JP2929173B2 - 低雑音squid磁束計 - Google Patents
低雑音squid磁束計Info
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- JP2929173B2 JP2929173B2 JP6023896A JP6023896A JP2929173B2 JP 2929173 B2 JP2929173 B2 JP 2929173B2 JP 6023896 A JP6023896 A JP 6023896A JP 6023896 A JP6023896 A JP 6023896A JP 2929173 B2 JP2929173 B2 JP 2929173B2
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はジョセフソン効果を
利用したSQUID磁束計に関するものであり、更に詳
しくは、SQUIDに直結される増幅器の雑音を低減し
た磁束計の回路構成に関するものである。
利用したSQUID磁束計に関するものであり、更に詳
しくは、SQUIDに直結される増幅器の雑音を低減し
た磁束計の回路構成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、公知のSQUID磁束計は、液体
ヘリウムをためておくデュワー(またはクライオスタッ
ト)と、液体ヘリウム中で動作するSQUIDプローブ
と、室温動作のアンプ及びコントローラで構成され、液
体ヘリウム中のSQUIDプローブと室温アンプは同軸
ケーブルで接続されている。
ヘリウムをためておくデュワー(またはクライオスタッ
ト)と、液体ヘリウム中で動作するSQUIDプローブ
と、室温動作のアンプ及びコントローラで構成され、液
体ヘリウム中のSQUIDプローブと室温アンプは同軸
ケーブルで接続されている。
【0003】通常、この室温アンプを介してFLL(磁
束ロックループ:Flux Lock Loop)と呼ばれる線形動作
のためのフィードバックを構成することによりゼロ位法
が成り立つように制御される。生体磁気計測など多数点
の磁気計測を同時に行なう場合、デュワー内には数十個
〜数百個のSQUIDをアレイ状に配置して磁場の空間
分布をとる。
束ロックループ:Flux Lock Loop)と呼ばれる線形動作
のためのフィードバックを構成することによりゼロ位法
が成り立つように制御される。生体磁気計測など多数点
の磁気計測を同時に行なう場合、デュワー内には数十個
〜数百個のSQUIDをアレイ状に配置して磁場の空間
分布をとる。
【0004】この際、各SQUIDに同数のFLL回路
が接続されるため、チャンネル数が多い大規模なシステ
ムの場合、回路規模が大きくなることが問題とされる。
が接続されるため、チャンネル数が多い大規模なシステ
ムの場合、回路規模が大きくなることが問題とされる。
【0005】通常は、磁束を変調してFLLをかけるロ
ックアンプの手法が用いられるが、これは回路構成が複
雑となる。従って、回路を小型にするために直結、無変
調のFLL回路が提案されており、一部で実用化されて
いる。
ックアンプの手法が用いられるが、これは回路構成が複
雑となる。従って、回路を小型にするために直結、無変
調のFLL回路が提案されており、一部で実用化されて
いる。
【0006】一方、SQUIDの出力電圧は数十μVと
小さいため電子回路の電流性雑音や電圧性雑音でも低周
波の成分は問題になる。生体磁気計測においては数Hz〜
数10Hzの帯域が重要な情報を含んでいるため、回路雑
音の低周波成分の1/fノイズや増幅器のドリフトがS
/N比を悪化させていた。
小さいため電子回路の電流性雑音や電圧性雑音でも低周
波の成分は問題になる。生体磁気計測においては数Hz〜
数10Hzの帯域が重要な情報を含んでいるため、回路雑
音の低周波成分の1/fノイズや増幅器のドリフトがS
/N比を悪化させていた。
【0007】これは、変調型で使われる交流増幅器には
なかった直流増幅器に固有の問題であり、とりわけ、直
結型で採用されるAPFとよばれるSQUIDに正帰還
をかけて磁束電圧変換率を向上させることにより増幅器
とノイズマッチングを取る方法では、SQUIDのダイ
ナミック抵抗が増加するため、増幅器の電流性雑音が問
題となっていた。
なかった直流増幅器に固有の問題であり、とりわけ、直
結型で採用されるAPFとよばれるSQUIDに正帰還
をかけて磁束電圧変換率を向上させることにより増幅器
とノイズマッチングを取る方法では、SQUIDのダイ
ナミック抵抗が増加するため、増幅器の電流性雑音が問
題となっていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】更に、シリーズSQU
IDアレイのような手法で出力電圧を増加させる場合に
おいてもダイナミック抵抗がSQUIDの接続個数に比
例して増加するため、同様の問題を生じており、直結型
のFLL回路を持つSQUID磁束計は特に超低周波の
信号を取り扱う用途には向かなかないという問題を有し
ていた。
IDアレイのような手法で出力電圧を増加させる場合に
おいてもダイナミック抵抗がSQUIDの接続個数に比
例して増加するため、同様の問題を生じており、直結型
のFLL回路を持つSQUID磁束計は特に超低周波の
信号を取り扱う用途には向かなかないという問題を有し
ていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような従来
技術の問題点に鑑みてなされたもので、dc−SQUI
D(以下SQUIDと記す)を磁場検出用のセンサとす
る磁束計において、センサSQUIDである第一のSQ
UIDと、該第一のSQUIDの出力電圧を電流として
取り出す抵抗と、該抵抗に直結するコイルと、該コイル
に磁気的に結合した第二のSQUIDか若しくはSQU
IDアレイと、該第二のSQUIDか若しくはSQUI
Dアレイの電圧出力を直接受ける室温動作の増幅器と、
上記第一のSQUIDのバイアス電流をON/OFFす
るためのスイッチ手段と、該スイッチ手段の駆動装置か
ら構成され、上記スイッチ手段のON状態での出力電圧
からOFF状態の出力電圧を減算する減算手段を設けた
低雑音SQUID磁束計を提供するものである。
技術の問題点に鑑みてなされたもので、dc−SQUI
D(以下SQUIDと記す)を磁場検出用のセンサとす
る磁束計において、センサSQUIDである第一のSQ
UIDと、該第一のSQUIDの出力電圧を電流として
取り出す抵抗と、該抵抗に直結するコイルと、該コイル
に磁気的に結合した第二のSQUIDか若しくはSQU
IDアレイと、該第二のSQUIDか若しくはSQUI
Dアレイの電圧出力を直接受ける室温動作の増幅器と、
上記第一のSQUIDのバイアス電流をON/OFFす
るためのスイッチ手段と、該スイッチ手段の駆動装置か
ら構成され、上記スイッチ手段のON状態での出力電圧
からOFF状態の出力電圧を減算する減算手段を設けた
低雑音SQUID磁束計を提供するものである。
【0010】本発明は、磁束電圧変換率dV/dΦの上記S
QUIDアレイに抵抗Rnと結合コイルMnから構成され、
帰還率β=(dV/dΦ)×Mn/Rn≧1となるように負帰還回路
を設け、且つ動作点をΦ−V曲線(磁束電圧変換曲線)
の斜面の略中点に位置させるための磁束バイアス回路を
設けた低雑音SQUID磁束計を提供するものである。
QUIDアレイに抵抗Rnと結合コイルMnから構成され、
帰還率β=(dV/dΦ)×Mn/Rn≧1となるように負帰還回路
を設け、且つ動作点をΦ−V曲線(磁束電圧変換曲線)
の斜面の略中点に位置させるための磁束バイアス回路を
設けた低雑音SQUID磁束計を提供するものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下に本発明の動作原理を説明す
る。先ず、センサSQUIDである第一のSQUIDの
磁束電圧変換率を(dV/dΦ)1、第二のSQUIDか若し
くはSQUIDアレイの磁束電圧変換率を(dV/dΦ)2と
し、第二のSQUIDか若しくはSQUIDアレイのダ
イナミック抵抗をRdとする。
る。先ず、センサSQUIDである第一のSQUIDの
磁束電圧変換率を(dV/dΦ)1、第二のSQUIDか若し
くはSQUIDアレイの磁束電圧変換率を(dV/dΦ)2と
し、第二のSQUIDか若しくはSQUIDアレイのダ
イナミック抵抗をRdとする。
【0012】また、結合用抵抗の抵抗値をRl、連結コイ
ルの相互インダクタンスをMl、室温増幅器の電流性雑音
および電圧性雑音の内の低周波成分(温度ドリフトを含
む1/f雑音) をそれぞれIn、Vnとおく。
ルの相互インダクタンスをMl、室温増幅器の電流性雑音
および電圧性雑音の内の低周波成分(温度ドリフトを含
む1/f雑音) をそれぞれIn、Vnとおく。
【0013】即ち、第一のSQUIDに入力する磁束が
ΔΦのとき、第二のSQUIDの出力ΔVonは下記に示
す数式1で与えられる。
ΔΦのとき、第二のSQUIDの出力ΔVonは下記に示
す数式1で与えられる。
【0014】
【数1】
【0015】ここで、数式1の第一項は信号成分であ
