JP2926158B2 - 導電性マイクロブリッジの製造方法 - Google Patents
導電性マイクロブリッジの製造方法Info
- Publication number
- JP2926158B2 JP2926158B2 JP7243950A JP24395095A JP2926158B2 JP 2926158 B2 JP2926158 B2 JP 2926158B2 JP 7243950 A JP7243950 A JP 7243950A JP 24395095 A JP24395095 A JP 24395095A JP 2926158 B2 JP2926158 B2 JP 2926158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sacrificial layer
- forming
- microbridge
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4821—Bridge structure with air gap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
(micro bridge)に係り、特に金属−酸化
物の混合体からなる導電性マイクロブリッジの製造方法
に関する。
法は2つに大別される。一つはシリコンの異方性エッチ
ング特性を用いたバルクマイクロ加工(bulk mi
cromachining)技術を用いた製造方法であ
り、もう一つは犠牲層を用いた平面マイクロ加工(su
rface micromachining)技術を用
いた製造方法である。
板を用いる技術であり、特にスイッチングFETをマト
リクス状に形成させた半導体基板に適用される。この技
術を用いて集積化された素子を製作できる。一例とし
て、前記平面マイクロ加工技術を用いてシリコンスイッ
チング素子のマトリクス上の個々の素子に直接マイクロ
ブリッジを形成し、その上に強誘電体薄膜を形成するこ
とにより、高感度の集積化された赤外線イメーザー(i
mager)を製作することができる。この平面マイク
ロ加工技術により形成される従来のマイクロブリッジの
犠牲層は、PSG膜(phospho silicat
e glass)で形成し、その上に形成する導電性マ
イクロブリッジはドーピングされた多結晶シリコンを主
に用いて製造している。
な方向の熱流れによる熱伝導度特性を説明すると、次の
式で表わされる。 H=kA(∂T/∂n) ・・・・・・・・・・ (1) ここで、Hは熱、kは伝導度、Aは伝導部の面積、(∂
T/∂n)は表面における温度勾配である。この式を簡
単に表わすと、 H=KΔT ・・・・・・・・・・・・・・・・ (2) である。ここで、Kは感知材料の熱伝導度であり、ΔT
は温度差である。 K=kA/L ・・・・・・・・・・・・・・・ (3) ここで、Lは熱伝導部の長さである。
くするためには、第1に、マイクロブリッジの熱容量を
少なくし、第2に、A/L比を小さくするとともに熱伝
導の通路を出来る限り遮断しなければならない。
従来のマイクロブリッジの製造方法を図面を参照して説
明する。図1(a)〜(d)は平面マイクロ加工技術に
より製造される従来のマイクロブリッジの工程断面図を
示す。先ず、図1(a)に示すように、半導体基板1上
にSiO2 もしくはSi2N4/SiO2 からなる絶縁膜
2を形成する。前記絶縁膜2上にPSG膜3aをLPC
VD法で形成する。次に、図1(b)に示すように、前
記PSG層3aの所定部分をパターニングしたうえエッ
チングして犠牲層3とする。その後、図1(c)に示す
ように、前記犠牲層3を覆うように高濃度にドーピング
した多結晶シリコン膜4をLPCVD法を用いて厚さ1
μm程度に形成する。この高濃度にドーピングされた多
結晶シリコン膜4は電気伝導性に優れているため、電極
又は配線材料として使用する。図1(d)に示すよう
に、PSG層3をフッ酸で除去し、その除去された部分
に空隙5を形成することにより、多結晶シリコン薄膜か
らなるマイクロブリッジを製造する。次に、このように
形成されたマイクロブリッジを、工程中に発生した内部
応力を緩和するように、約1000℃で熱処理すること
により製造工程を完了する。
ブリッジは、次の問題点をもっている。第1に、前記従
来のマイクロブリッジは多結晶シリコン膜で形成する
が、この膜を用いて薄膜素子(例えば、薄膜赤外線イメ
ーザーのような素子)を製作する場合、マイクロブリッ
ジ上に形成される強誘電体薄膜の結晶成長温度が約60
0℃以上に高くなる。よって、Pb系強誘電体膜の場
合、強誘電体薄膜中の鉛Pb成分とマイクロブリッジの
シリコンSi成分とが相互拡散や化学的反応等をし、強
誘電体膜の物理的特性、即ち、例えば単一ペロブスイカ
イト(perovskite)結晶の生成が難しくなっ
て薄膜の誘電特性等が悪くなる。第2に、マイクロブリ
ッジの製造温度及び内部応力を除去するための熱処理温
度が約1000℃と高いから、シリコンスイッチングマ
トリクスのFET等が劣化するという短所をもってい
る。
を解消するためのもので、その目的は機械的強度を有す
ると共に導電性を有する金属酸化物の混合体を用いる化
学的に安定した導電性マイクロブリッジの製造方法を提
供することにある。本発明の他の目的は、各層の構成物
質間の相互拡散や化学的反応等を抑制することにより結
晶性の良い強誘電体薄膜を形成しうる導電性マイクロブ
リッジの製造方法を提供することにある。そして、本発
明の別の目的は、マイクロブリッジを常温で形成するこ
とによりシリコンスイッチングマトリクスの劣化を防止
し得るようにした導電性マイクロブリッジを提供するこ
とにある。
の本発明による導電性マイクロブリッジの製造方法は、
半導体基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上の所定の
箇所に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を覆うよう
に犠牲層上に金属−酸化物の混合体の膜を形成する工程
と、前記犠牲層を除去し、その部分に空隙を形成する工
