibiting ferroelectricity and means for orienting the liquid crystal composition at least initially by the second substrate is provided on an optical path between a light source and a screen for outputting an image. Make up the configuration. The first and second devices using the liquid crystal are, for example, liquid crystal devices having a matrix configuration on a substrate, wherein each pixel has a complementary configuration of a P-channel thin film transistor and an N-channel thin film transistor. And the output of the complementary transistor is connected to the pixel.
Further, the second liquid crystal display device has a light transmittance of about 2
^It is characterized in that it changes over time to ⁰ : 2 ¹ : 2 ² pairs,..., ²ⁿ (n is an arbitrary number). FIG. 1 shows a projection type television receiver as an example of the present invention. FIG.
80 is the first device, and 81 is the second device.
Device. Reference numeral 82 denotes a light source lamp, 86 denotes a tuner and a control unit, 85 denotes a projection optical system, 84 denotes a reflection plate, and 83 denotes a screen. In the present invention,
Although a liquid crystal display device is used as the devices 80 and 81, other transmissive display devices may be used. Further, the present invention is not limited to the rear projector type as in this example, and it is still not applicable to any type of projection type projector.

【００１２】基板上に電極およびリードを有する第一の
基板と、基板上に電極およびリードを有する第二の基板
とによって、強誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成
物を少なくとも初期において配向する手段とを挟持する
第一の装置に対し、階調表示を行なうために、３枚の画
面を一組として行なうものとする。本項では説明を簡易
にするため、３ビットからなる光強度を用いて説明を加
えるA first substrate having electrodes and leads on a substrate, and a second substrate having electrodes and leads on the substrate, the liquid crystal composition exhibiting ferroelectricity and the liquid crystal composition being oriented at least initially. In this case, three screens are set as a set in order to perform a gradation display on the first apparatus that holds the means for performing the gradation display. In this section, for the sake of simplicity, the explanation will be added using the light intensity consisting of 3 bits.

【００１３】３ビットで行なった場合、８階調までの表
示が可能になる。第一の装置として図５に示す様に画素
数が２×２のマトリクスを有するものとする。In the case of performing with 3 bits, display up to 8 gradations is possible. It is assumed that the first device has a matrix of 2 × 2 pixels as shown in FIG .

【００１４】８階調中のレベルを暗から明に向かって、
Ｇ０、Ｇ１、Ｇ２、、、Ｇ７としたとき、Ａ１画素（１
０６）のレベルをＧ０、Ａ２画素（１０７）のレベルを
Ｇ３、Ｂ１画素（１０８）のレベルをＧ５、Ｂ２画素
（１０９）のレベルをＧ７と表示させる場合、１枚目の
画面では、第二の装置の透過率変化によって、光強度を
１とし、第一の装置上の画素をそれぞれ、Ａ１画素はＯ
ＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素はＯＮ（光の透過）、Ｂ
１画素はＯＮ（光の透過）、Ｂ２画素もＯＮ（光の透
過）の状態とする。The levels of the eight gradations are changed from dark to bright,
When G0, G1, G2,..., G7, the A1 pixel ( 1
06 ) is displayed as G0, the level of the A2 pixel ( 107 ) is displayed as G3, the level of the B1 pixel ( 108 ) is displayed as G5, and the level of the B2 pixel ( 109 ) is displayed as G7. The light intensity is set to 1 by the change in the transmittance of the device of FIG.
FF (no light transmission), A2 pixel ON (light transmission), B
One pixel is ON (light transmission), and the B2 pixel is ON (light transmission).

【００１５】２枚目の画面では、第二の装置の透過率変
化によって、光強度を２とし、第一の装置上の画素をそ
れぞれ、Ａ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素は
ＯＮ（光の透過）、Ｂ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、
Ｂ２画素はＯＮ（光の透過）の状態とする。On the second screen, the light intensity is set to 2 due to the change in the transmittance of the second device, and the pixels on the first device are set to OFF (light is not transmitted), and A2 pixel is set to OFF. ON (transmission of light), B1 pixel OFF (non-transmission of light),
The B2 pixel is turned on (transmitting light).

【００１６】３枚目の画面では、第二の装置の透過率変
化によって、光強度を４とし、第一の装置上の画素をそ
れぞれ、Ａ１画素はＯＦＦ（光の未透過）、Ａ２画素は
ＯＦＦ（光の未透過）、Ｂ１画素はＯＮ（光の透過）、
Ｂ２画素はＯＮ（光の透過）の状態とする。On the third screen, the light intensity is set to 4 due to the change in the transmittance of the second device, and the pixels on the first device are turned OFF (light is not transmitted), and the pixels A2 are turned off. OFF (no light transmission), B1 pixel ON (light transmission),
The B2 pixel is turned on (transmitting light).

