JP2934111B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造に際
し、基板中の酸素による結晶欠陥の発生を防止する製造
方法に関するもので、特に受光素子の高感度化、および
低ノイズ化に効果がある。
し、基板中の酸素による結晶欠陥の発生を防止する製造
方法に関するもので、特に受光素子の高感度化、および
低ノイズ化に効果がある。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のうち受光素子の場合につい
て説明する。
て説明する。
【０００３】受光素子は、光センサ，フォトカプラ等に
広く用いられている。以下に一例として、受光素子と回
路素子を半導体基板の同一平面上に形成した回路内蔵受
光素子を例にして従来技術の説明を行なう。
広く用いられている。以下に一例として、受光素子と回
路素子を半導体基板の同一平面上に形成した回路内蔵受
光素子を例にして従来技術の説明を行なう。
【０００４】図５（ａ）は、従来の回路内蔵受光素子の
一例の略断面図であり、図５（ｂ）はその素子内部の酸
素濃度分布である。
一例の略断面図であり、図５（ｂ）はその素子内部の酸
素濃度分布である。
【０００５】図５（ａ）に示すように、たとえば、ＣＺ
（チョクラルスキー）またはＭＣＺ（マグネティックフ
ィールド・アプライド・チョクラルスキー）結晶による
Ｐ型半導体基板１７の表面にＮ型エピタキシャル層７を
形成し、Ｐ型分離拡散層９で分離して、受光素子１８
と、たとえば、ＮＰＮトランジスタのような回路素子１
９が形成されている。受光素子１８は、アノードとなる
Ｐ型半導体基板１７と、カソードとなるＮ型エピタキシ
ャル層７と、カソード電極とためのＮ+ 型拡散層１２で
形成されている。また、回路素子の１つであるＮＰＮト
ランジスタ１９は、Ｐ型半導体基板１７に埋込まれたコ
レクタとなるＮ+ 型埋込拡散層６、Ｎ型エピタキシャル
層７、コレクタ電極のためのＮ+ 型補償拡散層１０、ベ
ースとなるＰ型拡散層１１、エミッタとなるＮ+ 型拡散
層１２等で形成されている。８は後述の結晶欠陥であ
る。
（チョクラルスキー）またはＭＣＺ（マグネティックフ
ィールド・アプライド・チョクラルスキー）結晶による
Ｐ型半導体基板１７の表面にＮ型エピタキシャル層７を
形成し、Ｐ型分離拡散層９で分離して、受光素子１８
と、たとえば、ＮＰＮトランジスタのような回路素子１
９が形成されている。受光素子１８は、アノードとなる
Ｐ型半導体基板１７と、カソードとなるＮ型エピタキシ
ャル層７と、カソード電極とためのＮ+ 型拡散層１２で
形成されている。また、回路素子の１つであるＮＰＮト
ランジスタ１９は、Ｐ型半導体基板１７に埋込まれたコ
レクタとなるＮ+ 型埋込拡散層６、Ｎ型エピタキシャル
層７、コレクタ電極のためのＮ+ 型補償拡散層１０、ベ
ースとなるＰ型拡散層１１、エミッタとなるＮ+ 型拡散
層１２等で形成されている。８は後述の結晶欠陥であ
る。
【０００６】受光素子１８の内部の酸素濃度は、図５
（ｂ）に示されるように、Ｐ型半導体基板１７の裏面か
ら後述の活性層のかなりの部分にわたり酸素濃度が高く
なっている。
（ｂ）に示されるように、Ｐ型半導体基板１７の裏面か
ら後述の活性層のかなりの部分にわたり酸素濃度が高く
なっている。
【０００７】この回路内蔵受光素子は以下のようにして
製造されている。まず、図６に示すように、比抵抗３〜
３０Ωcm、初期酸素濃度１．３〜１．８×１０18atoms/
cm3 のＰ型半導体基板１７の回路素子形成予定領域１４
にＮ+ 型拡散層６を形成し、さらにその上にＮ型エピタ
キシャル層７を成長させる。Ｐ型半導体基板１７内の酸
素は、一部析出し結晶欠陥８を生じる。その後、Ｎ型エ
ピタキシャル層７の表面に、Ｐ型分離拡散層９，９、Ｎ
+ 型補償拡散層１０、Ｐ型拡散層１１、およびＮ+ 型拡
散層１２を形成することで図５（ａ）の回路内蔵素子が
製造される。
製造されている。まず、図６に示すように、比抵抗３〜
３０Ωcm、初期酸素濃度１．３〜１．８×１０18atoms/
