JP2927625B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
Liquid crystal display device and manufacturing method thereofInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング素子とし
て、例えば薄膜トランジスタ（Ｔhin ＦilmＴransisto
r、以下ＴＦＴと略称する）、ダイオード、ＭＩＭ（金
属−絶縁膜−金属）素子などを備えたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置とその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching element, for example, a thin film transistor (Thin Film Transistor).
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device including a device, a diode, an MIM (metal-insulating film-metal) element, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス型液晶表示
装置はＣＲＴに代わるパーソナルコンピューター等の表
示装置として注目され開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, active matrix type liquid crystal display devices have attracted attention and have been developed as display devices such as personal computers in place of CRTs.
【０００３】一般的なアクティブマトリクス型液晶表示
装置として、ＴＦＴ液晶表示装置を図４および図５に示
す。この液晶表示装置は、対向する一対のベース基板１
０１と対向基板１０２との間に液晶１１５を挟持した構
成をとる。FIGS. 4 and 5 show a TFT liquid crystal display device as a general active matrix type liquid crystal display device. This liquid crystal display device includes a pair of opposing base substrates 1.
In this configuration, a liquid crystal 115 is interposed between the liquid crystal 115 and the counter substrate 102.
【０００４】ベース基板１０１上には複数のソースバス
配線１０３…と複数のゲートバス配線１０４…とが互い
に直交して配設され、両バス配線１０３、１０４の交差
部は絶縁膜１０５を介して相互に絶縁されている。両バ
ス配線１０３と１０４とが囲むそれぞれの領域には絵素
電極１０８が形成され、各絵素電極１０８にはＴＦＴ１
２０が接続されている。ＴＦＴ１２０のソース電極１０
６はソースバス配線１０３に接続され、ＴＦＴ１２０の
ドレイン電極１０７は絵素電極１０８に接続されてい
る。このベース基板１０１の全表面を覆って配向膜１１
３ａが塗布され、配向処理が施されている。A plurality of source bus lines 103 and a plurality of gate bus lines 104 are arranged orthogonally to each other on a base substrate 101, and the intersection of the two bus lines 103 and 104 is interposed via an insulating film 105. Insulated from each other. A pixel electrode 108 is formed in each area surrounded by both bus lines 103 and 104, and each pixel electrode 108 has a TFT 1
20 are connected. Source electrode 10 of TFT 120
6 is connected to the source bus wiring 103, and the drain electrode 107 of the TFT 120 is connected to the picture element electrode 108. The alignment film 11 covers the entire surface of the base substrate 101.
3a is applied, and an orientation process is performed.
【０００５】もう一方の対向基板１０２上には、前記ベ
ース基板１０１上のＴＦＴ１２０、ソースバス配線１０
３、ゲートバス配線１０４の形成位置に対応して遮光膜
（以下、ブラックマトリクスと称する）１１０が形成さ
れている。また、この対向基板１０２にはベース基板１
０１上の絵素電極１０８に対応する位置、つまり前記ブ
ラックマトリクス１１０に隣接してカラーフィルタ１１
１が形成されている。このブラックマトリクス１１０及
びカラーフィルタ１１１の上であって、対向基板１０２
上の内面側に絵素電極１０８の対向電極１１２として透
明電極膜が形成されている。この対向電極１１２上には
配向膜１１３ｂが形成され、配向処理が施されている。On the other counter substrate 102, the TFT 120 on the base substrate 101 and the source bus wiring 10
3. A light-shielding film (hereinafter, referred to as a black matrix) 110 is formed corresponding to the position where the gate bus wiring 104 is formed. The counter substrate 102 has a base substrate 1
01, that is, adjacent to the black matrix 110, the color filter 11
1 is formed. On the black matrix 110 and the color filter 111, the opposing substrate 102
On the upper inner surface side, a transparent electrode film is formed as a counter electrode 112 of the picture element electrode 108. An alignment film 113b is formed on the counter electrode 112, and is subjected to an alignment process.
【０００６】以上のような両基板１０１、１０２はその
間隔が約５μｍ程度になるように両基板１０１、１０２
間に所定の厚みのスペーサ１１４が挿入され、この状態
で両基板１０１、１０２の隙間に液晶１１５が注入さ
れ、両基板１０１、１０２の周辺部がシール材によりシ
ールされている。The two substrates 101 and 102 are arranged such that the distance between them is about 5 μm.
A spacer 114 having a predetermined thickness is inserted between the substrates. In this state, liquid crystal 115 is injected into a gap between the substrates 101 and 102, and the peripheral portions of the substrates 101 and 102 are sealed with a sealing material.
