JP2912306B2 - Cleaning method for processing equipment - Google Patents
Cleaning method for processing equipmentInfo
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- JP2912306B2 JP2912306B2 JP9300428A JP30042897A JP2912306B2 JP 2912306 B2 JP2912306 B2 JP 2912306B2 JP 9300428 A JP9300428 A JP 9300428A JP 30042897 A JP30042897 A JP 30042897A JP 2912306 B2 JP2912306 B2 JP 2912306B2
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、反応炉システムの洗浄
方法に関する。The present invention relates to a method for cleaning a reactor system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】反応炉例えば半導体ウエハを熱処理反応
させるＣＶＤ，拡散炉等では、プロセス中にウエハ以外
の反応容器等に反応生成物が付着し、これをそのまま放
置しておくとコンタミネーションの発生をまねき、半導
体製品の歩留まりが悪化するので、定期的に反応管等を
洗浄する必要があった。ここで、従来の反応管の洗浄方
法としては、装置より反応管を取り外し、専用の洗
浄機により沸硝酸等によりウエットエッチングを行な
い、純水により洗浄し、乾燥機にいれて乾燥を行な
い、反応管を装置に取り付け、取り付け後の調整を
要していた。上記の洗浄方法によれば、特に反応管の取
り付け、取り外しに多くの時間と労力とを要し、この問
は装置の稼動を停止せざるを得ないので稼動率が極めて
低かった。2. Description of the Related Art In a reaction furnace such as a CVD furnace or a diffusion furnace in which a semiconductor wafer is subjected to a heat treatment reaction, a reaction product adheres to a reaction vessel other than the wafer during the process, and if the reaction product is left as it is, contamination occurs. As a result, the yield of semiconductor products deteriorates. Therefore, it is necessary to periodically clean the reaction tubes and the like. Here, as a conventional method of cleaning the reaction tube, the reaction tube is removed from the apparatus, wet etching is performed using a dedicated cleaning machine with boiling nitric acid or the like, washed with pure water, dried in a drier, and dried. The tube was attached to the device and adjustments after installation were required. According to the above-mentioned cleaning method, particularly, installation and removal of the reaction tube requires a lot of time and labor. In this case, the operation of the apparatus has to be stopped, so that the operation rate is extremely low.
【０００３】このような洗浄は、プロセスの種類，ガス
の流量等によっても相違するが、洗浄時間として最短で
も１日を要し、かつ、洗浄の頻度としては通常１回／１
週であり、特にひどい場合として、シリコン窒化膜，テ
オス｛ＴＥＴＲＡＥＴＨＯＸＹ ＳＩＬＡＮＥ；Ｓｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4｝酸化膜形成の場合には、１回／２〜３
日の洗浄頻度となっていた。このような頻度で上記反応
管の取り外し、取り付けを行なうのは、作業者にとって
極めて負担が大きかった。[0003] Such cleaning varies depending on the type of process, the flow rate of gas, and the like, but requires at least one day as the cleaning time, and the cleaning frequency is usually once / one time.
Week, especially in severe cases, silicon nitride film, TEOS @ TETRAETHOXY SILANE; Si
(OC 2 H 5 ) 4に は In the case of forming an oxide film, once / two to three times
The frequency of cleaning was daily. It is extremely burdensome for the operator to remove and attach the reaction tube at such a frequency.
【０００４】そこで、上記問題点を解決するための提案
が、特開昭６１−１７６１１３号公報に開示されてい
る。この提案によれば、反応管に洗浄用薬品の注入口お
よび排出口を接続し、注入口を介して沸硝酸を反応管内
に導入して所定時間放置することで、反応管のウエット
エッチングを実行する。この後、沸硝酸を排出し、純水
を注入口より導入して洗浄を行ない、その後乾燥を実行
することで、反応管を装置より取り外さずに洗浄を行な
うというものである。Therefore, a proposal for solving the above problem is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-176113. According to this proposal, an inlet and an outlet for a cleaning chemical are connected to a reaction tube, and boiling nitric acid is introduced into the reaction tube through the injection port and left for a predetermined time to perform wet etching of the reaction tube. I do. Thereafter, the boiling nitric acid is discharged, pure water is introduced from the injection port to perform cleaning, and then drying is performed, thereby performing cleaning without removing the reaction tube from the apparatus.
【０００５】上述した特開昭６１−１７６１１３号公報
による洗浄方法は、実用化が極めて困難であった。すな
わち、装置に取り付けた状態でのウエットエッチングを
実行するために、従来構成にさらに追加して、劇薬であ
る洗浄用液体の供給系および排出系を要し、設備が大掛
りとなり、設置スペースの増大およびコストアップが避
けられない。また、既存の反応炉にこのような改造を行
なうことは事実上不可能である。The above-described cleaning method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 176113/1986 is extremely difficult to put into practical use. That is, in order to perform wet etching in a state of being attached to the apparatus, in addition to the conventional configuration, a supply system and a discharge system for a cleaning liquid, which is a deleterious agent, are required. Increase and cost increase are inevitable. Also, it is virtually impossible to make such modifications to existing reactors.
【０００６】さらにウエットエッチングであるが故に乾
燥時間に長時間要し、真空乾燥によって短時間化を図ろ
うとすればそのための設備も要する。したがって、現状
では反応管を取り外して洗浄を行なっているのが実状で
あり、上述したように稼動率が極めて低く、作業者に相
当の負担を要していた。Further, wet etching requires a long time for drying because of wet etching, and if a short time is to be achieved by vacuum drying, equipment for this is also required. Therefore, at present, cleaning is performed by removing the reaction tube, and as described above, the operation rate is extremely low, and a considerable burden is required for the operator.
【０００７】また、この出願の先願にあたる特開平１−
９３４１２号公報には、処理室と加熱部とを備えた処理
装置の化学的クリーニング方法において、ＣＦ4を用い
たクリーニング方法では反応速度が低いことから４００
℃以上の温度が必要なことから、三フッ化塩素（ＣｌＦ
3）ガスを用いて処理室内の温度を１１０°Ｃに設定し
てクリーニングすることが示されている。しかしなが
ら、この方法では、処理室内の温度を１１０°Ｃという
低い温度に下げることが必要であり、プロセスオペレー
ション後に直ちにクリーニングを行うことができずスル
ープットの観点から不都合がある。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei.