cm3 のＰ型半導体基板１７の回路素子形成予定領域１４
にＮ+ 型拡散層６を形成し、さらにその上にＮ型エピタ
キシャル層７を成長させる。Ｐ型半導体基板１７内の酸
素は、一部析出し結晶欠陥８を生じる。その後、Ｎ型エ
ピタキシャル層７の表面に、Ｐ型分離拡散層９，９、Ｎ
+ 型補償拡散層１０、Ｐ型拡散層１１、およびＮ+ 型拡
散層１２を形成することで図５（ａ）の回路内蔵素子が
製造される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】最近の光によるデータ
伝送の高速化、Ｓ／Ｎ比の向上の要求から、受光素子の
高感度化および低ノイズ化が望まれている。受光素子の
高感度化および低ノイズ化のためには、受光素子の表面
から受光素子で受ける光を少なくとも９０％吸収する領
域（以下活性層と呼ぶ）で発生した光キャリアの再結合
を減らせばよい。
伝送の高速化、Ｓ／Ｎ比の向上の要求から、受光素子の
高感度化および低ノイズ化が望まれている。受光素子の
高感度化および低ノイズ化のためには、受光素子の表面
から受光素子で受ける光を少なくとも９０％吸収する領
域（以下活性層と呼ぶ）で発生した光キャリアの再結合
を減らせばよい。
【０００９】すなわち、受光素子の活性層内の光キャリ
アのライフタイムを長くすればよい。
アのライフタイムを長くすればよい。
【００１０】ところが、従来の受光素子の中で半導体基
板にＣＺまたはＭＣＺ結晶（初期酸素濃度１．３〜１．
８×１０18atoms/cm3 ）を用いた受光素子は、受光素子
の活性層内のキャリアのライフタイムが３μｓ前後と短
くなり、受光素子には不適切な条件となっている。受光
素子の活性層内キャリアのライフタイムが短い理由は、
半導体基板の初期酸素濃度が１．３〜１．８×１０18at
oms/cm3 であり、比較的高いため、受光素子の製造過程
で半導体基板内で酸素が析出し結晶欠陥が発生するため
である。
板にＣＺまたはＭＣＺ結晶（初期酸素濃度１．３〜１．
８×１０18atoms/cm3 ）を用いた受光素子は、受光素子
の活性層内のキャリアのライフタイムが３μｓ前後と短
くなり、受光素子には不適切な条件となっている。受光
素子の活性層内キャリアのライフタイムが短い理由は、
半導体基板の初期酸素濃度が１．３〜１．８×１０18at
oms/cm3 であり、比較的高いため、受光素子の製造過程
で半導体基板内で酸素が析出し結晶欠陥が発生するため
である。
【００１１】また、従来の受光素子の中で、半導体基板
にＦＺ（フローティングゾーン）結晶（初期酸素濃度５
×１０15atoms/cm3 以下）を用いた受光素子の場合、半
導体基板内の酸素析出に起因するキャリアのライフタイ
ムの低下はないが、半導体基板の初期酸素濃度のが低い
ため、ＣＺ結晶に比べウエハ強度が低く、かつ、汚染の
ゲッタリング能力もないので、半導体基板表面に結晶欠
陥が生じ易く、受光素子の歩止まりが低下するという問
題があった。
にＦＺ（フローティングゾーン）結晶（初期酸素濃度５
×１０15atoms/cm3 以下）を用いた受光素子の場合、半
導体基板内の酸素析出に起因するキャリアのライフタイ
ムの低下はないが、半導体基板の初期酸素濃度のが低い
ため、ＣＺ結晶に比べウエハ強度が低く、かつ、汚染の
ゲッタリング能力もないので、半導体基板表面に結晶欠
陥が生じ易く、受光素子の歩止まりが低下するという問
題があった。
【００１２】なお、半導体装置において、半導体基板の
欠点を是正する方法として、望ましくはＦＺ結晶の半導
体基板に析出しない程度の酸素を、シリコン基板の両面
から拡散し基板の中心付近の酸素濃度を低下させる方法
が提案されている（特公平２−３４１７０）。
欠点を是正する方法として、望ましくはＦＺ結晶の半導
体基板に析出しない程度の酸素を、シリコン基板の両面
から拡散し基板の中心付近の酸素濃度を低下させる方法
が提案されている（特公平２−３４１７０）。
【００１３】しかし、この方法のように基板に酸素が析
出しない程度の酸素を半導体基板に拡散した場合、汚染
をゲッタリングする能力が低いため、受光素子に汚染に
起因する不良が多発するという問題がある。