【０００７】このような液晶表示装置は以下のように動
作する。ゲートバス配線１０４に走査信号を供給すると
ともに、ソースバス配線１０３に映像信号を供給してＴ
ＦＴをスイッチングする。このスイッチングにより絵素
電極１０８が選択されると、絵素電極１０８とこれに対
応する対向電極１１２との間に電圧が印加され、両電極
１０８、１１２間の液晶分子の配列が制御される。制御
された液晶分子の配列に応じて絵素電極１０８、カラー
フィルタ１１１を透過する光が変調され映像が表示され
る。[0007] Such a liquid crystal display device operates as follows. A scan signal is supplied to the gate bus wiring 104 and a video signal is supplied to the
Switching FT. When the pixel electrode 108 is selected by this switching, a voltage is applied between the pixel electrode 108 and the corresponding counter electrode 112, and the arrangement of the liquid crystal molecules between the electrodes 108 and 112 is controlled. The light passing through the picture element electrode 108 and the color filter 111 is modulated according to the controlled arrangement of the liquid crystal molecules, and an image is displayed.
【０００８】ところで、ＴＦＴ１２０は薄膜の多層構造
を有するので、ＴＦＴ１２０を基板上に作製する際に
は、これらの薄膜を積層する工程とパターニングする工
程とが繰り返し行われる。このため欠陥のない完全なＴ
ＦＴ１２０を作製するには、製造工程において各種の条
件を維持、管理するために非常な努力と技術とを要す
る。それゆえ、正常な特性が得られていない不良ＴＦＴ
１２０が発生することが多々ある。ＴＦＴ１２０に不良
があると、当然そのＴＦＴ１２０に接続されている絵素
電極１０８に正規の電圧を印加することができず、結果
は点灯不良という形になって現れる。Since the TFT 120 has a multilayer structure of thin films, when the TFT 120 is formed on a substrate, a step of laminating these thin films and a step of patterning are repeatedly performed. Therefore, complete T without defect
Fabricating the FT 120 requires a great deal of effort and technology to maintain and manage various conditions in the manufacturing process. Therefore, a defective TFT for which normal characteristics have not been obtained
120 often occurs. If there is a defect in the TFT 120, it is naturally impossible to apply a regular voltage to the picture element electrode 108 connected to the TFT 120, and the result appears as a lighting failure.
【０００９】特にノーマリーホワイトモード（電圧印加
時に黒表示）の液晶表示装置では、点灯不良絵素電極
（以下、不良絵素電極という）１０９の部分は光がなん
らの変調を受けずに通過して輝点となり目立ち易い。す
なわち、光漏れの状態である。この光漏れを修正する技
術としては、不良ＴＦＴ１２０そのものを修正するので
はなく、この不良ＴＦＴ１２０に接続された、点灯不良
を発生している不良絵素電極１０９を対象にする。すな
わち、両基板１０１、１０２をシール後、両基板１０
１、１０２の不良絵素電極１０９に対応する位置の外面
に、両バス配線１０３、１０４によって形作られる各絵
素１０８、１０９の存在領域の区画の面積を少々上回る
面積の遮光膜１１６を設けて光漏れを防いでいる。この
遮光膜１１６は紫外線硬化型有色樹脂を針で塗布した
り、レーザーで基板表面を光散乱加工するなどの方法で
形成されている。In particular, in a normally white mode (black display when a voltage is applied) liquid crystal display device, light passes through a defective defective pixel electrode (hereinafter referred to as a defective pixel electrode) 109 without any modulation. It becomes a bright spot and easily stands out. That is, it is a state of light leakage. The technique for correcting the light leakage does not correct the defective TFT 120 itself, but targets the defective pixel electrode 109 connected to the defective TFT 120 and having a lighting failure. That is, after sealing both substrates 101 and 102, both substrates 10 and 102 are sealed.
A light-shielding film 116 having an area slightly larger than the area of the area where each of the picture elements 108 and 109 is formed by the bus wirings 103 and 104 is provided on the outer surface of the position corresponding to the defective picture element electrode 109 of the first and second 102. Light leakage is prevented. The light-shielding film 116 is formed by a method such as applying a UV-curable colored resin with a needle, or performing light scattering processing on the substrate surface with a laser.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、両基板
１０１、１０２の外面に遮光膜１１６を形成する方法で
は、斜め方向から各基板１０１、１０２に入射する光の
内、入射時にこの遮光膜１１６を経ず、内部では不良絵
素電極１０９を通過しながら、出射時にも反対基板の外
面の遮光膜１１６を経ずに出て行く光Ｌが存在する。す
なわち、斜め方向から基板に入射する光にはこのような
漏れ光Ｌが存在する。特に両基板１０１、１０２の厚み
は１.１ｍｍが標準となっており、５μｍという液晶層
１１５の厚みに比べて充分に大きいので、不良絵素電極
１０９と遮光膜１１６を結ぶ光路を通る光の基板への入
射角（入射光が基板に垂直な方向となす角）の範囲、す
なわち、遮光される範囲は非常に小さい。However, in the method of forming the light-shielding film 116 on the outer surfaces of the two substrates 101 and 102, of the light incident on each of the substrates 101 and 102 from an oblique direction, the light-shielding film 116 is formed at the time of incidence. There is light L that passes through the defective picture element electrode 109 inside and does not pass through the light-shielding film 116 on the outer surface of the opposite substrate at the time of emission. That is, such light leakage L exists in the light incident on the substrate from an oblique direction. In particular, the standard thickness of the two substrates 101 and 102 is 1.1 mm, which is sufficiently larger than the thickness of the liquid crystal layer 115 of 5 μm, so that the light passing through the optical path connecting the defective picture element electrode 109 and the light shielding film 116 is formed. The range of the incident angle on the substrate (the angle formed by the incident light and the direction perpendicular to the substrate), that is, the range where light is shielded is very small.
