JP2923135B2 - Manufacturing method of solid electrolytic capacitor - Google Patents
Manufacturing method of solid electrolytic capacitorInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は固定電解コンデンサの製
法に関する。さらに詳しくは、初期不良や潜在不良を顕
在化させ、検査工程に要する時間を短縮する固体電解コ
ンデンサの製法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a fixed electrolytic capacitor. More specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor that makes initial failures and latent defects evident and reduces the time required for an inspection process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】固体電解コンデンサは、従来、つぎのよ
うにして製造される。まずタンタル（Ｔａ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）などの金属の表面に、陽
極酸化などによって誘電体膜となる酸化膜を形成する化
成工程を行う。そして陽極酸化処理ののち、100 〜200
℃で乾燥させている。2. Description of the Related Art A solid electrolytic capacitor is conventionally manufactured as follows. First, a chemical conversion step of forming an oxide film serving as a dielectric film on the surface of a metal such as tantalum (Ta), aluminum (Al), or niobium (Nb) by anodic oxidation or the like is performed. After anodizing, 100-200
Dry at ℃.
【０００３】さらに、たとえばタンタル固体電解コンデ
ンサのばあい、前記誘電体膜を形成したのち、硝酸マン
ガン水溶液に含浸させ、付着させたのち、水分を蒸発さ
せ、200 〜300 ℃で硝酸マンガンを熱分解することによ
り、電解質となる二酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）層を形成
する。そののち、前記酸化膜のクラックなどの損傷を修
復するための再化成処理を行う。このとき、電解質の焼
付によって生じた誘電体膜の傷を修復することを目的と
して、再度陽極酸化を行うことがある。Further, in the case of a tantalum solid electrolytic capacitor, for example, after forming the dielectric film, impregnating it with an aqueous solution of manganese nitrate and adhering it, the water is evaporated, and manganese nitrate is thermally decomposed at 200 to 300 ° C. Thus, a manganese dioxide (MnO 2 ) layer serving as an electrolyte is formed. After that, a re-chemical treatment for repairing damage such as cracks in the oxide film is performed. At this time, anodic oxidation may be performed again for the purpose of repairing the damage of the dielectric film caused by the baking of the electrolyte.
【０００４】ついでグラファイトを水、アンモニアなど
に分散させたペースト内に中間製品をディッピングし、
焼成したのち、さらに銀ペースト内にディッピングし、
焼成して一方の電極を形成する。そして出荷前に、電極
間に定格電圧の1.5 〜3.0 倍の電圧を１〜５秒間、１回
だけ加えてリーク電流を検出し、ショートの有無を確認
する耐圧検査を行う。このときの環境温度は常温（25℃
前後）であり、ほとんどのばあい直列保護抵抗を加えず
直接電圧を印加している。Then, the intermediate product is dipped in a paste in which graphite is dispersed in water, ammonia, etc.
After firing, further dipping in silver paste,
After firing, one electrode is formed. Before shipment, a voltage 1.5 to 3.0 times the rated voltage is applied between the electrodes only once for 1 to 5 seconds to detect a leak current and perform a withstand voltage test for checking for short circuit. The ambient temperature at this time is normal temperature (25 ° C
In most cases, a voltage is directly applied without adding a series protection resistor.
【０００５】さらにそののち、定格電圧の0.7 〜1.5 倍
の電圧を15分〜48時間印加するエージング処理を行う。
このようにエージング時間にバラツキがあるのは、固体
電解コンデンサの種類、定格が多岐にわたるからであ
る。また長時間要するのは、図３の符号Ａに示すよう
に、電圧を印加してからコンデンサの母集団の初期不良
を取り除き、不良率をある率以下に下げるためである。
初期不良率の高い集団は、エージングを長時間続けて
も、不良率が基準不良率以下にならないばあい（図３、
Ｂ）と、安定時に不良率が高くなるばあい（同図Ｃ）が
ある。After that, an aging process of applying a voltage 0.7 to 1.5 times the rated voltage for 15 minutes to 48 hours is performed.
The reason for the variation in the aging time is that the types and ratings of the solid electrolytic capacitors are various. The reason why the long time is required is to remove the initial failure of the population of the capacitors after applying the voltage and to reduce the failure rate to a certain rate or less, as shown by the symbol A in FIG.
In the group having a high initial failure rate, even if aging is continued for a long time, the failure rate does not fall below the reference failure rate (FIG. 3,
B) and the case where the defect rate becomes high at the time of stability (C in the figure).
