JP2930806B2 - Tuner circuit - Google Patents
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、テレビジョン受像機や
ビデオテープレコーダ等の高周波回路装置に使用される
チューナ回路に関するものであり、特にスイッチングダ
イオードを用いて受信バンドの切換を行う入力回路を有
するチューナ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tuner circuit used in a high-frequency circuit device such as a television receiver or a video tape recorder, and more particularly to an input circuit for switching a receiving band using a switching diode. And a tuner circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のチューナ回路を図5及び図6を参
照して説明する。通常VHFチューナの場合、可変容量
ダイオードVD1の容量変化だけではその周波数範囲を
カバーできないため、ホット側、アース側それぞれにつ
いてハイバンド用コイル、ローバンド用コイルを設ける
と共に、バンド切換用のスイッチングダイオードD2、
D3を設け、そのON/OFFによってインダクタンス
を可変することにより対応している。ここで、L3がホ
ット側のロ−バンド用コイル、L4がホット側のハイバ
ンド用コイルであり、一方ア−ス側はL1がロ−バンド
用コイル、L2がハイバンド用コイルである。2. Description of the Related Art A conventional tuner circuit will be described with reference to FIGS. In the case of a normal VHF tuner, the frequency range cannot be covered only by the capacitance change of the variable capacitance diode VD1, so that a high-band coil and a low-band coil are provided on each of the hot side and the ground side, and a switching diode D2 for band switching is provided.
D3 is provided and the inductance is varied by ON / OFF to cope with this. Here, L3 is a hot side low band coil, L4 is a hot side high band coil, while L1 is a low band coil and L2 is a high band coil on the earth side.
【0003】ローバンド選択時には、ローバンド用電源
端子BLに正電圧を印加すると、スイッチングダイオー
ドD1、D2のカソード側にバイアス抵抗R1、R2で
分圧された電圧が印加され、両スイッチングダイオード
は非導通となり、図6(a)に示すようにホット側、ア
ース側共にハイバンド用コイルとローバンド用コイルの
直列接続となる。しかし、ハイバンド用コイルはローバ
ンド用コイルに対して非常に小さいため、同調回路は図
6(b)に示すようにホット側ローバンド用コイルL3
とアース側ローバンド用コイルL1、可変容量ダイオー
ドVD1の容量VC及びトランジスタQ1の入力容量等
による付加容量Cで構成された単同調回路となる。When a low band is selected, when a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, a voltage divided by the bias resistors R1 and R2 is applied to the cathodes of the switching diodes D1 and D2, and both switching diodes become non-conductive. As shown in FIG. 6A, both the hot side and the ground side have a high band coil and a low band coil connected in series. However, since the high-band coil is much smaller than the low-band coil, the tuning circuit uses the hot-side low-band coil L3 as shown in FIG.
And a low-band coil L1 on the ground side, a capacitance VC of the variable capacitance diode VD1 and an additional capacitance C constituted by an input capacitance of the transistor Q1 and the like.
【0004】ハイバンド選択時はローバンド用電源端子
BLをオープンにし、ハイバンド用電源端子BHに正電
圧を印加することにより、スイッチングダイオードD
2、D3には順方向電圧が印加され導通となる。このた
め、図6(c)に示すようにホット側についてはローバ
ンド用コイルL3は結合コンデンサC5及びスイッチン
グダイオードD3によりキャンセルされ、スイッチング
ダイオードD3の直列抵抗分RD3とハイバンド用コイ
ルL4との直列接続となる。アース側についても同様に
ダイオードD2の直列抵抗分RD2とハイバンド用コイ
ルL2の直列接続となる。When the high band is selected, the switching diode D is opened by opening the low band power terminal BL and applying a positive voltage to the high band power terminal BH.
2, a forward voltage is applied to D3, and it becomes conductive. Therefore, as shown in FIG. 6C, on the hot side, the low-band coil L3 is canceled by the coupling capacitor C5 and the switching diode D3, and the series resistance RD3 of the switching diode D3 and the high-band coil L4 are connected in series. Becomes Similarly, on the ground side, the series resistance RD2 of the diode D2 and the high-band coil L2 are connected in series.