The 93412 discloses, in chemical cleaning method of processing apparatus including a heating unit and the processing chamber, since the low reaction rate in the cleaning method using CF 4 400
Temperature is required, so that chlorine trifluoride (ClF
3 ) Cleaning is performed by setting the temperature in the processing chamber to 110 ° C. using gas. However, in this method, it is necessary to lower the temperature in the processing chamber to a low temperature of 110 ° C., and cleaning cannot be performed immediately after the process operation, which is disadvantageous in terms of throughput.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
とするところは、上述した従来の問題点を解決し、反応
管等を装置より取り外すことなく洗浄を実行でき、しか
もウエットエッチングの場合のようにその後の純水洗浄
および乾燥を必ずしも要せずに、従来よりも短時間でし
かも従来構成に多少の改造を行なうだけで洗浄を実行す
ることができる反応炉システムの洗浄方法を提供するこ
とにある。さらに、本発明は、処理室の温度の昇降幅を
小さくしてスループットを向上させた洗浄方法を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to perform cleaning without removing a reaction tube or the like from an apparatus. To provide a method of cleaning a reactor system that can perform cleaning in a shorter time than before and with only a slight modification to the conventional configuration without necessarily requiring subsequent pure water cleaning and drying. It is in. Still another object of the present invention is to provide a cleaning method in which the increase / decrease width of the temperature of the processing chamber is reduced to improve the throughput.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明は、処理室と加熱部とを備えた処理
装置の洗浄方法において、前記処理室にて所定のプロセ
ス温度での被処理体の処理が終了した後、前記処理室よ
り前記被処理体を搬出する工程と、前記処理室内の温度
を前記プロセス温度から降下させて前記プロセス温度よ
りも低い２００〜５００°Ｃとする工程と、前記処理室
内を前記加熱部により２００〜５００℃に維持した状態
で三フッ化塩素（ＣｌＦ3）ガスを導入し、これにより
前記処理室内をドライエッチングして洗浄する工程を含
むことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a processing apparatus having a processing chamber and a heating unit, the method comprising the steps of: After the processing of the object to be processed is completed ,
Unloading the object to be processed and the temperature in the processing chamber.
From the process temperature to reduce the
A temperature of 200 to 500 ° C., and a state in which the processing chamber is maintained at 200 to 500 ° C. by the heating unit.
And introducing a chlorine trifluoride (ClF 3 ) gas to dry-etch and clean the processing chamber.
【００１０】請求項２の発明は、請求項１の処理装置の
洗浄方法において、前記処理室内に、被処理体を搭載し
ない状態で処理用治具を搬入する工程を含み、前記洗浄
する工程において、前記処理室内及び前記処理用治具を
ドライエッチングして洗浄することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided the cleaning method of the processing apparatus according to the first aspect, further comprising a step of loading a processing jig into the processing chamber without mounting an object to be processed.
In the step of, characterized by cleaning the processing chamber and the treatment apparatus by dry etching.
【００１１】[0011]
【作用】ＣｌＦ3は、プラズマレスでしかも低濃度、低
温でのドライエッチングが可能であり、例えば従来のク
リーニングガスとしての三フッ化チッ素ガス（ＮＦ3）
がプラズマの元でクリーニングが可能であるのに対し、
ＣｌＦ3がプラズマレスでクリーニング可能であること
から、プラズマによる弊害もなく、またプラズマ発生に
必要な電源設備等も要せずに洗浄を実施できる。[Function] ClF 3 is plasma-free and can be dry-etched at a low concentration and low temperature. For example, nitrogen trifluoride gas (NF 3 ) as a conventional cleaning gas is used.
Can be cleaned under plasma,
Since ClF 3 can be cleaned without plasma, cleaning can be performed without any adverse effects due to plasma, and without the need for power supply equipment required for plasma generation.
【００１２】また、ＣlＦ3結合は、Ｎ−Ｆ結合に比較し
て結合エネルギーが小さく、他の物質をフッ素化する能
力が極めて高いため、洗浄力の面でも優れている。 Further, the ClF 3 bond has a smaller binding energy than the NF bond and has an ability to fluorinate other substances.
Since the power is extremely high, it is also excellent in terms of detergency.
【００１３】さらに、ＮＦ3が化審法（化学物質の審査
及び製造等の規制に関する法律）によってその供給量が
規制を受けるのに対し、本ガスは難分解性を有さないた
め制限がなく、しかもデバイスに悪影響を与えるＣ，Ｓ
などの元素を含まず、また供給圧力も低圧で良いなどの
特性を有する。Further, while the supply amount of NF 3 is regulated by the Chemical Substances Control Law (Law Concerning the Regulation of Chemical Substance Examination and Production, etc.), this gas has no limit because it is not easily decomposed. And C and S which adversely affect the device
And the like, and the supply pressure may be low.
【００１４】請求項１の発明によれば、前記処理室にて
所定のプロセス温度での被処理体の処理が終了した後、
前記処理室より前記被処理体を搬出する工程と、前記処
理室内の温度を前記プロセス温度から降下させて前記プ
ロセス温度よりも低い２００〜５００°Ｃとする工程
と、前記処理室内を前記加熱部により２００〜５００℃
に維持した状態で三フッ化塩素（ＣｌＦ3）ガスを導入
し、これにより前記処理室内をドライエッチングして洗
浄する工程を有するので、効率よく処理室を洗浄するこ
とができるとともに、洗浄のために処理室の温度を室温
に下げる必要がなくなり、処理室の温度の昇降幅を小さ
くすることができ、スループットを改善することができ
る。請求項２の発明によれば、処理室の洗浄と併せて、
例えばボート、保温筒等の処理治具を同時に洗浄するこ
とができる。According to the first aspect of the present invention, after the processing of the object to be processed at a predetermined process temperature in the processing chamber is completed ,
Unloading the object from the processing chamber;
The room temperature is lowered from the process temperature to
Step of 200-500 ° C lower than process temperature
And 200 to 500 ° C. in the processing chamber by the heating unit.
Introducing chlorine trifluoride (ClF 3 ) gas while maintaining
As a result, the processing chamber is dry-etched and washed.
Since the process has a cleaning step, the processing chamber can be efficiently cleaned, and the temperature of the processing chamber is reduced to room temperature for cleaning.
