JP2911270B2 - 可視光レーザダイオード及びその製造方法 - Google Patents
可視光レーザダイオード及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザダイオー
ド及びその製造方法に関し、特に、素子特性を向上でき
る可視光レーザダイオード及びその製造方法に関するも
のである。
ド及びその製造方法に関し、特に、素子特性を向上でき
る可視光レーザダイオード及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の可視光レーザダイオードの
断面構造図であり、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、２１はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、２２はア
ンドープＧａＩｎＰ活性層、２３はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
光ガイド層、２４はｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ
層、２５はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、２６はｐ
型ＧａＡｓキャップ層である。この上クラッド層２５及
びキャップ層２６はリッジ状に加工されている。２４は
２回目の結晶成長により選択的に形成したｎ型ＧａＡｓ
ブロック層、２５は３回目の結晶成長で形成したｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、６はｎ側電極、７はｐ側電極であ
る。
断面構造図であり、図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、２１はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層、２２はア
ンドープＧａＩｎＰ活性層、２３はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
光ガイド層、２４はｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ
層、２５はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層、２６はｐ
型ＧａＡｓキャップ層である。この上クラッド層２５及
びキャップ層２６はリッジ状に加工されている。２４は
２回目の結晶成長により選択的に形成したｎ型ＧａＡｓ
ブロック層、２５は３回目の結晶成長で形成したｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層、６はｎ側電極、７はｐ側電極であ
る。
【０００３】図４は図３の可視光レーザダイオードの製
造方法を示す断面工程図である。図において、図３と同
一符号は同一又は相当部分であり、３０はＳｉＮX 膜で
ある。
造方法を示す断面工程図である。図において、図３と同
一符号は同一又は相当部分であり、３０はＳｉＮX 膜で
ある。
【０００４】次に、従来の可視光レーザダイオードの製
造方法について説明する。まず、１回目のエピタキシャ
ル成長により、図４(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２１，アン
ドープのＧａＩｎＰ活性層２２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ光
ガイド層２３，ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２
４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５，ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６を連続成長して、ダブルヘテロ（Ｄ
Ｈ）構造２を形成する。
造方法について説明する。まず、１回目のエピタキシャ
ル成長により、図４(a) に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層２１，アン
ドープのＧａＩｎＰ活性層２２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ光
ガイド層２３，ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２
４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５，ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６を連続成長して、ダブルヘテロ（Ｄ
Ｈ）構造２を形成する。
【０００５】次に、このＤＨ構造２上に図４(b) に示す
ように、ＳｉＮX 膜３０を蒸着し、このＳｉＮX 膜３０
を図４(c) に示すようにストライプ状にパターニングし
た後、このＳｉＮX 膜３０のパターンをマスクとして、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上ク
ラッド層２５をｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層エッチングストッ
パ層２４までエッチングして、図４(d) に示すように、
逆メサ型のリッジ３を形成する。
ように、ＳｉＮX 膜３０を蒸着し、このＳｉＮX 膜３０
を図４(c) に示すようにストライプ状にパターニングし
た後、このＳｉＮX 膜３０のパターンをマスクとして、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上ク
ラッド層２５をｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層エッチングストッ
パ層２４までエッチングして、図４(d) に示すように、
逆メサ型のリッジ３を形成する。
【０００６】次に、２回目のエピタキシャル成長によ
り、リッジ３上のＳｉＮX 膜２６を選択成長のマスクと
して、ＳｉＮX 膜３０上以外にｎ型ＧａＡｓを成長する
選択成長を行い、図４(e) に示すように、リッジ３の両
サイドを埋め込むようにｎ型ＧａＡｓブロック層３１を
形成する。
り、リッジ３上のＳｉＮX 膜２６を選択成長のマスクと