【0005】よってハイバンド選択時には、図6(d)
に示すようにホット側ハイバンド用コイルL4及びそれ
に直列接続される抵抗分Rcと、アース側ハイバンド用
コイルL2及びそれに直列接続されるRbと可変容量ダ
イオードVD1による容量VC及び付加容量Cで構成さ
れた単同調回路となる。Therefore, when the high band is selected, FIG.
As shown in the figure, the coil is composed of a hot-side high-band coil L4 and a resistor Rc connected in series thereto, a ground-side high-band coil L2 and a capacitor VC and an additional capacitor C formed by a variable-capacitance diode VD1 and an Rb connected in series thereto. A single tuning circuit is obtained.
【0006】高周波増幅段のトランジスタQ1にFET
(電界効果トランジスタ)を用い、且つハイバンドとロ
ーバンドとを切り換えて信号を選局するように構成した
チューナ回路においては、FETの特性によりローバン
ドの時の利得がハイバンドの時の利得より大きくなる。
そこで利得差を無くすため、ホット側のローバンド用コ
イルL3とハイバンド用コイルL4の接続点とアース側
のローバンド用コイルL1とハイバンド用コイルL2の
接続点との間にダンピング抵抗R3を接続し、ローバン
ド選択時のみ同調回路をダンピングして利得を下げるよ
うにしている。An FET is connected to the transistor Q1 of the high frequency amplification stage.
In a tuner circuit using (field-effect transistors) and selecting a signal by switching between high band and low band, the gain in the low band is larger than the gain in the high band due to the characteristics of the FET. .
In order to eliminate the gain difference, a damping resistor R3 is connected between a connection point between the hot side low band coil L3 and the high band coil L4 and a connection point between the ground side low band coil L1 and the high band coil L2. Only when the low band is selected, the tuning circuit is damped to reduce the gain.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ように構成されたチューナ回路は部品点数及び接続箇所
が非常に多く、一定面積の基板に全部品を実装する際の
実装密度が高いために半田付け作業が難しく歩留まりが
悪いと共に、部品コスト及び作業コストから製品コスト
が相当高くなるという問題があった。また、ハイバンド
選択時にはスイッチングダイオードD2、D3の直列抵
抗分が同調コイルのホット側、アース側のどちらにも直
列接続されるため、同調回路がダンピングされ、利得が
低下し、NF(ノイズ指数)を悪化させるという問題が
あった。However, the tuner circuit constructed as described above has an extremely large number of components and connection points, and has a high mounting density when all components are mounted on a board having a fixed area. There is a problem that the mounting work is difficult, the yield is low, and the product cost is considerably increased due to the parts cost and the working cost. When the high band is selected, the series resistance of the switching diodes D2 and D3 is connected in series to both the hot side and the ground side of the tuning coil, so that the tuning circuit is damped, the gain is reduced, and the NF (noise figure) is reduced. There was a problem that worsened.
【0008】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、部品点数を削減して半田付け作業の歩留まり
を改善すると共に、コストダウンを図り合わせてハイバ
ンド選択時の利得の低下を低減し、NFを改善したチュ
ーナ回路を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and reduces the number of components to improve the yield of the soldering operation. An object of the present invention is to provide a tuner circuit in which NF is reduced and NF is improved.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項1の発明は、スイッチングダイオードを用いて受
信バンドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路に
おいて、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハ
イバンド用コイルとを直接接続し、その接続点とバンド
切替用バイアス抵抗の一端の間に結合コンデンサを接続
し、且つホット側のローバンド用コイルと直接接続され
たアース側のローバンド用コイルと前記バンド切替用バ
イアス抵抗の一端との間に第1のバンド切替用スイッチ
ングダイオードを接続し、且つアース側のローバンド用
コイルと直接接続されたアース側のハイバンド用コイル
の接続点と前記バンド切替用バイアス抵抗の一端との間
に第2のスイッチングダイオードを接続し、さらに前記
バンド切替用バイアス抵抗の他端を高周波的に接地して
バイアス抵抗がローバンド受信時にダンピング抵抗とし
て働くようにした構成としている。[Means for Solving the Problems] In order to solve the above-mentioned problems
According to a first aspect of the present invention, in a tuner circuit having an input circuit for switching a reception band using a switching diode, a low-band coil and a high-band coil on the hot side of the input circuit are directly connected to each other, A coupling capacitor is connected between one end of the band switching bias resistor and directly connected to the hot side low band coil.