【００１１】また、表示を行う上で必要な偏光板１１７
を両基板１０１、１０２のそれぞれの外面に貼り付ける
際、遮光膜１１６が各基板１０１、１０２の外面に形成
されていると、遮光膜１１６の盛り上がりによって各基
板１０１、１０２の外面と偏光板１１７との間に隙間が
生じ、その隙間に気泡１１８が介在して表示品位の低下
を招来する。Further, a polarizing plate 117 necessary for displaying an image is provided.
When the light-shielding film 116 is formed on the outer surfaces of the substrates 101 and 102 when the light-shielding film 116 is formed on the outer surfaces of the substrates 101 and 102, the outer surfaces of the substrates 101 and 102 and the polarizing plate 117 And a bubble 118 intervenes in the gap, thereby deteriorating the display quality.
【００１２】本発明の液晶表示装置は、上記のような課
題を解決するためになされたものであり、光漏れが生じ
ず、偏光板が基板外面に密着して取付られて、表示特性
の向上が図れる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。The liquid crystal display device of the present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and does not cause light leakage, and the polarizing plate is attached in close contact with the outer surface of the substrate to improve display characteristics. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、絶縁性のベース基板と、該ベース基板上に互いに交
差して配設される複数のソースバス配線および複数のゲ
ートバス配線と、隣接する両バス配線が囲むそれぞれの
領域に、両バス配線の交差部に近接して両バス配線に接
続されてマトリクス状に配設される絵素電極と、該絵素
電極および両バス配線のそれぞれに接続されたスイッチ
ング素子と、該ベース基板との間に液晶を挟持して対向
配置され、対向面に対向電極が形成された絶縁性の対向
基板とを有する液晶表示装置において、不良スイッチン
グ素子に接続された絵素電極上及び該絵素電極に対応す
る位置の該対向基板上の双方に遮光膜が形成された液晶
表示装置であって、そのことにより上記目的が達成され
る。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: an insulating base substrate; a plurality of source bus lines and a plurality of gate bus lines disposed on the base substrate so as to cross each other; A pixel electrode that is connected to the two bus lines and disposed in a matrix in the vicinity of the intersection of the two bus lines in each area surrounded by the adjacent two bus lines; In a liquid crystal display device having a switching element connected to each other and an insulating opposing substrate in which liquid crystal is interposed between the base substrate and an opposing electrode formed on an opposing surface, a defective switching element is provided. a liquid crystal display device in which both the light-shielding film is formed on the counter substrate at a position corresponding to the connected picture element electrodes on及beauty said picture element electrodes, the object can be achieved.
【００１４】また、好ましくは前記対向電極上の遮光膜
を金属膜で形成する。Preferably, the light-shielding film on the counter electrode is formed of a metal film.
【００１５】また、好ましくは前記遮光膜を着色処理を
施した有機高分子膜で形成する。Preferably, the light-shielding film is formed of a colored organic polymer film.
【００１６】また、好ましくは前記着色処理を染色で行
う。Preferably, the coloring treatment is performed by dyeing.
【００１７】また、好ましくは前記着色処理を顔料の分
散で行う。Preferably, the coloring treatment is performed by dispersing a pigment.
【００１８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、絶縁
性のベース基板上にマトリクス状にスイッチング素子を
形成し、かつ該スイッチング素子に絵素電極をそれぞれ
接続形成してアクティブマトリクス基板を作製する工程
と、該アクティブマトリクス基板に対向配置される絶縁
性の対向基板を作製する工程と、該アクティブマトリク
ス基板上の不良スイッチング素子を検出する検査工程
と、該アクティブマトリクス基板上の不良スイッチング
素子に接続された絵素電極上及び該絵素電極に対応する
位置の対向基板内面上の双方に遮光膜を形成する工程
と、液晶を挟んで該アクティブマトリクス基板と該対向
基板とを貼り合わせる工程とを包含する液晶表示装置の
製造方法であって、そのことにより上記目的が達成され
る。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, an active matrix substrate is manufactured by forming switching elements in a matrix on an insulating base substrate and forming and connecting picture element electrodes to the switching elements. A step of forming an insulative counter substrate disposed opposite to the active matrix substrate, a test step of detecting a defective switching element on the active matrix substrate, and connecting to the defective switching element on the active matrix substrate forming both the light shielding film on the opposing inner surface of the substrate at a position corresponding to the picture element electrode on及beauty said picture element electrodes, a step of bonding the said active matrix substrate and the counter substrate sandwiching a liquid crystal A method for manufacturing a liquid crystal display device, which achieves the above object.