して、ＳｉＮX 膜３０上以外にｎ型ＧａＡｓを成長する
選択成長を行い、図４(e) に示すように、リッジ３の両
サイドを埋め込むようにｎ型ＧａＡｓブロック層３１を
形成する。
【０００７】この２回目のエピタキシャル成長後、リッ
ジ３上部のＳｉＮX 膜３０をＨＦ等のエッチング液で除
去した後、３回目のエピタキシャル成長を行い、ｐ型Ｇ
ａＡｓを成長し、図４(f) に示すようにｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２５を形成する。この後、ｎ側電極６，ｐ側
電極７を蒸着等により形成し、劈開による端面形成工程
等を経て図３に示す可視光レーザダイオードが完成す
る。
ジ３上部のＳｉＮX 膜３０をＨＦ等のエッチング液で除
去した後、３回目のエピタキシャル成長を行い、ｐ型Ｇ
ａＡｓを成長し、図４(f) に示すようにｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２５を形成する。この後、ｎ側電極６，ｐ側
電極７を蒸着等により形成し、劈開による端面形成工程
等を経て図３に示す可視光レーザダイオードが完成す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光レーザダ
イオードは以上のように構成されており、３回目の成長
時、即ち、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５を成長する
際、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎがｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ光ガイド層２３とアンドープＧａＩｎＰ活性層２２の
ヘテロ界面にパイルアップし、レーザの特性を劣化させ
るという問題があった。
イオードは以上のように構成されており、３回目の成長
時、即ち、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２５を成長する
際、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎがｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ光ガイド層２３とアンドープＧａＩｎＰ活性層２２の
ヘテロ界面にパイルアップし、レーザの特性を劣化させ
るという問題があった。
【０００９】また、２回目のエピタキシャル成長時に、
選択成長のマスクとなるＳｉＮX 膜３０が熱変成し、除
去しにくくなったり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６に変
成が生じるという問題もあった。
選択成長のマスクとなるＳｉＮX 膜３０が熱変成し、除
去しにくくなったり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６に変
成が生じるという問題もあった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層の形
成の際に生じるｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎの活性層
界面へのパイルアップを防ぐとともに、２回目の成長時
に生じるＳｉＮX 膜の熱変成によるｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層の変成を防ぐことができる可視光レーザダイオード
及びその製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層の形
成の際に生じるｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎの活性層
界面へのパイルアップを防ぐとともに、２回目の成長時
に生じるＳｉＮX 膜の熱変成によるｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層の変成を防ぐことができる可視光レーザダイオード
及びその製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る可視光レ
ーザダイオードは、第１導電型ＧａＡｓ基板上に順次結
晶成長された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，Ｇ
ａＩｎＰ活性層，及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層と、上記第２導電型クラッド層の一部をエッチング
除去して形成した逆メサ形状のストライプ状リッジ構造
と、上記ストライプ状リッジの両サイド上に配置された
該リッジの上端が突出するような層厚を有する第１導電
型ＧａＡｓ電流ブロック層と、上記ストライプ状リッジ
頂上全面に、上記逆メサ形状のストライプ状リッジ構造
の形成後に結晶成長により形成された、断面三角形状の
第１導電型ＧａＡｓ層と、上記電流ブロック層上，電流
ブロック層から突出したリッジ側壁上及び上記断面三角
形状の第１導電型ＧａＡｓ層上に形成された第２導電型
ＧａＡｓコンタクト層とを備えたものである。
ーザダイオードは、第１導電型ＧａＡｓ基板上に順次結
晶成長された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，Ｇ
ａＩｎＰ活性層，及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層と、上記第２導電型クラッド層の一部をエッチング
除去して形成した逆メサ形状のストライプ状リッジ構造
と、上記ストライプ状リッジの両サイド上に配置された
該リッジの上端が突出するような層厚を有する第１導電
型ＧａＡｓ電流ブロック層と、上記ストライプ状リッジ
頂上全面に、上記逆メサ形状のストライプ状リッジ構造
の形成後に結晶成長により形成された、断面三角形状の
第１導電型ＧａＡｓ層と、上記電流ブロック層上，電流
ブロック層から突出したリッジ側壁上及び上記断面三角
形状の第１導電型ＧａＡｓ層上に形成された第２導電型
ＧａＡｓコンタクト層とを備えたものである。
【００１２】また、この発明に係る可視光レーザダイオ
ードの製造方法は、再成長時に逆メサ形状のストライプ
状リッジの上部に選択成長のマスクをつけずにｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層表面を露出させておいて、ｎ型ＧａＡｓ