It is not necessary to lower the, Ki out to reduce the lift width of the temperature of the processing chamber, it is possible to improve throughput. According to the invention of claim 2, together with the cleaning of the processing chamber,
For example, processing jigs such as boats and heat retaining tubes can be washed at the same time.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明をシリコン気相エピ
タキシャル成長装置での実施に適用した一実施例につい
て、図面を参照して具体的に説明する。図１に、本発明
にかかる処理装置の洗浄方法が適用される反応炉の一つ
であるシリコンエピタキシャル成長装置の概略を示す。
この装置は縦型反応炉で、軸方向を垂直軸とするプロセ
スチューブ１と、ヒータ３と、ボート４と、保温筒５
と、ローダ装置６と、ハンドラー７とを有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a silicon vapor phase epitaxial growth apparatus will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows a silicon epitaxial growth apparatus which is one of the reactors to which the method for cleaning a processing apparatus according to the present invention is applied.
This apparatus is a vertical reactor, and has a process tube 1 having a vertical axis in the axial direction, a heater 3, a boat 4, and a heat retaining cylinder 5.
, A loader device 6 and a handler 7.
【００１６】図２に示すように、プロセスチューブ１
は、外筒１ａと内筒１ｂとから成り、内筒１ｂの周面に
は多数の孔１ｃが形成されている。また、この内筒１ｂ
には、プロセスガスの導入管（ノズルともいう）２ａが
その下端より上端に向かって挿入支持されており、内筒
１ｂ内にプロセスガス等を導入可能となっている。そし
て、このプロセスガス等の排気としては、前記内筒１ｂ
に形成された孔１ｃを介して外筒１ａに導き、外筒１ａ
の下端に接続されているガス導出管２ｂを介して排気す
るようになっている。As shown in FIG. 2, the process tube 1
Is composed of an outer cylinder 1a and an inner cylinder 1b, and a large number of holes 1c are formed in the peripheral surface of the inner cylinder 1b. Also, this inner cylinder 1b
A process gas introduction pipe (also referred to as a nozzle) 2a is inserted and supported from its lower end toward its upper end, so that a process gas or the like can be introduced into the inner cylinder 1b. As the exhaust of the process gas or the like, the inner cylinder 1b is used.
To the outer cylinder 1a through the hole 1c formed in the outer cylinder 1a.
The gas is exhausted through a gas outlet pipe 2b connected to the lower end of the gas outlet.
【００１７】前記プロセスチューブ１の周囲には、加熱
装置として例えば電気抵抗式ヒータ３を配置している。
なお、図示していないが、上記ヒータ３の周囲には断熱
材がこれを包囲するように配置されている。Around the process tube 1, for example, an electric resistance heater 3 is disposed as a heating device.
Although not shown, a heat insulating material is arranged around the heater 3 so as to surround it.
【００１８】前記プロセスチューブ１内には、図示しな
い半導体ウエハを水平状態で、かつ、上下で離間した状
態で複数枚配列支持した石英ボート４を、垂直方向に沿
って搬入可能であり、また、このボート４の下端には、
ボート４を炉芯に位置させるための保温筒５が配置さ
れ、この保温筒５を上下動して前記ボート４をプロセス
チューブ１に対してロード，アンロードするローダ装置
６が設けられている。尚、この保温筒５を回転自在に構
成することができ、温度、ガスの均一性を向上すること
が可能である。さらに、プロセスチューブ１の下方にあ
るボート４をつかんでボート搬送装置に受け渡すための
ハンドラー７が設けられている。A quartz boat 4 in which a plurality of semiconductor wafers (not shown) are arranged and supported in a horizontal state and vertically separated from each other can be carried into the process tube 1 along a vertical direction. At the bottom of this boat 4,
A heat retaining tube 5 for positioning the boat 4 on the furnace core is provided, and a loader device 6 for vertically moving the heat retaining tube 5 to load and unload the boat 4 with respect to the process tube 1 is provided. In addition, the heat retaining cylinder 5 can be configured to be rotatable, and it is possible to improve the uniformity of temperature and gas. Further, a handler 7 is provided for grasping the boat 4 below the process tube 1 and transferring the boat 4 to the boat transport device.
【００１９】次に、上記プロセスチューブ１へのガス供
給系およびガス排気系について、図３を参照して説明す
る。先ず、ガス供給系について説明すると、前記ガス導
入管２ａに接続されるガス供給管１０は、フィルターＦ
を介して例えば５種類のガスが供給可能となっている。
この５種類のガスとは２種類のプロセスガス（シリコン
気相エピタキシャル成長の場合には、例えばＳｉＣｌ2
とＨ2）、洗浄用ガスとしてのＣｌＦ3、その希釈要ガス
であるＡｒおよびパージ用の不活性ガスであるＮ2であ
る。Next, a gas supply system to the process tube 1 and a gas exhaust system will be described with reference to FIG. First, the gas supply system will be described. The gas supply pipe 10 connected to the gas introduction pipe 2a is provided with a filter F
For example, five kinds of gases can be supplied.
The five types of gases are two types of process gases (for example, in the case of silicon vapor phase epitaxial growth, for example, SiCl 2
And H 2 ), ClF 3 as a cleaning gas, Ar which is a necessary gas for dilution, and N 2 which is an inert gas for purging.
【００２０】Ｎ2ガス以外のガス供給系は同様の構成を
有し、マスフローコントローラ（質量流量計）ＭＦＣ、
バブルＶ、圧力計ＰＧ、フィルターＦ、ボールバルブＢ
Ｖがそれぞれ配置されている。The gas supply systems other than the N 2 gas have the same configuration, and include a mass flow controller (mass flow meter) MFC,
Bubble V, pressure gauge PG, filter F, ball valve B
V are respectively arranged.
【００２１】一方、Ｎ2ガスの供給系は、バルブＶ、フ
ローメータＦＭ、圧力スイッチＰ．ＳＷ、レギュレータ
ＲＧ、フィルターＦ、ボールバルブＢＶがそれぞれ配置
されている。なお、このＮ2ガスは、逆止弁ＣＶを介し
て前記４種類のガス供給系にも供給可能となっている。On the other hand, the N 2 gas supply system includes a valve V, a flow meter FM, and a pressure switch P.V. SW, regulator RG, filter F, and ball valve BV are arranged respectively. The N 2 gas can also be supplied to the four types of gas supply systems via a check valve CV.
