JP2934359B2 - Display device - Google Patents
Display deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光アドレス方式の表示装
置に係り、詳細にはテレビやゲ−ム等のオ−ディオビジ
ュアル(AV)機器分野、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ド
プロセッサ等のオフイスオ−トメ−ション(OA)機器分野
で利用できる光アドレス方式の表示装置に係る。又光変
調素子や光演算素子として光通信分野や光情報処理分野
でも利用することができる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical address type display device, and more particularly to the field of audiovisual (AV) equipment such as a television and a game, a personal computer and a word processor. The present invention relates to a display device of an optical addressing system which can be used in the field of office automation (OA) equipment. Further, it can be used in the optical communication field and the optical information processing field as an optical modulation element and an optical operation element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に電気配線によって駆動信号を送信
する場合、配線抵抗とキャパシタンスによって信号波形
の遅延が生じ大型の表示装置や精細の表示装置を実現で
きないという問題がある。これらの課題を解決するため
には、駆動信号を光によって伝送する光アドレス方式の
表示装置が望ましい。2. Description of the Related Art In general, when a drive signal is transmitted by electric wiring, there is a problem in that a signal waveform is delayed due to wiring resistance and capacitance, so that a large display device or a fine display device cannot be realized. In order to solve these problems, a display device of an optical addressing system that transmits a drive signal by light is desirable.
【０００３】図14は本願の出願人等による特開平3-2639
47に示す光アドレス方式のアクテイブマトリクス駆動型
の液晶表示装置の構成を示す平面図であり、図15は図13
のH-H ´線に沿った素子構造図な関する断面図である。FIG. 14 is a diagram of Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-2639 by the applicant of the present application.
FIG. 15 is a plan view showing a configuration of an active addressable liquid crystal display device of an optical addressing method shown in FIG. 47, and FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view related to a device structure diagram along the line HH ′ of FIG.
【０００４】図14、15において、液晶パネルを構成する
一方の基板上には複数の導光路Y 1、Y 2 、…Y n がY
方向（図14の横方向）に沿って配列されており、これら
の上に交差して複数の信号電極X 1 、X 2 、…X m がX
方向（図14の縦方向）に沿って配列されている。[0004] In FIG. 14, a plurality of light guides to one of the substrates constituting the liquid crystal panel Y 1, Y 2, ... Y n is Y
Direction are arranged along a plurality of signal electrodes X 1 to cross over these (lateral direction in FIG. 14), X 2, ... X m is X
They are arranged along the direction (vertical direction in FIG. 14).
【０００５】導光路Y n と信号電極X m との交差部１に
は光導電体からなるスイッチング素子２が備えられてお
り、これは発光素子アレイ３から導光路Y n を介して伝
送される光信号により制御される。そして、光スイッチ
ング素子２は光が照射されると低インピ−ダンスとなり
信号電極X m と絵素電極４とは電気的に接続される。ま
た、光が照射されないときは光スイッチング素子２は高
インピ−ダンスとなり信号電極X m と絵素電極４とは電
気的に絶縁される。つまり上記光アドレス方式の液晶表
示装置は、走査信号に光を用い、光スイッチング素子２
のインピ−ダンス変化を利用することによって駆動され
る。[0005] The intersection 1 with the light guide path Y n and the signal electrode X m is provided with a switching element 2 made of a photoconductor, which is transmitted through the light guide path Y n from the light emitting element array 3 It is controlled by an optical signal. The optical switching element 2 and the light is irradiated low Inpi - the signal electrode X m and the pixel electrode 4 becomes dance are electrically connected. Moreover, the optical switching element 2 when the light is not irradiated high Inpi - the signal electrode X m and the pixel electrode 4 becomes dance are electrically insulated. In other words, the liquid crystal display device of the optical addressing method uses light for the scanning signal,
Is driven by utilizing the impedance change.
【０００６】この表示装置では、表示装置の外側から照
射される周囲光（例えば室内で使用する場合の照明光や
太陽光明度の自然光、あるいは透過型表示装置として使
用する場合のバックライト光）が光スイッチング素子２
に照射されないように、表示装置を構成する基板7a、7b
の光スイッチング素子２と重なる位置に遮光層9a、9bを
設けている。これは、光スイッチング素子２を制御する
ための光信号以外の光が光スイッチング素子２に照射さ
せると表示機能が劣化するためである。In this display device, ambient light (for example, illumination light for use indoors, natural light of sunlight brightness, or backlight light for use as a transmissive display device) is emitted from the outside of the display device. Optical switching element 2
Substrates 7a and 7b constituting a display device so that
Light shielding layers 9a and 9b are provided at positions overlapping with the optical switching element 2. This is because the display function is deteriorated when light other than the optical signal for controlling the optical switching element 2 is applied to the optical switching element 2.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表示装置のように遮光層9a、9bを用いて光信号以外の光
（表示装置の外側から照射される周囲光）が光スイッチ
ング素子２に照射されることを防ぐ方法では遮光性能に
限界がある。なぜなら、表示装置内に侵入した周囲光は
表示装置内に存在する表示媒体（例えば液晶）や各種構
成物質によって僅かながら散乱されるためである。この
結果、本来発光素子アレイ３から伝送された光信号によ
って制御される光スイッチング素子２に余計な光が照射
されることになりスイッチング特性に悪影響を与えるこ
とになる。However, unlike the conventional display device, light other than the optical signal (ambient light irradiated from outside the display device) is applied to the optical switching element 2 by using the light shielding layers 9a and 9b. There is a limit to the light-shielding performance in the method for preventing the light-shielding. This is because the ambient light that has entered the display device is slightly scattered by the display medium (for example, liquid crystal) and various constituent materials existing in the display device. As a result, unnecessary light is radiated to the optical switching element 2 which is originally controlled by the optical signal transmitted from the light emitting element array 3, which adversely affects the switching characteristics.
【０００８】本発明の目的は、光スイッチング素子に影
響を与える周囲光を減少させることによって表示性能の
劣化を防止し得る表示装置を提供することにある。[0008] It is an object of the present invention to provide a display device capable of preventing deterioration of display performance by reducing ambient light affecting an optical switching element.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、光を伝送する
導光路と、光が照射されるとインピーダンスが変化する
光スイッチング素子と、光スイッチング素子のインピー
ダンスの変化に応じて駆動される表示媒体と、光スイッ
チング素子に照射される光のうち、導光路から照射され
る光以外の光スイッチング素子のスイッチング特性に影
響を与える波長領域の光を排除するように光スイッチン
グ素子の両側に設けられた波長選択フィルタとを含むこ
とを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light guide path for transmitting light, an optical switching element whose impedance changes when irradiated with light, and a display driven in accordance with the change in impedance of the optical switching element. The medium and the light emitted to the optical switching element are provided on both sides of the optical switching element so as to exclude light in a wavelength region that affects the switching characteristics of the optical switching element other than the light emitted from the light guide path. And a wavelength selection filter.
【００１０】[0010]
【作用】波長選択フィルタが光スイッチング素子に照射
される光のうち、導光路から照射される光以外の光スイ
ッチング素子のスイッチング特性に影響を与える波長領
域の光を排除するように光スイッチング素子の両側に設
けられているので、導光路以外から光が光スイッチ素子
の表側及び裏側の両側に照射されることを防止し得、表
示媒体による表示性能を向上し得る。According to the present invention, the wavelength switching filter removes light in the wavelength region that affects the switching characteristics of the optical switching element other than the light emitted from the light guide path, out of the light emitted to the optical switching element. Since it is provided on both sides, it is possible to prevent light from irradiating to both sides of the front and back sides of the optical switch element from other than the light guide path, and it is possible to improve the display performance of the display medium.