出しない程度の酸素を半導体基板に拡散した場合、汚染
をゲッタリングする能力が低いため、受光素子に汚染に
起因する不良が多発するという問題がある。
【００１４】また、この方法のように基板の両面から酸
素を拡散する方法で、半導体基板の汚染をゲッタリング
する能力を高めるために酸素が析出する条件を用いる
と、半導体基板の表面の酸素濃度が、半導体基板内部に
比べ高いため、半導体基板の表面に、半導体基板内部よ
り多くの酸素析出に起因する結晶欠陥が多発し、受光素
子内のライフタイム低下に起因する感度低下およびノイ
ズの増加が生じるという問題があった。
素を拡散する方法で、半導体基板の汚染をゲッタリング
する能力を高めるために酸素が析出する条件を用いる
と、半導体基板の表面の酸素濃度が、半導体基板内部に
比べ高いため、半導体基板の表面に、半導体基板内部よ
り多くの酸素析出に起因する結晶欠陥が多発し、受光素
子内のライフタイム低下に起因する感度低下およびノイ
ズの増加が生じるという問題があった。
【００１５】つまり、基板の両面から酸素を拡散する方
法では、ゲッタリング能力を高めるように基板内部に酸
素を析出させ、しかも、受光素子領域は感度低下および
ノイズの増大を生じさせないように、酸素を析出させな
いような酸素濃度分布を実現できなかった。
法では、ゲッタリング能力を高めるように基板内部に酸
素を析出させ、しかも、受光素子領域は感度低下および
ノイズの増大を生じさせないように、酸素を析出させな
いような酸素濃度分布を実現できなかった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法におい
ては、第１の主面とその反対側の第２の主面とを有する
半導体基板を準備し、酸素が拡散しにくい膜をその基板
の第１主面上に形成し、基板の第２主面のみから熱拡散
によって酸素を基板内へ拡散させる工程を含むことを特
徴としている。
ては、第１の主面とその反対側の第２の主面とを有する
半導体基板を準備し、酸素が拡散しにくい膜をその基板
の第１主面上に形成し、基板の第２主面のみから熱拡散
によって酸素を基板内へ拡散させる工程を含むことを特
徴としている。
【００１７】
【作用】受光素子を形成する半導体基板の予定された受
光面の反対の面からのみ酸素を拡散することで、受光素
子の活性層の深さの領域の酸素濃度を１×１０18atoms/
cm3 以下とし、それ以外の領域の酸素濃度を１×１０17
atoms/cm3 以上で、かつその領域上方における活性層の
酸素濃度よりも大きくすることができる。したがって、
受光素子領域以外は、ゲッタリング能力を高めるために
酸素を析出させ、受光素子領域は感度低下およびノイズ
の増大を生じさせないために、酸素を析出させないよう
な酸素濃度分布を実現できる。
光面の反対の面からのみ酸素を拡散することで、受光素
子の活性層の深さの領域の酸素濃度を１×１０18atoms/
cm3 以下とし、それ以外の領域の酸素濃度を１×１０17
atoms/cm3 以上で、かつその領域上方における活性層の
酸素濃度よりも大きくすることができる。したがって、
受光素子領域以外は、ゲッタリング能力を高めるために
酸素を析出させ、受光素子領域は感度低下およびノイズ
の増大を生じさせないために、酸素を析出させないよう
な酸素濃度分布を実現できる。
【００１８】
【実施例】以下本発明の一実施例を回路内蔵受光素子に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１９】図１（ａ）は、本発明による回路内蔵受光
素子の略断面図であり、図１（ｂ）はその内部の酸素濃
度分布である。
素子の略断面図であり、図１（ｂ）はその内部の酸素濃
度分布である。
【００２０】図５（ａ）に示される従来例とほぼ同様な
構造であるが、図１（ａ）においては、受光素子１８の
受光面の反対側に酸素拡散層５が設けられている。
構造であるが、図１（ａ）においては、受光素子１８の
受光面の反対側に酸素拡散層５が設けられている。
【００２１】図１（ａ）において、Ｐ型半導体基板１の
表面に形成されたＮ型エピタキシャル層７の表面に、Ｐ