The band switching bar and the ground-side low-band coil of
A first band switching diode is connected between one end of the bias resistor and a low band on the ground side.
High band coil on the earth side directly connected to the coil
Between the connection point and one end of the band switching bias resistor.
Connected to a second switching diode,
The other end of the band switching bias resistor is grounded at high frequency.
The bias resistor is used as a damping resistor when receiving low band.
It is configured to work .
【0010】また、請求項2の発明は、スイッチングダ
イオードを用いて受信バンドの切換を行う入力回路を有
するチューナ回路において、入力回路のホット側のロー
バンド用コイルとハイバンド用コイルとを直接接続し、
その接続点とバンド切替用バイアス抵抗の一端との間に
結合コンデンサを接続し、且つアース側のローバンド用
コイルと直接接続されたアース側のハイバンド用コイル
の接続点にバンド切替用スイッチングダイオードを接続
し、さらに前記バンド切替用バイアス抵抗の他端を高周
波的に接地した構成としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a tuner circuit having an input circuit for switching a receiving band using a switching diode, wherein a low band coil and a high band coil on the hot side of the input circuit are directly connected. ,
Connect a coupling capacitor between the connection point and one end of the band switching bias resistor, and a ground-side low band
High band coil on the earth side directly connected to the coil
Connect a switching diode for band switching to the connection point of
And the other end of the band switching bias resistor has a high frequency.
The structure is grounded in waves .
【0011】[0011]
【作用】このような構成によると、第1、第2の発明い
ずれにおいても、ローバンド選択時にはバンド切換端子
に接続されたバイアス抵抗は、結合コンデンサを通して
ホット側のローバンド用コイルとハイバンド用コイルの
接続点に接続され、同調回路をダンピングする。According to such a configuration, in either of the first and second inventions, when the low band is selected, the bias resistor connected to the band switching terminal connects the hot side low band coil and the high band coil through the coupling capacitor. Connected to the connection point to dampen the tuning circuit.
【0012】また、ハイバンド選択時にはスイッチング
ダイオードが導通することによりローバンド用コイルは
キャンセルされる。またこの時、第1の発明においては
ホット側についてはハイバンド用コイルのみ、アース側
についてはハイバンド用コイル及びそれに直列接続され
るスイッチングダイオードの直列抵抗分で構成され、第
2の発明においてはホット側及びアース側ともにハイバ
ンド用コイルのみで構成される。When the high band is selected, the switching diode is turned on so that the low band coil is canceled. At this time, in the first invention, only the high-band coil is provided on the hot side, and the high-band coil and the switching diode connected in series to the high-band coil are provided on the ground side. Both the hot side and the ground side are composed of only high band coils.
【0013】よって、第1の発明においては、入力の同
調回路はスイッチングダイオードによってアース側コイ
ルしかダンピングされないため、NF(ノイズ指数)の
悪化が防止できる。そして、第2の発明においてはホッ
ト側、アース側ともにスイッチングダイオードによるダ
ンピングがないので、さらにNFが改善される。According to the first aspect of the present invention, since the input tuning circuit damps only the ground side coil by the switching diode, deterioration of NF (noise figure) can be prevented. In the second aspect of the present invention, since there is no damping by the switching diode on both the hot side and the ground side, NF is further improved.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、第1の本発明の一実施例に係るチ
ューナ回路の回路図である。ローバンド用コイルL3、
L1の入力側端子及びスイッチングダイオードD1のア
ノードは本回路の前段に接続されるフィルター回路(図
示せず)に対し結合コンデンサC1を介して接続され
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a tuner circuit according to one embodiment of the first invention. Low band coil L3,
The input terminal of L1 and the anode of the switching diode D1 are connected via a coupling capacitor C1 to a filter circuit (not shown) connected to the preceding stage of this circuit.
【0015】ホット側、アース側共にローバンド用コイ
ルL3、L1及びハイバンド用コイルL4、L2はそれ
ぞれ直列接続され、アース側のハイバンド用コイルL2
のアース側端子はハイバンド用電源端子BH及びバイパ
スコンデンサC7に接続される。ホット側のハイバンド
用コイルL4の出力側端子は結合コンデンサC2を介し
て可変容量ダイオードVD1及びトラッキング補正用コ
ンデンサC6に接続され、更に結合コンデンサC3を介
して高周波増幅用FETQ1のゲート1に接続される。The low-band coils L3 and L1 and the high-band coils L4 and L2 are connected in series on both the hot side and the ground side, and the high-band coil L2 on the ground side.