【００１１】換言すれば、表示装置の外部から表示装置
内に侵入した周囲光には、光スイッチング素子の特性に
大きく影響を与える波長領域、すなわち光スイッチング
素子が優れた感度特性を示す波長領域の光が存在せず、
周囲光が表示装置内で散乱され光スイッチング素子に照
射されたとしてもスイッチング特性に大きく影響するこ
とを阻止し得、表示性能の劣化を防止し得る。In other words, ambient light that has entered the display device from outside the display device has a wavelength region that greatly affects the characteristics of the optical switching device, that is, a wavelength region in which the optical switching device exhibits excellent sensitivity characteristics. There is no light,
Even if ambient light is scattered in the display device and irradiates the optical switching element, it is possible to prevent the switching characteristics from being greatly affected, and to prevent deterioration in display performance.
【００１２】発光素子アレイより伝送される光信号に発
光波長850nm の光を使用し、光スイッチング素子に波長
850nm 近傍の光に対して優れた感度を示す光導電材料を
使用し、表示装置を構成する基板の外側あるいは内側に
波長850 nm近傍の光を透過しない帯域フィルタをほぼ全
面に設けることにより波長850 nm近傍の周囲光が表示装
置内へ侵入することを防止している。Light having an emission wavelength of 850 nm is used for the optical signal transmitted from the light emitting element array, and the wavelength is used for the optical switching element.
Using a photoconductive material that exhibits excellent sensitivity to light near 850 nm, a bandpass filter that does not transmit light near 850 nm is provided almost entirely on the outside or inside of the substrate that composes the display device. Ambient light in the vicinity of nm is prevented from entering the display device.
【００１３】表示装置を構成する光スイッチング素子の
近傍に波長850 nm近傍の光のみを透過する帯域フィルタ
を設けることにより波長850nm 近傍以外の周囲光が光ス
イッチング素子に照射されることを防止できる。By providing a bandpass filter that transmits only light near the wavelength of 850 nm near the optical switching element that constitutes the display device, it is possible to prevent ambient light other than the wavelength near 850 nm from being irradiated to the optical switching element.
【００１４】更に、これらの両者の構造を組み合わせる
と、周囲光はまず表示装置に侵入する際に波長850 nm近
傍の光がカットされ、次に表示装置内の光スイッチング
素子近傍で波長850 nm近傍以外の光がカットされる。し
たがって、光スイッチング素子に到達する周囲光を全波
長領域にて完全になくすことができ、表示性能の劣化を
防止しできる。Further, when these two structures are combined, the ambient light first cuts off the light having a wavelength of about 850 nm when entering the display device, and then the light near the wavelength of 850 nm near the optical switching element in the display device. Other light is cut off. Therefore, ambient light reaching the optical switching element can be completely eliminated in the entire wavelength region, and deterioration of display performance can be prevented.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】最初に第１実施例について説明する。図１
は本発明に係る光アドレス型の表示装置の第１実施例、
具体的にはアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置
の構成を示す概略平面図であり、図２は図１の第１実施
例のG-G ´線に沿った概略断面図、図３は導光路を説明
するための図２のF-F 線に沿った概略断面図である。First, the first embodiment will be described. FIG.
Is a first embodiment of an optical address type display device according to the present invention,
Specifically, FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of an active matrix drive type liquid crystal display device. FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the line GG ′ of the first embodiment in FIG. FIG. 3 is a schematic sectional view taken along the line FF of FIG.
【００１７】図１、２に示すように液晶パネルを構成す
る一方のガラス基板14a 上には複数のコア42, クラッド
41からなる導光路Y 1 、Y 2 、…Y n （図３参照）がY
方向に沿って配列されており、これらの上に交差して複
数の信号電極X 1 、X 2 、…X m がX 方向に配列されて
いる。As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of cores 42 and claddings are provided on one glass substrate 14a constituting a liquid crystal panel.
Light guides consisting of 41 Y 1, Y 2, ... Y n ( see FIG. 3) Y
Are arranged along the direction, a plurality of signal electrodes X 1 to cross over these, X 2, ... X m are arranged in the X direction.
【００１８】導光路Y 1 、Y 2 、…Y n はガラス基板14
a 上に光ファイバ−を埋め込むことにより形成されてい
る。導光路Y 1 、Y 2 、…Y n はその端部において、発
光アレイ素子15及びレンズアレイ16からなる発光部と結
合されている。[0018] The light guide path Y 1, Y 2, ... Y n is the glass substrate 14
It is formed by embedding an optical fiber on a. The light guide paths Y 1 , Y 2 ,..., Y n are coupled at their ends to a light emitting section composed of a light emitting array element 15 and a lens array 16.
【００１９】信号電極X 1 、X 2 、…X m には、スパッ
タ法により形成されるTiを使用とている。信号電極X
1 、X 2 、…X m としてはこの他にTa,Cr,Al,Mo など
導電性能やプロセスの条件を満たすものであればどれを
用いてもよい。The signal electrodes X 1, X 2, the ... X m, and the use of Ti is formed by sputtering. Signal electrode X
1 , X 2 ,..., X m may be any other material, such as Ta, Cr, Al, and Mo, which satisfies the conditions of the conductive performance and the process.
【００２０】ガラス基板14a の内部には素子の下方から
光（外光）が上方に形成される光ススイッチング素子18
に入射するのを防ぐための遮光層20a が設けられてお
り、遮光層20a のパタ−ンは光スイッチング素子18のパ
タ−ンと重なる箇所に形成されている。A light switching element 18 in which light (external light) is formed from below the element inside the glass substrate 14a.
A light-shielding layer 20a is provided to prevent light from entering the optical switching element 18. The pattern of the light-shielding layer 20a is formed at a position overlapping the pattern of the optical switching element 18.
【００２１】導光路Y 1 、Y 2 、…Y n 上にはクラッド
層21としてスパッタ法によりSiO 2薄膜が形成されてい
る。導光路Y 1 、Y 2 、…Y n の表面には光スイッチン
グ素子18に効率良く光が照射されるように光スイッチン
グ素子18の下方に光散乱部26が設けられている。The light guide path Y 1, Y 2, is on ... Y n SiO 2 thin film is formed by sputtering as the cladding layer 21. Guiding path Y 1, Y 2, ... light scattering unit 26 below the optical switching element 18 as efficiently light is irradiated to the optical switching element 18 is provided on the surface of Y n.
【００２２】また、その上には絵素電極19が形成されて
おり該絵素電極19は透明で導電性のあるITO 薄膜であ
り、スパッタ法により形成する。A picture element electrode 19 is formed thereon. The picture element electrode 19 is a transparent and conductive ITO thin film, and is formed by a sputtering method.
【００２３】絵素電極19上の導光路Y 1 、Y 2 、…Y n
と信号電極X 1 、X 2 、…X m が交差する部分には、光
スイッチング素子18として光導電材料であるa-Si1-x Ge
x :H薄膜がプラズマCVD 法により形成されている。a-Si
1-xGex:H薄膜はシランと(SiH4 ) ガスとゲルマン(Ge
H4 ) ガスと水素(H2 ) ガスを用いて形成され、膜厚は
約１μm である。The light path on the pixel electrode 19 Y 1, Y 2, ... Y n
And a signal electrode X 1 , X 2 ,..., X m intersect with each other, a-Si 1-x Ge which is a photoconductive material as the optical switching element 18.