る。この際、増幅器の揺らぎ(温度ドリフトを含む1/f
雑音) の低周波成分は、ごく短い時間内では時系列上
の相関があるため、第一のSQUIDのバイアス電流を
高速にON/OFFしたときのデータ上では、互いに隣
り合うか時間的に近いデータ間では第二、第三項はそれ
ぞれ等しいと見ることができる。
る。この際、増幅器の揺らぎ(温度ドリフトを含む1/f
雑音) の低周波成分は、ごく短い時間内では時系列上
の相関があるため、第一のSQUIDのバイアス電流を
高速にON/OFFしたときのデータ上では、互いに隣
り合うか時間的に近いデータ間では第二、第三項はそれ
ぞれ等しいと見ることができる。
【0016】従って、OFF時の電圧出力をΔVoff と
すると、バイアス電流がOFFの時は(dV/dΦ)1=0で
あるから下記に示す数式2で与えられる。
すると、バイアス電流がOFFの時は(dV/dΦ)1=0で
あるから下記に示す数式2で与えられる。
【0017】
【数2】
【0018】そして、数式1、2のデータを一時的に蓄
えておき、減算した結果をΔVとおけば下記に示す数式
3で与えられる。
えておき、減算した結果をΔVとおけば下記に示す数式
3で与えられる。
【0019】
【数3】
【0020】この際、ΔΦ以外は定数であるので、信号
以外の成分が除去できることがわかる。
以外の成分が除去できることがわかる。
【0021】図1は本発明の一実施形態における低雑音
SQUID磁束計の回路図である。図において1は磁場
を検知するための1個以上のセンサSQUIDでピック
アップコイルやシャント抵抗は省略して記載してある。
また、図2で説明する負帰還回路も省略してあるが、負
帰還回路は必ずしも付属してなくてもよい。
SQUID磁束計の回路図である。図において1は磁場
を検知するための1個以上のセンサSQUIDでピック
アップコイルやシャント抵抗は省略して記載してある。
また、図2で説明する負帰還回路も省略してあるが、負
帰還回路は必ずしも付属してなくてもよい。
【0022】2、3は各SQUIDにバイアス電流を供
給するための制限抵抗である。2に流れる電流はスイッ
チ4(アナログスイッチまたはメカニカルスイッチ)を
用いて、開閉制御信号源5の出力によってON/OFF
制御される。
給するための制限抵抗である。2に流れる電流はスイッ
チ4(アナログスイッチまたはメカニカルスイッチ)を
用いて、開閉制御信号源5の出力によってON/OFF
制御される。
【0023】また、6はバイアス電流を供給するための
電源である。7はSQUIDか若しくは複数のSQUI
Dを直列に接続したSQUIDアレイで、図1において
はSQUIDアレイでの構成例を示しており、且つ出力
電圧端子に抵抗8を接続して負帰還をかけることによ
り、図2で説明するΦ−V特性の動作点付近の線形性を
向上させているものである。
電源である。7はSQUIDか若しくは複数のSQUI
Dを直列に接続したSQUIDアレイで、図1において
はSQUIDアレイでの構成例を示しており、且つ出力
電圧端子に抵抗8を接続して負帰還をかけることによ
り、図2で説明するΦ−V特性の動作点付近の線形性を
向上させているものである。
【0024】更に、これらのSQUIDは負帰還を用い
ずに非対称にバイアス電流を注入することにより、Φ−
V特性を変形させて線形な領域を用いてもよい。
ずに非対称にバイアス電流を注入することにより、Φ−
V特性を変形させて線形な領域を用いてもよい。
【0025】そして、スイッチ4がONされたセンサS
QUID1は、バイアス電流が供給されるため、電圧状
態に転移する。従って、入力磁束に応じた出力電圧を発
生する。
QUID1は、バイアス電流が供給されるため、電圧状
態に転移する。従って、入力磁束に応じた出力電圧を発
生する。
【0026】一方、OFF状態にあるセンサSQUID
1は超伝導状態にあるため電圧は発生しない。このよう
にしてセンサSQUID1で発生した電圧は抵抗9で制
限された値だけ、次段のSQUIDアレイ7にインプッ
トコイル10を通じて伝達される。
1は超伝導状態にあるため電圧は発生しない。このよう
にしてセンサSQUID1で発生した電圧は抵抗9で制
限された値だけ、次段のSQUIDアレイ7にインプッ
トコイル10を通じて伝達される。
【0027】ここで、センサSQUID1の磁場感度を
η、センサSQUID1、およびSQUIDアレイ7の
磁束電圧変換率を各々dV/dΦ1、dV/dΦ2、抵抗9の抵
抗値をR、インプットコイル10とSQUIDアレイ7
とのカップリングをMnとすると、入力磁場Bに対する