Is connected to the high band power supply terminal BH and the bypass capacitor C7. The output terminal of the hot side high band coil L4 is connected to the variable capacitance diode VD1 and the tracking correction capacitor C6 via the coupling capacitor C2, and further connected to the gate 1 of the high frequency amplification FET Q1 via the coupling capacitor C3. You.
【0016】ホット側のローバンド用コイルL3とハイ
バンド用コイルL4の接続点には結合コンデンサC4が
接続され、この結合コンデンサC4の他端はスイッチン
グダイオードD1、D2のカソード及びバイアス抵抗R
1、R2に接続される。また、バイアス抵抗R1は接地
され、バイアス抵抗R2はローバンド用電源端子BL及
びバイパスコンデンサC8に接続され、スイッチングダ
イオードD2のアノードはアース側のローバンド用コイ
ルL1とハイバンド用コイルL2の接続点に接続されて
いる。A coupling capacitor C4 is connected to a connection point between the low-band coil L3 and the high-band coil L4 on the hot side, and the other end of the coupling capacitor C4 has cathodes of switching diodes D1 and D2 and a bias resistor R2.
1, connected to R2. The bias resistor R1 is grounded, the bias resistor R2 is connected to the low-band power supply terminal BL and the bypass capacitor C8, and the anode of the switching diode D2 is connected to the connection point between the low-band coil L1 and the high-band coil L2 on the ground side. Have been.
【0017】次に、上記構成のチューナ回路において、
各バンド選択時の状態を説明する。 (イ)ローバンド選択時 ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加すると、スイ
ッチングダイオードD1、D2にバイアス抵抗R1、R
2で分圧された電圧が印加され、両スイッチングダイオ
ードD1、D2はいずれも非導通となる。これにより入
力同調回路は、図2(a)に示すようになる。ここで、
CD1、CD2はダイオ−ドD1、D2の容量である。
L2はL1に比し充分小さいので、この入力同調回路は
図2(b)に示すようにバイアス抵抗R1及びR2の合
成抵抗R’によりダンピングされた単同調回路を構成す
る。Next, in the tuner circuit having the above configuration,
The state when each band is selected will be described. (A) When low band is selected When a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, the bias resistances R1, R2 are applied to the switching diodes D1, D2.
The voltage divided by 2 is applied, and both switching diodes D1 and D2 are turned off. Thus, the input tuning circuit becomes as shown in FIG. here,
CD1 and CD2 are the capacitances of the diodes D1 and D2.
Since L2 is sufficiently smaller than L1, this input tuning circuit constitutes a single tuning circuit damped by the combined resistance R 'of the bias resistors R1 and R2, as shown in FIG. 2B.
【0018】(ロ)ハイバンド選択時 ローバンド用電源端子BLをオープンにし、ハイバンド
用電源端子BHに正電圧を印加することにより、スイッ
チングダイオードD1、D2に順方向電圧が印加され両
スイッチングダイオードD1、D2が導通する。これに
よりホット側のローバンド用コイルL3についてはスイ
ッチングダイオードD1の直列抵抗分RD1と結合コン
デンサC4によりキャンセルされ、アース側のローバン
ド用コイルL3については両スイッチングダイオードD
1、D2の直列抵抗分RD1、RD2によりキャンセル
される。よってハイバンド選択時には図2(c)に示す
ようにアース側ハイバンド用コイルL2及びそれに直列
接続されるスイッチングダイオードD2の直列抵抗分R
D2とホット側ハイバンド用コイルL4と可変容量ダイ
オードVD1による容量VC及び付加容量Cで構成され
た単同調回路となる。従って、この単同調回路はアース
側のみスイッチングダイオードの直列抵抗でダンピング
される。即ち、ホット側についてはダンピングされない
ため、NF(ノイズ指数)の悪化を防止することが可能
となる。(B) When high band is selected By opening the low band power terminal BL and applying a positive voltage to the high band power terminal BH, a forward voltage is applied to the switching diodes D1 and D2, and both switching diodes D1 , D2 conduct. As a result, the low-band coil L3 on the hot side is canceled by the series resistance RD1 of the switching diode D1 and the coupling capacitor C4, and the two switching diodes D3 on the low-band coil L3 on the ground side.