An x : H thin film is formed by a plasma CVD method. a-Si
1-xGex: H thin film consists of silane, (SiH 4 ) gas and germane (Ge
It is formed by using H 4 ) gas and hydrogen (H 2 ) gas, and has a thickness of about 1 μm.
【００２４】さらにその上には信号電極X 1 、X 2 、…
X m が形成されている。もう一方の基板14b には、透明
電極（対向電極）22としてスパッタ法により形成された
ITO膜が形成されている。Further, signal electrodes X 1 , X 2 ,.
X m are formed. On the other substrate 14b, a transparent electrode (counter electrode) 22 was formed by a sputtering method.
An ITO film is formed.
【００２５】ガラス基板14b には素子の上方からの光
（外光）がガラス基板14a に形成されている光スイッチ
ング素子18に入射するのを防ぐための遮光層20b が設け
られており、遮光層20b のパタ−ンは光スイッチング素
子18のパタ−ンと重なる箇所に形成されている。これら
両基板14a,14b には、配向膜であるポリイミド23a,23b
がスピンコ−トにより塗布されたのち、ラビングにより
配向処理が施される。そしてスペ−サ24と液晶25を介し
て貼り合わされる。なお、配向膜としては、他の配向
膜、例えばポリアミド等の有機膜や各種LB膜、SiO やSi
O 2 の斜方蒸着膜等を用いることも可能である。The glass substrate 14b is provided with a light shielding layer 20b for preventing light (external light) from above the element from entering the optical switching element 18 formed on the glass substrate 14a. The pattern 20b is formed at a position overlapping with the pattern of the optical switching element 18. Both substrates 14a and 14b have polyimide films 23a and 23b as alignment films.
Is applied by spin coating, and then subjected to an alignment treatment by rubbing. Then, they are bonded via the spacer 24 and the liquid crystal 25. As the alignment film, another alignment film, for example, an organic film such as polyamide, various LB films, SiO or Si
It is also possible to use an oblique deposition film of O 2 or the like.
【００２６】また、表示装置を構成する両基板14a,14b
の外側の面には二酸化ケイ素(SiO2) と二酸化チタン(Ti
O2 ) の積層多層膜から形成される帯域フィルタ27a,27b
が設けられている。これは電子ビ−ム(EB)蒸着法によ
って形成することができる。Further, both substrates 14a, 14b constituting the display device
The outer surfaces of the silicon dioxide (SiO 2 ) and titanium dioxide (Ti
O 2 ) bandpass filters 27a and 27b formed from a multilayer film
Is provided. This can be formed by electron beam (EB) evaporation.
【００２７】このようにして光アクテイブマトリクス駆
動型の液晶表示装置が形成される。なお光スイッチング
素子18の構成は図２に示した信号電極X 1 、X 2 、…X
m と絵素電極19の間に光導電材料を挟み込んだ積層構造
だけではなく図13に示すように光導電体の一方の側に信
号電極X 1 、X 2 、…X m と絵素電極19とを同時に設け
た平面構造でも構わない。In this manner, a liquid crystal display device of the optically active matrix drive type is formed. The configuration of the optical switching element 18 is the same as that of the signal electrodes X 1 , X 2 ,.
signal electrodes X 1 to one side of the photoconductor as shown in FIG. 13, not only the laminated structure sandwiching a photoconductive material between m and the pixel electrode 19, X 2, ... X m and the pixel electrode 19 May be provided at the same time.
【００２８】この液晶表示装置では、走査信号に光を用
いており、電気信号を用いる場合に比べて配線抵抗やキ
ャパシタンスの影響を受けないため、信号波形の遅延が
生じない。したがって、大型の表示装置や高精細の表示
装置が実現できる。In this liquid crystal display device, light is used as a scanning signal, and is not affected by wiring resistance or capacitance as compared with the case where an electric signal is used, so that a signal waveform is not delayed. Therefore, a large-sized display device and a high-definition display device can be realized.
【００２９】次に動作原理を説明する。光信号は発光素
子アレイ15からレンズアレイ16を介して導光路Y 1 、Y
2 、…Y n へ導光される。光スイッチング素子18は、照
射される光の明／暗に応じてインピ−ダンスが変化する
ため、信号電極X m と絵素電極19の電流の流れを制御す
ることができ、液晶を駆動することができる。Next, the operation principle will be described. The optical signal is transmitted from the light emitting element array 15 via the lens array 16 to the light guide paths Y 1 and Y 1 .
2, is guided to ... Y n. Optical switching element 18, Inpi light / darkness depending on the light irradiated - for dancing is changed, it is possible to control the flow of current of the signal electrode X m and the pixel electrode 19 to drive the liquid crystal that Can be.
【００３０】つまり、光照射状態では、光スイッチング
素子18は光導電効果により低インピ−ダンスになり、信
号電極X 1 、X 2 、…X m と絵素電極19とは電気的に接
続される。この結果、絵素電極19と対向電極22の電極間
に存在する液晶25にデ−タ信号が印加される。そして、
暗状態では、光スイッチング素子18は高インピ−ダンス
となり、信号電極X 1 、X 2 、…X m と絵素電極19とは
電気的に絶縁される。この結果、絵素電極19と対向電極
22の電極間にデ−タ信号が印加されない。[0030] That is, in a light irradiation state, the light switching element 18 is low Inpi by photoconductive effect - becomes dance, the signal electrodes X 1, X 2, ... X m and the pixel electrode 19 is electrically connected . As a result, a data signal is applied to the liquid crystal 25 existing between the pixel electrode 19 and the counter electrode 22. And
In the dark state, the optical switching element 18 is high Inpi - becomes dance, the signal electrodes X 1, X 2, ... and is electrically insulated from the X m and the pixel electrode 19. As a result, the pixel electrode 19 and the counter electrode
No data signal is applied between the 22 electrodes.
【００３１】アレイ15には本実施例では発光素子にAlGa
As系のダブルヘテロ接合型半導体レ−ザ(LD)を用いてい
る。発光波長は850 nmであり、この種のLDは光通信用に
高出力なものが実現されている。高出力を必要としない
ときは発光波長は850 nmの発光ダイオ−ド(LED) でもか
まわない。In this embodiment, the array 15 has AlGa as a light emitting element.
An As-based double heterojunction semiconductor laser (LD) is used. The emission wavelength is 850 nm, and this type of LD has been realized with high output for optical communication. When high output is not required, a light emitting diode (LED) with an emission wavelength of 850 nm may be used.
【００３２】また、光スイッチング素子に用いているa-
Si1-x Ge x:Hは組成比 xを変化させることによって、そ
の光学エネルギ−ギャップを調整することが可能であ
り、組成比 xは作成時の反応ガスSiH 4 ,GeH 4の流量比
で調節することができる。Further, a-
The optical energy gap of Si 1-x Ge x : H can be adjusted by changing the composition ratio x, and the composition ratio x is the flow ratio of the reaction gas SiH 4 and GeH 4 at the time of preparation. Can be adjusted.
【００３３】図４はa-Si1-x Gex :Hの組成比 x と光学
エネルギ−ギャップの関係を示す図である。同図に示す
ように1.2 〜1.9(eV) の範囲で光学エネルギ−ギャップ
を調節することができる。したがって、組成比を0.2 〜
0.4 に設定することによって光学エネルギ−ギャップ1.