7の出力電圧Vo は下記に示す数式4で与えられる。
η、センサSQUID1、およびSQUIDアレイ7の
磁束電圧変換率を各々dV/dΦ1、dV/dΦ2、抵抗9の抵
抗値をR、インプットコイル10とSQUIDアレイ7
とのカップリングをMnとすると、入力磁場Bに対する
7の出力電圧Vo は下記に示す数式4で与えられる。
【0028】
【数4】
【0029】11はセンサSQUID1の動作点を設定
するためにバイアス磁束を与えるための磁束入力コイル
で電流制限用抵抗12、電圧設定用電源13と共にΦ−
V曲線の斜面の中点付近に動作点がくるように調整され
る。同様に、SQUIDアレイ7の動作点を設定するた
めに磁束入力コイル14、電流制限用抵抗15、電圧設
定用電源16で示すバイアス磁束設定用回路を設ける。
するためにバイアス磁束を与えるための磁束入力コイル
で電流制限用抵抗12、電圧設定用電源13と共にΦ−
V曲線の斜面の中点付近に動作点がくるように調整され
る。同様に、SQUIDアレイ7の動作点を設定するた
めに磁束入力コイル14、電流制限用抵抗15、電圧設
定用電源16で示すバイアス磁束設定用回路を設ける。
【0030】そして、SQUIDアレイ7の出力は電圧
増幅器17、18で増幅される。この際、SQUIDア
レイ7の出力はバイアス電圧をはいているので、バイア
ス電圧調整用電源19で出力の変動範囲を設定する。
増幅器17、18で増幅される。この際、SQUIDア
レイ7の出力はバイアス電圧をはいているので、バイア
ス電圧調整用電源19で出力の変動範囲を設定する。
【0031】電圧増幅器18はセンサSQUID1の出
力がON/OFFされると上述した数式1、2で示され
る電圧が増幅された値を交互に出力するためサンプルホ
ールド回路20a、20bの何れかで出力電圧のそれぞ
れの値を一時ホールドして差動増幅器21で減算して数
式3の値に相当する出力を得る。
力がON/OFFされると上述した数式1、2で示され
る電圧が増幅された値を交互に出力するためサンプルホ
ールド回路20a、20bの何れかで出力電圧のそれぞ
れの値を一時ホールドして差動増幅器21で減算して数
式3の値に相当する出力を得る。
【0032】尚、サンプルホールド回路20a、20b
及び差動増幅器21は図にはしめさないがフライングキ
ャパシタを用いた減算器で構成しても同様な効果を得る
ことができる。
及び差動増幅器21は図にはしめさないがフライングキ
ャパシタを用いた減算器で構成しても同様な効果を得る
ことができる。
【0033】以下、図2、図3及び図4を用いて上述し
た実施形態の細部を説明する。先ず、SQUIDの出力
は図4の細線で示すように入力磁束に対して出力電圧は
正弦波状に変化する。
た実施形態の細部を説明する。先ず、SQUIDの出力
は図4の細線で示すように入力磁束に対して出力電圧は
正弦波状に変化する。
【0034】従って、通常はFLL回路とよばれる磁束
ロック回路で入力磁束の変化に対して出力電圧が直線的
にでるようにゼロ位法が成り立つようなフィードバック
補正がなされる。しかしながら、このような補正は従来
技術の欠点に述べたようなロック飛の問題がある。
ロック回路で入力磁束の変化に対して出力電圧が直線的
にでるようにゼロ位法が成り立つようなフィードバック
補正がなされる。しかしながら、このような補正は従来
技術の欠点に述べたようなロック飛の問題がある。
【0035】そこで、図2に示すような抵抗とコイルか
ら構成される負帰還回路を設けることで出力電圧の線形
化を図る。抵抗22の抵抗値をRn 、コイル23とSQ
UIDの相互結合インダクタンスをMn 、SQUID2
4の磁束電圧変換率をdV/dΦとすると帰還率βは下記に
示す数式5で与えられる。
ら構成される負帰還回路を設けることで出力電圧の線形
化を図る。抵抗22の抵抗値をRn 、コイル23とSQ
UIDの相互結合インダクタンスをMn 、SQUID2
4の磁束電圧変換率をdV/dΦとすると帰還率βは下記に
示す数式5で与えられる。
【0036】
【数5】
【0037】ここで、β≧0とするとき図4で示す太線
のようにΦ−V曲線は変形する。このときの帰還後の磁
束電圧変換率は、下記に示す数式6で与えられる。
のようにΦ−V曲線は変形する。このときの帰還後の磁
束電圧変換率は、下記に示す数式6で与えられる。
【0038】
【数6】
【0039】この際、βが1から3の範囲においては、
正弦波状のΦ−V曲線は鋸波状となり図4に示す太線の
斜面は線形性が増加する。また、帰還のないとき線形範
囲はΦ1がΦo/2 以下であるのに対し、Φ2で示す範
囲のように線形部がβの値に応じて(βが2付近で)Φ