【００１９】また、好ましくは前記ベース基板の内面上
に配設される前記両バス配線の不良を検査する工程およ
び前記対向基板内面上に形成されるカラーフィルタ等の
表示要素の仕様を検査する工程を含む。Preferably, a step of inspecting the two bus wirings disposed on the inner surface of the base substrate for defects and a step of inspecting the specifications of display elements such as color filters formed on the inner surface of the counter substrate. including.
【００２０】[0020]
【作用】ベース基板と対向基板とを貼り合わせる前に、
不良が発生しているスイッチング素子を顕微鏡等により
確認する。続いて、例えば、この確認された不良スイッ
チング素子に接続された絵素電極及びこの絵素電極に対
応する位置の対向基板内面の対向電極上に直接遮光膜を
形成する。この位置に遮光膜を形成すると、上記従来例
の項で述べた斜めから基板に入射する光があっても、こ
の光が遮光膜によって完全に遮断される。従って、漏れ
光が生じることがない。[Function] Before bonding the base substrate and the counter substrate,
The defective switching element is confirmed by a microscope or the like. Subsequently, for example, a light-shielding film is formed directly on the pixel electrode connected to the confirmed defective switching element and the counter electrode on the inner surface of the counter substrate at a position corresponding to the pixel electrode. If a light-shielding film is formed at this position, even if there is light incident on the substrate obliquely as described in the section of the conventional example, this light is completely blocked by the light-shielding film. Therefore, no light leakage occurs.
【００２１】また、基板の内面に遮光膜を形成するの
で、基板の外面に偏光板を貼り合わせる時に両者の間に
隙間が生じない。Since the light-shielding film is formed on the inner surface of the substrate, no gap is formed between the polarizing plate and the outer surface of the substrate.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。ＴＦＴ液
晶表示装置を図１および図２に示す。このＴＦＴ液晶表
示装置は、ベース基板１とその対向基板２との間に液晶
１５を挟持した構成をとる。Embodiments of the present invention will be described below. FIGS. 1 and 2 show a TFT liquid crystal display device. This TFT liquid crystal display device has a configuration in which a liquid crystal 15 is sandwiched between a base substrate 1 and its counter substrate 2.
【００２３】ベース基板１上には複数のソースバス配線
３…と複数のゲートバス配線４…とが互いに直交して配
設され、両バス配線３と４の交差部は絶縁膜５を介し
て、相互に絶縁されている。両バス配線３と４とが囲む
それぞれの領域には絵素電極８が形成され、各絵素電極
８にはＴＦＴ２０が接続されている。ＴＦＴ２０のソー
ス電極６はソースバス配線３に接続され、ＴＦＴ２０の
ドレイン電極７は絵素電極８に接続されている。このベ
ース基板１の表面上を覆って配向膜１３ａが塗布され、
配向処理が施されている。さらに、この配向膜１３ａ上
において、不良が発生しているＴＦＴ２０に接続されて
いる点灯不良絵素電極（以下、不良絵素電極と称する）
９の位置に遮光膜１６ａが形成されている。なお、ＴＦ
Ｔ２０の不良は、後述する検査工程で検出される。A plurality of source bus lines 3 and a plurality of gate bus lines 4 are arranged orthogonally to each other on the base substrate 1, and the intersection of the two bus lines 3 and 4 is interposed via an insulating film 5. , Are insulated from each other. A picture element electrode 8 is formed in each area surrounded by both bus wirings 3 and 4, and a TFT 20 is connected to each picture element electrode 8. The source electrode 6 of the TFT 20 is connected to the source bus wiring 3, and the drain electrode 7 of the TFT 20 is connected to the pixel electrode 8. An alignment film 13a is applied to cover the surface of the base substrate 1,
An orientation treatment has been performed. Further, on this alignment film 13a, a lighting defective pixel electrode (hereinafter, referred to as a defective pixel electrode) connected to the TFT 20 in which a defect has occurred.
A light-shielding film 16a is formed at position 9. Note that TF
The defect of T20 is detected in an inspection process described later.