1 and D2 are canceled by the series resistance components RD1 and RD2. Therefore, when the high band is selected, as shown in FIG. 2C, the series resistance R of the earth side high band coil L2 and the switching diode D2 connected in series thereto.
A single tuned circuit composed of the capacitance VC and the additional capacitance C by D2, the hot side high band coil L4 and the variable capacitance diode VD1. Therefore, this single tuning circuit is damped only by the series resistance of the switching diode on the ground side. That is, since the damping is not performed on the hot side, it is possible to prevent deterioration of NF (noise figure).
【0019】第1の本発明の他の実施例を図3に示す。
同図において、ローバンド用コイルL3、L1の入力側
端子及びスイッチングダイオードD1のカソードは結合
コンデンサC1に接続され、スイッチングダイオードD
1、D2のアノードは互いに接続され、結合コンデンサ
C4及びハイバンド用バイアス抵抗R2に接続される。
ハイバンド用バイアス抵抗R2はバイパスコンデンサC
8により接地されたハイバンド用電源端子BHに接続さ
れている。結合コンデンサC4の他端は、ホット側のロ
ーバンド用コイルL3とハイバンド用コイルL4の接続
点に接続され、スイッチングダイオードD2のカソード
はアース側のローバンド用コイルL1とハイバンド用コ
イルL2の接続点に接続され、ハイバンド用コイルL2
のアース側端子はローバンド用電源端子BL、バイパス
コンデンサC7及びバイアス抵抗R1に接続されてい
る。各バンドにおける動作については図1の場合と同様
であり、図4(a)(b)にローバンド時、図4(c)
にハイバンド時の等価回路を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the first invention.
In the same figure, the input terminals of the low-band coils L3 and L1 and the cathode of the switching diode D1 are connected to a coupling capacitor C1.
The anodes of D1 and D2 are connected to each other and connected to a coupling capacitor C4 and a high-band bias resistor R2.
The high-band bias resistor R2 is a bypass capacitor C
8 is connected to a high-band power supply terminal BH grounded. The other end of the coupling capacitor C4 is connected to a connection point between the hot-side low-band coil L3 and the high-band coil L4, and a cathode of the switching diode D2 is connected to a ground-side connection point between the low-band coil L1 and the high-band coil L2. Connected to the high-band coil L2
Is connected to the low-band power supply terminal BL, the bypass capacitor C7, and the bias resistor R1. The operation in each band is the same as in the case of FIG. 1, and FIG.
Shows an equivalent circuit in the high band.
【0020】続いて、第2の本発明の実施例を説明す
る。図7は本発明の一実施例に係わるチューナ回路の回
路図である。ローバンド用コイルL3,L1の入力側端
子は本回路の前段に接続されるフィルター回路(図示せ
ず)に対し結合コンデンサC1を介して接続される。ホ
ット側、アース側共にローバンド用コイルL3,L1及
びハイバンド用コイルL4,L2はそれぞれ直列接続さ
れアース側のハイバンド用コイルL2のアース側端子は
ハイバンド用電源端子BH及びバイパスコンデンサC7
に接続される。ホット側のハイバンド用コイルL4の出
力側端子は結合コンデンサC2を介して可変容量ダイオ
ードVD1及びトラッキング補正用コンデンサC6に接
続され更に結合コンデンサC3を介して高周波増幅用F
ETQ1のゲートに接続される。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a circuit diagram of a tuner circuit according to one embodiment of the present invention. The input terminals of the low-band coils L3 and L1 are connected via a coupling capacitor C1 to a filter circuit (not shown) connected to the preceding stage of this circuit. On both the hot side and the ground side, the low band coils L3, L1 and the high band coils L4, L2 are connected in series, and the ground side terminal of the ground side high band coil L2 is a high band power terminal BH and a bypass capacitor C7.
Connected to. The output side terminal of the hot side high band coil L4 is connected to the variable capacitance diode VD1 and the tracking correction capacitor C6 via the coupling capacitor C2 and further to the high frequency amplification F via the coupling capacitor C3.
Connected to the gate of ETQ1.