程とを含んでなる。
ロブリッジの製造方法を図面に基づいてより詳しく説明
する。図2(a)〜(d)は本発明による第1実施の形
態の導電性マイクロブリッジの製造工程断面図である。
本発明による導電性マイクロブリッジの製造方法は、先
ず図2(a)に示すように、半導体基板11上にSiO
2 もしくはSi3N4/SiO2 を用いて絶縁膜12を形
成する。この酸化膜12上に第1感光膜13aを形成し
た後、ホトリソグラフィ工程により所定の箇所を除くよ
うに前記第1感光膜13aをパターニングする。その
後、基板の全面にPSG膜14aをLPCVD方法で蒸
着する。
感光膜13aとPSG膜14aをリフトオフ工程により
選択的に除去して犠牲層14を形成する。
全面に第2感光膜15aを形成した後、ホトリソグラフ
ィ工程により前記犠牲層14の両側の部分を一定間隔で
除去するように前記第2感光膜15aをパターニングす
る。次に、基板の全面に金属−酸化物の混合体膜16a
を厚さ約1〜3μmに蒸着する。この時、前記金属−酸
化物の混合体膜16aはマグネトロンスパッタリングを
用いた同時スパッタリング方法により蒸着する。尚、前
記金属−酸化物の混合体膜16aを形成する物質として
は、PtTiO2 もしくはPtTaO2 物質等を使用す
る。ここで、前記金属−酸化物の混合体膜16aを構成
するPtTiO2 もしくはPtTaO2層は、Pt/T
iターゲットもしくはPt/Taターゲットに与えるパ
ワーを調節して、それぞれの蒸着速度を適切に調節して
蒸着する。こうして形成する前記金属−酸化物の混合体
膜16aは、Ptと酸化物TiO2 、TaO2 とが互い
に混合した膜体をなしている。したがって、そのPtに
より電気的に導電性となり、且つ金属−酸化物の混合に
より機械的強度を有する。
オフ工程により前記金属−酸化物の混合体膜16aと第
2感光膜15aを選択的に除去する。この時、前記金属
−酸化物の混合体膜16aは前記犠牲層14を覆うよう
に形成する。その後、前記犠牲層14をフッ酸で側面エ
ッチングし、そのエッチングされた部分に空隙17を形
成することにより導電性マイクロブリッジを完成する。
性マイクロブリッジの製造方法を図3を参照して詳しく
説明する。図3(a)〜(e)は本発明の第2実施の形
態の導電性マイクロブリッジの製造工程断面図であり、
ポリイミド膜(polyimide layer)を犠
牲層として用いてマイクロブリッジを製造する。
に、半導体基板21上にSiO2 もしくはSi3N4/S
iO2 物質を用いて絶縁膜22を形成した後、前記絶縁
膜22上にポリイミド膜23aを形成する。その後、前
記ポリイミド膜23aを2回にわたって焼成した後、そ
の上に第1感光膜24aを形成する。
グラフィ法により前記第1感光膜24aの所定の部分を
パターニングした後、前記第1感光膜24aとポリイミ
ド膜23aをエッチングする。この時、前記第1感光膜
24aとポリイミド膜23aのエッチング時には現像液
を使用する。
りの第1感光膜24のみ除去して前記ポリイミド膜23
aで犠牲層23を形成する。前記第1感光膜24の除去
時には前記ポリイミド膜23aと第1感光膜24に選択
性のあるエッチング溶液、例えばn−BCAを使用して
前記第1感光膜24を除去する。
面に第2感光膜25を形成した後、ホトリソグラフィ工
程により前記犠牲層23の両側の一定の幅だけ除去する
ように第2感光膜25をパターニングする。その後、基
板の全面にPtTiO2 又はPtTaO2 等の物質を本
発明の第1実施の形態と同一方法で蒸着して金属−酸化
物の混合体膜26aを形成する。この際、前記金属−酸
化物の混合体膜26aは前記犠牲層23を覆うように形
成する。次に、図3(e)に示すように、リフトオフ方
法により前記第2感光膜25と金属−酸化物の混合体膜
26aを選択的に除去する。その後、前記犠牲層23を
本発明の第1実施の形態と同一方法で除去した後、その
除去された部分に空隙27を形成することによりマイク
ロブリッジを製作する。
造される本発明による導電性マイクロブリッジを素子に
応用した例を示す。図4は本発明による導電性マイクロ
ブリッジを下部電極として用いた薄膜赤外線イメーザー
(imager)素子の断面図である。図5は図4の薄
膜赤外線イメーザー素子の回路構成図である。
イクロブリッジを用いた薄膜赤外線イメーザー素子の製
造方法は、先ずマトリクス状に形成されている半導体基
板31上にゲート絶縁膜32を形成する。次に、前記ゲ
ート絶縁膜32上にポリシリコンもしくは金Au等を選
択的に使用してゲート電極33を形成する。その後、前
記ゲート電極33をマスクにして半導体基板31にソー
ス/ドレイン電極用として用いる不純物領域34,35
を形成してスイッチングFETを形成する。次に、前記
ドレイン電極用不純物領域35上にコンタクトホール3
5aを形成し、その上にドレインパッド36を形成す
る。その後、前記ゲート電極33上に空隙を作る為、本
発明による第1実施の形態又は第2実施の形態の方法で
ゲート電極33を覆うようにPSG膜もしくはポリイミ
ド膜を蒸着して犠牲層(図示せず)を形成する。次に、
その上に本発明による第1実施の形態又は第2実施の形
態の方法でPtTiO2 もしくはPtTaO2 層からな
る金属−酸化物の混合体膜を形成することにより、導電
性マイクロブリッジ、即ち下部電極37を形成する。こ
の際、前記下部電極37はソース電極用不純物領域34
上にあるゲート絶縁膜32の所定の部分をエッチングし
て形成されたコンタクトホール34aを通してFETス
イッチの不純物領域34と連結される。その後、本発明
による第1、第2実施の形態のような方法で犠牲層(図
示せず)を除去して空隙38を形成する。次に、前記下
部電極37上にゾル−ゲル(sol−gel)法、CV
D法、もしくはスパッタリング法で強誘電体薄膜39を
厚さ約1〜4μMに形成する。この時、前記強誘電体膜
39を形成する物質はPb(Zr,Ti)O3 、PB
(Sc,Ta)O3 、(Ba,Sr)TiO3 等を使用
する。その後、赤外線を吸収する為に、前記強誘電体薄
膜39上にNi−CrもしくはGold−Blackを
使用して上部電極40を形成することにより、イメーザ