o 付近まで拡大される。
正弦波状のΦ−V曲線は鋸波状となり図4に示す太線の
斜面は線形性が増加する。また、帰還のないとき線形範
囲はΦ1がΦo/2 以下であるのに対し、Φ2で示す範
囲のように線形部がβの値に応じて(βが2付近で)Φ
o 付近まで拡大される。
【0040】このとき、(図4に示す)線形部の中央に
磁束バイアスを加えることで、外部から加わる磁場の変
動はこの点を中心に振れることになる。
磁束バイアスを加えることで、外部から加わる磁場の変
動はこの点を中心に振れることになる。
【0041】通常、計測する磁場の大きさは、生体磁気
計測の場合、数10pT程度であるが、磁場感度ηはピッ
クアップコイルからSQUIDまでの伝達効率を含めて
数nT/Φo程度であるため、信号のダイナミックレンジは
Φo/10以下である。
計測の場合、数10pT程度であるが、磁場感度ηはピッ
クアップコイルからSQUIDまでの伝達効率を含めて
数nT/Φo程度であるため、信号のダイナミックレンジは
Φo/10以下である。
【0042】一方、直流的な磁場変動は地磁気の日変化
で50nT/Φo程度であり、磁気シールドルーム内の環境
下では1/100程度であるためバイアス点の変動は比
較的小さい。従って、線形性さえ得られれば開ループで
も計測に支障は生じない。
で50nT/Φo程度であり、磁気シールドルーム内の環境
下では1/100程度であるためバイアス点の変動は比
較的小さい。従って、線形性さえ得られれば開ループで
も計測に支障は生じない。
【0043】図3はSQUIDアレイにおいても同様な
負帰還を設けることで、出力電圧の線形化を図るもので
ある。SQUIDアレイ27に負帰還抵抗26とコイル
25からなる負帰還回路を設けると線形化と引替に室温
動作の増幅器とのノイズマッチングが低下する。
負帰還を設けることで、出力電圧の線形化を図るもので
ある。SQUIDアレイ27に負帰還抵抗26とコイル
25からなる負帰還回路を設けると線形化と引替に室温
動作の増幅器とのノイズマッチングが低下する。
【0044】即ち、図1のセンサSQUID1で負帰還
をしたものを直接電圧増幅器17に接続すると信号対雑
音比が低下する。これは増幅器の雑音をVn とすると、
入力換算磁場雑音がVn/(dV/dΦ)'で与えられるためであ
る。
をしたものを直接電圧増幅器17に接続すると信号対雑
音比が低下する。これは増幅器の雑音をVn とすると、
入力換算磁場雑音がVn/(dV/dΦ)'で与えられるためであ
る。
【0045】SQUIDアレイ7でセンサSQUID1
の出力電圧を受けるのはこのためで、ここで、増幅する
ことによりS/N比の改善をしている。
の出力電圧を受けるのはこのためで、ここで、増幅する
ことによりS/N比の改善をしている。
【0046】以上、本発明を実施形態に基づいて説明し
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。例えば、サンプルホー
ルド回路の代わりに、電圧出力をAD変換してデジタルデ
ータとして蓄え、時系列上でON、OFF時のデータを
減算してもよい。
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。例えば、サンプルホー
ルド回路の代わりに、電圧出力をAD変換してデジタルデ
ータとして蓄え、時系列上でON、OFF時のデータを
減算してもよい。
【0047】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明における低
雑音SQUID磁束計においては、低周波雑音を低減で
きるため、生体磁気計測でも特に低い信号成分を計測す
ることができる。また、SQUIDアレイを用いること
によって、更に超低雑音の増幅が可能であると共に、電
子回路は極めて単純な構成のため、低コストで且つ高い
S/N比が確保できる。
雑音SQUID磁束計においては、低周波雑音を低減で
きるため、生体磁気計測でも特に低い信号成分を計測す
ることができる。また、SQUIDアレイを用いること
によって、更に超低雑音の増幅が可能であると共に、電
子回路は極めて単純な構成のため、低コストで且つ高い
S/N比が確保できる。
【0048】一方、開ループで計測するため、過大入力
や電源雑音などで計測が一時的に阻害されても、継続し
て計測を続けることが出きる等、優れた効果を奏する。
や電源雑音などで計測が一時的に阻害されても、継続し
て計測を続けることが出きる等、優れた効果を奏する。
【図1】本発明の一実施形態における低雑音SQUID