層，ｐ型ＧａＡｓ層を１回の成長で順に成長し、リッジ
の上にもｎ型ＧａＡｓ層を成長した後、ｐ型ＧａＡｓで
全面を埋め込んだものである。
ードの製造方法は、再成長時に逆メサ形状のストライプ
状リッジの上部に選択成長のマスクをつけずにｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層表面を露出させておいて、ｎ型ＧａＡｓ
層，ｐ型ＧａＡｓ層を１回の成長で順に成長し、リッジ
の上にもｎ型ＧａＡｓ層を成長した後、ｐ型ＧａＡｓで
全面を埋め込んだものである。
【００１３】
【作用】この発明における可視光レーザダイオードは、
逆メサ形状のストライプ状リッジ頂上全面に逆メサ形状
のストライプ状リッジ構造の形成後に結晶成長により形
成された、断面三角形状のｎ型ＧａＡｓ層を備えた構成
としたから、コンタクト層形成時に生ずるｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層中のＺｎの活性層界面へのパイルアップが抑え
られ、素子特性を向上できる。
逆メサ形状のストライプ状リッジ頂上全面に逆メサ形状
のストライプ状リッジ構造の形成後に結晶成長により形
成された、断面三角形状のｎ型ＧａＡｓ層を備えた構成
としたから、コンタクト層形成時に生ずるｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層中のＺｎの活性層界面へのパイルアップが抑え
られ、素子特性を向上できる。
【００１４】この発明における可視光レーザダイオード
の成長方法は、再成長時に逆メサ形状のストライプ状リ
ッジ上部のｐ型ＧａＡｓキャップ層の上にもｎ型ＧａＡ
ｓが成長することにより、ｐ型ＧａＡｓ再成長時に、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層の界面へパイルア
ップすることを防ぐことができ、ダブルヘテロ構造の特
性の劣化を低減でき、また、２回目の結晶成長をＳｉＮ
X 膜を除去した状態で行うようにしたから、ＳｉＮX 膜
の熱変成によるｐ型ＧａＡｓキャップ層の変成を防ぐこ
とができる。
の成長方法は、再成長時に逆メサ形状のストライプ状リ
ッジ上部のｐ型ＧａＡｓキャップ層の上にもｎ型ＧａＡ
ｓが成長することにより、ｐ型ＧａＡｓ再成長時に、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層の界面へパイルア
ップすることを防ぐことができ、ダブルヘテロ構造の特
性の劣化を低減でき、また、２回目の結晶成長をＳｉＮ
X 膜を除去した状態で行うようにしたから、ＳｉＮX 膜
の熱変成によるｐ型ＧａＡｓキャップ層の変成を防ぐこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の一実施例による可視光レーザダイ
オードを示す断面構造図であり、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２１はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層、２２はアンドープＧａＩｎＰ活性層、２３はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ光ガイド層、２４はｐ型ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層、２５はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド
層、２６はｐ型ＧａＡｓキャップ層である。４ａ，４ｂ
は再成長したｎ型ＧａＡｓ層であり、４ａは電流をブロ
ックするｎ型ＧａＡｓブロック層、４ｂはｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層中のＺｎの活性層界面へパイルアップを防止す
るために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５，ｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６からなるリッジ上に断面三角形
状に形成したｎ型ＧａＡｓパイルアップ防止層である。
ここで、ブロック層４ａはリッジを完全には埋めておら
ず、少なくともキャップ層２６の一部が突出する層厚を
有する。また、５はこのｎ型ＧａＡｓ層４ａ，４ｂの上
に成長したｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
する。図１は本発明の一実施例による可視光レーザダイ
オードを示す断面構造図であり、図において、１はｎ型
ＧａＡｓ基板、２１はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド
層、２２はアンドープＧａＩｎＰ活性層、２３はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰ光ガイド層、２４はｐ型ＧａＩｎＰエッチ
ングストッパ層、２５はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド
層、２６はｐ型ＧａＡｓキャップ層である。４ａ，４ｂ
は再成長したｎ型ＧａＡｓ層であり、４ａは電流をブロ
ックするｎ型ＧａＡｓブロック層、４ｂはｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ層中のＺｎの活性層界面へパイルアップを防止す
るために、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５，ｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６からなるリッジ上に断面三角形
状に形成したｎ型ＧａＡｓパイルアップ防止層である。
ここで、ブロック層４ａはリッジを完全には埋めておら
ず、少なくともキャップ層２６の一部が突出する層厚を
有する。また、５はこのｎ型ＧａＡｓ層４ａ，４ｂの上
に成長したｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１６】図２は図１の可視光レーザダイオードの製
造方法を示す断面工程図であり、図において、図１と同
一符号は同一又は相当部分であり、３０はＳｉＮx 膜で
ある。
造方法を示す断面工程図であり、図において、図１と同
一符号は同一又は相当部分であり、３０はＳｉＮx 膜で
ある。