型分離拡散層９で分離された受光素子１８と回路素子１
９が形成されている。
表面に形成されたＮ型エピタキシャル層７の表面に、Ｐ
型分離拡散層９で分離された受光素子１８と回路素子１
９が形成されている。
【００２２】受光素子１８の部分は、アノードとなるＰ
型半導体基板１と、Ｐ型分離拡散層９と、カソードとな
るＮ型エピタキシャル層７と、カソード電極のためのＮ
+ 型拡散層１２等によって構成されている。
型半導体基板１と、Ｐ型分離拡散層９と、カソードとな
るＮ型エピタキシャル層７と、カソード電極のためのＮ
+ 型拡散層１２等によって構成されている。
【００２３】回路素子１９の部分は、Ｐ型半導体基板１
に埋込まれたコレクタとなるＮ+ 型埋込拡散層６と、Ｎ
型エピタキシャル層７と、コレクタ電極のためのＮ+ 型
補償拡散層１０と、ベースとなるＰ型拡散層１１と、エ
ミッタとなるＮ+ 型拡散層１１等によって構成されてい
る。
に埋込まれたコレクタとなるＮ+ 型埋込拡散層６と、Ｎ
型エピタキシャル層７と、コレクタ電極のためのＮ+ 型
補償拡散層１０と、ベースとなるＰ型拡散層１１と、エ
ミッタとなるＮ+ 型拡散層１１等によって構成されてい
る。
【００２４】受光面の反対側となるＰ型半導体基板１の
裏面には酸素拡散層５が設けられている。
裏面には酸素拡散層５が設けられている。
【００２５】図１（ｂ）に示されるように、受光した光
を少なくとも９０％吸収する活性層の酸素濃度は、裏面
の酸素濃度よりも小さくされている。
を少なくとも９０％吸収する活性層の酸素濃度は、裏面
の酸素濃度よりも小さくされている。
【００２６】これは、以下のようにして製造される。ま
ず、図２に示すように、比抵抗３〜３０Ωcm、初期酸素
濃度５×１０15atoms/cm3 の、たとえばＦＺ結晶のＰ型
半導体基板１の回路内蔵受光素子形成予定の表面２に酸
素を拡散しにくい膜たとえばＳｉ3 Ｎ4 膜３を形成す
る。
ず、図２に示すように、比抵抗３〜３０Ωcm、初期酸素
濃度５×１０15atoms/cm3 の、たとえばＦＺ結晶のＰ型
半導体基板１の回路内蔵受光素子形成予定の表面２に酸
素を拡散しにくい膜たとえばＳｉ3 Ｎ4 膜３を形成す
る。
【００２７】次に図３（ａ）に示すように、上記半導体
基板を高温で熱酸化することで、半導体基板の回路内蔵
受光素子を形成しない裏面４から酸素を拡散し、酸素拡
散層５を形成し半導体基板の裏面４の酸素濃度を１×１
０18〜１．８×１０18atoms/cm3 とする。この半導体基
板の裏面の酸素濃度は、熱酸化の温度で決まる。なお、
このとき裏面にはＳｉＯ2 膜１３が形成されるが、次の
工程までにＳｉ3 Ｎ4膜３とともに除去される。このと
きの酸素濃度の分布は図３（ｂ）のように、裏面の濃度
の方が活性層の濃度よりも高い。
基板を高温で熱酸化することで、半導体基板の回路内蔵
受光素子を形成しない裏面４から酸素を拡散し、酸素拡
散層５を形成し半導体基板の裏面４の酸素濃度を１×１
０18〜１．８×１０18atoms/cm3 とする。この半導体基
板の裏面の酸素濃度は、熱酸化の温度で決まる。なお、
このとき裏面にはＳｉＯ2 膜１３が形成されるが、次の
工程までにＳｉ3 Ｎ4膜３とともに除去される。このと
きの酸素濃度の分布は図３（ｂ）のように、裏面の濃度
の方が活性層の濃度よりも高い。
【００２８】また、半導体基板中の酸素の分布は具体的
には以下のようにするとよい。すなわち、受光素子の活
性領域の酸素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下、それ以
外の領域が１×１０17atoms/cm3 以上でかつその領域上
方にある活性層の酸素濃度よりも高いようにする。たと
えば、完成した回路内蔵受光素子の受光素子が受光する
光の波長を９５０nmとすると、光を９０％吸収する活性
層の深さは、Ｎ型エピタキシャル層７の表面から計って
５７．６μm である。
には以下のようにするとよい。すなわち、受光素子の活
性領域の酸素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下、それ以