【００２４】対向基板２上には、前記ベース基板１上の
ＴＦＴ２０、ソースバス配線３、ゲートバス配線４の形
成位置に対応して遮光膜（以下、ブラックマトリクスと
称する。）１０が形成されている。このブラックマトリ
クス１０は、クロムなどの金属または有色の合成樹脂に
よって形成されている。また、この対向基板２の内面に
はベース基板１上の絵素電極８に対応する位置にカラー
フィルタ１１が形成されている。このブラックマトリク
ス１０及びカラーフィルタ１１の上に絵素電極８の対向
電極１２としてＩＴＯ等の透明電極膜が形成されてい
る。この対向電極１２上には配向膜１３ｂが形成され、
配向処理が施されている。さらに、この配向膜１３ｂ上
において、欠陥ＴＦＴに接続された不良絵素電極９の位
置に対応する対向電極１２の位置に遮光膜１６ｂが形成
されている。On the counter substrate 2, a light-shielding film (hereinafter, referred to as a black matrix) 10 is formed corresponding to the positions where the TFTs 20, the source bus wirings 3, and the gate bus wirings 4 are formed on the base substrate 1. I have. The black matrix 10 is formed of a metal such as chrome or a colored synthetic resin. A color filter 11 is formed on the inner surface of the counter substrate 2 at a position corresponding to the pixel electrode 8 on the base substrate 1. A transparent electrode film such as ITO is formed on the black matrix 10 and the color filter 11 as the counter electrode 12 of the picture element electrode 8. An alignment film 13b is formed on the counter electrode 12,
An orientation treatment has been performed. Further, a light-shielding film 16b is formed on the alignment film 13b at the position of the counter electrode 12 corresponding to the position of the defective picture element electrode 9 connected to the defective TFT.
【００２５】このようなベース基板１および対向基板２
を有する液晶表示装置は以下のようにして作製される。
ベース基板１に遮光膜１６ａを形成するのと、対向基板
２に遮光膜１６ｂを形成するまでの各基板１、２の作製
は従来例と同一であるので、ここでは説明を省略する。Such a base substrate 1 and a counter substrate 2
Is manufactured as follows.
The production of each of the substrates 1 and 2 up to the formation of the light-shielding film 16a on the base substrate 1 and the formation of the light-shielding film 16b on the opposing substrate 2 are the same as those in the conventional example, and therefore description thereof is omitted here.
【００２６】遮光膜１６ａと遮光膜１６ｂを形成する前
にベース基板１上のＴＦＴ２０の不良の有無を検査す
る。この検査方法としては、例えば、ＣＣＤカメラで撮
像したＴＦＴ２０の画像を画像処理回路で処理して、最
終的に個々のＴＦＴ２０に不良が存在するか否かを検査
する方法や、顕微鏡等を用いて確認する方法等がある。
続いて、検査工程で確認された不良ＴＦＴの発生部に対
応する位置の配向膜１３ａ上および１３ｂ上に、染色ま
たは顔料を分散させた有色の有機遮光膜１６ａ、１６ｂ
をそれぞれ形成する。Before forming the light-shielding films 16a and 16b, the TFT 20 on the base substrate 1 is inspected for defects. As this inspection method, for example, a method of processing an image of the TFT 20 picked up by a CCD camera by an image processing circuit and finally inspecting whether or not each TFT 20 has a defect, a microscope, or the like is used. There is a method to confirm.
Subsequently, colored organic light-shielding films 16a and 16b in which dyes or pigments are dispersed are placed on the alignment films 13a and 13b at positions corresponding to the defective TFT occurrence portions confirmed in the inspection process.
Are formed respectively.
【００２７】なお、この検査工程で併せて、ベース基板
１についてはＴＦＴ２０の不良の確認だけでなく、各バ
ス配線３…、４…が所定のパターン通り形成されている
かを検査し、また対向基板２については、カラーフィル
タ１１の色抜けやブラックマトリクス１０の剥がれ等が
無いかを確認すればよい。そして、バス配線３…、４…
の不良については基板の作り直しを行う。これにより、
良品率の向上が図れる。また、カラーフィルター１１の
不良については、これに修正を加えることにより、表示
の向上を図ることが出来る。In this inspection step, not only the defect of the TFT 20 is checked with respect to the base substrate 1 but also whether or not each of the bus wirings 3... With regard to 2, the color filter 11 may be checked for color omission, peeling of the black matrix 10, and the like. And the bus wirings 3 ... 4 ...
For the defect, the substrate is remade. This allows
The non-defective rate can be improved. In addition, the display of the defective color filter 11 can be improved by correcting it.
