JP2916037B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2916037B2 JP2916037B2 JP6274392A JP6274392A JP2916037B2 JP 2916037 B2 JP2916037 B2 JP 2916037B2 JP 6274392 A JP6274392 A JP 6274392A JP 6274392 A JP6274392 A JP 6274392A JP 2916037 B2 JP2916037 B2 JP 2916037B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に高い結
晶品質を要求される半導体レーザ装置に代表される光半
導体装置の製造方法に関する。
晶品質を要求される半導体レーザ装置に代表される光半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】III−Ｖ族半導体より構成される半導体
レーザは、液相成長法、分子線エピタキシー法、有機金
属気相成長法などの結晶成長技術の発達により実用化さ
れ、光データ処理、光通信その他の分野で広く利用され
ているが、消費電力の低下、高出力化、短波長化、低雑
音化などの高性能化が望まれている。なかでも光ディス
クなどの記録密度の向上やＨｅ−Ｎｅレーザの代替とし
て半導体レーザの短波長化が注目されているが、近年Ａ
ｌＧａＩｎＰ系結晶を用いて実用化され、さらに高性能
化のために盛んに研究が行われている。
レーザは、液相成長法、分子線エピタキシー法、有機金
属気相成長法などの結晶成長技術の発達により実用化さ
れ、光データ処理、光通信その他の分野で広く利用され
ているが、消費電力の低下、高出力化、短波長化、低雑
音化などの高性能化が望まれている。なかでも光ディス
クなどの記録密度の向上やＨｅ−Ｎｅレーザの代替とし
て半導体レーザの短波長化が注目されているが、近年Ａ
ｌＧａＩｎＰ系結晶を用いて実用化され、さらに高性能
化のために盛んに研究が行われている。
【０００３】実用的な半導体レーザを作製するために
は、良質な活性層を形成する技術のみならず、活性層で
発生した光の導波路形成技術が不可欠となる。従来より
この導波路形成のためには、ＡｌＧａＩｎＰ系の結晶と
ＡｌＧａＡｓ系結晶を組み合わせた素子構造が用いられ
ている。以下に実用的な導波路構造を持つ可視光半導体
レーザの従来例を図３を用いて説明する。
は、良質な活性層を形成する技術のみならず、活性層で
発生した光の導波路形成技術が不可欠となる。従来より
この導波路形成のためには、ＡｌＧａＩｎＰ系の結晶と
ＡｌＧａＡｓ系結晶を組み合わせた素子構造が用いられ
ている。以下に実用的な導波路構造を持つ可視光半導体
レーザの従来例を図３を用いて説明する。
【０００４】ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３１、ＧａＩ
ｎＰ活性層３２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、
ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３４、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層３３、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングス
トップ層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層３
５、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３６を分子線エピタキ
シー法によって順次成長する。その後Ｐ分子線をＡｓ分
子線に切り替えるため成長を休止しその後、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層３７を分子線エピタキシー法にて成長す
る。分子線の切り替えは、具体的にはひとつの成長室の
なかでＰおよびＡｓ用のセルの温度とシャッタによって
行う場合と、Ｐ及びＡｓ用の別々の成長室を設けＰ用成
長室からＡｓ用成長室へ真空室を通して搬送して行う場
合がある。いずれの場合もｐ型ＧａＡｓコンタクト層の
成長温度は結晶品質を重視して５９０℃以上の高温で行
うのが望ましいと考えられていた。その後フォトマスク
を用いたエッチングによってストライプ状にｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ上部第２クラッド層３５以上を除去した。この
とき通常の化学エッチングによってＧａＩｎＰエッチン
グストップ層３４でエッチング停止できる。さらにｎ型
ＧａＡｓ電流狭さく層３８の成長を分子線エピタキシー
法によって行った。その後再びフォトマスクを用いた化
学エッチングによりメサストライプ上部のｎ型ＧａＡｓ
電流狭さく層を除去した。最後に両面に電極を形成し屈
折率導波型可視光半導体レーザが作製できる。
ファ層２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３１、ＧａＩ
ｎＰ活性層３２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３３、
ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３４、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層３３、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングス
トップ層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層３
５、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層３６を分子線エピタキ
シー法によって順次成長する。その後Ｐ分子線をＡｓ分
子線に切り替えるため成長を休止しその後、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層３７を分子線エピタキシー法にて成長す
る。分子線の切り替えは、具体的にはひとつの成長室の
なかでＰおよびＡｓ用のセルの温度とシャッタによって
行う場合と、Ｐ及びＡｓ用の別々の成長室を設けＰ用成
長室からＡｓ用成長室へ真空室を通して搬送して行う場
合がある。いずれの場合もｐ型ＧａＡｓコンタクト層の
成長温度は結晶品質を重視して５９０℃以上の高温で行
うのが望ましいと考えられていた。その後フォトマスク
を用いたエッチングによってストライプ状にｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ上部第２クラッド層３５以上を除去した。この
とき通常の化学エッチングによってＧａＩｎＰエッチン
グストップ層３４でエッチング停止できる。さらにｎ型
ＧａＡｓ電流狭さく層３８の成長を分子線エピタキシー
法によって行った。その後再びフォトマスクを用いた化
学エッチングによりメサストライプ上部のｎ型ＧａＡｓ
電流狭さく層を除去した。最後に両面に電極を形成し屈
折率導波型可視光半導体レーザが作製できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
では素子の直列抵抗が通常駆動時に３Ｖ以上と高くなる
という欠点があった。この原因を調べるためにオージェ
電子分光法で素子の深さ方向の組成分析を行ったとこ
ろ、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層とｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層の間でＰの組成の低下が観測された。
では素子の直列抵抗が通常駆動時に３Ｖ以上と高くなる
という欠点があった。この原因を調べるためにオージェ
電子分光法で素子の深さ方向の組成分析を行ったとこ
ろ、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層とｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層の間でＰの組成の低下が観測された。
【０００６】本発明は、Ｐを含む層をエピタキシャル成
長し、成長休止の後Ａｓを含む層を分子線エピタキシャ
ル法によって成長する際にＰ層からのＰ抜けを防ぎ素子
抵抗の増大をおさえることを目的とする。
長し、成長休止の後Ａｓを含む層を分子線エピタキシャ
ル法によって成長する際にＰ層からのＰ抜けを防ぎ素子
抵抗の増大をおさえることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）にか
かる半導体装置の製造方法は、分子線エピタキシー法に
より、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＧａＩｎＰか
らなるＡｌＧａＩｎＰ系結晶を成長した後、このＡｌＧ
ａＩｎＰ系結晶上に引き続いてＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、及びＧａＡｓからなるＡｌＧａＡｓ系結晶を成長さ
せる際、 前記ＡｌＧａＡｓ系結晶の成長開始時の基板温
度を４５０℃以上５５０℃以下とする工程を含むことに
より、上記の目的を達成するものである。
かる半導体装置の製造方法は、分子線エピタキシー法に
より、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＧａＩｎＰか
らなるＡｌＧａＩｎＰ系結晶を成長した後、このＡｌＧ
ａＩｎＰ系結晶上に引き続いてＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、及びＧａＡｓからなるＡｌＧａＡｓ系結晶を成長さ
せる際、 前記ＡｌＧａＡｓ系結晶の成長開始時の基板温
度を４５０℃以上５５０℃以下とする工程を含むことに
より、上記の目的を達成するものである。
【０００８】
【作用】基板表面温度が５５０℃以下の場合は良好なＶ
族安定面の回折像が観察されるが、それ以上の温度に加
熱するとＰぬけによる回折像の劣化が見られる。低温域
では４００℃以下でも表面状態は良好であるが、４５０
℃未満の温度でｐ型ＧａＡｓキャップ層を成長開始した
場合ＧａＡｓの成長条件により表面状態が劣化し、鏡面
成長がえられない。以上の実験からＡｓ系成長の再開温
度は４５０℃以上５５０℃以下としなければいけないこ
とがわかった。
族安定面の回折像が観察されるが、それ以上の温度に加
熱するとＰぬけによる回折像の劣化が見られる。低温域
では４００℃以下でも表面状態は良好であるが、４５０
℃未満の温度でｐ型ＧａＡｓキャップ層を成長開始した
場合ＧａＡｓの成長条件により表面状態が劣化し、鏡面
成長がえられない。以上の実験からＡｓ系成長の再開温
度は４５０℃以上５５０℃以下としなければいけないこ
とがわかった。
【０００９】
【実施例】図１を用いて、第１の実施例である利得導波
型可視光半導体レーザの作製法について説明する。ｎ型
ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型Ａ
ｌＩｎＰ第一クラッド層１１、ＧａＩｎＰ活性層１２、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１３、層厚５００オ
ングストロームのｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層１４を分
子線エピタキシー法によって成長しIII族分子線シャッ
タを閉じ成長を休止しＰとＡｓの分子線切り替えのため
にＰのセルシャッタを閉じセル温度を低下させ同時にＡ
ｓのセル温度を十分なＡｓフラックスがえられる温度ま
で上昇した。その後基板表面温度を５００℃にしｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１５を分子線エピタキシー法によって
成長した。その後誘電体絶縁膜（窒化シリコン膜）を蒸
着しフォトマスクを用いたエッチングによって１０ミク
ロン幅のストライプ状に該絶縁膜をエッチング除去し
た。このような方法によって、６７０ｎｍで室温連続発
振するレーザが作製できた。この素子では、光出力５ｍ
Ｗ時の駆動電圧は２．５Ｖと良好な値であった。比較の
ためにｐ型ＧａＡｓキャップ層の成長開始時の基板表面
温度を５５０℃以上とした同様な構造を持った素子を作
製したが素子抵抗が高く光出力５ｍＷ時の駆動電圧は３
Ｖとなった。この原因を調べるためにｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層成長直前のｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層表面の状
態を高速反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）で調べたとこ
ろ、基板表面温度が５５０℃以下の場合は良好なＶ族安
定面の回折像が観察されるが、それ以上の温度に加熱す
るとＰぬけによる回折像の劣化が見られる。低温域では
４００℃以下でも表面状態は良好であるが、４５０℃未
満の温度でｐ型ＧａＡｓキャップ層を成長開始した場合
ＧａＡｓの成長条件により表面状態が劣化し、鏡面成長
がえられない。以上の実験からＡｓ系成長の再開温度は
４５０℃以上５５０℃以下としなければいけないことが
わかった。
型可視光半導体レーザの作製法について説明する。ｎ型
ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型Ａ
ｌＩｎＰ第一クラッド層１１、ＧａＩｎＰ活性層１２、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層１３、層厚５００オ
ングストロームのｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層１４を分
子線エピタキシー法によって成長しIII族分子線シャッ
タを閉じ成長を休止しＰとＡｓの分子線切り替えのため
にＰのセルシャッタを閉じセル温度を低下させ同時にＡ
ｓのセル温度を十分なＡｓフラックスがえられる温度ま
で上昇した。その後基板表面温度を５００℃にしｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１５を分子線エピタキシー法によって
成長した。その後誘電体絶縁膜（窒化シリコン膜）を蒸
着しフォトマスクを用いたエッチングによって１０ミク
ロン幅のストライプ状に該絶縁膜をエッチング除去し
た。このような方法によって、６７０ｎｍで室温連続発
振するレーザが作製できた。この素子では、光出力５ｍ
Ｗ時の駆動電圧は２．５Ｖと良好な値であった。比較の
ためにｐ型ＧａＡｓキャップ層の成長開始時の基板表面
温度を５５０℃以上とした同様な構造を持った素子を作
製したが素子抵抗が高く光出力５ｍＷ時の駆動電圧は３
Ｖとなった。この原因を調べるためにｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層成長直前のｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層表面の状
態を高速反射電子線回折（ＲＨＥＥＤ）で調べたとこ
ろ、基板表面温度が５５０℃以下の場合は良好なＶ族安
定面の回折像が観察されるが、それ以上の温度に加熱す
るとＰぬけによる回折像の劣化が見られる。低温域では
４００℃以下でも表面状態は良好であるが、４５０℃未
満の温度でｐ型ＧａＡｓキャップ層を成長開始した場合
ＧａＡｓの成長条件により表面状態が劣化し、鏡面成長
がえられない。以上の実験からＡｓ系成長の再開温度は
４５０℃以上５５０℃以下としなければいけないことが
わかった。
【００１０】次に、図２を用いて本発明の第２の実施例
である屈折率導波型可視光半導体レーザの製造方法を説
明する。
である屈折率導波型可視光半導体レーザの製造方法を説
明する。
【００１１】ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ第一クラッド層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層２３（０．２ミクロ
ン）、層厚３０オングストロームのｐ型ＧａＩｎＰエッ
チングストップ層２４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第２ク
ラッド層２５、層厚５００オングストロームのｐ型Ｇａ
ＩｎＰコンタクト層２６を分子線エエピタキシー法によ
って成長しIII族分子線シャッタを閉じ成長を休止し、
Ａｓのセル温度を十分なＡｓフラックスがえられる温度
に設定してある別の成長室に真空室を介して搬送した。
その後基板表面温度を４８０℃に設定しｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２７を分子線エピタキシー法によって成長し
た。その後フォトマスクを用いたエッチングによってス
トライプ状にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第２クラッド層２
５以上を除去した。このとき通常の化学エッチングによ
ってＧａＩｎＰエッチングストップ層２４でエッチング
を停止できる。さらにｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層２８の
成長を分子線エピタキシー法によって行った。その後再
びフォトマスクを用いた化学エッチングによりメサスト
ライプ上部のｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層を除去し、さら
にその上部に分子線エピタキシー法によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２９を成長して埋め込んだ。
ファ層２、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ第一クラッド層２１、ＧａＩｎＰ活性層２２、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層２３（０．２ミクロ
ン）、層厚３０オングストロームのｐ型ＧａＩｎＰエッ
チングストップ層２４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第２ク
ラッド層２５、層厚５００オングストロームのｐ型Ｇａ
ＩｎＰコンタクト層２６を分子線エエピタキシー法によ
って成長しIII族分子線シャッタを閉じ成長を休止し、
Ａｓのセル温度を十分なＡｓフラックスがえられる温度
に設定してある別の成長室に真空室を介して搬送した。
その後基板表面温度を４８０℃に設定しｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２７を分子線エピタキシー法によって成長し
た。その後フォトマスクを用いたエッチングによってス
トライプ状にｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第２クラッド層２
５以上を除去した。このとき通常の化学エッチングによ
ってＧａＩｎＰエッチングストップ層２４でエッチング
を停止できる。さらにｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層２８の
成長を分子線エピタキシー法によって行った。その後再
びフォトマスクを用いた化学エッチングによりメサスト
ライプ上部のｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層を除去し、さら
にその上部に分子線エピタキシー法によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２９を成長して埋め込んだ。
【００１２】このような方法によって、６６０ｎｍで室
温連続発振するレーザが作製できた。この素子では、活
性層で発生した光がメサストライプ内外の実効屈折率差
により、ストライプ部分を屈折率導波されるため単一横
モードで発振した。この素子では、光出力５ｍＷ時にお
ける駆動電圧は２．４Ｖであった。この構造においても
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７の成長開始温度は４５０
℃以上５５０℃以下に設定しない場合素子抵抗の急激な
上昇が見られた。なおＧａＩｎＰ層２４の層厚を３０オ
ングストロームと薄くしているのは、活性層で発生した
光がこの層で吸収されないように量子準位の上昇によっ
てバンドギャップを増大させるためである。なお、本実
施例では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２９を設けているが
表面の平坦性を良くするのが目的であり、通常のレーザ
特性を得るためには必ずしも必要でない。
温連続発振するレーザが作製できた。この素子では、活
性層で発生した光がメサストライプ内外の実効屈折率差
により、ストライプ部分を屈折率導波されるため単一横
モードで発振した。この素子では、光出力５ｍＷ時にお
ける駆動電圧は２．４Ｖであった。この構造においても
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７の成長開始温度は４５０
℃以上５５０℃以下に設定しない場合素子抵抗の急激な
上昇が見られた。なおＧａＩｎＰ層２４の層厚を３０オ
ングストロームと薄くしているのは、活性層で発生した
光がこの層で吸収されないように量子準位の上昇によっ
てバンドギャップを増大させるためである。なお、本実
施例では、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２９を設けているが
表面の平坦性を良くするのが目的であり、通常のレーザ
特性を得るためには必ずしも必要でない。
【００１３】上記２つの実施例ではレーザ発光領域に上
記のようなものを採用したが、上記以外のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系結晶を用いた様々な構造の発光領域を有する素子に
も本製造方法を適用できることはいうまでもない。例え
ば、活性層に量子井戸構造やＳＣＨ構造、さらに超格子
構造などを採用しても同様な実用的な屈折率導波型半導
体レーザが作製できる。導波構造についても実施例にあ
げたもの以外でも電流通路にＧａＩｎＰとＧａＡｓを順
次分子線エピタキシー法によって積層する構造を含むも
のについて本発明が適応可能である。また、上記の実施
例では成長休止層をＧａＩｎＰ層としているが、ＡｌＩ
ｎＰもしくはＡｌＧａＩｎＰ層を用いた構造にも適用で
きる。さらに該成長休止層の上部に積層するＡｓ系結晶
層もＧａＡｓに限定されるものではなくＡｌＡｓやＡｌ
ＧａＡｓ層を用いた場合にも適用できる事はＲＨＥＥＤ
を用いた基礎実験から明らかである。また、実施例では
半導体レーザを例にとって説明したが、本発明をその他
のデバイス、例えば発光ダイオード、光変調器、光スイ
ッチやそれらを含む集積回路などに適応することも可能
である。
記のようなものを採用したが、上記以外のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系結晶を用いた様々な構造の発光領域を有する素子に
も本製造方法を適用できることはいうまでもない。例え
ば、活性層に量子井戸構造やＳＣＨ構造、さらに超格子
構造などを採用しても同様な実用的な屈折率導波型半導
体レーザが作製できる。導波構造についても実施例にあ
げたもの以外でも電流通路にＧａＩｎＰとＧａＡｓを順
次分子線エピタキシー法によって積層する構造を含むも
のについて本発明が適応可能である。また、上記の実施
例では成長休止層をＧａＩｎＰ層としているが、ＡｌＩ
ｎＰもしくはＡｌＧａＩｎＰ層を用いた構造にも適用で
きる。さらに該成長休止層の上部に積層するＡｓ系結晶
層もＧａＡｓに限定されるものではなくＡｌＡｓやＡｌ
ＧａＡｓ層を用いた場合にも適用できる事はＲＨＥＥＤ
を用いた基礎実験から明らかである。また、実施例では
半導体レーザを例にとって説明したが、本発明をその他
のデバイス、例えば発光ダイオード、光変調器、光スイ
ッチやそれらを含む集積回路などに適応することも可能
である。
【００１４】
【発明の効果】本発明の適用により（ＡｌyＧａ1-y）x
Ｉｎ1-xＰ結晶上に成長休止の後ＡｌzＧａ1-zＡｓ結晶
を分子線エピタキシー法によって成長した際の界面状態
が改善され、半導体レーザ素子などの直列抵抗が大幅に
低下した。
Ｉｎ1-xＰ結晶上に成長休止の後ＡｌzＧａ1-zＡｓ結晶
を分子線エピタキシー法によって成長した際の界面状態
が改善され、半導体レーザ素子などの直列抵抗が大幅に
低下した。
【図１】本発明の第１の実施例である利得導波型可視光
半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例である屈折率導波型可視
光半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
光半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図３】屈折率導波型可視光半導体レーザの製造工程の
従来例を示す断面図である。
従来例を示す断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層 ５ ｎ型電極 ６ ｐ型電極 １１ ｎ型ＡｌＩｎＰ第一クラッド層 １２ ＧａＩｎＰ活性層 １３ ｐ型ＡｌＩｎＰ第二クラッド層 １４ ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層 １５ Ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １６ 窒化シリコン膜 ２１ ｎ型ＡｌＩｎＰ第一クラッド層 ２２ ＧａＩｎＰ活性層 ２３ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層 ２４ ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層 ２５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第二クラッド層 ２６ ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層 ２７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２８ ｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層 ２９ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ３１ ｎ型ＡｌＩｎＰ第一クラッド層 ３２ ＧａＩｎＰ活性層 ３３ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第二クラッド層 ３４ ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層 ３５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上部第二クラッド層 ３６ ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層 ３７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３８ ｎ型ＧａＡｓ電流狭さく層 ３９ ｐ型ＧａＡｓキャップ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角田 篤勇 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 谷 健太郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 松井 完益 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−168091（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−109320（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21896（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/203 H01S 3/18 C30B 23/08
Claims (1)
- 【請求項１】 分子線エピタキシー法により、ＡｌＩｎ
Ｐ、ＡｌＧａＩｎＰ、及びＧａＩｎＰからなるＡｌＧａ
ＩｎＰ系結晶を成長した後、このＡｌＧａＩｎＰ系結晶
上に引き続いてＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、及びＧａＡｓ
からなるＡｌＧａＡｓ系結晶を成長させる際、 前記ＡｌＧａＡｓ系結晶 の成長開始時の基板温度を４５
０℃以上５５０℃以下とする工程を含む半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274392A JP2916037B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274392A JP2916037B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267168A JPH05267168A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2916037B2 true JP2916037B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=13209182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6274392A Expired - Fee Related JP2916037B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2916037B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7407546B2 (ja) | 2019-09-24 | 2024-01-04 | 株式会社東芝 | 量子カスケードレーザ |
| CN111404025B (zh) * | 2020-03-30 | 2021-04-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法 |
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1992
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