【００１７】下記表１には、階調レベルと３画面１組の
ＯＮ／ＯＦＦ）第一の装置の操作の仕方を示されてい
る。Table 1 below shows how to operate the first apparatus (gradation levels and ON / OFF of a set of three screens).

【００１８】[0018]

【表１】[Table 1]

【００１９】この様に３画面を１組としてそのそれぞれ
の画素を透過、未透過すなわちＯＮ、ＯＦＦとすること
によって、表１に示してあるように対応画素の階調レベ
ル変化させることができる。このように第一の装置と第
二の装置を操作することによって、３画面１組で８階調
の表示まで行なうことが出来る。また、本説明では、３
ビット（ｎ＝３）による説明にて代用したが、請求項で
しめしたｎは任意の数であり、他の値でもよいことは言
うまでもない。As described above, by setting the three screens as a set and setting the respective pixels to be transmissive and non-transmissive, that is, ON and OFF, the gradation level of the corresponding pixels can be changed as shown in Table 1. By operating the first device and the second device in this way, it is possible to display up to eight gradations on one set of three screens. In this description, 3
Although the description has been made with bits (n = 3), n in the claims is an arbitrary number, and it goes without saying that another value may be used.

【００２０】[0020]

【実施例】〔実施例１〕本実施例では、第一の装置とし
て、薄膜トランジスタを用いた、アクティブマトリクス
液晶装置を用いた。先ず、このアクティブマトリクス型
液晶装置の製造手順から説明を加える。本実施例では図
６に示すような回路構成すなわちインバータ型の回路構
成を用いた液晶表示装置を用い、強誘電液晶（ＦＬＣ）
を用いた液晶表示装置の説明を行う。この回路構成に対
応する実際の電極等の配置構成を図７に示している。こ
れらは説明を簡単にする為２×２に相当する部分のみ記
載されている。また、実際の駆動信号波形を図８に示
す。これも説明を簡単にする為に４×４のマトリクス構
成とした場合の信号波形で説明を行う。[Embodiment 1] In this embodiment, an active matrix liquid crystal device using a thin film transistor is used as a first device. First, a description will be given of a manufacturing procedure of the active matrix type liquid crystal device. In this embodiment, a liquid crystal display device using a circuit configuration as shown in FIG. 6, that is, an inverter type circuit configuration, is used, and a ferroelectric liquid crystal (FLC) is used.
A liquid crystal display device using will be described. FIG. 7 shows an actual arrangement of electrodes and the like corresponding to this circuit configuration. For simplification of description, only portions corresponding to 2 × 2 are described. FIG. 8 shows an actual drive signal waveform. For the sake of simplicity, the description will be made using signal waveforms in the case of a 4 × 4 matrix configuration.

【００２１】以下最初に本実施例で使用する液晶表示装
置の作製方法を図９および図１０を使用して説明する。
図９（Ａ）において、石英ガラス等の高価でない７００
℃以下、例えば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５
０上にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ法を用いて
ブロッキング層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３
０００Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００
％雰囲気、成膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧
力０．５Ｐａとした。ターゲットに石英または単結晶シ
リコンを用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であっ
た。First, a method of manufacturing a liquid crystal display device used in this embodiment will be described with reference to FIGS.
In FIG. 9A, a non-expensive 700 glass such as quartz glass is used.
Glass 5 capable of withstanding heat treatment at a temperature of not more than 600C, for example, about 600C.
A silicon oxide film serving as a blocking layer 51 is formed on the metal oxide layer 0 to a thickness of 1000 to 3 using a magnetron RF (high frequency) sputtering method.
It is manufactured to a thickness of 000 mm. Process condition is oxygen 100
% Atmosphere, a film forming temperature of 15 ° C., an output of 400 to 800 W, and a pressure of 0.5 Pa. The deposition rate using quartz or single crystal silicon as the target was 30 to 100 ° / min.

【００２２】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）またはトリシラン（Ｓｉ_３Ｈ
_８）をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は
３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å／
分であった。ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホール
ド電圧（Ｖｔｈ）に概略同一に制御するため、ホウ素を
ジボランを用いて１×１０^１５〜１×１０^１８ｃｍ^−３
の濃度として成膜中に添加してもよい。On this, a silicon film was formed by LPCVD (low pressure gas phase), sputtering or plasma CVD. When formed by the reduced pressure gas phase method, the temperature is 1
450-550 ° C lower by 00-200 ° C, for example 530 ° C
With disilane (Si ₂ H ₆ ) or trisilane (Si ₃ H
₈ ) was supplied to a CVD apparatus to form a film. The pressure in the reactor was 30 to 300 Pa. The deposition rate is 50-250 ° /
Minutes. In order to control the threshold voltage (Vth) of the NTFT and PTFT to be substantially the same, boron is used to control the threshold voltage (Vth) to 1 × 10 ¹⁵ to 1 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ using diborane.
May be added during the film formation.