【００２８】次に、ベース基板１上に形成される遮光膜
１６ａの具体的な形成方法について説明する。図３に不
良絵素電極９に対して形成される遮光膜１６ａのパター
ン図を示す。この遮光膜１６ａはソースバス配線３とゲ
ートバス配線４とが囲む四角形領域を少々上回る面積で
不良絵素電極９上に形成される。本実施例では、遮光膜
１６ａとして、カーボンブラックを分散させた黒色樹脂
であるカラーモザイクＣＫ（商品名：富士ハント株式会
社製）を使用した。まず、ベース基板１上に、このカラ
ーモザイクＣＫをスピンコート、オフセット印刷等の方
法によって１μｍ程度の膜厚に塗布した後、８５℃で２
分間加熱し、ポリビニルアルコールによる酸素遮断膜を
塗布する。その後、再度８５℃で２分間加熱し、４０ｍ
ｊ／ｃｍ 2程度の紫外光で所定のパターンに露光し、さ
らに８５℃で２分間加熱した。続いて、現像液で１分間
現像し、純水によって洗浄後２００℃で５分間加熱して
遮光膜１６ａを得る。Next, a light-shielding film formed on the base substrate 1
A specific method for forming the layer 16a will be described. Fig. 3
The pattern of the light shielding film 16a formed on the good picture element electrode 9
Fig. This light shielding film 16a is connected to the source bus line 3 and the gate.
With an area slightly larger than the square area surrounded by the heat bus wiring 4.
It is formed on the defective picture element electrode 9. In this embodiment, the light shielding film
16a, black resin in which carbon black is dispersed
Is a color mosaic CK (trade name: Fuji Hunt Co., Ltd.)
Was used. First, this color is placed on the base substrate 1.
-For mosaic CK spin coating, offset printing, etc.
After coating to a film thickness of about 1 μm by the
Heat for about 1 minute to remove the oxygen barrier film with polyvinyl alcohol.
Apply. Then, it was heated again at 85 ° C for 2 minutes,
j / cm TwoExposure to a predetermined pattern with moderate UV light
And heated at 85 ° C. for 2 minutes. Then, for 1 minute with developer
Develop, wash with pure water and heat at 200 ° C for 5 minutes
The light shielding film 16a is obtained.
【００２９】また、上記の遮光膜１６ａには黒色の染料
によって染色されたＪＤＳ(商品名：日本合成ゴム株式
会社製）を用いてもよい。この場合には、スピンコー
ト、オフセット印刷などの方法で所定の膜厚に塗布した
後、１４０℃で３０分間加熱し、３０ｍｊ／ｃｍ2程度
の紫外光で所定のパターンに露光する。その後、純水に
よって１分間現像し、１８０℃で３０分間加熱する。そ
こで、Ｂｌａｃｋ−１８１（商品名：日本化薬株式会社
製）１％、酢酸２％の６０℃の水溶液に３０分間ディッ
プし染色した後、純水で洗浄し１８０℃で１０分間乾燥
させ遮光膜１６ａを得る。The light-shielding film 16a may be made of JDS (trade name: manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) dyed with a black dye. In this case, after applying to a predetermined film thickness by a method such as spin coating or offset printing, the film is heated at 140 ° C. for 30 minutes and exposed to a predetermined pattern with ultraviolet light of about 30 mj / cm 2 . Thereafter, the film is developed with pure water for 1 minute and heated at 180 ° C. for 30 minutes. Therefore, after dipping and dyeing in a 60% aqueous solution of 1% Black-181 (trade name: Nippon Kayaku Co., Ltd.) and 2% acetic acid for 30 minutes, washing with pure water and drying at 180 ° C. for 10 minutes, the light shielding film 16a is obtained.
【００３０】対向基板２上の不良絵素電極９に対応する
対向電極１２に対しては、その位置の配向膜１３ｂ上に
金属膜から成る遮光膜１６ｂを形成する。遮光膜１６ｂ
の形成パターンは図３の遮光膜１６ａのパターンと同様
である。まず対向基板２の配向膜１３ｂ上にタンタルを
蒸着し、フォトレジストＯＦＰＲ−８００（商品名：東
京応化株式会社製）をスピンコートにより所定の膜厚に
塗布する。塗布後、８５℃で３０分間加熱し、続いて不
良絵素電極９に対応した部分だけが残るように露光し、
現像し、純水によって洗浄する。さらに、１３０℃で３
０分間加熱した後、ＣＦ4中でドライエッチングを行
う。その後、アセトン中に浸漬し、Ｏ2のプラズマによ
る灰化処理を施してレジスト残渣を除去し、遮光膜１６
ｂを得る。For the counter electrode 12 corresponding to the defective picture element electrode 9 on the counter substrate 2, a light shielding film 16b made of a metal film is formed on the alignment film 13b at that position. Light shielding film 16b
Is the same as the pattern of the light shielding film 16a in FIG. First, tantalum is vapor-deposited on the alignment film 13b of the counter substrate 2, and a photoresist OFPR-800 (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) is applied to a predetermined thickness by spin coating. After the application, heating is performed at 85 ° C. for 30 minutes, and then, exposure is performed so that only a portion corresponding to the defective pixel electrode 9 remains.