磁束計の要部回路図である。
磁束計の要部回路図である。
【図2】SQUIDの負帰還回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
【図3】SQUIDアレイの負帰還回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図4】SQUIDの入出力特性を示す特性図である。
1 センサSQUID 2、3、12、15 電流制限抵抗 4 スイッチ 5 開閉制御信号源 6 バイアス電流供給用電圧源 7、27 SQUIDアレイ 8、22、26 負帰還抵抗 9 結合用抵抗 10、22、25 インプットコイル 11、14 磁束入力コイル 13、16 電圧設定用電源 17、18 電圧増幅器 19 バイアス電源 20a、20b サンプルホールド回路 21 差動増幅器
Claims (2)
- 【請求項1】 dc−SQUID(以下SQUIDと記
す)を磁場検出用のセンサとする磁束計において、 センサSQUIDである第一のSQUIDと、該第一の
SQUIDの出力電圧を電流として取り出す抵抗と、該
抵抗に直結するコイルと、該コイルに磁気的に結合した
第一のSQUIDアレイと、該第一のSQUIDアレイ
の電圧出力を直接受ける室温動作の増幅器と、上記第一
のSQUIDのバイアス電流をON/OFFするための
スイッチ手段と、該スイッチ手段の駆動装置から構成さ
れ、上記スイッチ手段のON状態での出力電圧からOF
F状態の出力電圧を減算する減算手段を設けたことを特
徴とする低雑音SQUID磁束計。 - 【請求項2】 磁束電圧変換率dV/dΦの上記SQUID
アレイに抵抗Rnと結合コイルMnから構成され、帰還率β
=(dV/dΦ)×Mn/Rn≧1となるように負帰還回路を設け、
且つ動作点をΦ−V曲線(磁束電圧変換曲線)の斜面の
略中点に位置させるための磁束バイアス回路を設けたこ
とを特徴とする請求項1に記載の低雑音SQUID磁束
計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6023896A JP2929173B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 低雑音squid磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6023896A JP2929173B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 低雑音squid磁束計 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09230014A JPH09230014A (ja) | 1997-09-05 |
JP2929173B2 true JP2929173B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=13136406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6023896A Expired - Lifetime JP2929173B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 低雑音squid磁束計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2929173B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10725141B2 (en) * | 2018-07-31 | 2020-07-28 | United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy | Electromagnetic signal phase discrimination using superconductive sensors and a nonlinear detector |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP6023896A patent/JP2929173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09230014A (ja) | 1997-09-05 |
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