【００２３】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×１０^−５Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをターゲ
ットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰
囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とし
た。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、
スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａで
あった。In the case of performing the sputtering method, the back pressure before the sputtering was set to 1 × 10 ⁻⁵ Pa or less, and single crystal silicon was used as a target in an atmosphere in which hydrogen was mixed with 20 to 80% of argon. For example, argon was 20% and hydrogen was 80%. The deposition temperature is 150 ° C., the frequency is 13.56 MHz,
The sputter output was 400-800 W and the pressure was 0.5 Pa.

【００２４】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン（ＳｉＨ
_４）またはジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）を用いた。これらを
ＰＣＶＤ装置内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を加えて成膜した。When a silicon film is formed by the plasma CVD method, the temperature is set to, for example, 300 ° C., and monosilane (SiH
₄ ) or disilane (Si ₂ H ₆ ) was used. These were introduced into a PCVD apparatus, and a high-frequency power of 13.56 MHz was applied to form a film.

【００２５】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×１０^２１ｃｍ^−３以下であることが好まし
い。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ
ール温度を高くまたは熱アニール時間を長くしなければ
ならない。また少なすぎると、バックライトによりオフ
状態のリーク電流が増加してしまう。そのため４×１０
^１９〜４×１０^２１ｃｍ^−３の範囲とした。水素は４×
１０^２０ｃｍ^−３であり、珪素４×１０^２２ｃｍ^−３と
して比較すると１原子％であった。また、ソース、ドレ
インに対してより結晶化を助長させるため、酸素濃度を
７×１０^１９ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１９ｃ
ｍ^−３以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形
成領域のみに酸素をイオン注入法により５×１０^２０〜
５×１０^２１ｃｍ^−３となるように添加してもよい。そ
の時周辺回路を構成するＴＦＴには光照射がなされない
ため、この酸素の混入をより少なくし、より大きいキャ
リア移動度を有せしめることは、高周波動作をさせるた
める有効である。The coatings formed by these methods are:
It is preferable that oxygen is 5 × 10 ²¹ cm ⁻³ or less. If the oxygen concentration is high, crystallization is difficult, and the thermal annealing temperature must be increased or the thermal annealing time must be increased. If the amount is too small, the leakage current in the off state increases due to the backlight. Therefore 4 × 10
The range was ¹⁹ to 4 × 10 ²¹ cm ⁻³ . Hydrogen is 4x
It was 10 ²⁰ cm ⁻³ , which was 1 atomic% as compared with silicon 4 × 10 ²² cm ⁻³ . In order to further promote crystallization of the source and the drain, the oxygen concentration is set to 7 × 10 ¹⁹ cm ⁻³ or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ c.
m ⁻³ or less, and oxygen is ion-implanted only into a channel formation region of a TFT constituting a pixel to form 5 × 10 ²⁰ to
You may add so that it may become 5 * 10 < ²¹ > cm <^-3> . At this time, since light is not irradiated to the TFTs constituting the peripheral circuit, it is effective to reduce the mixing of oxygen and to have a higher carrier mobility for high-frequency operation.

【００２６】次に、アモルファス状態の珪素膜を５００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニールさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。Next, a silicon film in an amorphous state is
After fabrication to a thickness of ~ 5000mm, for example 1500mm, 4
Medium-temperature heat treatment in a non-oxide atmosphere at a temperature of 50 to 700 ° C. for 12 to 70 hours, for example, 600 hours in a hydrogen atmosphere.
It was kept at a temperature of ° C. Since a silicon oxide film having an amorphous structure is formed on the substrate surface below the silicon film, no specific nucleus is present in this heat treatment, and the whole is uniformly heat-annealed. That is, it has an amorphous structure at the time of film formation, and hydrogen is simply mixed therein.

【００２７】アニールにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっばりあう。レーザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピーク５２２
ｃｍ^−１より低周波側にシフトしたピークが観察され
る。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５
０〜５００Åとマイクロクリスタルのようになっている
が、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ
構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（ア
ンカリング）がされたセミアモルファス構造の被膜を形
成させることができた。By the annealing, the silicon film shifts from an amorphous structure to a highly ordered state, and a part of the silicon film exhibits a crystalline state. In particular, a region having a relatively high order in a state after the formation of silicon is particularly likely to be crystallized to be in a crystalline state. However, since the silicon existing between these regions is bonded to each other, the silicons are mutually opposed. Single crystal silicon peak 522 measured by laser Raman spectroscopy
A peak shifted to a lower frequency side than cm ⁻¹ is observed. Its apparent particle size, calculated from the half width, is 5
Although it is like a microcrystal having a size of 0 to 500 °, there are actually a large number of regions having a high crystallinity and a cluster structure. Could be formed.