Develop and wash with pure water. Further, at 130 ° C., 3
After heating for 10 minutes, the dry etching in CF 4. Then, the resist is immersed in acetone and subjected to ashing treatment with O 2 plasma to remove resist residues.
Obtain b.
【００３１】続いて、作製された遮光膜１６ａ、１６ｂ
を有するベース基板１及び対向基板２とを約５μｍのス
ペーサを介して所定の隙間に配置すると共に、絵素電極
８とカラーフィルタ１１が対応するように、また、ＴＦ
Ｔ２０、ソースバス配線３、ソース電極６、ゲートバス
配線４、ドレイン電極７がブラックマトリクス１０に対
向するように配置する。この隙間に液晶１５を注入して
ベース基板１及び対向基板２の周辺部をシール材により
シールして、本発明の液晶表示装置を得る。Subsequently, the formed light shielding films 16a, 16b
The base substrate 1 and the opposing substrate 2 are disposed in a predetermined gap via a spacer of about 5 μm, and the pixel electrodes 8 correspond to the color filters 11.
T20, the source bus wiring 3, the source electrode 6, the gate bus wiring 4, and the drain electrode 7 are arranged so as to face the black matrix 10. The liquid crystal 15 is injected into the gap, and the peripheral portions of the base substrate 1 and the counter substrate 2 are sealed with a sealant, thereby obtaining the liquid crystal display device of the present invention.
【００３２】以上の構成により、不良ＴＦＴに接続され
た絵素電極における光漏れを防ぐことできる。また、基
板の外面と偏光板との貼り合わせ時に両者の間に隙間が
生じないので、隙間のある場合の気泡の発生も無い。With the above configuration, it is possible to prevent light leakage at the picture element electrode connected to the defective TFT. Further, since no gap is formed between the outer surface of the substrate and the polarizing plate when the polarizing plate is attached, there is no generation of bubbles when there is a gap.
【００３３】ここで、対向基板２上の遮光膜１６ｂは上
記のように金属膜でもよく、また有機膜でもよいが、ベ
ース基板１上の遮光膜１６ａは、ソースバス配線３やゲ
ートバス配線４などがリークしないよう、上記の有機膜
のように絶縁性を有する膜であることが望ましい。ま
た、スイッチング素子はＴＦＴ２０以外に、ダイオー
ド、ＭＩＭなどであってもよい。さらに、遮光膜１６
ａ、１６ｂの形成場所についてはベース基板１上の不良
絵素電極９上あるいは不良絵素電極９に対応する対向電
極１２上のどちらか一方だけであってもよい。Here, the light-shielding film 16b on the counter substrate 2 may be a metal film or an organic film as described above. It is desirable that the film be an insulating film like the above-mentioned organic film so as not to cause leakage. Further, the switching element may be a diode, an MIM, or the like other than the TFT 20. Further, the light shielding film 16
The locations for forming a and 16b may be either on the defective pixel electrode 9 on the base substrate 1 or on the counter electrode 12 corresponding to the defective pixel electrode 9.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上、本発明によれば、製造工程中にＴ
ＦＴの不良が発生しても、両基板の貼り合わせの前に、
この不良ＴＦＴに接続された絵素電極上、あるいは対向
基板内面のこの絵素電極に対応する位置の対向電極上に
遮光膜を形成するので、斜め方向から入射する光がこの
位置を通過しようとしてもこれを完全に遮断するので光
漏れが無く、表示欠陥の向上を図ることができる。As described above, according to the present invention, T
Even if FT failure occurs, before bonding both substrates,
Since a light-shielding film is formed on the pixel electrode connected to the defective TFT or on the counter electrode at a position corresponding to the pixel electrode on the inner surface of the counter substrate, light incident obliquely tries to pass through this position. Since this is completely blocked, there is no light leakage, and display defects can be improved.
【００３５】また、偏光板をベース基板や対向基板の外
面に貼り付ける際、各基板の外面には凹凸が無いので、
各基板の外面と偏光板との間に隙間を生じることがな
い。従って気泡の発生も無く、表示品位を損ねることも
無い。When the polarizing plate is attached to the outer surface of the base substrate or the counter substrate, there is no unevenness on the outer surface of each substrate.
There is no gap between the outer surface of each substrate and the polarizing plate. Therefore, there is no generation of air bubbles and display quality is not impaired.
【図１】本発明ＴＦＴ液晶表示装置の平面図。FIG. 1 is a plan view of a TFT liquid crystal display device of the present invention.
【図２】本発明ＴＦＴ液晶表示装置の断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the TFT liquid crystal display device of the present invention.
【図３】本発明で形成される絵素電極と不良絵素電極上
に形成される遮光膜との関係を示すパターン図。FIG. 3 is a pattern diagram showing a relationship between a pixel electrode formed according to the present invention and a light-shielding film formed on a defective pixel electrode.