【０００６】なおエージング処理の環境温度は常温ない
し125 ℃の範囲で、これも固体電解コンデンサの種類に
応じて設定される。また１ｋΩ以下の直列保護抵抗を加
えるばあいがある。このエージング処理は、固体電解コ
ンデンサの電気特性の安定化をはかり、同時に前述のよ
うに初期不良および潜在不良のある製品を取り除くため
のものである。The ambient temperature of the aging process is in the range of room temperature to 125 ° C., which is also set according to the type of the solid electrolytic capacitor. In some cases, a series protection resistor of 1 kΩ or less is added. This aging treatment is intended to stabilize the electrical characteristics of the solid electrolytic capacitor and, at the same time, to remove products having initial defects and latent defects as described above.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】前記従来の製法におい
ては、エージングの時間が長く、製造時間およびコスト
が高くなる。またエージング中に電解質による誘電体膜
の修復作用が奏され、本来不良品であるべきものがエー
ジング中に部分的に修復されて良品と判断されるばあい
がある（図３のＣ）。このものはいずれ早期に潜在的な
欠陥が顕在化する（図３のＰ）。さらに前記従来のエー
ジング処理では、潜在的な不良品を発見できず、そのま
ま市場へ出回る可能性がある。In the above-mentioned conventional manufacturing method, the aging time is long, and the manufacturing time and cost are high. In addition, the dielectric film is repaired by the electrolyte during the aging process, and a defective product which is originally defective may be partially repaired during the aging process and determined to be a good product (C in FIG. 3). In this case, a potential defect will soon become apparent (P in FIG. 3). Furthermore, in the conventional aging process, a potential defective product cannot be found, and there is a possibility that the product will be marketed as it is.
【０００８】本発明はこのような従来の固体電解コンデ
ンサの、検査方法も含めた製造工程を改善し、時間がか
かるエージング処理を短縮化ないし省略すると共に、潜
在的不良品を出荷前に確実に取り除くことを目的として
いる。The present invention improves the manufacturing process of such a conventional solid electrolytic capacitor including an inspection method, shortens or eliminates a time-consuming aging process, and ensures that potential defective products are eliminated before shipment. It is intended to get rid of it.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサの製造法は、（ａ）コンデンサの電極材料としての
タンタル、アルミニウムまたはニオブの金属材料に誘電
体膜を形成する化成処理工程、 （ｂ）形成された誘電体膜上に電解質層を形成する工
程、 （ｃ）前記誘電体膜上の損傷を修復する再化成処理工
程、 （ｄ）電解質層上に電極を設ける電極形成工程、および （ｅ）電極間に電圧を加えてショートの有無を検出する
耐圧検査工程を有する固体電解コンデンサの製法であっ
て、 前記化成処理工程および（または）再化成処理工程のの
ちに、300 〜400 ℃で加熱し、かつ、前記耐圧検査工程
を、85〜125 ℃で加熱しながら行うことを特徴としてい
る。The method of manufacturing a solid electrolytic capacitor according to the present invention comprises: (a) a chemical conversion treatment step of forming a dielectric film on a tantalum, aluminum or niobium metal material as an electrode material of the capacitor; (C) a step of forming an electrolyte layer on the formed dielectric film, (c) a re-chemical treatment step of repairing damage on the dielectric film, (d) an electrode formation step of providing an electrode on the electrolyte layer, and e) A method for producing a solid electrolytic capacitor having a withstand voltage test step of detecting the presence or absence of a short circuit by applying a voltage between the electrodes, the method comprising: after the chemical conversion step and / or the re-chemical conversion step, at 300 to 400 ° C. Heating and the pressure test step
Is carried out while heating at 85 to 125 ° C.
【００１０】前記耐圧検査工程での加熱の代わりに、電
圧印加を定格電圧の２〜3.5 倍の電圧で１回当り１〜５
秒間で、３〜10回繰り返すパルス電圧印加で行うのが好
ましい。[0010] Instead of heating in the above-described withstand voltage test step, an electric current is applied.
Apply pressure 1 to 5 times at a time of 2 to 3.5 times the rated voltage.
It is preferable to carry out by applying a pulse voltage that is repeated 3 to 10 times per second .