【００２２】なお、このようなガス供給系が従来構成と
異なる点は、洗浄用ガスＣｌＦ3およびその希釈用ガス
であるＡｒのガス供給系を設けたことである。ここで、
希釈用ガスを必要とする理由は、ＣｌＦ3を１００％と
するとエッチングレートが高すぎ、洗浄のコントロール
が不能となるためである。なお、希釈用ガスとしては不
活性ガスであればよく、その希釈率としては、除去すべ
き反応生成物の種類およびその膜厚によって適宜選択す
る必要があり、通常は５％〜２５％程度の希釈率として
使用する。The difference between such a gas supply system and the conventional structure is that a gas supply system for cleaning gas ClF 3 and Ar as a diluting gas is provided. here,
The reason for requiring a diluting gas is that if ClF 3 is 100%, the etching rate is too high and cleaning control becomes impossible. The dilution gas may be an inert gas, and its dilution ratio needs to be appropriately selected depending on the type of reaction product to be removed and its film thickness, and is usually about 5% to 25%. Use as dilution ratio.
【００２３】また、上記洗浄用ガスであるＣｌＦ3のガ
ス供給系の特有の構成として、この供給系には加熱手段
の一例としてテープヒータＴ．Ｈが配置されている。こ
のように、洗浄ガス供給系を加熱する理由は、特にＣｌ
Ｆ3の場合にはマスフローコントローラＭＦＣやバルブ
Ｖ等の流路の断面積変化のあるような場所を通過する際
には、断熱膨脹時にＣｌＦ3が相変化（気相→液相）を
起こし、このためマスフローコントローラＭＦＣ内部で
ＣｌＦ3が液化し、流量コントロールが不能となるから
である。Further, as a specific configuration of the gas supply system for ClF 3 as the cleaning gas, a tape heater T.P. H is arranged. Thus, the reason for heating the cleaning gas supply system is, in particular, Cl
In the case of F 3 , when passing through a place where the cross-sectional area of the flow path such as the mass flow controller MFC or the valve V changes, ClF 3 undergoes a phase change (from gas phase to liquid phase) during adiabatic expansion, For this reason, ClF 3 is liquefied inside the mass flow controller MFC, and the flow rate cannot be controlled.
【００２４】次に、ガス排気系について説明する。この
ガス排気系は、前記ガス導出管２ｂを例えばステンレス
管で構成し、このガス導出管２ｂに下記の各種部材を接
続している。真空計ＶＧおよび真空スイッチＶ．ＳＷ
は、プロセスチューブ１の内圧が真空状態から常圧（大
気圧）に復帰したか否かを検知確認するためのものであ
る。トラップＴＲＡＰは、コールドトラップおよびメッ
シュで構成され、反応生成物をトラップするためのもの
である。Next, the gas exhaust system will be described. In this gas exhaust system, the gas outlet pipe 2b is made of, for example, a stainless steel pipe, and the following various members are connected to the gas outlet pipe 2b. Vacuum gauge VG and vacuum switch V. SW
Is for detecting and confirming whether or not the internal pressure of the process tube 1 has returned from a vacuum state to normal pressure (atmospheric pressure). The trap TRAP is composed of a cold trap and a mesh, and is for trapping a reaction product.
【００２５】メインバルブＭＶとサブバルブＳＶは、排
気の初期においてはメインバルブＭＶを閉、サブバルブ
ＳＶを開として、コンダクタンスの小さい排気配管から
排気し、ある圧力（例えば５Ｔｏｒｒ）となったことを
真空計ＶＧで確認した後、サブバルブＳＶを閉、メイン
バルブＭＶを開（あるいはＳＶ，ＭＶ共に開でも良い）
し、所定の排気速度にアップし、排気を続ける（いわゆ
るソフトスタートと称する排気操作）ために設けてい
る。このような排気を実行する理由としては、プロセス
チューブ１内に収容されているウエハ等（ボート，ノズ
ル等の石英治具類も含む）が、急速な気体の移動によっ
て、セットされた位置がずれる、ゴミ等が舞上がっ
て付着し、コンタミネーションの原因となる、気流の
攪乱にさらされる、等の問題があり、これらからウエハ
等を守るためである。The main valve MV and the sub-valve SV close the main valve MV and open the sub-valve SV in the initial stage of the exhaust, and exhaust the gas through the exhaust pipe having a small conductance. After checking with VG, the sub valve SV is closed and the main valve MV is opened (or both SV and MV may be open)
Then, it is provided to increase the exhaust speed to a predetermined value and continue the exhaust (exhaust operation called a so-called soft start). The reason why such evacuation is performed is that a set position of a wafer or the like (including a quartz jig such as a boat or a nozzle) accommodated in the process tube 1 is shifted due to rapid movement of gas. There is a problem that dust and the like are soared and adhere and cause contamination, and are exposed to disturbance of an air current. This is to protect the wafer and the like from these.
【００２６】オートプレッシャーコントローラＡＰＣ
は、プロセスチューブ１内の減圧調整として、モータＭ
の駆動によってバタフライ弁の開度を調整してコントロ
ールするものである。Auto pressure controller APC
Is a motor M as a pressure reduction adjustment in the process tube 1.
Is controlled by adjusting the opening of the butterfly valve.
【００２７】メカニカルブースターポンプＭ．Ｂ．Ｐ
は、後段のロータリーポンプＲ．Ｐの排気能力を補助す
るためのものであり、ロータリーポンプＲ．Ｐは、油の
浄化機であるオイルフィルトレーションシステムＯ．Ｆ
から供給されるオイルに満たされた内部でロータを回転
することで排気を司どるものである。なお、このオイル
としては、完全フッ素系油が好ましく、化学的に安定で
不活性な油として、例えばフォンブリン油（モンテフル
オス社；商品名）を使用している。これは、従来使用さ
れている鉱物油では、ＣｌＦ3によって溶解され、その
寿命が短くなるからである。Mechanical booster pump M. B. P
Is a rotary pump R. P to assist the exhaust capacity of the rotary pump R. P is an oil filtration system O.P. F
It controls the exhaust by rotating the rotor inside the interior filled with the oil supplied from the air. As the oil, a perfluorinated oil is preferable, and as a chemically stable and inert oil, for example, Fomblin oil (Montefluos, trade name) is used. This is because conventionally used mineral oil is dissolved by ClF 3 and its life is shortened.