外の領域が１×１０17atoms/cm3 以上でかつその領域上
方にある活性層の酸素濃度よりも高いようにする。たと
えば、完成した回路内蔵受光素子の受光素子が受光する
光の波長を９５０nmとすると、光を９０％吸収する活性
層の深さは、Ｎ型エピタキシャル層７の表面から計って
５７．６μm である。
【００２９】Ｎ型エピタキシャル層７の厚さを３μm と
すると、Ｐ型半導体基板の表面から活性領域の端までの
深さは５４．６μm であるので、半導体表面から５４．
６μm までの酸素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下で、
表面から５４．６μm の深さから裏面まで酸素濃度が１
×１０17atoms/cm3 以上であり、しかも上方の活性層の
酸素濃度よりも高くする。こうすることで、受光素子の
活性領域では、酸素の析出が発生せずＦＺ結晶の特徴で
ある１０μs 以上の高ライフタイムが維持でき、かつ、
活性領域以外では、酸素析出による高いゲッタリング能
力をもつことができる。
すると、Ｐ型半導体基板の表面から活性領域の端までの
深さは５４．６μm であるので、半導体表面から５４．
６μm までの酸素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下で、
表面から５４．６μm の深さから裏面まで酸素濃度が１
×１０17atoms/cm3 以上であり、しかも上方の活性層の
酸素濃度よりも高くする。こうすることで、受光素子の
活性領域では、酸素の析出が発生せずＦＺ結晶の特徴で
ある１０μs 以上の高ライフタイムが維持でき、かつ、
活性領域以外では、酸素析出による高いゲッタリング能
力をもつことができる。
【００３０】この酸素濃度の分布は、熱酸化の温度、時
間と熱酸化の雰囲気を変えることで所望の分布をするこ
とができる。半導体基板の裏面から深く酸素を拡散する
場合は、熱酸化時の条件を高温、長時間かつ高酸素濃度
の雰囲気で行ない、浅く酸素を拡散する場合は、熱酸化
時の条件を低温、短時間かつ低酸素濃度の雰囲気で行な
う。
間と熱酸化の雰囲気を変えることで所望の分布をするこ
とができる。半導体基板の裏面から深く酸素を拡散する
場合は、熱酸化時の条件を高温、長時間かつ高酸素濃度
の雰囲気で行ない、浅く酸素を拡散する場合は、熱酸化
時の条件を低温、短時間かつ低酸素濃度の雰囲気で行な
う。
【００３１】次に、図４に示すように半導体基板の回路
素子形成予定領域１４にＮ+ 型拡散層６を形成した後、
Ｎ型エピタキシャル層７を成長させる。また、半導体基
板中に拡散した酸素拡散層５の酸素は、一部析出して結
晶欠陥８を形成し、工程からの汚染をゲッタリングする
が、受光素子の活性領域の酸素は、濃度が低いため析出
しない。
素子形成予定領域１４にＮ+ 型拡散層６を形成した後、
Ｎ型エピタキシャル層７を成長させる。また、半導体基
板中に拡散した酸素拡散層５の酸素は、一部析出して結
晶欠陥８を形成し、工程からの汚染をゲッタリングする
が、受光素子の活性領域の酸素は、濃度が低いため析出
しない。
【００３２】その後、Ｐ型分離拡散層９、Ｎ+ 型補償拡
散層１０、Ｐ型拡散層１１およびＮ + 型拡散層１２を形
成することで、図１の回路内蔵受光素子が製造される。
散層１０、Ｐ型拡散層１１およびＮ + 型拡散層１２を形
成することで、図１の回路内蔵受光素子が製造される。
【００３３】上記の実施例では、基板比抵抗３〜３０Ω
cmの場合について説明したが、基板比抵抗は問わないの
はもちろんであり、高比抵抗基板に適用した場合には、
特に効果が顕著である。
cmの場合について説明したが、基板比抵抗は問わないの
はもちろんであり、高比抵抗基板に適用した場合には、
特に効果が顕著である。
【００３４】素子の構造、プロセス工程は上記に限定さ
れるものではなく、本発明の酸素濃度の分布が必要な素
子にはすべて適用可能である。
れるものではなく、本発明の酸素濃度の分布が必要な素
子にはすべて適用可能である。
【００３５】また、半導体基板の結晶の種類は、初期酸