4 〜1.6(eV) を得ることができる。一般に光導電材料の
感度特性は、その材料の吸収端（光学エネルギ−ギャッ
プ）近傍に最大感度を有する。したがって。本実施例で
は上記組成比に設定することによって、光スイッチング
素子18は波長780 〜890 nmの領域の光に対して優れた感
度特性を示す。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the composition ratio x of a-Si 1-x Ge x : H and the optical energy gap. As shown in the figure, the optical energy gap can be adjusted in the range of 1.2 to 1.9 (eV). Therefore, the composition ratio is 0.2 to
Optical energy gap by setting to 0.4 1.
4 to 1.6 (eV) can be obtained. Generally, the sensitivity characteristic of a photoconductive material has a maximum sensitivity near the absorption edge (optical energy gap) of the material. Therefore. In this embodiment, by setting the above composition ratio, the optical switching element 18 exhibits excellent sensitivity characteristics to light in the wavelength range of 780 to 890 nm.
【００３４】また、本実施例に示した帯域フィルタ−27
a,27b の透過率の波長特性を図５に示す。帯域フィルタ
−27a,27b は波長850 nm近傍の光が透過しないように設
計してあり、図５に示すように波長700 nm〜1000 nm の
光はほとんど透過しない。したがってあ、表示装置の外
部から照射される周囲光が、表示装置内に侵入する際、
波長700 nm〜1000 nm の光は帯域フィルタ−27a,27b で
カットされる。Further, the bandpass filter 27 shown in this embodiment
FIG. 5 shows the wavelength characteristics of the transmittances a and 27b. The bandpass filters 27a and 27b are designed so that light near a wavelength of 850 nm is not transmitted, and as shown in FIG. 5, light having a wavelength of 700 nm to 1000 nm is hardly transmitted. Therefore, when ambient light emitted from the outside of the display device enters the display device,
Light having a wavelength of 700 nm to 1000 nm is cut by bandpass filters 27a and 27b.
【００３５】つまり、本実施例では、光スイッチング素
子が優れた感度特性を示す波長領域と、表示装置内に侵
入する周囲光の波長領域を分離している。したがって、
表示装置内に侵入した周囲光には、光スイッチング素子
18の特性に大きく影響を与える波長領域(850 nm 近傍）
の光が存在せず、周囲光が表示装置内で散乱され光スイ
ッチング素子に照射されたとしてもスイッチング素子に
大きく影響しない。したがって、表示性能の劣化を防ぐ
ことができる。That is, in the present embodiment, the wavelength region in which the optical switching element exhibits excellent sensitivity characteristics is separated from the wavelength region of the ambient light entering the display device. Therefore,
Ambient light that has entered the display device is
Wavelength region (around 850 nm) that greatly affects the characteristics of 18
Does not exist, and even if ambient light is scattered in the display device and irradiates the optical switching element, it does not significantly affect the switching element. Therefore, deterioration of display performance can be prevented.
【００３６】なお、本実施例に用いる帯域フィルタ27a,
27b は表示装置を構成する両基板14a,14b の内側、外側
のどちらの面に設けてもよく、あるいは表示装置の外部
に設けてもよい。Note that the bandpass filters 27a, 27a,
27b may be provided on either the inside or outside surface of both substrates 14a and 14b constituting the display device, or may be provided outside the display device.
【００３７】又、図２，３に示した素子構造以外に図６
に示す素子構造にしても構わない。図６では対向基板14
b 側に導光路Y 1 、Y 2 、…Y n が設けられている。す
なわち、光スイッチング素子18と導光路Y 1 、Y 2 、…
Y n が別々の基板に設けられている。この場合導光路Y
1 、Y 2 、…Y n には、光スイッチング素子18であるa-
Si1-x Gex :Hの成膜温度(250〜300 ℃) の影響を受けな
いため耐熱温度の低い高分子材料を使用することが可能
になる。In addition to the element structure shown in FIGS.
The element structure shown in FIG. In FIG.
guiding path Y 1 to b-side, Y 2, ... Y n are provided. That is, the optical switching element 18 and the light guide paths Y 1 , Y 2 ,.
Y n are provided on separate substrates. In this case, the light guide Y
1 , Y 2 ,... Y n include the optical switching element 18 a-
Since it is not affected by the film formation temperature (250 to 300 ° C.) of Si 1-x Ge x : H, it becomes possible to use a polymer material having a low heat-resistant temperature.
【００３８】次に第２実施例について説明する。Next, a second embodiment will be described.
【００３９】図７は表示装置の第２実施例の素子構造を
示す図である。表示装置全体を示す基本的な構成は第１
実施例を示す図１〜３と同様である。FIG. 7 is a view showing an element structure of a second embodiment of the display device. The basic configuration showing the entire display device is the first
It is the same as FIGS.
【００４０】第２実施例では第１実施例で使用した帯域
フィルタ27a,27b を使用せず特定の波長の光のみが透過
する帯域フィルタ（バンドパスフィルタ）50を使用して
いる。帯域フィルタ50は光スイッチング素子18の下部に
設けられている。帯域フィルタ50の透過率の波長特性を
図８に示す。波長850 nm近傍の光のみ選択的に透過する
特性をもっている。したがって、光散乱部26から照射さ
れる光信号（波長850 nm）は帯域フィルタ−を透過する
ことができるが、それ以外の波長領域の光は透過するこ
とができない。したがって、表示装置内に侵入した周囲
光が、光スイッチング素子18に向かって基板14a 側から
照射されたとしても、その周囲光は帯域フィルタによっ
て可視光の全波長領域がカットされるため、周囲光のス
イッチング特性への影響を減少させることができる。In the second embodiment, a bandpass filter (bandpass filter) 50 that transmits only light of a specific wavelength is used without using the bandpass filters 27a and 27b used in the first embodiment. The bandpass filter 50 is provided below the optical switching element 18. FIG. 8 shows the wavelength characteristic of the transmittance of the bandpass filter 50. It has the property of selectively transmitting only light near the wavelength of 850 nm. Therefore, the optical signal (wavelength 850 nm) emitted from the light scattering section 26 can pass through the bandpass filter, but cannot transmit light in other wavelength regions. Therefore, even if the ambient light that has entered the display device is irradiated from the substrate 14a side toward the optical switching element 18, the ambient light is cut off by the bandpass filter in the entire wavelength region of the visible light. Can be reduced on the switching characteristics.
【００４１】また、周囲光（例えば蛍光灯の光）に波長
850 nm近傍の光が少ししか含まれていない場合、第１実
施例に示した基板14a に設けられている遮光層20a は省
くことができる。The wavelength of ambient light (eg, light from a fluorescent lamp) is
When only a little light near 850 nm is included, the light-shielding layer 20a provided on the substrate 14a shown in the first embodiment can be omitted.