ー素子を完成する。
素子は、図5に示すように、ワイヤボンディング等の方
法でそれぞれのFETスイッチのドレインパッド36を
バイアス電源41に連結する。尚、上部電極40はX−
アドレス回路42に連結されている前置増幅器43に連
結される。そして、FETスイッチのゲート電極33を
Y−アドレス回路44に連結することにより、イメーザ
ー素子の回路構成が完成する。
を前記方法で製作される薄膜赤外線イメーザー素子に適
用した場合、赤外線を感知する強誘電体薄膜39の下部
に空隙38が形成されており、この空隙38は強誘電体
薄膜39から下部への熱伝達を遮断するヒートシンクの
役割を果たす。又、感知素子である強誘電体薄膜39を
薄膜形態に形成する為、その自身の熱容量が最小化され
る。
性マイクロブリッジは金属−酸化物の混合体膜からな
り、機械的、化学的に安定する。特に、前記導電性マイ
クロブリッジ上に強誘電体等の薄膜を蒸着する場合はそ
の構成物質間の相互拡散や化学的反応等を抑制すること
ができるので、前記導電性マイクロブリッジ上に結晶性
の良い強誘電体薄膜を形成することができる。マイクロ
ブリッジは低温で形成することができるから、半導体基
板を用いた集積化の素子、例えばシリコンスイッチング
マトリクスを用いた薄膜赤外線イメーザーのような素子
の製造時に熱によるスイッチングマトリクスの劣化を防
止することができ、製造を容易に行うことができる。
るマイクロブリッジの製造工程断面図である。
態の導電性マイクロブリッジの製造工程断面図である。
ロブリッジの製造工程断面図である。
した赤外線センサの構造断面図である。
a,24a…第1感光膜、14a…PSG膜、15a,
25…第2感光膜、16a,26a…金属−酸化物の混
合体膜、14,23…犠牲層、17,27…空隙、32
…ゲート絶縁膜、33…ゲート漂着、37…下部電極、
39…強誘電体膜、40…上部電極。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板を用意する工程と、 前記半導体基板上に犠牲層を形成する工程と、 前記犠牲層上に金属−酸化物の混合体膜としてのPtT
iO 2 もしくはPtTaO 2 を形成する工程と、 前記犠牲層を除去し、前記混合体膜の下部の犠牲層が除
去された部分に空隙を形成する工程と、 を含むことを特徴とする導電性マイクロブリッジの製造
方法。 - 【請求項2】 半導体基板を用意する工程と、 前記 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、 犠牲層が形成されるべき領域を除いた前記絶縁膜上に第
1感光膜のパターンを形成する工程と、前記第1感光膜のパターン上にPSG層を形成する工程
と、 前記の第1感光膜とPSG層をリフトオフ方法で同時に
除去して前記犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に金属−酸化物の混合体膜を形成する工程
と、 前記犠牲層を除去し、前記混合体膜の下部の犠牲層が除
去された部分に空隙を形成する工程と、 を含むことを特徴とする導電性マイクロブリッジの製造
方法。 - 【請求項3】 半導体基板を用意する工程と、 前記 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上にポリイミド膜を形成する工程と、 前記ポリイミド膜を熱処理する工程と、 前記ポリイミド膜上に第1感光膜を形成する工程と、 犠牲層が形成されるべき領域だけ残るように前記第1感
光膜をパターニングして前記の第1感光膜とポリイミド
膜の一部分をエッチングする工程と、 前記第1感光膜の残りの部分を除去して前記犠牲層を形
成する工程と、 前記犠牲層上に金属−酸化物の混合膜としてのPtTi
O 2 もしくはPtTaO 2 を形成する工程と、 前記犠牲層を除去し、前記混合体膜の下部の犠牲層が除
去された部分に空隙を形成する工程と、 を含むことを特徴とする導電性マイクロブリッジの製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940021586A KR0147211B1 (ko) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 도전성 마이크로 브릿지의 제조방법 |
KR21586/1994 | 1994-08-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0886850A JPH0886850A (ja) | 1996-04-02 |
JP2926158B2 true JP2926158B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=19391497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7243950A Expired - Fee Related JP2926158B2 (ja) | 1994-08-30 | 1995-08-30 | 導電性マイクロブリッジの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5641709A (ja) |
JP (1) | JP2926158B2 (ja) |
KR (1) | KR0147211B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5599745A (en) * | 1995-06-07 | 1997-02-04 | Micron Technology, Inc. | Method to provide a void between adjacent conducting lines in a semiconductor device |
AU6774996A (en) * | 1995-08-18 | 1997-03-12 | President And Fellows Of Harvard College | Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces |
US6576976B2 (en) | 1997-01-03 | 2003-06-10 | Integrated Device Technology, Inc. | Semiconductor integrated circuit with an insulation structure having reduced permittivity |
JP3460810B2 (ja) * | 1999-07-26 | 2003-10-27 | 日本電気株式会社 | 熱分離構造を有する熱型赤外線検出器 |
KR100695756B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2007-03-15 | (주) 인텔리마이크론즈 | 리가 공정 및 이를 이용한 미세 구조물의 제조 방법 |
US7427526B2 (en) * | 1999-12-20 | 2008-09-23 | The Penn State Research Foundation | Deposited thin films and their use in separation and sacrificial layer applications |
AU2001261026A1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-10-30 | The Penn State Research Foundation | Deposited thin films and their use in separation and sarcrificial layer applications |
WO2003001251A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Air gaps for optical applications |
CN1615537A (zh) * | 2001-12-12 | 2005-05-11 | 宾夕法尼亚州立大学 | 化学反应器模板:牺牲层的制备和模板的应用 |
AU2003205104A1 (en) * | 2002-01-11 | 2003-07-30 | The Pennsylvania State University | Method of forming a removable support with a sacrificial layers and of transferring devices |
US6693355B1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device with an air gap formed using a photosensitive material |
US6915054B2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-07-05 | Agilent Technologies, Inc. | Methods for producing waveguides |
US20050011673A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Wong Marvin Glenn | Methods for producing air bridges |
RU2685082C1 (ru) * | 2018-06-19 | 2019-04-16 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Способ изготовления воздушных мостиков в качестве межэлектродных соединений интегральных схем |
CN113764261B (zh) * | 2020-10-15 | 2023-08-22 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52123871A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Hitachi Ltd | Thin film forming method |
JPS5937494B2 (ja) * | 1977-05-27 | 1984-09-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜のパタ−ン形成法 |
JPH0656903B2 (ja) * | 1982-06-28 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 酸化物超伝導体回路形成法 |
JP2615608B2 (ja) * | 1987-04-07 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US4948757A (en) * | 1987-04-13 | 1990-08-14 | General Motors Corporation | Method for fabricating three-dimensional microstructures and a high-sensitivity integrated vibration sensor using such microstructures |
JPS6461025A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Sharp Kk | Method of finely processing polyimide film |
JPH01260831A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | New Japan Radio Co Ltd | 感光性ポリイミドのパターニング方法 |