素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下であれば、ＦＺ、Ｍ
ＣＺ、ＣＺ結晶のいずれでもよい。
素濃度が１×１０18atoms/cm3 以下であれば、ＦＺ、Ｍ
ＣＺ、ＣＺ結晶のいずれでもよい。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、素子の歩留まりを下げ
ることなく、受光素子の感度向上およびノイズ低減が実
現できる。
ることなく、受光素子の感度向上およびノイズ低減が実
現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明による回路内蔵受光素子の略断
面図であり、（ｂ）はその内部の酸素濃度の分布を示
す。
面図であり、（ｂ）はその内部の酸素濃度の分布を示
す。
【図２】本発明の一工程の略断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の一工程の略断面図であり、
（ｂ）はその酸素濃度の分布を示す。
（ｂ）はその酸素濃度の分布を示す。
【図４】本発明の一実施例の一工程の略断面図である。
【図５】（ａ）は従来の回路内蔵受光素子の略断面図で
あり、（ｂ）はその酸素濃度の分布を示す。
あり、（ｂ）はその酸素濃度の分布を示す。
【図６】従来の回路内蔵受光素子の製造の一工程の略断
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １ Ｐ型半導体基板 ３ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 ６ Ｎ+ 型埋込拡散層 ７ Ｎ型エピタキシャル層 ８ 結晶欠陥 ９ Ｐ型分離拡散層 １０ Ｎ+ 型補償拡散層 １１ Ｐ型拡散層 １２ Ｎ+ 型拡散層 １８ 受光素子 １９ 回路素子
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の主面とその反対側の第２の主面と
を有する半導体基板を準備し、 酸素が拡散しにくい膜を前記基板の第１主面上に形成
し、 前記基板の第２主面のみから熱拡散によって 酸素を前記
基板内へ拡散させる工程を含むことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板の第１主面上には、前記膜が除
去された後に半導体受光素子が形成されることを特徴と
する請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記膜が除去された後に前記基板の第１
主面から受光した光の少なくとも９０％を吸収する深さ
までの光活性層の酸素濃度が１×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下にされ、前記光活性層以外の裏面層の酸素濃
度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上でかつ前記光
活性層より高濃度にされることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333099A JP2934111B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4333099A JP2934111B2 (ja) | 1992-12-14 | 1992-12-14 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181334A JPH06181334A (ja) | 1994-06-28 |
| JP2934111B2 true JP2934111B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=18262272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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