【００１１】[0011]
【作用】たとえば、タンタルの焼結体の表面に誘電体膜
を形成するとき、結晶が生じたり、損傷が生じたりする
ことがあり、その結晶部や損傷部が将来、初期不良や潜
在不良になる。本発明では、化成処理および（または）
再化成処理のあと、誘電体膜に熱ストレスを加え、通常
の耐圧検査では見過される小さい結晶部および損傷部を
より顕著化する。それによりあとの耐圧検査工程で結晶
部や損傷部を発見でき、これらを市場に出回る前に取り
除くことができる。For example, when a dielectric film is formed on the surface of a tantalum sintered body, crystals or damage may occur, and the crystal part or damaged part may become an initial defect or a latent defect in the future. Become. In the present invention, the chemical conversion treatment and / or
After the re-chemical treatment, a thermal stress is applied to the dielectric film to make small crystal parts and damaged parts overlooked in a normal withstand voltage test more prominent. As a result, a crystal part or a damaged part can be found in a later pressure test step, and can be removed before the product is put on the market.
【００１２】また前述のように潜在的な欠陥を顕在化し
てあらかじめ取り除くので、従来の時間を要するエージ
ング処理を短縮ないし省略しても問題がなく、全体の製
造に要する時間を短縮することができ、コストを低減し
うる。Further, as described above, since potential defects are revealed and removed in advance, there is no problem even if the conventional time-consuming aging process is reduced or omitted, and the time required for the entire manufacturing can be reduced. , Cost can be reduced.
【００１３】さらに耐圧検査時に85〜125 ℃で加熱しな
がら高電圧を印加すると、半導体の温度特性と同様に不
良部が一層顕著化し、検査精度を高めることができる利
点がある。Further, when a high voltage is applied while heating at 85 to 125 ° C. during the withstand voltage test, defective portions become more prominent as in the case of the temperature characteristics of the semiconductor, and there is an advantage that the test accuracy can be improved.
【００１４】また耐圧検査時に定格電圧の２〜3.5 倍の
電圧を１回当り印加時間を１〜５秒間、休止時間を１〜
５秒間で、３〜10回繰り返すパルス印加をするときは、
従来のような電解質による誘電体膜の修復作用を抑制す
ることができる。そのため不良品を確実に取り除くこと
ができる。During the withstand voltage test, a voltage of 2 to 3.5 times the rated voltage is applied once for 1 to 5 seconds and the pause time is 1 to 5 seconds.
To apply a pulse that repeats 3 to 10 times in 5 seconds,
It is possible to suppress the repair action of the dielectric film by the conventional electrolyte. Therefore, defective products can be reliably removed.
【００１５】[0015]
【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明の製法を説
明する。図１は本発明の製法の一実施例を示す工程図、
図２は本発明にかかわる耐圧検査時における環境温度と
電流−電圧曲線の関係を示すグラフである。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. FIG. 1 is a process diagram showing one embodiment of the production method of the present invention,
FIG. 2 is a graph showing a relationship between an environmental temperature and a current-voltage curve during a withstand voltage test according to the present invention.
【００１６】図１において１はタンタル粉末を直方体状
に成型し、焼結させたタンタル焼結体である（図１
（ａ））。焼結体１の上面には、同じ材料からなるワイ
ヤ２が埋め込まれて一方の電極を構成している。なおタ
ンタルに代えて、アルミニウム箔やニオブなどの金属を
用いることもできる。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a tantalum sintered body obtained by molding a tantalum powder into a rectangular parallelepiped and sintering the same.
(A)). A wire 2 made of the same material is embedded on the upper surface of the sintered body 1 to form one electrode. Note that a metal such as aluminum foil or niobium can be used instead of tantalum.
【００１７】焼結体１をリン酸水溶液などに浸漬し、10
0 〜200 Ｖで２〜３時間の陽極酸化を行うことによっ
て、図１（ｂ）に示すように、焼結体１の表面およびワ
イヤ２の一部表面に五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）の層
を誘電体膜３（厚さ数〜数百ｎｍ）として形成する。こ
れが化成処理工程である。The sintered body 1 is immersed in a phosphoric acid aqueous solution or the like, and
By performing anodic oxidation at 0 to 200 V for 2 to 3 hours, tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) is formed on the surface of the sintered body 1 and a part of the surface of the wire 2 as shown in FIG. Is formed as the dielectric film 3 (several to several hundred nm in thickness). This is a chemical conversion treatment step.
【００１８】化成処理工程ののち、中間製品４を加熱槽
５内に入れ、300 〜400 ℃の乾燥空気で約５分間、空気
加熱処理を行う（図１（ｃ））。この加熱処理は、通常
２〜30分間で行うのが好ましい。なおこのとき、予備加
熱は行わない。After the chemical conversion treatment step, the intermediate product 4 is placed in the heating tank 5 and air-heated with dry air at 300 to 400 ° C. for about 5 minutes (FIG. 1 (c)). This heat treatment is preferably performed usually for 2 to 30 minutes. At this time, preheating is not performed.
【００１９】この空気加熱処理は、誘電体膜３に熱スト
レスを加え、もしその誘電体膜中に結晶や損傷があった
ばあい、それらを進行させて顕著化し、のちの耐圧検査
工程で欠陥を発見しやすくするためのものである。This air heating process applies a thermal stress to the dielectric film 3 and, if there is any crystal or damage in the dielectric film, advances the crystal and damages to make the dielectric film 3 more noticeable, and causes defects in a later withstand voltage inspection process. This is to make it easier to discover.
【００２０】ついでえられた中間製品に、硝酸マンガン
水溶液を含浸させ、加熱することにより硝酸マンガンを
熱分解し、電解質となる二酸化マンガン（ＭｎＯ2 ）の
層６を形成する（図１（ｄ））。そして、再度陽極酸化
を行う。これが再化成処理工程である。この電解質形成
工程と再化成処理工程は数回繰り返される。なお二酸化
マンガンの層６は、焼結体１を構成する各粒子の表面に
形成されるが、さらに中間製品の全体にわたってほぼ一
定厚さで形成される。The obtained intermediate product is impregnated with an aqueous solution of manganese nitrate and heated to thermally decompose manganese nitrate to form a manganese dioxide (MnO 2 ) layer 6 serving as an electrolyte (FIG. 1 (d)). ). Then, anodic oxidation is performed again. This is the re-chemical treatment step. This electrolyte forming step and the re-chemical conversion step are repeated several times. The manganese dioxide layer 6 is formed on the surface of each particle constituting the sintered body 1, and is formed with a substantially constant thickness over the entire intermediate product.
【００２１】前述の再化成処理ののち（１回目の再化成
処理工程ののち、または数回繰り返したのち）、再度中
間製品７を加熱槽５内に入れ、300 〜400 ℃の乾燥空気
で約５分間、空気加熱処理を行う（図１（ｅ））。この
加熱処理も、通常２〜30分間で行うのが好ましい。この
加熱処理は１回目の第一再化成処理ののちの方が効果が
大きい。これは前記１回目の空気加熱処理工程により顕
在化させた誘電体の欠陥（結晶部および損傷部）が第一
再化成工程で修復され、再び潜在化してしまうことがあ
るので、これを改めて顕在化させるために熱ストレスを
加えるのである。After the above-mentioned re-chemical conversion treatment (after the first re-chemical conversion treatment step or after repeating several times), the intermediate product 7 is put into the heating tank 5 again, and dried at 300 to 400 ° C. with dry air. An air heating process is performed for 5 minutes (FIG. 1 (e)). This heat treatment is also preferably performed usually for 2 to 30 minutes. This heat treatment is more effective after the first re-chemical conversion treatment. This is because the defects (crystal parts and damaged parts) of the dielectric material that became apparent in the first air heating process may be repaired in the first re-chemical formation step and become latent again, and this is renewed. Heat stress is applied to make the
【００２２】ついでグラファイトを水ないしアンモニア
に分散させたグラファイトペースト８内に中間製品７を
ディッピングし（図１（ｆ））、150 ℃で焼成して電解
層（二酸化マンガン層６）の上にグラファイト層９を形
成する（図１（ｇ））。さらにそののち、中間製品10を
銀ペースト11内にディッピングし（図１（ｈ））、焼成
して銀層12を形成する。グラファイト層９および銀層12
は、固体電解コンデンサの一方の電極を構成する。なお
他方の電極は、前述のようにワイヤ２である。Next, the intermediate product 7 is dipped in a graphite paste 8 in which graphite is dispersed in water or ammonia (FIG. 1 (f)), and calcined at 150 ° C. to form a graphite on the electrolytic layer (manganese dioxide layer 6). The layer 9 is formed (FIG. 1G). After that, the intermediate product 10 is dipped in a silver paste 11 (FIG. 1 (h)) and fired to form a silver layer 12. Graphite layer 9 and silver layer 12
Constitutes one electrode of the solid electrolytic capacitor. The other electrode is the wire 2 as described above.
【００２３】以上の工程および外装モールドなどの組立
により、一応は固体電解コンデンサが完成するが、この
完成品は出荷前に、試験工程の一つとしてワイヤ２と銀
層12のあいだに定格電圧の２〜3.5 倍の電圧を印加して
耐圧検査を行う（図１（ｉ））。このとき、環境温度を
85〜125 ℃と比較的高温にしておく。また印加電圧は１
回につき１〜５秒間、所定の電圧を加え、ついで印加電
圧を０として１〜５秒間放置し、さらに１〜５秒間電圧
を印加するというようにパルス的に印加し５回（通常は
３〜10回）程度繰り返す。そして最終の印加時に洩れ電
流がないか否かを検査するのである。Although the solid electrolytic capacitor is completed by the above steps and the assembly of the outer mold and the like, the completed product is subjected to a rated voltage between the wire 2 and the silver layer 12 as one of the test steps before shipment. A withstand voltage test is performed by applying a voltage of 2 to 3.5 times (FIG. 1 (i)). At this time, the environmental temperature
Keep at a relatively high temperature of 85-125 ° C. The applied voltage is 1
A predetermined voltage is applied for 1 to 5 seconds each time, then the applied voltage is set to 0, the system is left for 1 to 5 seconds, and a voltage is applied for 1 to 5 seconds. Repeat about 10 times). Then, it is checked whether there is no leakage current at the time of the final application.
【００２４】このように印加電圧をパルス状とするの
は、電解質による誘電膜の損傷部の修復を抑制し、潜在
化する可能性のある欠陥部分を明確に検知するためであ
る。また従来の耐圧検査（定格電圧の1.5 〜3.0 倍、３
秒以下）より高圧で、パルス印加するのは、検出条件を
シビアにして結晶部や損傷部をできるだけ顕在化させる
ためである。その意味で保護抵抗を直列に介在させるこ
ともしない。The reason why the applied voltage is pulsed in this way is to suppress the repair of the damaged portion of the dielectric film due to the electrolyte and to clearly detect a potential portion that may become latent. In addition, the conventional withstand voltage test (1.5 to 3.0 times the rated voltage, 3
The reason why the pulse is applied at a higher pressure than for (seconds or less) is to make the detection conditions severe and to make the crystal part and the damaged part as obvious as possible. In that sense, no protection resistor is inserted in series.
【００２５】また環境温度を85〜125 ℃と高温にするの
は、図２に示すように、環境温度を上げると同一の印加
電圧に対し、良品と不良品とのあいだの電流の差（Ｓ）
が顕著になる半導体の温度特性を利用したものである。
たとえば、環境温度を変えたとき、漏れ電流は良品を１
とすると、不良品は25℃で２倍、50℃で５倍、80℃で14
倍、120 ℃で50倍となり、高い温度で不良品が顕著化す
る。As shown in FIG. 2, when the environmental temperature is raised to a high temperature of 85 to 125 ° C., when the environmental temperature is increased, the current difference between the non-defective product and the defective product (S )
This utilizes a temperature characteristic of a semiconductor in which the temperature becomes remarkable.
For example, when the ambient temperature is changed, the leakage current
Defective products double at 25 ° C, 5 times at 50 ° C, and 14 times at 80 ° C.
50 times at 120 ° C, and remarkable products become remarkable at high temperature.
【００２６】以上の製造工程により、誘電体膜の潜在的
な結晶や損傷などの欠陥はほとんどすべて把握可能とな
り、初期電気特性不良および潜在的な電気特性不良であ
る製品を事前に取り除くことができる。またもともと不
良品を潜在化させたりする、長時間かかるエージング処
理を行う必要がなくなる。By the above manufacturing steps, almost all defects such as potential crystals and damages of the dielectric film can be grasped, and products having defective initial electric characteristics and potential electric characteristics can be removed in advance. . In addition, it is not necessary to perform a long-time aging process, which originally makes a defective product latent.
【００２７】[0027]
【発明の効果】従来発見が困難であった誘電体膜の結晶
部や損傷部などの潜在的欠陥を顕在化させたうえで耐圧
試験を行うので、初期電気特性不良および潜在電気特性
不良のある製品を事前に取り除くことができる。それに
より製品の信頼性を大幅に向上させることができる。た
とえば従来の製法により製造した固体電解コンデンサに
おいては、信頼性テストでＰＰＭオーダの不良品発生率
であったが、本発明の製法によればその1/1000のオーダ
で、大幅に低減することができた。According to the present invention, since a withstand voltage test is performed after revealing a potential defect such as a crystal part or a damaged part of a dielectric film which has been difficult to find in the past, there are initial electric characteristic defects and potential electric characteristic defects. Products can be removed in advance. Thereby, the reliability of the product can be greatly improved. For example, in the case of a solid electrolytic capacitor manufactured by the conventional manufacturing method, the rejection rate was PPM order in the reliability test, but according to the manufacturing method of the present invention, it can be greatly reduced by the order of 1/1000. did it.
【００２８】さらに、本発明によれば、エージング工程
を省略でき、工期を短縮できると共にコストダウンを図
ることができる。Further, according to the present invention, the aging step can be omitted, the work period can be shortened, and the cost can be reduced.
【図１】本発明の製法の一実施例を示す工程図である。FIG. 1 is a process chart showing one embodiment of the production method of the present invention.
【図２】本発明にかかわる耐圧検査時における環境温度
と電流−電圧曲線の関係を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing a relationship between an environmental temperature and a current-voltage curve during a withstand voltage test according to the present invention.
【図３】従来のエージング処理の一例を示す電流と時間
の関係曲線のグラフである。FIG. 3 is a graph of a relationship curve between current and time showing an example of conventional aging processing.
１ タンタル焼結体 ３ 誘電体膜 ６ 二酸化マンガン層 ９ グラファイト層 12 銀層 Reference Signs List 1 sintered tantalum 3 dielectric film 6 manganese dioxide layer 9 graphite layer 12 silver layer
Claims (2)
ンタル、アルミニウムまたはニオブの金属材料に誘電体
膜を形成する化成処理工程、 （ｂ）形成された誘電体膜上に電解質層を形成する工
程、 （ｃ）前記誘電体膜上の損傷を修復する再化成処理工
程、 （ｄ）電解質層上に電極を設ける電極形成工程、および （ｅ）電極間に電圧を加えてショートの有無を検出する
耐圧検査工程を有する固体電解コンデンサの製法であっ
て、 前記化成処理工程および（または）再化成処理工程のの
ちに、300 〜400 ℃で加熱し、かつ、前記耐圧検査工程
を、85〜125 ℃で加熱しながら行うことを特徴とする固
体電解コンデンサの製法。(A) a chemical conversion treatment step of forming a dielectric film on a tantalum, aluminum or niobium metal material as a capacitor electrode material; and (b) a formation step of an electrolyte layer on the formed dielectric film. (C) a re-chemical treatment step of repairing damage on the dielectric film; (d) an electrode forming step of providing an electrode on the electrolyte layer; and (e) applying a voltage between the electrodes to detect the presence or absence of a short circuit. A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor having a pressure resistance test step, wherein after the chemical conversion treatment step and / or re-chemical conversion treatment step, heating is performed at 300 to 400 ° C. , and the pressure resistance test step is performed at 85 to 125 ° C. A method for producing a solid electrolytic capacitor, wherein the method is performed while heating at a temperature.
ンタル、アルミニウムまたはニオブの金属材料に誘電体
膜を形成する化成処理工程、 （ｂ）形成された誘電体膜上に電解質層を形成する工
程、 （ｃ）前記誘電体膜上の損傷を修復する再化成処理工
程、 （ｄ）電解質層上に電極を設ける電極形成工程、および （ｅ）電極間に電圧を加えてショートの有無を検出する
耐圧検査工程を有する固体電解コンデンサの製法であっ
て、 前記化成処理工程および（または）再化成処理工程のの
ちに、300 〜400 ℃で加熱し、かつ、前記耐圧検査工程
での電圧印加を定格電圧の２〜3.5 倍の電圧で１回当り
１〜５秒間で、３〜10回繰り返すパルス電圧印加で行う
ことを特徴とする固体電解コンデンサの製法。2. (a) a chemical conversion treatment step of forming a dielectric film on a tantalum, aluminum or niobium metal material as a capacitor electrode material, and (b) a step of forming an electrolyte layer on the formed dielectric film (C) a re-chemical treatment step of repairing damage on the dielectric film; (d) an electrode forming step of providing an electrode on the electrolyte layer; and (e) applying a voltage between the electrodes to detect the presence or absence of a short circuit. a method of solid electrolytic capacitor having a withstand voltage test process, after the chemical conversion treatment step and (or) re-chemical conversion treatment step, and heated at 300 to 400 ° C., and the rated voltage applied at the breakdown voltage test process A method for producing a solid electrolytic capacitor, characterized in that the method is performed by applying a pulse voltage that is repeated 3 to 10 times at a voltage of 2 to 3.5 times the voltage for 1 to 5 seconds each time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4235910A JP2923135B2 (en) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | Manufacturing method of solid electrolytic capacitor |
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