【００２８】また、前記メカニカルブースターポンプ
Ｍ．Ｂ．Ｐの排気経路前段側およびロータリーポンプ
Ｒ．Ｐの排気経路後段側で、Ｎ2パージを行なう構成と
してる。すなわち、メカニカルブースターポンプＭ．
Ｂ．Ｐの前段側には、ボールバルブＢＶ、レギュレータ
ＲＧ、圧力スイッチＰ．ＳＷ、フローメータＦＭ、ニー
ドルバルブＮＶ、バルブＶを介して、Ｎ2ガスが導入さ
れ、前記ロータリーポンプＲ．Ｐの後段側には、前記圧
力スイッチＰ．ＳＷの後段よりフローメータＦＭを介し
てＮ2ガスを導入可能となっている。メカニカルブース
ターポンプＭ．Ｂ．Ｐ前段側よりパージする理由は、メ
カニカルブースターポンプＭ．Ｂ．Ｐ、ロータリーポン
プＲ．Ｐからのオイルの逆拡散を防止することであり、
ロータリーポンプＲ．Ｐの後段側をパージする理由は、
ポンプを通過したガスに対する希釈が目的であり、後段
のガス除外装置での処理をしやすくしている。The mechanical booster pump M. B. P and the rotary pump R.P. N 2 purge is performed on the downstream side of the exhaust path of P. That is, the mechanical booster pump M.
B. The ball valve BV, the regulator RG, the pressure switch P. SW, the flow meter FM, the needle valve NV, and the valve V, N 2 gas is introduced. P, the pressure switch P. The N 2 gas can be introduced from the subsequent stage of the SW via the flow meter FM. Mechanical booster pump M. B. The reason for purging from the front stage side is that the mechanical booster pump M.P. B. P, rotary pump R.P. To prevent the back diffusion of oil from P,
Rotary pump R. The reason for purging the latter side of P is
The purpose is to dilute the gas that has passed through the pump, facilitating the processing in the subsequent gas elimination device.
【００２９】ここで、本発明の洗浄方法を好適に実施す
るためには、上記のＮ2パージに換えて、洗浄時には上
記ＣｌＦ3と希釈ガスＡｒを使用することが望ましく、
本実施例ではこれを実施可能に構成している。すなわ
ち、洗浄ガスＣｌＦ3とＡｒガスとを排気系に直接供給
するために、トラップＴＲＡＰの前段側とメカニカルブ
ースターポンプＭ．Ｂ．Ｐの前段側に、両ガスの供給系
を接続し、ＣｌＦ3の供給系にはテープヒータＴ．Ｈを
配置している。Here, in order to preferably carry out the cleaning method of the present invention, it is desirable to use the above-mentioned ClF 3 and diluent gas Ar at the time of cleaning instead of the above-mentioned N 2 purge.
In the present embodiment, this is configured to be practicable. That is, in order to directly supply the cleaning gas ClF 3 and the Ar gas to the exhaust system, the mechanical booster pump M.P. B. In the preceding stage of the P, connect the supply system both gases, the tape heater T. The supply system ClF 3 H is arranged.
【００３０】なお、上記ガス供給系およびガス排気系に
使用されるシール材としては、従来使用されているフッ
素系ゴムであるバイトン（デュポン社；商品名）に代え
て、優れた耐薬品性および耐熱性を有するカルレッツ
（デュポン社；商品名）を使用することが好ましい。The sealing material used in the gas supply system and the gas exhaust system is replaced by Viton (DuPont; trade name) which is a conventionally used fluorine rubber, and has excellent chemical resistance and It is preferable to use heat resistant Kalrez (DuPont; trade name).
【００３１】次に上記実施例装置での洗浄方法について
説明する。シリコン気相エピタキシャル成長プロセス
は、図４に示すオペレーションタイム（Ｔ）に実行され
る各種プロセスより実施され、このプロセスについては
公知であるので詳述しないが、本発明の洗浄方法は、こ
のプロセスが終了後、例えば２００°Ｃ〜５００°Ｃ程
度に降温された後にドライエッチングタイム（Ｄ）とし
て実行される。Next, a description will be given of a cleaning method using the above-described apparatus. The silicon vapor phase epitaxial growth process is carried out by various processes executed at the operation time (T) shown in FIG. 4, and since this process is known and will not be described in detail, the cleaning method of the present invention ends the process. Thereafter, the temperature is lowered to, for example, about 200 ° C. to 500 ° C., and then the dry etching time (D) is executed.
【００３２】なお、このような洗浄の仕方としては、下
記の２通りの方法が考えられる。 （１）１回のオペレーションタイムＴと１回のドライエ
ッチングタイムＤの和〔Ｔ＋Ｄ〕を一つのパターンとし
てとらえ、これを繰り返す方法で、一つのプロセスで石
英ボート，プロセスチューブ等に付着した膜を１デポジ
ション毎にエッチングして洗浄するものである。 （２）ｎ回のオペレーションタイムＴｉの繰り返しと１
回のドライエッチングタイムＤの和The following two methods are conceivable for such a cleaning method. (1) The sum [T + D] of one operation time T and one dry etching time D is regarded as one pattern, and by repeating this process, a film adhered to a quartz boat, a process tube, or the like is processed in one process. Etching and cleaning are performed for each deposition. (2) Repetition of operation time Ti n times and 1
Of dry etching times D
【００３３】[0033]
【数１】 を一つのパターンとしてとらえ、これを繰り返すもの
で、ｎ回のデポジションで付着した膜を、一回のドライ
エッチングタイム（Ｄ）でエッチングして初期状態に戻
す方法である。(Equation 1) Is repeated as one pattern, and the film deposited in n depositions is etched in one dry etching time (D) to return to the initial state.
【００３４】なお、（１），（２）のいずれでも、石英
ボート４、プロセスチューブ１、保温筒５等の石英治具
類に付着する膜がプロセスに悪影響を及ぼさない範囲の
うちにドライエッチング工程を実施する必要がある。In any of (1) and (2), dry etching is performed within a range where a film adhered to quartz jigs such as the quartz boat 4, the process tube 1, and the heat retaining tube 5 does not adversely affect the process. Steps need to be performed.