【0021】ホット側のローバンド用コイルL3とハイ
バンド用コイルL4の接続点には結合コンデンサC4が
接続されこの結合コンデンサC4の他端はスイッチング
ダイオードD1のカソード及びバイアス抵抗R1,R2
に接続される。また、バイアス抵抗R1は接地され、バ
イアス抵抗R2はローバンド用電源端子BL及びバイパ
スコンデンサC8に接続され、スイッチングダイオード
D1のアノードはアース側のローバンド用コイルL1と
ハイバンド用コイルL2の接続点に接続されている。A coupling capacitor C4 is connected to the connection point between the low-band coil L3 and the high-band coil L4 on the hot side. The other end of the coupling capacitor C4 has a cathode of a switching diode D1 and bias resistors R1 and R2.
Connected to. The bias resistor R1 is grounded, the bias resistor R2 is connected to the low-band power supply terminal BL and the bypass capacitor C8, and the anode of the switching diode D1 is connected to the connection point between the low-band coil L1 and the high-band coil L2 on the ground side. Have been.
【0022】次に、上記構成のチューナ回路において各
バンド選択時の状態を説明する。 (イ)ローバンド選択時 ローバンド用電源端子BLに正電圧を印加するとスイッ
チングダイオードD1にバイアス抵抗R1,R2で分圧
された電圧が印加され、スイッチングダイオードD1は
非導通となる。これにより、入力同期回路は図8(a)
に示すようになる。ここでL2はL1に比べ充分に小さ
いのでこの入力同調回路は図8(b)に示すようにバイ
アス抵抗R1及びR2の合成抵抗R’によりダンピング
された単同調回路を構成する。Next, a state when each band is selected in the tuner circuit having the above configuration will be described. (A) When low band is selected When a positive voltage is applied to the low band power supply terminal BL, a voltage divided by the bias resistors R1 and R2 is applied to the switching diode D1, and the switching diode D1 becomes non-conductive. As a result, the input synchronization circuit becomes as shown in FIG.
It becomes as shown in. Here, since L2 is sufficiently smaller than L1, this input tuning circuit constitutes a single tuning circuit damped by the combined resistance R 'of the bias resistances R1 and R2 as shown in FIG. 8B.
【0023】(ロ)ハイバンド選択時 ローバンド用電源電圧端子BLをオープンにし、ハイバ
ンド用電源端子BHに正電圧を印加することにより、ス
イッチングダイオードD1に順方向電圧が印加されスイ
ッチングダイオードD1は導通する。これによりホット
側のローバンド用コイルL3及びアース側のローバンド
用コイルL1はそれぞれ結合コンデンサC4により並列
接続されキャンセルされる。よってハイバンド選択時に
は図8(c)に示すように同調回路外の合成インダクタ
ンスL’となり、同調回路はアース側ハイバンド用コイ
ルL2とホット側ハイバンド用コイルL4及び可変抵抗
ダイオードVD1の容量VCで構成された単同調回路と
なる。(B) When high band is selected By opening the low-band power supply voltage terminal BL and applying a positive voltage to the high-band power supply terminal BH, a forward voltage is applied to the switching diode D1 and the switching diode D1 becomes conductive. I do. As a result, the low-band coil L3 on the hot side and the low-band coil L1 on the ground side are connected in parallel by the coupling capacitor C4 and cancelled. Therefore, when the high band is selected, as shown in FIG. 8 (c), the combined inductance becomes L 'outside the tuning circuit, and the tuning circuit has the capacity VC of the ground side high band coil L2, the hot side high band coil L4, and the variable resistance diode VD1. Is formed as a single tuning circuit.
【0024】第2の本発明の他の実施例を図9に示す。
図9においてローバンド用コイルL3、L1の入力側端
子は結合コンデンサC1に接続される。ホット側、アー
ス側共にローバンド用コイルL3,L1及びハイバンド
用コイルL4,L2はそれぞれ直列接続され、アース側
のハイバンド用コイルL2のアース側端子にはローバン
ド用端子BLとバイパスコンデンサC7及びバイアス抵
抗R1が接続される。ホット側のローバンド用コイルL
3とハイバンド用コイルL4の接続点には結合コンデン
サC4が接続されこの結合コンデンサの他端はスイッチ
ングダイオードD1のアノード及びバイアス抵抗R2に
接続される。またバイアス抵抗R2はハイバンド用電源
端子BH及びバイパスコンデンサC8に接続されスイッ
チングダイオードD1のカソードはアース側のローバン
ド用コイルL1とハイバンド用コイルL2の接続点に接
続されている。各バンドにおける動作については図7の
場合と同様であり、図10(a)(b)にローバンド選
択時、図10(c)にハイバンド選択時の等価回路を示
す。FIG. 9 shows another embodiment of the second invention.