【００４２】また、図７に示した素子構造以外に図９に
示す素子構造にしても構わない。図９では対向基板14b
側に導光路Y 1 、Y 2 、…Y n が設けられている。すな
わち、光スイッチング素子18と導光路Y 1 、Y 2 、…Y
n とが別々の基板に設けられている。また、帯域フィル
タ50は光スイッチング素子18の上部に設けられている。
したがって、表示装置内に侵入した周囲光が光スイッ
チング素子18に向かって基板14b 側から照射されたとし
ても、その周囲光は帯域フィルタによって可視光の全波
長領域がカットされるため、周囲光のスイッチング特性
への影響を減少させることができる。この場合、導光路
Y 1 、Y 2 、…Y n には光スイッチング素子18であるa-
Si1-x Gex :Hの成膜温度(250〜300 ℃) の影響を受けな
いため耐熱温度の低い高分子材料を仕様することが可能
になる。The element structure shown in FIG. 9 may be used instead of the element structure shown in FIG. In FIG. 9, the opposing substrate 14b
Guiding path Y 1, Y 2, is ... Y n are provided on the side. That is, the optical switching element 18 and the light guide paths Y 1 , Y 2 ,.
and n are provided on separate substrates. Further, the bandpass filter 50 is provided above the optical switching element 18.
Therefore, even if the ambient light that has entered the display device is irradiated from the substrate 14b side toward the optical switching element 18, the ambient light is cut off by the bandpass filter in the entire wavelength region of the visible light. The influence on the switching characteristics can be reduced. In this case, the light guide path
Y 1, Y 2, the ... Y n is the optical switching element 18 a-
Since it is not affected by the film formation temperature (250 to 300 ° C.) of Si 1-x Ge x : H, it becomes possible to use a polymer material having a low heat-resistant temperature.
【００４３】図10は第３実施例である透過型表示装置を
示す。表示装置の片側（図中の左側）には、蛍光灯等の
バックライト28が設けられている。バックライト28から
発せられた光は、帯域フィルタ（赤外線カット）27a,偏
光板40a 、光アドレス型表示装置29, 偏光板40b 、帯域
フィルタ（赤外線カット）27b の順に透過し、人の目に
到達する。光アドレス型表示装置29は基本的に第１実施
例に示した表示装置と同じであるが、表示装置の外部に
帯域フィルタ27a,27b を設けているため両基板14a,14b
には帯域フィルタがついていない。FIG. 10 shows a transmission type display device according to a third embodiment. On one side (left side in the figure) of the display device, a backlight 28 such as a fluorescent lamp is provided. The light emitted from the backlight 28 passes through the band filter (infrared cut) 27a, the polarizing plate 40a, the optical address type display device 29, the polarizer 40b, and the band filter (infrared cut) 27b in this order, and reaches the human eye. I do. The optical address type display device 29 is basically the same as the display device shown in the first embodiment, except that the bandpass filters 27a and 27b are provided outside the display device, so that both substrates 14a and 14b are provided.
Has no bandpass filter.
【００４４】この第３実施例においては、太陽光や室内
の照明光だけではなく、バックライト28から発せられた
光に対しても光スイッチング素子18の特性に大きく影響
を与える波長領域(850 nm 近傍）の光の表示装置への侵
入を防ぐことができる。したがって、表示性能の劣化を
防止し得る。In the third embodiment, the wavelength range (850 nm) that greatly affects the characteristics of the optical switching element 18 not only for sunlight and indoor illumination light, but also for light emitted from the backlight 28. (In the vicinity) can be prevented from entering the display device. Therefore, deterioration of display performance can be prevented.
【００４５】また、光アドレス型表示装置29として第２
実施例に示した表示装置を用いてもよい。この場合バッ
クライト28から発せられた光は、まず帯域フィルタ27a
で波長850 nm近傍の光がカットされ、残りの波長領域の
光は、表示装置29内に侵入する。表示装置内でわずかに
散乱され、光スイッチング素子18に到達する光は帯域フ
ィルタ50によって可視領域の光がカットされる。The optical address type display device 29 is a second type.
The display device described in the embodiment may be used. In this case, the light emitted from the backlight 28 first passes through the bandpass filter 27a.
The light near the wavelength of 850 nm is cut off, and the light in the remaining wavelength region enters the display device 29. Light that is slightly scattered in the display device and reaches the light switching element 18 is cut off by the bandpass filter 50 in the visible region.
【００４６】したがって、光スイッチング素子に到達す
る周囲光を全波長領域において完全になくすことがで
き、表示性能の劣化を防止することができる。Therefore, ambient light reaching the optical switching element can be completely eliminated in all wavelength regions, and deterioration of display performance can be prevented.
【００４７】なお、本実施例においては、帯域フィルタ
27a,27b は光アドレス型表示装置29を構成する基板14a,
14b の外側や内側にち直接設けてもよい。また、バック
ライト28以外の周囲光（例えば室内の照明光や自然光）
が大きく表示性能に影響を与えない場合は、帯域フィル
タは、バックライト28側にだけ設け、人の目側帯域フィ
ルタ27b は省略してもよい。また、40a,40b は偏光板で
あり両者側はクロスニコル状態で配置されている。In this embodiment, the band-pass filter is used.
27a, 27b are substrates 14a,
It may be provided directly outside or inside 14b. Ambient light other than the backlight 28 (for example, indoor illumination light or natural light)
If the value does not significantly affect the display performance, the bandpass filter may be provided only on the backlight 28 side, and the human eye side bandpass filter 27b may be omitted. Reference numerals 40a and 40b denote polarizing plates, and both sides are arranged in a crossed Nicols state.
【００４８】図11には第４実施例である投射型表示装置
が示されている。表示装置の片側（図中左側）には、反
射板36を備えたメタルハライドランプ等の投射用ランプ
30が設けられている。FIG. 11 shows a projection type display device according to a fourth embodiment. On one side (left side in the figure) of the display device is a projection lamp such as a metal halide lamp having a reflector 36.
30 are provided.
【００４９】投射用ランプ30から発せられた光は、帯域
フィルタ（赤外線カット）27a,偏光板40a 、光アドレス
型表示装置33, 偏光板40b 、帯域フィルタ（赤外線カッ
ト）27b,レンズ31の順に透過し、スクリ−ン32に到達す
る。光アドレス型表示装置33は、基本的には第１実施例
に示した表示装置と同じであるが、表示装置の外部に帯
域フィルタ27a,27b を設けているため、両基板14a,14b
には帯域フィルタがついていない。The light emitted from the projection lamp 30 passes through the band filter (infrared cut) 27a, the polarizing plate 40a, the optically addressed display device 33, the polarizer 40b, the band filter (infrared cut) 27b, and the lens 31 in this order. Then, it reaches the screen 32. The optical address type display device 33 is basically the same as the display device shown in the first embodiment, but since the bandpass filters 27a and 27b are provided outside the display device, both substrates 14a and 14b
Has no bandpass filter.
【００５０】この実施例においては太陽光や室内の照明
光だけではなく、投射用ランプ30から発せられた光に対
しても、光スイッチング素子18の特性に大きく影響を与
える波長領域(850 nm 近傍) の光の表示装置内への侵入
を防ぐことができる。したがって、表示性能の劣化を大
きく防止し得る。さらにこの場合、投射用ランプ30から
発せられた光は非常に強度が強いが、近赤外領域の光が
表示装置内に侵入しないため、表示装置の発熱を防ぐと
いう効果もある。In this embodiment, not only sunlight and room illumination light, but also light emitted from the projection lamp 30 has a wavelength region (around 850 nm) that greatly affects the characteristics of the optical switching element 18. ) Can be prevented from entering the display device. Therefore, deterioration of display performance can be largely prevented. Further, in this case, although the light emitted from the projection lamp 30 has a very high intensity, the light in the near-infrared region does not enter the display device, and thus has an effect of preventing the display device from generating heat.
【００５１】また、光アドレス型表示装置33として第２
実施例に示した表示装置を用いてもよい。この場合、投
射用ランプ30から発せられた光は、先ず帯域フィルタ27
a で波長850 nm近傍の光がカットされ、残りの波長領域
の光は、表示装置33内に侵入する。表示装置内で僅かに
散乱され、光スイッチング素子18に到達する光は帯域フ
ィルタ50によって可視光領域の光がカットされる。 し
たがって、光スイッチング素子に到達する周囲光を全波
長領域においてなくすことができ、表示性能の劣化を防
ぐことができる。なお、本実施例においては、帯域フィ
ルタ27a,27b は光アドレス型表示装置33を構成する基板
14a,14b の外側や内側に直接設けてもよい。また、投射
用ランプ30以外の周囲光（例えば室内の照明光や自然
光）が大きく表示性能に影響を与えない場合は、帯域フ
ィルタは、投射用ランプ30側にだけ設け、スクリ−ン32
側の帯域フィルタ27b は省いてもよい。また、40a,40b
は偏光板であり、両者はクロスニコル型で配置されてい
る。The optical address type display device 33 is a second type.
The display device described in the embodiment may be used. In this case, the light emitted from the projection lamp 30 first passes through the bandpass filter 27.
At a, light near the wavelength of 850 nm is cut, and light in the remaining wavelength region enters the display device 33. Light that is slightly scattered in the display device and reaches the light switching element 18 is cut by a bandpass filter 50 in the visible light region. Therefore, ambient light reaching the optical switching element can be eliminated in the entire wavelength region, and display performance can be prevented from deteriorating. In the present embodiment, the bandpass filters 27a and 27b are substrates of the optically-addressable display device 33.
It may be provided directly outside or inside of 14a, 14b. When ambient light (for example, indoor illumination light or natural light) other than the projection lamp 30 does not greatly affect the display performance, the bandpass filter is provided only on the projection lamp 30 side and the screen 32 is provided.
The side band filter 27b may be omitted. Also, 40a, 40b
Is a polarizing plate, and both are arranged in a crossed Nicols type.
【００５２】第１、第２実施例に示したアクティブマト
リクス駆動型の液晶表示装置だけではなく、本願の出願
人等による特願平3-258110に示すような光アドレス方式
を単純マトリックス駆動型の液晶表示装置に適用でき
る。In addition to the active matrix driving type liquid crystal display device shown in the first and second embodiments, the optical addressing method shown in Japanese Patent Application No. 3-258110 by the applicant of the present invention is applied to the simple matrix driving type. Applicable to liquid crystal display devices.
【００５３】第12は第５実施例である液晶表示装置の構
成を示す平面図である。本実施例においては、一方の基
板上に導光路Y 1 、Y 2 、…Y n がY 方向に沿って配列
されており、これらの上に交差して信号電極X 1 、X
2 、…X m がX 方向に配列されている。また、ずに示
すように絵素電極P 1,1...P m,n がそれぞれ設けられて
いる。信号電極X 1 、X 2 、…X m は光スイッチング素
子S 1,1...S m,n を介してそれぞれ対応する列の絵素電
極P 1,1...P m,n に結合されている。なお、この図では
発光素子アレイ及びレンズアレイは省略されている。こ
の基板に対向する対向基板上にはストライプ上にパタ−
ニングされた透明電極Z 1 ,Z 2...Zk が設けられてい
る。各導光路Y 1 、Y 2 、…Y n 間には３本のストライ
プ状透明電極がはいるように、すなわち、各絵素電極を
３本のストライプ状透明電極が横切るように配置されて
いる。The twelfth embodiment is a plan view showing the structure of the liquid crystal display device according to the fifth embodiment. In this embodiment, light guide paths Y 1 , Y 2 ,..., Y n are arranged along one direction on one substrate, and signal electrodes X 1 , X
2 ,... X m are arranged in the X direction. Further, as shown, pixel electrodes P 1,1 ... P m, n are provided, respectively. Signal electrodes X 1, X 2, ... X m is the optical switching element S 1,1. ..S m, picture element electrodes of the corresponding column via the n P 1,1. ..P m, coupled to n Have been. It should be noted that the light emitting element array and the lens array are omitted in FIG. On the opposing substrate facing this substrate, a pattern is formed on the stripe.
The transparent electrodes Z 1 , Z 2 ... Z k are provided. Kakushirubekoro Y 1, Y 2, ... to enter the three stripe transparent electrode is between Y n, i.e., are arranged so that each pixel electrode is three stripes transparent electrodes crossing .
【００５４】次に本実施例の液晶表示装置の駆動方法を
説明する。導光路Y 1 、Y 2 、…Y n に順次光走査信号
を伝送し、信号電極X 1 、X 2 、…X m に各絵素電極P
1,1...P m,n を順次電気的に接続する。また同時にスト
ライプ状透明電極Z1,Z2...Zkを順次駆動することによっ
て、各絵素電極P 1,1...P m,n とそれに対向する３本１
組のストライプ状透明電極との間で単純マルチプレック
ス駆動がおこなわれる。すなわち、この実施例では３本
のストライプ状透明電極（走査電極）で構成される表示
領域を１単位のブロックとし、各ブロックの選択を導光
路Y 1 、Y 2、…Y n で行なっている。その結果、デュ
−ティ比を一定に保ったまま走査線数を３倍に増加させ
ることが可能となる。一般に導光路の数をＮ、１つの導
光路当たりのストライプ状透明電極（走査電極）の数を
Ｍとすると、デュ−ティ比１／ＭでＮ×Ｍの走査線を駆
動することができる。Next, a method of driving the liquid crystal display device of this embodiment will be described. Guiding path Y 1, Y 2, ... sequentially transmitted through the optical scanning signal to the Y n, the signal electrodes X 1, X 2, ... X m each pixel electrode P
1,1 ... Pm , n are electrically connected sequentially. By sequentially driving the stripe-shaped transparent electrodes Z1, Z2 ... Zk At the same time, each picture element electrodes P 1,1. ..P m, 3 present 1 to n and opposed thereto
Simple multiplex driving is performed between the pair of striped transparent electrodes. That is, performing the display area consisting of three stripes transparent electrode (scanning electrode) in this embodiment as one unit block, the selection of each block in the light conducting path Y 1, Y 2, ... Y n . As a result, it is possible to increase the number of scanning lines by three times while keeping the duty ratio constant. In general, when the number of light guide paths is N and the number of striped transparent electrodes (scan electrodes) per light guide path is M, N × M scanning lines can be driven at a duty ratio of 1 / M.