US5059556A (en) * | 1988-09-28 | 1991-10-22 | Siemens-Bendix Automotive Electronics, L.P. | Low stress polysilicon microstructures |
US5164339A (en) * | 1988-09-30 | 1992-11-17 | Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. | Fabrication of oxynitride frontside microstructures |
US5013693A (en) * | 1989-02-16 | 1991-05-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures with removal of liquid by freezing and sublimation |
JPH0410638A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5270574A (en) * | 1991-08-01 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum micro-chamber for encapsulating a microelectronics device |
US5508231A (en) * | 1994-03-07 | 1996-04-16 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for achieving mechanical and thermal isolation of portions of integrated monolithic circuits |
US5489556A (en) * | 1994-06-29 | 1996-02-06 | United Microelectronics Corp. | Method for the fabrication of electrostatic microswitches |
-
1994
- 1994-08-30 KR KR1019940021586A patent/KR0147211B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-08-30 US US08/520,806 patent/US5641709A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-30 JP JP7243950A patent/JP2926158B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5641709A (en) | 1997-06-24 |
KR0147211B1 (ko) | 1998-11-02 |
JPH0886850A (ja) | 1996-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2926158B2 (ja) | 導電性マイクロブリッジの製造方法 | |
US6787387B2 (en) | Electronic device and method for fabricating the electronic device | |
JP3605487B2 (ja) | 浮遊式微細構造を製造するための方法および浮遊式微細構造処理アセンブリ | |
JP4138036B2 (ja) | 表面微細加工構造を集積化したモノリシック半導体素子の製造方法 | |
JPH08271344A (ja) | 焦電膜を備えたモノリシック感熱検出器およびその製造方法 | |
US3737743A (en) | High power microwave field effect transistor | |
JP3258066B2 (ja) | サーモパイル型赤外線センサの製造方法 | |
EP0345047B1 (en) | Thermal imaging device | |
JPH0525290B2 (ja) | ||
JPH0743216A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
TW202120893A (zh) | 異質整合的熱紅外線感測元件及熱紅外線感測器 | |
JPH03124047A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH0590553A (ja) | 赤外線検出装置およびその製造方法 | |
JPH01255271A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0643017A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JPH10221144A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法 | |
JP3470467B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000356546A (ja) | 赤外線検知素子およびその製造方法 | |
JPH06194228A (ja) | 焦電型赤外線センサ | |
Polla et al. | Ferroelectric thin film materials, structures, and microsensors | |
JPH10132652A (ja) | 熱型赤外線検出素子、熱型赤外線撮像素子およびその製造方法 | |
JPH02206733A (ja) | 赤外線センサ | |
JPS60227459A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH06120517A (ja) | 薄膜不揮発メモリ素子の製造方法 | |
KR100209400B1 (ko) | 광로조절장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |