JP2913987B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
導体装置の製造方法に関する。
層のフォトレジスト層を連続して形成する場合がある。
例えばMOSFET(金属酸化膜半導体型電界効果トラ
ンジスタ)による半導体集積回路を製造する場合、ま
ず、半導体基板の表面にSi3N4等による被エッチング
材層が形成された後、この被エッチング材層に対し、ト
ランジスタの形成される能動領域に対応した開口部を有
する第1のフォトレジスト層が形成され、このフォトレ
ジスト層によって覆われていない領域の被エッチング材
層が選択的に除去される。ここで、被エッチング材層が
Si3N4である場合、従来はCF4、CHF3等の炭素系
のエッチングガスが使用されていた。そして、第1のフ
ォトレジスト層を除去することなく、反転防止用イオン
注入を行わない領域を覆う第2のフォトレジスト層が形
成される。図2と図3は、以上の処理を終えた段階での
半導体集積回路の断面構造を示すものである。図2と図
3において、1は半導体基板、2は被エッチング材層、
3は被エッチング材層2をパターニングするために形成
された第1のフォトレジスト層、4は第2のフォトレジ
スト層である。このように第1および第2のフォトレジ
スト層3、4が形成された状態においてイオン注入が行
われる。この結果、第1および第2のフォトレジスト層
のいずれにも覆われていない領域にイオンが注入され
る。また、ゲート電極の形成後にトランジスタのソース
およびドレイン領域を形成する場合においても、ゲート
電極形成に使用したフォトレジスト層を除去することな
く、ソース、ドレイン形成のためのフォトレジスト層が
形成される。この場合もゲート電極であるポリシリコ
ン、ポリサイド等をエッチングするのに炭素系のエッチ
ングガスが使用されていた。
来の半導体装置の製造方法を用いた場合、第1のフォト
レジスト層3上に濡れ性の悪いポリマー層が形成され、
第1および第2の各フォトレジスト層3、4間の密着性
が悪化するという問題がある。このため、第1のフォト
レジスト層3のパターンが幅の狭い間隙を有する場合
は、第1のフォトレジスト層3表面の濡れ性が悪いため
に第2のフォトレジスト層4が間隙内に行き渡らず、第
2のフォトレジスト層4と基板1との間に、図2中符号
5によって示すような空洞が形成されたり、塗布膜厚が
不均一になる等の不具合が生じた。そして、このような
空洞5や不均一な膜厚の第2のフォトレジスト層4が形
成されると、第2のフォトレジスト層4を用いたパター
ニングが正常に行われず、また、パターニングの際の第
2のフォトレジスト層4のマスク性が悪く、本来イオン
注入すべきでない領域までイオン注入されてしまうとい
う問題があった。この対策として、第1のフォトレジス
ト層3の表面に、例えばN2、Ar等の不活性ガスによ
るプラズマ処理等を施す改質処理工程を追加することが
考えられる。しかし、そのようにした場合、下記の問題
が生じる。余分な工程、設備が必要である。工程の
追加に伴って半導体装置に付着する異物が増加し、製造
歩留りが低下する。第1のフォトレジスト層3の形
状、寸法が変化する。このため、図3に符号6によって
示すようなマスク性の低下した領域、すなわち、本来第
1のフォトレジスト層3によって覆われているべきであ
るのに第1のフォトレジスト層3によって覆われていな
い領域が形成される。この場合、第1および第2のフォ
トレジスト層3、4をマスクとしたイオン注入あるいは
エッチング等の処理が行われると、マスク性の低下した
領域に対してもその処理が施されてしまう。この発明は
上述した事情に鑑みてなされたものであり、工程数を増
やすことなく、第1および第2のフォトレジスト層3、
4を良好に形成することができ、所期の素子パターンを
正確に形成することができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
グ材層が形成された基板表面に所定のパターンの第1の
フォトレジスト層を形成する工程と、 前記第1のフォト
レジスト層をエッチングマスクとして被エッチング材層
を選択除去するエッチング工程と、前記第1のフォトレ
ジスト層および前記基板表面上に所定のパターンの第2
のフォトレジスト層を形成する工程とを具備する半導体
装置の製造方法において、 前記エッチング工程で、炭素
を全く含まないエッチングガスを使用することを特徴と
している。
く、第1および第2のフォトレジスト層間の濡れ性、密
着性が改善される。
実施例について説明する。本製造方法においては、被エ
ッチング層が形成された半導体基板全面に第1のフォト
レジスト層を塗布した後、所定のパターンで露光・現像
し、これをエッチングマスクとして、主エッチングガス
として炭素を含まないガス、例えばSF6、NF3、Cl
2等によるエッチングガスを用いてドライエッチングを
行い、被エッチング材層を選択的に除去する。このよう
に第1のフォトレジスト層をマスクとしたエッチングに
炭素を含まないエッチングガスを用いると、レジスト表
面に濡れ性を劣化させるポリマー層が形成されなくな
る。従って、第1および第2のフォトレジスト層間の密
着性が向上する。図1に本製造方法を適用した半導体装
置の第2のフォトレジスト層4のパターニング完了段階
での断面構造を示す。このように改質処理やポリマー層
除去処理等の工程を追加することなく、第1および第2
のフォトレジスト層3、4間の密着性が改善され、半導
体装置の製造歩留りが向上する。
導体装置の製造方法は、被エッチング材層が形成された
基板表面に所定のパターンの第1のフォトレジスト層を
形成する工程と、前記第1のフォトレジスト層をエッチ
ングマスクとして被エッチング材層を選択除去するエッ
チング工程と、前記第1のフォトレジスト層および前記
基板表面上に所定のパターンの第2のフォトレジスト層
を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法にお
いて、前記エッチング工程で、炭素を全く含まないエッ
チングガスを使用するので、製造工程を増やすことな
く、第1および第2のフォトレジスト層間の密着性を改
善することができる。従って、所期の形状の素子パター
ンが正確に形成され、半導体装置の製造歩留りが向上す
るという効果が得られる。
た半導体装置の断面構造を示す図である。
構造を示す図である。
構造を示す図である。
……第2のフォトレジスト層。
Claims (1)
- 【請求項1】 被エッチング材層が形成された基板表面
に所定のパターンの第1のフォトレジスト層を形成する
工程と、 前記第1のフォトレジスト層をエッチングマスクとして
被エッチング材層を選択除去する エッチング工程と、 前記第1のフォトレジスト層および前記基板表面上に所
定のパターンの第2のフォトレジスト層を形成する工程
とを具備する半導体装置の製造方法において、 前記エッチング工程で、炭素を全く含まないエッチング
ガスを使用することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4064215A JP2913987B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4064215A JP2913987B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05267248A JPH05267248A (ja) | 1993-10-15 |
JP2913987B2 true JP2913987B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=13251648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4064215A Expired - Lifetime JP2913987B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2913987B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107516A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02214153A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-27 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Mos集積回路の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4064215A patent/JP2913987B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05267248A (ja) | 1993-10-15 |
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