【００５５】この場合も、帯域フィルタを表示装置を構
成する両基板の内側、外側どちらかの面や、表示装置の
外部に別に設け、光スイッチング素子が優れた感度特性
を示す波長領域の周囲光の侵入を防ぐことにより第１実
施例と同様の効果を得ることができる。また、光スイッ
チング素子S 1,1...S m,n の近傍に帯域フィルタを設
け、光スイッチング素子が優れた感度特性を示す波長領
域の光のみ透過させることにより、第２実施例と同様の
効果を得ることができる。さらにこれらの表示装置を用
いて第３、第４実施例に示す透過型表示装置や投射型表
示装置に応用することも可能である。以上説明した第１
〜５実施例においては、光信号に波長850 nm の光を使
用し、それに合わせて光スッチング素子の感度特性や帯
域フィルタの特性を設定した。光信号に他の光の波長を
使用する場合も、光スッチング素子の感度特性や帯域フ
ィルタの特性をそれぞれ調整し、光スイッチング素子が
優れた感度特性を示す波長領域と、周囲光の波長領域を
分離することによって、同様の効果を得ることができ
る。この際、光スイッチング素子には波長感度特性やプ
ロセス条件に応じて、a-Si:H、a-Si1-x C x 、a-Si1-x
N x: H 、a-Si1-x O x : H 、CdS 、CdSe、BSO (Bi 12
SiO 20) 、有機感光体(OPC) など各種光導電材料を使用
することができる。また、帯域フィルタを構成する材料
は、実施例に示した誘電体多層膜の他に、顔料や染料を
用いたカラ−フィルタ−を使用することができる。Also in this case, the bandpass filter is separately provided on either the inside or outside of the two substrates constituting the display device or outside the display device, and the ambient light in the wavelength region where the optical switching element exhibits excellent sensitivity characteristics is provided. The same effect as that of the first embodiment can be obtained by preventing the intrusion of intrusion. A band-pass filter is provided in the vicinity of the optical switching elements S 1,1 ... S m, n to transmit only light in a wavelength region where the optical switching elements exhibit excellent sensitivity characteristics, thereby providing the same as in the second embodiment. The effect of can be obtained. Further, these display devices can be applied to the transmission type display device and the projection type display device shown in the third and fourth embodiments. The first explained above
In the fifth to fifth embodiments, light having a wavelength of 850 nm was used for the optical signal, and the sensitivity characteristics of the optical switching element and the characteristics of the bandpass filter were set in accordance with the light signal. When other wavelengths of light are used for the optical signal, the sensitivity characteristics of the optical switching device and the characteristics of the band-pass filter are adjusted to reduce the wavelength region where the optical switching device exhibits excellent sensitivity characteristics and the wavelength region of the ambient light. The same effect can be obtained by separating. At this time, a-Si: H, a-Si 1-x C x , a-Si 1-x
N x : H, a-Si 1-x O x : H, CdS, CdSe, BSO (Bi 12
Various photoconductive materials such as SiO 20 ) and organic photoreceptors (OPC) can be used. Further, as a material constituting the bandpass filter, a color filter using a pigment or a dye can be used in addition to the dielectric multilayer film shown in the embodiment.
【００５６】また、光スイッチング素子は、光導電性を
有する半導体のダイオ−ド構造（例えばPIN 型、ショッ
トキ−型、MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型)
や、それらのダイオ−ド２個を逆向きに直列接続したバ
ックツ−バックダイオ−ド構造、あるいは逆向きに並列
接続したダイオ−ドリング構造にしてもよい。The optical switching element is a semiconductor diode structure having photoconductivity (eg, PIN type, Schottky type, MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) type).
Alternatively, a back-to-back diode structure in which two diodes are connected in series in the opposite direction, or a diode ring structure in which two diodes are connected in parallel in the opposite direction may be used.
【００５７】また、導光路としては、光ファイバ−の他
にタリウムイオン等を熱や電界によってガラス基板中に
拡散させたガラス導波路や、火炎堆積法やCVD 法により
形成される石英系の導光路、高分子材料からなる導光路
等、導光性能やプロセスの条件を満たすものであればど
れを用いてもよい。As the light guide path, in addition to an optical fiber, a glass waveguide in which thallium ions or the like are diffused into a glass substrate by heat or an electric field, or a quartz-based waveguide formed by a flame deposition method or a CVD method. Any optical path, such as an optical path or a light guide path made of a polymer material, may be used as long as it satisfies the conditions of light guiding performance and process.
【００５８】さらに実施例の液晶表示装置の液晶層はTN
(Twisted Nematic) モ−ドを用いている。液晶材料はME
RCK 社製のフッ素系液晶ZLI4792 である。液晶表示モ−
ドとしては、この他にネマチック液晶を用いたものとし
てゲストホストモ−ド、複屈折制御(ECB:Electrically
Controlled Birefringence) モ−ド、STN(Suer Twis
ted Nematic)モ−ド、相転移モ−ドが可能である。更
に、カイラルスメクチック液晶を用いた表面安定化強誘
電液晶(SSFLC:Surface Stabilized Ferro-electric Liq
uid Crystal)モ−ド、高分子と液晶の複合膜を用いた高
分子複合型液晶(PDLC : Polymer Dispersed Liquid Cry
stal) 等が可能である。また、カラ−フィルタ−を表示
装置内に付設することでカラ−表示も可能となる。Further, the liquid crystal layer of the liquid crystal display device of the embodiment is TN
(Twisted Nematic) mode is used. The liquid crystal material is ME
It is a fluorine-based liquid crystal ZLI4792 manufactured by RCK. Liquid crystal display mode
In addition to this, guest-host mode and birefringence control (ECB: Electrically
Controlled Birefringence) mode, STN (Suer Twis
ted Nematic) mode and phase transition mode are possible. Furthermore, a surface stabilized ferroelectric liquid crystal (SSFLC) using a chiral smectic liquid crystal is used.
uid crystal) mode, polymer composite liquid crystal (PDLC: Polymer Dispersed Liquid Cry) using composite film of polymer and liquid crystal
stal) etc. are possible. In addition, by providing a color filter in the display device, color display becomes possible.
【００５９】更に表示媒体として液晶を使用した液晶表
示装置(LCD : Liquid Crystal Display)について説明し
たが、他の表示装置、例えばエレクトロクロミック表示
装置(ECD : Electrochromic Display)、電気泳動表示装
置(EPD : Electrophre-tic Display)等においても同様
の効果を得ることができる。Although a liquid crystal display (LCD) using liquid crystal as a display medium has been described, other display devices, such as an electrochromic display (ECD), an electrophoretic display (EPD: The same effect can be obtained in an electrophretic display.
【００６０】[0060]
【発明の効果】波長選択フィルタが光スイッチング素子
に照射される光のうち、導光路から照射される光以外の
光スイッチング素子のスイッチング特性に影響を与える
波長領域の光を排除するように光スイッチング素子の両
側に設けられているので、導光路以外から光が光スイッ
チ素子の表側及び裏側の両側に照射されることを防止し
得、表示媒体による表示性能を向上し得る。The wavelength switching filter performs optical switching so as to exclude light in a wavelength region that affects the switching characteristics of the optical switching element other than the light emitted from the light guide path, out of the light emitted to the optical switching element. Since it is provided on both sides of the element, it is possible to prevent light from irradiating from both sides of the optical switch element to both the front side and the back side of the optical switch element, and to improve the display performance of the display medium.
【００６１】換言すれば、表示装置内に侵入した周囲光
には、光スイッチング素子の特性に大きく影響を与える
波長領域、すなわち光スイッチング素子が優れた感度特
性を示す波長領域の光が存在せず、周囲光が表示装置内
で散乱され光スイッチング素子に照射されたとしてもス
イッチング特性に大きく影響することを阻止し得、表示
性能の劣化を防止し得る。In other words, the ambient light that has entered the display device does not include light in a wavelength region that greatly affects the characteristics of the optical switching element, that is, a wavelength region in which the optical switching element exhibits excellent sensitivity characteristics. Even if ambient light is scattered in the display device and irradiates the optical switching element, it is possible to prevent the switching characteristics from being greatly affected, and to prevent deterioration in display performance.
【図１】本発明の表示装置の第１実施例の構成を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment of a display device of the present invention.
【図２】図１のＧ−Ｇ´線断面に沿った素子構成図であ
る。FIG. 2 is a device configuration diagram along a section taken along line GG ′ of FIG. 1;
【図３】図２の導光路の概略拡大図である。FIG. 3 is a schematic enlarged view of the light guide path of FIG. 2;
【図４】ａ−Ｓｉ１−ｘＧｅｘ：Ｈの組成比ｘと光学エ
ネルギ−ギャップの関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a composition ratio x of a-Si 1-x Ge x : H and an optical energy gap.
【図５】帯域フィルタ−（赤外カットフィルタ−）の透
過率の第１の波長特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a first wavelength characteristic of transmittance of a bandpass filter (infrared cut filter).
【図６】本発明の表示装置の第１実施例の変形例の構成
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a modification of the first embodiment of the display device of the present invention.
【図７】本発明の表示装置の第２実施例の構成を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a second embodiment of the display device of the present invention.
【図８】帯域フィルタ−（赤外カットフィルタ−）の透
過率の第２の波長特性を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a second wavelength characteristic of the transmittance of the bandpass filter (infrared cut filter).
【図９】本発明の表示装置の第２実施例の変形例の構成
を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a modification of the second embodiment of the display device of the present invention.
【図１０】本発明の表示装置の第３実施例の構成を示す
図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a third embodiment of the display device of the present invention.
【図１１】本発明の第４実施例の構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a fourth embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第４実施例の変形例の構成を示す図
である。FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a modification of the fourth embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第１実施例の他の変形例の素子構成
を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an element configuration of another modification of the first embodiment of the present invention.
【図１４】従来の光アドレス式のアクティブマトリクス
駆動型の表示装置の構成を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a conventional optically addressable active matrix drive type display device.
【図１５】図１４のＨ−Ｈ´線断面に沿った素子構成図
である。FIG. 15 is an element configuration diagram along a section taken along line HH ′ of FIG. 14;
１、１７ 交差部 ２，１８，Ｓ１，１．．．Ｓｍ，ｎ 光スイッチング素
子 ３，１５ 発光素子アレイ ４，１９，Ｐ１，１．．．Ｐｍ，ｎ 絵素電極 ５、２６ 光散乱部 ６、１６ レンズアレイ ７ａ，７ｂ，１４ａ，１４ｂ ガラス基板 ８、２１ クラッド層 ９ａ、９ｂ、２０ａ 遮光層 １０ａ、１０ｂ、２３ａ、２３ｂ 配向膜 １１、２４ スペ−サ− １２，２５ 液晶 １３，２２，Ｚ１，Ｚ２，．．．Ｚｋ 透明電極 ２７ａ，２７ｂ 帯域フィルタ ２８ バックライト ３０ 投射用ランプ ３１ レンズ ３２ スクリ−ン ４０ａ、４０ｂ 偏光板 Ｘ１、Ｘ２…Ｘｍ−１、Ｘｍ 信号電極 Ｙ１、Ｙ２…Ｙｎ−１、Ｙｎ 導光路1, 17 Intersections 2, 18, S 1,1 . . . Sm , n optical switching element 3,15 light emitting element array 4,19, P 1,1 . . . Pm , n picture element electrode 5, 26 Light scattering part 6, 16 Lens array 7a, 7b, 14a, 14b Glass substrate 8, 21 Cladding layer 9a, 9b, 20a Light shielding layer 10a, 10b, 23a, 23b Alignment film 11, 24 space - service - 12, 25 liquid crystal 13,22, Z 1, Z 2, . . . Z k transparent electrodes 27a, 27b bandpass filter 28 backlight 30 projection lamp 31 Lens 32 Subscription - emissions 40a, 40b polarizing plate X 1, X 2 ... X m -1, X m signal electrodes Y1, Y 2 ... Y n- 1 , Y n light guide path
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/136 G02F 1/135 G09F 9/30 Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/1335 G02F 1/136 G02F 1/135 G09F 9/30
Claims (8)
とインピーダンスが変化する光スイッチング素子と、前
記光スイッチング素子のインピーダンスの変化に応じて
駆動される表示媒体と、前記光スイッチング素子に照射
される光のうち、前記導光路から照射される光以外の前
記光スイッチング素子のスイッチング特性に影響を与え
る波長領域の光を排除するように前記光スイッチング素
子の両側に設けられた波長選択フィルタとを含むことを
特徴とする光アドレス型の表示装置。1. A light guide path for transmitting light, an optical switching element whose impedance changes when irradiated with light, a display medium driven according to a change in impedance of the optical switching element, and the optical switching element. Wavelengths provided on both sides of the optical switching element so as to exclude light in a wavelength region that affects the switching characteristics of the optical switching element other than the light emitted from the light guide path, of the light emitted from the light guide path. An optically addressable display device comprising a filter.
ーフィルタのいずれか一方から構成された帯域フィルタ
であることを特徴とする請求項１に記載の光アドレス型
の表示装置。2. The optically-addressable display device according to claim 1, wherein the filter is a bandpass filter formed of one of a dielectric multilayer film and a color filter.
に照射される光の波長は近赤外領域であり、前記フィル
タは近赤外領域の光の透過率が小さくなるように構成さ
れていることを特徴とする請求項２に記載の光アドレス
型の表示装置。3. The wavelength of light emitted from the light guide path to the optical switching element is in a near-infrared region, and the filter is configured to reduce transmittance of light in the near-infrared region. The display device of an optically-addressable type according to claim 2, characterized in that:
子の近傍にかつ前記光スイッチング素子ごとに設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の光アドレス型
の表示装置。4. The optically addressed display device according to claim 1, wherein the filter is provided near the optical switching element and for each of the optical switching elements.
に照射される光の波長は近赤外領域であり、前記フィル
タは近赤外領域以外の光の透過率が小さくなるように構
成されていることを特徴とする請求項４に記載の光アド
レス型の表示装置。5. A wavelength of light emitted from the light guide path to the optical switching element is in a near-infrared region, and the filter is configured to have a small transmittance of light in a region other than the near-infrared region. The optical address type display device according to claim 4, wherein:
ルファスシリコンゲルマニウム（ａ−Ｓｉ１−ｘＧ
ｅｘ：Ｈ）により形成されていることを特徴とする請求
項１から５のいずれか一項に記載の光アドレス型の表示
装置。6. The optical switching device according to claim 1, wherein the optical switching element is a hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si 1-x G).
e x: H) optically addressable display device according to claim 1, characterized in that it is formed in any one of 5 through.
は、透過型表示装置において使用されるバックライト光
及び投射型表示装置において使用される投射光のいずれ
か一方であることを特徴とする請求項１から６のいずれ
か一項に記載の光アドレス型の表示装置。7. The light other than the light emitted from the light guide path is one of backlight light used in a transmission type display device and projection light used in a projection type display device. The optically-addressable display device according to claim 1.
とする請求項１から７のいずれか一項に記載の光アドレ
ス型の表示装置。8. The optically addressed display device according to claim 1, wherein the display medium is a liquid crystal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32935892A JP2934359B2 (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32935892A JP2934359B2 (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175152A JPH06175152A (en) | 1994-06-24 |
| JP2934359B2 true JP2934359B2 (en) | 1999-08-16 |
Family
ID=18220571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32935892A Expired - Fee Related JP2934359B2 (en) | 1992-12-09 | 1992-12-09 | Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2934359B2 (en) |
-
1992
- 1992-12-09 JP JP32935892A patent/JP2934359B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06175152A (en) | 1994-06-24 |
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