【図４】ＴＦＴ液晶表示装置を示す従来例の平面図。FIG. 4 is a plan view of a conventional example showing a TFT liquid crystal display device.
【図５】ＴＦＴ液晶表示装置を示す従来例の断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional example showing a TFT liquid crystal display device.
【符号の説明】 １ ベース基板 ２ 対向基板 ３ ソースバスライン ４ ゲートバスライン ５ 絶縁膜 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 絵素電極 ９ 不良ＴＦＴに接続された絵素電極
（不良絵素電極） １０ ブラックマトリクス １１ カラーフィルタ １２ 対向電極 １３ａ、１３ｂ 配向膜 １４ スペーサ １５ 液晶（液晶分子、液晶層） １６ａ、１６ｂ 遮光膜 ２０ ＴＦＴ[Description of Signs] 1 Base substrate 2 Counter substrate 3 Source bus line 4 Gate bus line 5 Insulating film 6 Source electrode 7 Drain electrode 8 Pixel electrode 9 Pixel electrode (defective pixel electrode) connected to defective TFT 10 Black Matrix 11 Color filter 12 Counter electrode 13a, 13b Alignment film 14 Spacer 15 Liquid crystal (liquid crystal molecules, liquid crystal layer) 16a, 16b Light shielding film 20 TFT
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1335 G02F 1/1343 G09F 9/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) G02F 1/136 G02F 1/1335 G02F 1/1343 G09F 9/30
Claims (7)
スバス配線および複数のゲートバス配線と、 隣接する両バス配線が囲むそれぞれの領域に、両バス配
線の交差部に近接して両バス配線に接続されてマトリク
ス状に配設される絵素電極と、 該絵素電極および両バス配線のそれぞれに接続されたス
イッチング素子と、 該ベース基板との間に液晶を挟持して対向配置され、対
向面に対向電極が形成された絶縁性の対向基板とを有す
る液晶表示装置において、 不良スイッチング素子に接続された絵素電極上及び該絵
素電極に対応する位置の該対向基板上の双方に遮光膜が
形成された液晶表示装置。An insulating base substrate, a plurality of source bus wirings and a plurality of gate bus wirings disposed on the base substrate so as to intersect each other, and a region surrounded by both adjacent bus wirings, A pixel electrode connected to the two bus lines and arranged in a matrix close to the intersection of the two bus lines; a switching element connected to each of the pixel electrode and the two bus lines; face is placed, in the liquid crystal display device having a counter substrate of insulating which the common electrode is formed on the opposite surface, on the picture element electrode connected to the defective switching element及beauty the picture by sandwiching a liquid crystal between the A liquid crystal display device having a light-shielding film formed on both sides of the counter substrate at positions corresponding to the elementary electrodes.
る請求項１に記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding film on the counter electrode is formed of a metal film.
膜で形成する請求項１に記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said light-shielding film is formed of a colored organic polymer film.
の液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein said coloring treatment is performed by dyeing.
に記載の液晶表示装置。5. The method according to claim 3, wherein the coloring is performed by dispersing a pigment.
3. The liquid crystal display device according to 1.
スイッチング素子を形成し、かつ該スイッチング素子に
絵素電極をそれぞれ接続形成してアクティブマトリクス
基板を作製する工程と、 該アクティブマトリクス基板に対向配置される絶縁性の
対向基板を作製する工程と、 該アクティブマトリクス基板上の不良スイッチング素子
を検出する検査工程と、 該アクティブマトリクス基板上の不良スイッチング素子
に接続された絵素電極上及び該絵素電極に対応する位置
の対向基板内面上の双方に遮光膜を形成する工程と、 液晶を挟んで該アクティブマトリクス基板と該対向基板
とを貼り合わせる工程とを包含する液晶表示装置の製造
方法。6. A step of forming a switching element in a matrix on an insulating base substrate and connecting and forming a pixel electrode to the switching element to produce an active matrix substrate; and opposing the active matrix substrate. a step of preparing a disposed the insulating counter substrate, the inspection process and, said active matrix defective switching element connected to the picture element electrodes on及beauty said substrate to detect a defective switching element on the active matrix substrate A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a light-shielding film on both sides of an inner surface of a counter substrate at a position corresponding to a pixel electrode; and bonding the active matrix substrate and the counter substrate with a liquid crystal interposed therebetween. .
両バス配線の不良を検査する工程および前記対向基板内
面上に形成されるカラーフィルタ等の表示要素の仕様を
検査する工程を含む請求項６に記載の液晶表示装置の製
造方法。7. A step of inspecting a defect of the two bus lines provided on an inner surface of the base substrate and a step of inspecting specifications of a display element such as a color filter formed on the inner surface of the counter substrate. A method for manufacturing the liquid crystal display device according to claim 6.
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