【００３５】そして、このような洗浄を実施する場合に
は、ウエハを搭載しない状態のボート４をプロセスチュ
ーブ１内に搬入し、プロセスチューブ１のほか、石英ボ
ート４，保温筒５等も一緒に洗浄することができる。ま
た、本実施例の場合、洗浄ガスを通常のガス供給系を用
いてプロセスチューブ１内に導入し、ガス排気系を介し
て排出しているので、このガス供給系特にノズル２ａ及
びガス排出系をも同時に洗浄することができる。特に、
ノズル２ａについては、従来のように沸硝酸によるウエ
ットエッチングによると、ガス噴出口の大きさが洗浄回
数を重ねる毎に大きくなり、ガス噴出量やフローパター
ン等が変わってくるおそれがあり、従来は所定の寿命毎
に交換を要していたが、本発明によればそのような弊害
はなく、ノズル２ａの洗浄を装置に備えつけたまま実行
でき、しかもその寿命を長くすることができる。When such cleaning is performed, the boat 4 on which no wafer is mounted is loaded into the process tube 1 and the quartz tube 4, the heat retaining tube 5, etc., together with the process tube 1, are put together. Can be washed. Further, in the case of this embodiment, the cleaning gas is introduced into the process tube 1 using a normal gas supply system and discharged through the gas exhaust system. Can also be washed at the same time. Especially,
With respect to the nozzle 2a, according to the conventional wet etching with boiling nitric acid, the size of the gas ejection port becomes larger as the number of times of cleaning increases, and the gas ejection amount, flow pattern, and the like may be changed. Although replacement is required every predetermined life, according to the present invention, there is no such problem, and the cleaning of the nozzle 2a can be performed with the apparatus provided, and the life can be extended.
【００３６】ここで、洗浄を行なう場合には、下記の２
通りの方法があり、その一つは洗浄ガスの供給と同時に
排気を行なうスルー方式（連続排気方式）であり、他の
一つはプロセスチューブ１内に洗浄ガスを充満させてド
ライエッチングを実行し、その後に排気を行なう方式で
ある。Here, when cleaning is performed, the following 2
There are three methods, one of which is a through system (continuous exhaust system) in which the cleaning gas is supplied and exhausted at the same time, and the other is one in which the cleaning gas is filled in the process tube 1 and dry etching is performed. , Followed by exhaust.
【００３７】スルー方式でない方式を例にとり説明する
と、先ず、エッチングすべき石英ボート４等をプロセス
チューブ１内にロードした状態とし、供給側のバルブＶ
を閉とし、ガス導出管２ｂに接続されているロータリポ
ンプＲ．Ｐ，メカニカルブースタポンプＭ．Ｂ．Ｐを駆
動してポロセスチューブ１内を１〜１０Ｔｏｒｒ程度の
圧力とする。この後、排出側バルブを閉とし、供給側バ
ルブを開として、（ＣｌＦ3＋Ａｒ）の混合ガスをプロ
セスチューブ１内に導入する。そして、供給圧力と同圧
力となるまでバルブを開のままとし、ガス流入が跡絶え
たときにバルブを閉とする。その後、ヒータ３の昇温に
よって２００°Ｃ〜５００°Ｃとしてエッチングを開始
する。A method other than the through method will be described as an example. First, the quartz boat 4 or the like to be etched is loaded into the process tube 1 and the supply side valve V
Is closed, and the rotary pump R. connected to the gas outlet pipe 2b is closed. P, mechanical booster pump M. B. By driving P, the inside of the process tube 1 is set to a pressure of about 1 to 10 Torr. Thereafter, the discharge side valve is closed and the supply side valve is opened, and a mixed gas of (ClF 3 + Ar) is introduced into the process tube 1. Then, the valve is kept open until the same pressure as the supply pressure is reached, and the valve is closed when the gas inflow is stopped. Thereafter, the temperature is raised to 200 ° C. to 500 ° C. by heating the heater 3 to start etching.
【００３８】エッチング終了後は、排出側バルブを開と
し、ポンプ駆動によって排気し、その後、ガス置換を行
なうために、真空引きとＮ2パージとを２回程度繰り返
すことで洗浄工程が終了することになる。After the etching is completed, the exhaust valve is opened, the pump is driven to exhaust gas, and then the vacuuming and N 2 purging are repeated about twice to perform gas replacement, thereby completing the cleaning process. become.
【００３９】なお、このような洗浄は、上記シリコン気
相エピタキシャル成長装置の反応炉にのみ適用されるも
のではなく、図５、図６に示すように、ＣＶＤプロセ
ス、酸化プロセスにも同様に適用することができる。Note that such cleaning is not applied only to the reaction furnace of the above silicon vapor phase epitaxial growth apparatus, but is also applied to the CVD process and the oxidation process as shown in FIGS. be able to.
【００４０】ここで、この洗浄ガスを用いた洗浄では、
そのエッチングレートがエッチング温度とＣｌＦ3の濃
度とにより定まるので、予めシーケンスを組み込んだプ
ロセスコントローラにて、プロセスの種別毎に洗浄条件
を事前に設定しておき、このようにしてＩＮ−ＬＩＮＥ
で洗浄工程を実施することが好ましい。Here, in the cleaning using this cleaning gas,
Since the etching rate is determined by the etching temperature and the concentration of ClF 3 , the cleaning conditions are set in advance for each process type by a process controller incorporating a sequence in advance, and the IN-LINE is thus set.
It is preferable to carry out the washing step.
【００４１】特に、用いる装置、プロセス（どのような
膜をどの程度エッチングするか）により上記温度、濃度
を設定する必要があり、したがって、そのような特性を
見極めた上で実施する必要がある。また、プロセスチュ
ーブ１のどの位置にエッチングすべき膜がどの程度の厚
さで形成されているかによっても条件が異なり、必要に
応じて、プロセスチューブ１内に導入すべき洗浄ガスの
ノズルの形状と位置とを変えて実施することが好まし
い。In particular, it is necessary to set the above-mentioned temperature and concentration depending on the apparatus and process to be used (what kind of film is to be etched and how much). Therefore, it is necessary to determine such characteristics before conducting the measurement. The conditions also differ depending on where the film to be etched is formed and at what thickness in the process tube 1. If necessary, the shape of the nozzle of the cleaning gas to be introduced into the process tube 1 and It is preferable to change the position.
【００４２】ここで、上記エッチングレートに関する実
験例について説明する。この実験は、ウエハ上に下記の
２種類の膜を形成しておき、このウエハを垂直状態に立
てて支持し、かつ、２０ｍｍ間隔で配列した容器内に洗
浄ガスをスルー方式によって供給して行なった。Here, an experimental example relating to the etching rate will be described. In this experiment, the following two types of films were formed on a wafer, the wafer was supported vertically, and a cleaning gas was supplied to containers arranged at 20 mm intervals by a through system. Was.