In FIG. 9, the input terminals of the low-band coils L3 and L1 are connected to a coupling capacitor C1. On both the hot side and the ground side, the low band coils L3 and L1 and the high band coils L4 and L2 are connected in series, and the low band terminal BL, the bypass capacitor C7 and the bias are connected to the ground side terminal of the high band coil L2 on the ground side. The resistor R1 is connected. Hot side low band coil L
A coupling capacitor C4 is connected to the connection point of the high band coil L4 and the other end of the coupling capacitor C4. The other end of the coupling capacitor is connected to the anode of the switching diode D1 and the bias resistor R2. The bias resistor R2 is connected to the high-band power supply terminal BH and the bypass capacitor C8, and the cathode of the switching diode D1 is connected to the connection point between the low-band coil L1 and the high-band coil L2 on the earth side. The operation in each band is the same as that in the case of FIG. 7, and FIGS. 10A and 10B show the equivalent circuits when the low band is selected, and FIG. 10C shows the equivalent circuit when the high band is selected.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように第1、第2の本発明
によればいずれにおいても、ローバンド選択時にはバン
ド切換端子に接続されたバイアス抵抗が結合コンデンサ
を通してホット側のローバンド用コイルとハイバンド用
コイルの接続点に接続され同調回路のダンピング抵抗と
して役割をはたすため、従来のようにダンピング抵抗を
別に設ける必要がなく、部品点数及び接続箇所を減らす
ことができる。従って、一定面積の基板における部品の
実装面積を低くして半田付け作業を容易化し歩留まりを
改善できると共に、部品コスト及び作業コストの低減に
よって製品のコストダウンを図ることができる。また、
第1の発明においてハイバンド選択時には、スイッチン
グダイオードの直列抵抗分がアース側コイルにのみ直列
接続されるため、従来例に比べ同調回路のダンピングは
非常に少なくなる。よって、利得の低下、即ちNF(ノ
イズ指数)の悪化を防止することができる。第2の発明
においては、同じくハイバンド選択時には、ホット側ア
ース側ともにスイッチングダイオードの直列抵抗分との
直列接続が無くなり第1の発明よりさらにNFを改善す
ることができる。As described above, according to the first and second embodiments of the present invention, when the low band is selected, the bias resistor connected to the band switching terminal is connected to the hot low band coil and the high band through the coupling capacitor. Since it is connected to the connection point of the use coil and serves as a damping resistance of the tuning circuit, it is not necessary to separately provide a damping resistance as in the related art, and the number of components and the number of connection points can be reduced. Therefore, the mounting area of the components on the board having a fixed area can be reduced to facilitate the soldering operation and improve the yield, and the cost of the product can be reduced by reducing the component cost and the operation cost. Also,
In the first invention, when the high band is selected, the series resistance of the switching diode is connected in series only to the ground side coil, so that the damping of the tuning circuit is extremely reduced as compared with the conventional example. Therefore, it is possible to prevent a decrease in gain, that is, a deterioration in NF (noise figure). In the second aspect, when the high band is selected, the series connection with the series resistance of the switching diode is eliminated on both the hot-side ground side and the NF can be further improved as compared with the first aspect.
【図1】 第1の本発明を実施したチュ−ナ回路の回路
図FIG. 1 is a circuit diagram of a tuner circuit embodying the first invention.
【図2】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 2 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
【図3】 第1の本発明の他の実施例の回路図FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the first invention.
【図4】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 4 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
【図5】 従来例の回路図FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional example.
【図6】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 6 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
【図7】 第2の本発明を実施したチュ−ナ回路の回路
図FIG. 7 is a circuit diagram of a tuner circuit embodying the second invention.
【図8】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等価
回路図FIG. 8 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
【図9】 第2の本発明の他の実施例の回路図FIG. 9 is a circuit diagram of another embodiment of the second invention.