【００２８】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるＧＢ
の明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度
となる。即ちホール移動度（μｈ）＝１０〜２００ｃｍ
^２／ＶＳｅｃ、電子移動度（μｅ）＝１５〜３００ｃｍ
^２／ＶＳｅｃが得られる。As a result, the coating exhibits a state substantially free of grain boundaries (hereinafter referred to as GB). Carriers can easily move from one cluster to another through the anchored locations between the clusters, so-called GB
Carrier mobility higher than that of polycrystalline silicon that clearly exists. That is, hole mobility (μh) = 10 to 200 cm
² / VSec, electron mobility (μe) = 15-300 cm
² / VSec is obtained.

【００２９】他方、上記の如き中温でのアニールではな
く、９００〜１２００℃の高温アニールにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０ｃｍ^２／Ｖｓｅｃ以上の移動度
がなかなか得られないのが実情である。即ち、本実施例
ではかくの如き理由により、セミアモルファスまたはセ
ミクリスタル構造を有するシリコン半導体を用いてい
る。On the other hand, if the film is polycrystallized by high-temperature annealing at 900 to 1200 ° C. instead of annealing at the above-mentioned medium temperature, segregation of impurities in the film occurs due to solid phase growth from nuclei. Impurities such as oxygen, carbon, and nitrogen increase, and the mobility in the crystal is large. However, a barrier (barrier) is formed in GB to hinder the movement of carriers there. As a result, a mobility of 10 cm ² / Vsec or more cannot be easily obtained. That is, in this embodiment, a silicon semiconductor having a semi-amorphous or semi-crystalline structure is used for such a reason.

【００３０】このシリコン膜を第１のフォトマスクに
てパターニングし図９（Ａ）を得た。このパターニング
したシリコン膜５２上に酸化珪素膜５４をゲイト絶縁膜
として５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形
成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作
製と同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、
ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。 This silicon film is used as a first photomask.
9 (A) was obtained. On the patterned silicon film 52, a silicon oxide film 54 was formed as a gate insulating film to a thickness of 500 to 2000 {for example, 1000}. This was made under the same conditions as those for forming the silicon oxide film as the blocking layer. During this film formation, a small amount of fluorine is added,
Sodium ions may be immobilized.

【００３１】この後、この上側にリンが１〜５×１０
^２１ｃｍ^−３の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリ
コン膜とその上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ），ＭｏＳｉ_２またはＷＳｉ_２との多層膜を形成し
た。これを第２のフォトマスクにてパターニングして
図９（Ｂ）を得た。ＰＴＦＴ用のゲイト電極９、ＮＴＦ
Ｔ用のゲイト電極１９を形成した。例えばチャネル長１
０μｍ、ゲイト電極としてリンドープ珪素を０．２μ
ｍ、その上にモリブデンを０．３μｍの厚さに形成し
た。図９（Ｃ）において、フォトレジスト５７をフォト
マスクを用いて形成し、ＰＴＦＴ用のソース１０、ド
レイン１２に対し、ホウ素を１〜５×１０^１５ｃｍ^−２
のドーズ量でイオン注入法により添加した。次に図９
（Ｄ）の如く、ＮＴＦＴをフォトマスクを用いて形成
した。ＮＴＦＴ用のソース２０、ドレイン１８としてリ
ンを１〜５×１０^１５ｃｍ^−２のドーズ量でイオン注入
法により添加した。After this, phosphorus is 1 to 5 × 10
A silicon film having a concentration of ²¹ cm ⁻³ or a multilayer film of the silicon film and molybdenum (Mo), tungsten (W), MoSi ₂ or WSi ₂ was formed thereon. This was patterned using a second photomask to obtain FIG. 9B. Gate electrode 9 for PTFT, NTF
A gate electrode 19 for T was formed. For example, channel length 1
0 μm, phosphorus-doped silicon as gate electrode 0.2 μm
m, and molybdenum was formed thereon to a thickness of 0.3 μm. In FIG. 9C, a photoresist 57 is formed using a photomask, and boron is applied to the PTFT source 10 and drain 12 by 1 to 5 × 10 ¹⁵ cm ^−2.
Was added by an ion implantation method at a dose of. Next, FIG.
As in (D), NTFT was formed using a photomask. Phosphorus was added as a source 20 and a drain 18 for NTFT by an ion implantation method at a dose of 1 to 5 × 10 ¹⁵ cm ⁻² .

【００３２】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図９（Ｂ）において、ゲイト電極９、１９を
マスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。These steps were performed through the gate insulating film 54. However, in FIG. 9B, the silicon oxide on the silicon film may be removed using the gate electrodes 9 and 19 as a mask, and then boron and phosphorus may be directly ion-implanted into the silicon film.

【００３３】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニールを行った。ＰＴＦＴのソース１０、ドレイン
１２、ＮＴＦＴのソース２０、ドレイン１８を不純物を
活性化してＰ^＋、Ｎ^＋として作製した。またゲイト電極
９、１９下にはチャネル形成領域１１、２１がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。Next, heat annealing was performed again at 600 ° C. for 10 to 50 hours. The source 10 and the drain 12 of the PTFT and the source 20 and the drain 18 of the NTFT were activated to produce P ⁺ and N ⁺ by activating impurities. Channel formation regions 11 and 21 are formed below the gate electrodes 9 and 19 as semi-amorphous semiconductors.

【００３４】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。In this way, a C / TFT can be manufactured without applying a temperature to 700 ° C. or more in all the steps even though the self-alignment method is used. Therefore, it is not necessary to use an expensive substrate such as quartz as a substrate material, and this is a process very suitable for the large pixel liquid crystal display device of the present invention.

【００３５】本実施例では熱アニールは図９（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図９（Ａ）のアニールは求
める特性により省略し、双方を図９（Ｄ）のアニールに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図１０（Ａ）
において、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により
酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成
はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いても
よい。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リード７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。In this embodiment, the thermal annealing is performed as shown in FIG.
(D) was performed twice. However, the annealing in FIG. 9A may be omitted depending on the required characteristics, and both may be omitted by the annealing in FIG. 9D to shorten the manufacturing time. FIG. 10 (A)
In the above, a silicon oxide film was formed on the interlayer insulator 65 by the sputtering method described above. This silicon oxide film may be formed by an LPCVD method, a photo CVD method, or a normal pressure CVD method. For example, it was formed to a thickness of 0.2 to 0.6 μm, and then a window 66 for an electrode was formed using a photomask. Further, aluminum is formed on the entirety by sputtering, and leads 71 and 72 and contacts 67,
After fabricating No. 68 using a photomask, the surface was coated with an organic resin 69 for planarization, for example, a translucent polyimide resin, and the electrode hole was formed again using the photomask.

【００３６】図１０（Ｂ）に示す如く２つのＴＦＴを相
補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素
の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ
法によりＩＴＯ（インジューム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、画素電
極１７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成
膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニール
により成就した。As shown in FIG. 10B, in order to connect the two TFTs to a complementary structure and to connect the output terminals thereof to the electrodes of one pixel of the liquid crystal device as a transparent electrode, ITO (indium oxide) was formed by sputtering. (A tin oxide film). This was etched using a photomask to form the pixel electrode 17. This ITO film was formed at room temperature to 150 ° C. and achieved by annealing at 200 to 400 ° C. in oxygen or atmosphere.

【００３７】かくの如くにして図７のＰＴＦＴ１３とＮ
ＴＦＴ２２と画素電極である透明導電膜の電極１７とを
同一ガラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特
性はＰＴＦＴで移動度は２０（ｃｍ^２／Ｖｓ）、Ｖｔｈ
は−５．９（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（ｃｍ^２
／Ｖｓ）、Ｖｔｈは５．０（Ｖ）であった。As described above, the PTFT 13 of FIG.
The TFT 22 and the electrode 17 of the transparent conductive film serving as a pixel electrode were formed on the same glass substrate 50. The characteristics of the obtained TFT are PTFT, the mobility is 20 (cm ² / Vs), and Vth is
Is -5.9 (V), and the mobility is 40 (cm ² ) in NTFT.
/ Vs) and Vth were 5.0 (V).

【００３８】上記の作製法は、バッファ型であってもイ
ンバータ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。上記の様な方法に従って作製し第一の基板を得
た。It goes without saying that the above manufacturing method is exactly the same whether it is of the buffer type or the inverter type. The first substrate was obtained according to the method described above.

【００３９】また基板のほぼ全面に透明電極を設け、該
透明電極上にオフセット法によってＮＭＰ（Ｎメチル２
ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その
後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼成をした
後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の手段と
し、第二の基板とした。A transparent electrode is provided on almost the entire surface of the substrate, and NMP (N-methyl 2
(Pyrrolidone), and then baked at 50 ° C. and baked in nitrogen at 280 ° C. for 1 hour, and then rubbed, and used as a means for initial alignment of the liquid crystal composition and used as a second substrate. .

【００４０】前記第一の基板と第二の基板の間に、強誘
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる２．５μｍ
径を有する粒子を１ｍｍ^２あたり２００個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第一の
装置を作製した。Between the first substrate and the second substrate, a liquid crystal composition exhibiting ferroelectricity and a 2.5 μm
Particles having a diameter were dispersed and held at a ratio of 200 particles per 1 mm ² , and the periphery was fixed with an epoxy resin to produce a first device.

【００４１】次に第二の装置に関する説明を加える。Next, a description of the second device will be added.

【００４２】基板上に複数本の電極およびリードを有す
る第一の基板と、基板のほぼ全面に透明電極を設け、該
透明電極上にオフセット法によってＮＭＰ（Ｎメチル２
ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷し、その
後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼成をした
後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の手段とし
た第二の基板とによって、強誘電性を示す液晶組成物
と、酸化珪素よりなる２．５μｍ径を有する粒子を１ｍ
ｍ^２あたり２００個の割合で分散させて挟持させ、周囲
をエポキシ樹脂で固定して第二の装置を作製した。A first substrate having a plurality of electrodes and leads on a substrate, and a transparent electrode provided on almost the entire surface of the substrate, and NMP (N-methyl 2
(Pyrrolidone) diluted with a polyimide solution, then calcined at 50 ° C., baked at 280 ° C. for 1 hour in nitrogen, rubbed, and with a second substrate as a means for initial alignment of the liquid crystal composition. A liquid crystal composition exhibiting ferroelectricity and particles of silicon oxide having a diameter of 2.5 μm,
dispersed in m ² 200 pieces proportion per is nipped to produce a second device by fixing the periphery with an epoxy resin.

【００４３】図１に示す様に、第一の装置（８０）およ
び第二の装置（８１）、光源（８２）、スクリーン（８
３）、ミラー（８４）、光学系（８５）、チューナー
（８６）を設置してテレビ受像機を得た。As shown in FIG . 1 , a first device (80) and a second device (81), a light source (82), a screen (8)
3), a mirror (84), an optical system (85), and a tuner (86) were installed to obtain a television receiver.

【００４４】次に本装置の駆動に関して、説明を加え
る。Next, the driving of the present apparatus will be described.

【００４５】本実施例で作製した第一の装置の画素構成
は、横６４０×縦４８０個を有しており、走査方向４８
０本のリードには、２３．１５μ秒間書込みのための信
号が加えられる。従って、１画面では１１．１１ｍ秒を
有し、３画面１組として３３．３３ｍ秒となっている。The pixel configuration of the first device manufactured in this embodiment has 640 × 480 pixels in the scanning direction and 48 pixels in the scanning direction.
A signal for writing is applied to the zero read for 23.15 μsec. Therefore, one screen has 11.11 ms, and one set of three screens has 33.33 ms.

【００４６】第二の装置は複数本の電極の内、第一の期
間には全体の１／４をＯＮにして、透過光強度を最高時
の１／４とした。第二の期間には全体の２／４をＯＮに
して、透過光強度を最高時の２／４とした。第三の期間
には全てをＯＮにして、透過光強度を最高とした。In the second device, one fourth of the plurality of electrodes is turned on in the first period, and the transmitted light intensity is reduced to one fourth of the maximum. In the second period, 2/4 of the whole was turned ON, and the transmitted light intensity was set to 2/4 of the maximum. During the third period, all were turned ON to maximize the transmitted light intensity.

【００４７】これによって、８段階の階調表示を可能に
した。また、同様に４画面を１組として、１６段階の階
調表示も確認している。As a result, eight-stage gradation display is made possible. Similarly, 16 screens of gradation display are confirmed using four screens as one set.

【００４８】〔実施例２〕本実施例では、単純マトリッ
クスによる表示装置を第一の装置としている。[Embodiment 2] In this embodiment, a display device using a simple matrix is used as a first device.

【００４９】その表面にスパッタ法により１０００Åの
酸化珪素膜を形成した１．１ｍｍ厚のソーダライムガラ
ス基板上に、ＤＣスパッタ法によって、ＩＴＯ（インジ
ューム酸化錫）を１１００Å形成した。その後、フォト
リソ法を用いて６４０本の並行電極とリードを形成して
第一の基板とした。さらに、その表面にスパッタ法によ
り１０００Åの酸化珪素膜を形成した１．１ｍｍ厚のソ
ーダライムガラス基板上に、ＤＣスパッタ法によって、
ＩＴＯ（インジューム酸化錫）を１１００Å形成した。
その後、フォトリソ法を用いて４８０本の並行電極とリ
ードを形成した後、オフセット方によってＮＭＰ（Ｎメ
チル２ピロリドン）で希釈したポリイミド溶液を印刷
し、その後５０℃で仮焼成、２８０℃窒素中で１時間焼
成をした後、ラビングを行い、液晶組成物の初期配向の
手段とした第二の基板とした。On a 1.1 mm-thick soda-lime glass substrate having a silicon oxide film of 1000 ° formed on its surface by sputtering, ITO (indium tin oxide) was formed at 1100 ° by DC sputtering. After that, 640 parallel electrodes and leads were formed using a photolithography method to obtain a first substrate. Further, on a 1.1 mm-thick soda-lime glass substrate having a surface thereof on which a silicon oxide film of 1000 ° was formed by a sputtering method, a DC sputtering method was used.
1100 ° of ITO (indium tin oxide) was formed.
Then, after forming 480 parallel electrodes and leads using the photolithography method, a polyimide solution diluted with NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) was printed by the offset method, and then calcined at 50 ° C and 280 ° C in nitrogen. After baking for 1 hour, rubbing was performed to obtain a second substrate used as a means for initial alignment of the liquid crystal composition.

【００５０】該第一の基板と第二の基板によって、強誘
電性を示す液晶組成物と、酸化珪素よりなる２．５μｍ
径を有する粒子を１ｍｍ^２あたり２００個の割合で分散
させて挟持させ、周囲をエポキシ樹脂で固定して第一の
装置を作製した。A liquid crystal composition having ferroelectricity and a 2.5 μm-thick silicon oxide film were formed by the first substrate and the second substrate.
Particles having a diameter were dispersed and held at a ratio of 200 particles per 1 mm ² , and the periphery was fixed with an epoxy resin to produce a first device.

【００５１】第二の装置については、実施例１と同一の
ものを用いた。As the second device, the same device as in Example 1 was used.

【００５２】次に本装置の駆動に関して、説明を加え
る。Next, the driving of the present apparatus will be described.

【００５３】本実施例で作製した第一の装置の画素構成
は、横６４０×縦４８０個を有しており、走査方向４８
０本のリードには、３４．７２μ秒間書込みのための信
号が加えられる。図１１にその駆動波形を示す。また、
１画面では１６．６７ｍ秒を有し、２画面１組として３
３．３３ｍ秒となっている。The pixel configuration of the first device manufactured in this embodiment has 640 (horizontal) × 480 (vertical) pixels.
A signal for writing is applied to the zero read for 34.72 μsec. FIG. 11 shows the driving waveform. Also,
One screen has 16.67 ms, and two sets of three screens
3.33 msec.

【００５４】第二の装置は複数本の電極の内、第一の期
間には全体の１／２をＯＮにして、透過光強度を最高時
の１／２とした。第二の期間には全てをＯＮにして、透
過光強度を最高とした。In the second device, of the plurality of electrodes, a half of the plurality of electrodes were turned ON in the first period, and the intensity of the transmitted light was reduced to half of the maximum intensity. During the second period, all were turned on to maximize the transmitted light intensity.

【００５５】これによって、４段階の階調表示を可能に
した。As a result, four-stage gradation display is made possible.

【００５６】また、実施例１、実施例２においても、第
二の装置に、光硬化型変成アクリル樹脂のネットワーク
中にネマチック液晶を分散させた液晶装置を用いて液晶
表示装置を作製したところ良好な階調表示をえることが
出来た。本実施例においては、図６に示すインバータ型
の相補型トランジスタを用いたが、図６においてＰＴＦ
ＴとＮＴＦＴの位置を入れ換えてバッファ型の構成にし
てもよい。Also in Examples 1 and 2, a liquid crystal display device was produced using a liquid crystal device in which a nematic liquid crystal was dispersed in a network of a photo-curable modified acrylic resin as the second device. High gradation display was obtained. In this embodiment, the inverter type complementary transistor shown in FIG. 6 is used.
The positions of T and NTFT may be interchanged to form a buffer type configuration.

【００５７】[0057]

【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によっ
て、従来ブラウン管を利用したテレビ受像機に比べて、
７０％程度の重量の削減ができた。 本発明を用いるこ
とによって、従来の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置
では困難とされていた階調表示が可能となった。これに
よって、情報量の増加が見込まれ、テレビ受像機として
も広範囲での仕様が可能になった。As described above, the configuration of the present invention makes it possible to reduce the size of a conventional television receiver using a cathode ray tube.
The weight was reduced by about 70%. By using the present invention, gradation display, which has been difficult in a liquid crystal display device using a conventional ferroelectric liquid crystal, has become possible. As a result, an increase in the amount of information is expected, and a wide range of specifications as a television receiver has become possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本実施例の基本構造図を示す。FIG. 1 shows a basic structural diagram of the present embodiment.

【図２】 ブラウン管型プロジェクションテレビの構造
図をしめす。FIG. 2 shows a structural diagram of a CRT projection television.

【図３】 強誘電性液晶の基本概念を示す。FIG. 3 shows a basic concept of a ferroelectric liquid crystal.

【図４】 画素面積による階調表示の様子を示す。FIG. 4 shows a state of gradation display according to a pixel area.

【図５】 対応画素における階調と透過光強度比の関係
を示す。FIG. 5 shows a relationship between a gradation and a transmitted light intensity ratio in a corresponding pixel.

【図６】 本実施例の回路図を示す。FIG. 6 shows a circuit diagram of the present embodiment.

【図７】 本実施例の基本構造図を示す。FIG. 7 shows a basic structural diagram of the present embodiment.

【図８】 本実施例の駆動信号を示す。FIG. 8 shows a drive signal of the present embodiment.

【図９】 本実施例の作製工程を示す。FIG. 9 shows a manufacturing process of this example.

【図１０】 本実施例の作製工程を示す。FIG. 10 shows a manufacturing process of this example.

【図１１】 本実施例の駆動信号を示す。FIG. 11 shows a drive signal of the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

８０ 第１の装置 ８１ 第２の装置 ８２ 光源ランプ ８３ スクリーン ８４ 反射板 ８５ 光学系 ８６ チューナー及びコントローラー １３ Ｐ型ＴＦＴ ２２ Ｎ型ＴＦＴ １０ Ｐ型ＴＦＴのソース ９ Ｐ型ＴＦＴのゲート電極 １２ Ｐ型ＴＦＴのドレイン １８ Ｎ型ＴＦＴのソース １９ Ｎ型ＴＦＴのゲート電極 ２０ Ｎ型ＴＦＴのドレイン １７ 画素電極 １１ Ｐ型ＴＦＴのチャネル ２１ Ｎ型ＴＦＴのチャネル Reference Signs List 80 first device 81 second device 82 light source lamp 83 screen 84 reflector 85 optical system 86 tuner and controller 13 P-type TFT 22 N-type TFT 10 P-type TFT source 9 P-type TFT gate electrode 12 P-type TFT 18 Source of N-type TFT 19 Gate electrode of N-type TFT 20 Drain of N-type TFT 17 Pixel electrode 11 Channel of P-type TFT 21 Channel of N-type TFT

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 光源と映像を投影するスクリーン間の光
路上に、画像を表示するためのマトリクス構成を有する
第１の液晶装置が前記スクリーン側に、一定時間内にお
いて光の透過率が概略２^２対２^１対２^２対・・・対２^ｎ
（ｎは任意の数）に時間を追って変化する第２の液晶装
置が前記光源側に設けられ、 前記第２の液晶装置の前記光の透過率の変化に合わせて
前記第１の液晶装置の各画素をそれぞれＯＮまたはＯＦ
Ｆさせて階調表示を行うことを特徴とするテレビ受像
機。To 1. A light path between the projection screen the light source and the image, the first liquid crystal device is the screen side of having a matrix arrangement for displaying images, the light transmittance within a predetermined time outline 2 ² to 2 ¹ to 2 ² pairs ... 2 ⁿ
(N is an arbitrary number) the second liquid crystal device is provided on the light source side that changes over time in the second the light to match the change in transmittance of the first liquid crystal device of a liquid crystal device ON or OF each pixel
By F television set and performs gradation display. 【請求項２】 請求項１において、前記第１の液晶装置
を構成している各液晶は、強誘電性液晶であり、 前記第２の液晶装置は、複数の電極およびリードを有す
る第１の基板と、ほぼ全面に透明電極が設けられた第２
の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板とによって
挟持された強誘電性液晶とを有し、かつ、前記複数の電
極のうち全体の２ ^０ ／２ ^ｎ 、２ ^１ ／２ ^ｎ 、２ ^２ ／２ ^ｎ 、
・・・、２ ^ｎ ／２ ^ｎ に時間を追って電圧を印加すること
により、光の透過率が概略２ ^０ 対２ ^１ 対２ ^２ 対・・・対
２ ^ｎ （ｎは任意の数）に変化する ことを特徴とするテレ
ビ受像機。2. The method of claim 1, the liquid crystal constituting the first liquid crystal device, Ri ferroelectric liquid crystal der, the second liquid crystal device, having a plurality of electrodes and leads
And a second substrate having a transparent electrode provided on almost the entire surface.
And the first substrate and the second substrate
And a ferroelectric liquid crystal interposed therebetween;
^{2 0/2 n} of the whole of the ^{pole, 2 1/2 n, 2} 2/2 n,
... Applying a voltage to ²ⁿ / ²ⁿ in time
, The light transmittance is schematically ^{2 0-2 1: 2 2} pairs ... pairs
2 ⁿ (n is an arbitrary number) . 【請求項３】 請求項１において、前記第１の液晶装置
の各画素には、Ｐチャネル型薄膜トランジスタとＮチャ
ネル型薄膜トランジスタとよりなる相補型トランジスタ
の出力が連結されていることを特徴とするテレビ受像
機。3. A complementary transistor according to claim 1, wherein each pixel of said first liquid crystal device has a P-channel thin film transistor and an N-channel thin film transistor.
A television receiver characterized in that the outputs are connected .