【００４３】〈実験例１〉シリコンＳｉ基板上にＳｉＯ
2膜、さらにその上にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成したウエ
ハを、下記の条件にて洗浄した。すなわち、処理温度１
８℃、処理圧力１０Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3；０．４ｌ／ｍ
ｉｎ、Ａｒ；１．６ｌ／ｍｉｎ、希釈度２５％、エッチ
ング時間１２０秒の条件下での結果は下記の表１の通り
である。<Experimental Example 1> SiO 2 was deposited on a silicon Si substrate.
The two films and the wafer on which the Poly-Si film was further formed were washed under the following conditions. That is, processing temperature 1
8 ° C., processing pressure 10 Torr, ClF 3 ; 0.4 l / m
Table 1 below shows the results under the conditions of in, Ar; 1.6 l / min, a dilution degree of 25%, and an etching time of 120 seconds.
【００４４】[0044]
【表１】 [Table 1]
【００４５】上記のように、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と下地Ｓ
ｉＯ2膜との間で、ＣｌＦ3のガスに対して、Ｐｏｌｙ−
ＳｉＯ2膜のエッチング速度が大きく、充分に選択比が
得られることが判った。なお、エッチング速度は、２０
Å／ｓｅｃ以上と推定される。As described above, the Poly-Si film and the underlying S
between iO 2 film, with respect to gas ClF 3, POLY-
It was found that the etching rate of the SiO 2 film was high and a sufficient selectivity was obtained. The etching rate is 20
Å / sec or more is estimated.
【００４６】〈実験例２〉Ｓｉ基板上にＳｉＮ膜を形成
したウエハを、下記の条件で洗浄した。すなわち、処理
温度１５０℃、処理圧力１０Ｔｏｒｒ、ＣｌＦ3；０．
４ｌ／ｍｉｎ、Ａｒ；１．６ｌ／ｍｉｎ、希釈度２５
％、エッチング時間１５分で実験した結果は下記の表２
の通りである。<Experimental Example 2> A wafer having a SiN film formed on a Si substrate was cleaned under the following conditions. That is, processing temperature 150 ° C., processing pressure 10 Torr, ClF 3 ;
4 l / min, Ar; 1.6 l / min, dilution 25
% And an etching time of 15 minutes are shown in Table 2 below.
It is as follows.
【００４７】[0047]
【表２】 [Table 2]
【００４８】上記の測定点はウエハ中心であり、その端
部はエッチング済みとなっていたが、中央部のエッチン
グは不良であった。これは、ウエハの設定方法が良好で
なく、ガスがウエハ上に均一に供給されずに端部のみエ
ッチングされたものと思われ、設定等を適宜変えれば良
好な結果が得られると思われる。なお、エッチング速度
は、Ｍａｘ８．６Å／ｍｉｎと推定される。The above measurement point was at the center of the wafer, and the end was etched, but the etching at the center was poor. This is probably because the method of setting the wafer was not good, and the gas was not uniformly supplied onto the wafer, and only the edge was etched. It is considered that good results can be obtained by appropriately changing the setting and the like. Note that the etching rate is estimated to be Max 8.6 ° / min.
【００４９】このように、この洗浄ガスを用いれば、多
結晶シリコン、シリコン窒化膜等のドライエッチングに
よる洗浄が確実に実施できることが確認できたが、この
洗浄ガスは、上記反応生成物だけでなく、濃度、温度条
件によって各種反応生成物の洗浄に適用可能である。さ
らに、上記実施例のように排気系に洗浄ガスを通すこと
によって、この排気系をも洗浄することが出来る。As described above, it has been confirmed that the use of this cleaning gas makes it possible to reliably perform cleaning by dry etching of polycrystalline silicon, silicon nitride film, and the like. It can be applied to washing of various reaction products depending on conditions of concentration, temperature and temperature. Further, by passing the cleaning gas through the exhaust system as in the above embodiment, the exhaust system can also be cleaned.
【００５０】ここで、排気系の現状について説明する
と、現状ではメカニカルブースターポンプＭ．Ｂ．Ｐと
ロータリーポンプＲ．Ｐの組み合わせによって使用され
ているが、プロセスを維持していく上で非常に問題が多
い部分となっている。特に、反応生成物がロータリーポ
ンプの潤滑油に混入し、排気性能が悪化し、また、ロー
タリーポンプの潤滑油から油の逆拡散が生じ、ウエハの
膜室の悪化につながる等の問題がある。Here, the current state of the exhaust system will be described. B. P and rotary pump R. Although it is used by a combination of P, it is a very problematic part in maintaining the process. In particular, there is a problem that the reaction product is mixed into the lubricating oil of the rotary pump and the evacuation performance is deteriorated, and that the oil is reversely diffused from the lubricating oil of the rotary pump, leading to deterioration of the film chamber of the wafer.
【００５１】以下、低圧ＣＶＤでの各種プロセスの問題
点について説明すると、 （ａ）ポリシリコン（多結晶Ｓｉ） 供給ガスであるシランＳｉＨ4は、大気の侵入による燃
焼によってＳｉＯ2を発生し、これがポンプ内又は配管
等の詰りを発生させる。 （ｂ）シリコン窒化膜（ＳｉＮ） 反応副生成物として塩化アンモニウムを発生し、これが
配管やポンプの冷たい壁面に付着する性質があり、ひど
い場合にはロータとケースの間に挾まれてポンプを停止
させることがある。 （ｃ）酸化膜（ＳｉＯ2） ポリシリコンと同様な問題の他に、ＬＴＯ（Low Temper
ature Oxidization)の場合にはパーティクルの発生が多
く、未反応ガスと共に流入する。 （ｄ）シリコンエピタキシャル 多量にＨ2を使用するので、ポンプには未反応のＨ2とＨ
Ｃｌの混入ガスが多く流入し、大気の流入があると塩素
と化合して腐蝕性生成物をつくる。The problems of various processes in low-pressure CVD will be described below. (A) Polysilicon (polycrystalline Si) The silane SiH 4, which is a supply gas, generates SiO 2 by combustion due to the invasion of the atmosphere. This causes clogging of the pump or piping. (B) Silicon nitride film (SiN) Ammonium chloride is generated as a reaction by-product and tends to adhere to the cold walls of pipes and pumps. In severe cases, the pump is stopped by being caught between the rotor and the case. May be caused. (C) Oxide film (SiO 2 ) In addition to the same problems as polysilicon, LTO (Low Temper
In the case of (ature oxidization), a large amount of particles are generated and flow in with unreacted gas. (D) Silicon epitaxial Since a large amount of H 2 is used, unreacted H 2 and H
A large amount of Cl-containing gas flows in, and when there is an inflow of air, it combines with chlorine to form corrosive products.
【００５２】このように各種プロセスによって排気系に
生成物が排出され、排気管の目詰まり等の弊害を引き起
こしている。そこで、本発明に使用される洗浄ガスを、
この排気系にも通すことで、ドライエッチングによる洗
浄が可能となる。As described above, the products are discharged to the exhaust system by various processes, which causes adverse effects such as clogging of the exhaust pipe. Therefore, the cleaning gas used in the present invention is:
By passing through this exhaust system, cleaning by dry etching becomes possible.
【００５３】なお、ロータリーポンプＲ．Ｐでの油の逆
拡散を防止するため、従来はＮ2ガスを使用してパージ
しているが、洗浄時には前記洗浄ガスを希釈ガスで適当
に希釈させて使用することが好ましい。The rotary pump R. In order to prevent the back diffusion of the oil in the P, the purging is conventionally performed using N 2 gas. However, it is preferable that the cleaning gas is appropriately diluted with a diluting gas before cleaning.
【００５４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
【００５５】本発明が適用される反応炉としては、上記
実施例のような二重管方式のプロセスチューブでなく、
単一のプロセスチューブを使用したもの、あるいは横型
炉（拡散、ＣＶＤ等を問わず）、バレル型等各種の反応
炉の洗浄に適用可能である。The reactor to which the present invention is applied is not a double tube type process tube as in the above embodiment, but
The present invention can be applied to cleaning of various reactors such as one using a single process tube, a horizontal furnace (regardless of diffusion, CVD, etc.), and a barrel type.
【００５６】また、反応炉の洗浄にあたって、備え付け
のガス供給系、ガス排気系を使用するものであれば、ノ
ズル、ガス排気管等の洗浄も併せて実行できる点で好ま
しいが、例えばノズル等は洗浄すべき膜形成装置、その
厚さによって洗浄専用ノズルを使用することもできる。In cleaning the reaction furnace, it is preferable to use a gas supply system and a gas exhaust system provided in that the nozzle and the gas exhaust pipe can be washed together. A nozzle dedicated for cleaning may be used depending on the film forming apparatus to be cleaned and its thickness.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＣ
ｌＦ3ガスの導入によってプラズマレスで反応管をドラ
イエッチングして洗浄することができるので、プロセス
チューブを取り付けたままで洗浄を実施することがで
き、従来洗浄に要していた時間と労力の問題を解決し、
稼動率を大幅に高めることができる。As described above, according to the present invention, C
Since the reaction tube can be dry-etched and cleaned without introducing plasma by introducing IF 3 gas, cleaning can be performed with the process tube attached, eliminating the time and labor problems conventionally required for cleaning. Settle,
The operating rate can be greatly increased.
【図１】 本発明方法を実施するための反応炉の一実施
例であるシリコンエピタキシャル成長装置の概略説明
図。FIG. 1 is a schematic explanatory view of a silicon epitaxial growth apparatus as one embodiment of a reactor for carrying out the method of the present invention.
【図２】 プロセスチューブの詳細を説明するための概
略説明図。FIG. 2 is a schematic explanatory diagram for explaining details of a process tube.
【図３】 図１のプロセスチューブに接続されるガス供
給系及びガス排気系を説明するための概略説明図。FIG. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining a gas supply system and a gas exhaust system connected to the process tube of FIG. 1;
【図４】 Ｓｉ−Ｅｐｉ成長プロセスのオペレーション
タイムとドライエッチングタイムを説明する概略説明
図。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram illustrating an operation time and a dry etching time of a Si-Epi growth process.
【図５】 ＣＶＤプロセスのオペレーションタイムとド
ライエッチングタイムを説明する概略説明図。FIG. 5 is a schematic explanatory diagram illustrating an operation time and a dry etching time of a CVD process.
【図６】 酸化プロセスのオペレーションタイムとドラ
イエッチングタイムを説明する概略説明図。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an operation time and a dry etching time of an oxidation process.
１ プロセスチューブ ２ａ ノズル ２ｂ ガス導出管 ３ ヒータ ４ ボート ５ 保温筒 ６ ローダ装置 ７ ハンドラー １０ ガス供給管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Process tube 2a Nozzle 2b Gas lead-out tube 3 Heater 4 Boat 5 Heat retention tube 6 Loader device 7 Handler 10 Gas supply tube
Claims (2)
浄方法において、 前記処理室にて所定のプロセス温度での被処理体の処理
が終了した後、前記処理室より前記被処理体を搬出する
工程と、 前記処理室内の温度を前記プロセス温度から降下させて
前記プロセス温度よりも低い２００〜５００°Ｃとする
工程と、 前記処理室内を前記加熱部により２００〜５００℃に維
持した状態で三フッ化塩素（ＣｌＦ3）ガスを導入し、
これにより前記処理室内をドライエッチングして洗浄す
る工程を含むことを特徴とする処理装置の洗浄方法。1. A method for cleaning a processing apparatus provided with a processing chamber and a heating unit , wherein after the processing of the processing target at a predetermined process temperature in the processing chamber is completed, the processing target is removed from the processing chamber. Unload
Step and lowering the temperature in the processing chamber from the process temperature
200-500 ° C lower than the process temperature
A step, Wei the processing chamber 200 to 500 ° C. by the heating unit
Introduce chlorine trifluoride (ClF 3 ) gas while holding
A method of cleaning a processing apparatus, comprising a step of dry-etching and cleaning the processing chamber.
具を搬入する工程を含み、 前記洗浄する工程において、 前記処理室内及び前記処理
用治具をドライエッチングして洗浄することを特徴とす
る処理装置の洗浄方法。2. The processing chamber according to claim 1, further comprising a step of loading a processing jig into the processing chamber without mounting an object to be processed , wherein in the cleaning step, the processing chamber and the processing jig are removed. method of cleaning a processing apparatus characterized by washing with dry etching.
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