【図10】 そのロ−バンドと、ハイバンド選択時の等
価回路図FIG. 10 is an equivalent circuit diagram when the low band and the high band are selected.
C1〜C5 結合コンデンサ C6 同調補正コンデンサ C7〜C9 バイパスコンデンサ L1 アース側ローバンド用コイル L2 アース側ハイバンド用コイル L3 ホット側ローバンド用コイル L4 ホット側ハイバンド用コイル D1〜D3 スイッチングダイオード VD1 可変容量ダイオード Q1 高周波増幅用FET R1、R2 バンド切換用バイアス抵抗 R3 ローバンド用ダンピング抵抗 R4 チューニング電圧印加抵抗 R5〜R7 FET用バイアス抵抗 R’ 合成抵抗(バイアス抵抗R1,R2による) L’ 合成インダクタンス(ローバンドコイルL1,L
3による)C1 to C5 Coupling capacitor C6 Tuning correction capacitor C7 to C9 Bypass capacitor L1 Earth side low band coil L2 Earth side high band coil L3 Hot side low band coil L4 Hot side high band coil D1 to D3 Switching diode VD1 Variable capacitance diode Q1 High-frequency amplification FET R1, R2 Band switching bias resistor R3 Low band damping resistor R4 Tuning voltage application resistor R5 to R7 FET bias resistor R 'Combined resistor (by bias resistors R1, R2) L' Combined inductance (low band coil L1, L
3)
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H04B 15/00 - 15/02 H03J 5/24 H04B 1/18 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H04B 15/00-15/02 H03J 5/24 H04B 1/18
Claims (2)
ドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路におい
て、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハイバ
ンド用コイルとを直接接続し、その接続点とバンド切替
用バイアス抵抗の一端の間に結合コンデンサを接続し、
且つホット側のローバンド用コイルと直接接続されたア
ース側のローバンド用コイルと前記バンド切替用バイア
ス抵抗の一端との間に第1のバンド切替用スイッチング
ダイオードを接続し、且つアース側のローバンド用コイ
ルと直接接続されたアース側のハイバンド用コイルの接
続点と前記バンド切替用バイアス抵抗の一端との間に第
2のスイッチングダイオードを接続し、さらに前記バン
ド切替用バイアス抵抗の他端を高周波的に接地してバイ
アス抵抗がローバンド受信時にダンピング抵抗として働
くようにしたことを特徴とするチューナ回路。In a tuner circuit having an input circuit for switching a reception band using a switching diode, a low-band coil and a high-band coil on the hot side of the input circuit are directly connected to each other, and the connection point and band switching are performed.
Connect a coupling capacitor between one end of the bias resistor for
And an earth-side low-band coil directly connected to the hot-side low- band coil and the band switching via.
A first band-switching switching diode is connected between one end of the resistor and a low-band coil on the ground side.
Of the high-band coil on the earth side directly connected to the
Between the connecting point and one end of the band switching bias resistor.
2 switching diodes, and
The other end of the bias resistor for switching
Ass resistance acts as a damping resistor during low band reception
Tuner circuit, characterized in that the memorial.
ドの切換を行う入力回路を有するチューナ回路におい
て、入力回路のホット側のローバンド用コイルとハイバ
ンド用コイルとを直接接続し、その接続点とバンド切替
用バイアス抵抗の一端との間に結合コンデンサを接続
し、且つアース側のローバンド用コイルと直接接続され
たアース側のハイバンド用コイルの接続点にバンド切替
用スイッチングダイオードを接続し、さらに前記バンド
切替用バイアス抵抗の他端を高周波的に接地したことを
特徴とするチューナ回路。2. A tuner circuit having an input circuit for switching a receiving band using a switching diode, wherein a low-band coil and a high-band coil on the hot side of the input circuit are directly connected to each other, and the connection point and band switching are performed.
Connected to one end of the bias resistor and connected directly to the low-band coil on the ground side.
Switch to the connection point of the high band coil on the ground side
Connecting a switching diode for
A tuner circuit characterized in that the other end of the switching bias resistor is grounded at a high frequency .
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---|---|---|---|
JP17584692A JP2930806B2 (en) | 1991-10-30 | 1992-07-03 | Tuner circuit |
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JP3-313708 | 1991-10-30 | ||
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Publications (2)
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JP2930806B2 true JP2930806B2 (en) | 1999-08-09 |
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