【００１７】次に、本実施例の可視光レーザダイオード
の製造方法について説明する。まず、１回目のエピタキ
シャル成長により、図２(a) に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１の（１００）面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層２１，アンドープのＧａＩｎＰ活性層２２，ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２３，ｐ型ＧａＩｎＰエッ
チングストッパ層２４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド
層２５，ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６を連続成長して、
ダブルヘテロ構造２を形成する。
の製造方法について説明する。まず、１回目のエピタキ
シャル成長により、図２(a) に示すように、ｎ型ＧａＡ
ｓ基板１の（１００）面上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下ク
ラッド層２１，アンドープのＧａＩｎＰ活性層２２，ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２３，ｐ型ＧａＩｎＰエッ
チングストッパ層２４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド
層２５，ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６を連続成長して、
ダブルヘテロ構造２を形成する。
【００１８】次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６上に図
２(b) に示すようにＳｉＮX 膜３０を蒸着し、このＳｉ
ＮX 膜３０を図２(c) に示すようにストライプ状にパタ
ーニングした後、これをマスクとして、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２６とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５を
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層エッチングストッパ層２４までエ
ッチングすることによりリッジ３を形成する。このリッ
ジ３の形成後、リッジ上部のＳｉＮX 膜３０はＨＦ等の
エッチング液を用いて図２(d) に示すように除去する。
２(b) に示すようにＳｉＮX 膜３０を蒸着し、このＳｉ
ＮX 膜３０を図２(c) に示すようにストライプ状にパタ
ーニングした後、これをマスクとして、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２６とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層２５を
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層エッチングストッパ層２４までエ
ッチングすることによりリッジ３を形成する。このリッ
ジ３の形成後、リッジ上部のＳｉＮX 膜３０はＨＦ等の
エッチング液を用いて図２(d) に示すように除去する。
【００１９】その後、２回目の結晶成長を行い、リッジ
３を形成したダブルヘテロ構造２上に、ｎ型ＧａＡｓ４
及びｐ型ＧａＡｓ５を連続成長してリッジ３を埋め込
む。この再結晶成長時に、リッジ３の上には選択成長の
ためのマスクを付けていないので、リッジ３上部のｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６上にもｎ型ＧａＡｓが成長す
る。
３を形成したダブルヘテロ構造２上に、ｎ型ＧａＡｓ４
及びｐ型ＧａＡｓ５を連続成長してリッジ３を埋め込
む。この再結晶成長時に、リッジ３の上には選択成長の
ためのマスクを付けていないので、リッジ３上部のｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６上にもｎ型ＧａＡｓが成長す
る。
【００２０】リッジ３上ではＧａＡｓの成長は（１１
１）面方向には進まず、最終的には、図２(e) に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓは断面三角形状に成長して成長がス
トップし、断面三角形状のｎ型ＧａＡｓパイルアップ防
止層４ｂが形成される。一方、ダブルヘテロ構造２の平
面部、即ち、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２４
上（（１００）面上）では、ｎ型ＧａＡｓは平坦に積層
成長する。この平面部で、電流をブロックをできる厚さ
以上で、且つリッジ３が完全に埋まらず、少なくともキ
ャップ層２６の一部が突出する層厚にｎ型ＧａＡｓを成
長し、ｎ型ＧａＡｓブロック層４ａを形成する。
１）面方向には進まず、最終的には、図２(e) に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓは断面三角形状に成長して成長がス
トップし、断面三角形状のｎ型ＧａＡｓパイルアップ防
止層４ｂが形成される。一方、ダブルヘテロ構造２の平
面部、即ち、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２４
上（（１００）面上）では、ｎ型ＧａＡｓは平坦に積層
成長する。この平面部で、電流をブロックをできる厚さ
以上で、且つリッジ３が完全に埋まらず、少なくともキ
ャップ層２６の一部が突出する層厚にｎ型ＧａＡｓを成
長し、ｎ型ＧａＡｓブロック層４ａを形成する。
【００２１】その後、成長中に供給する不純物をｎ型よ
りｐ型に代え、ｐ型ＧａＡｓを成長して、図２(f) に示
すように、リッジ３及び断面三角形状のｎ型ＧａＡｓパ
イルアップ防止層４ｂを埋め込むように、且つ突出した
キャップ層２６の側面に接するようにｐ型ＧａＡｓコン
タクト層５を形成する。この後、ｎ側電極６，ｐ側電極
７を蒸着等により形成し、劈開による端面形成工程等を
経て図１に示す可視光レーザダイオードが完成する。
りｐ型に代え、ｐ型ＧａＡｓを成長して、図２(f) に示
すように、リッジ３及び断面三角形状のｎ型ＧａＡｓパ
イルアップ防止層４ｂを埋め込むように、且つ突出した
キャップ層２６の側面に接するようにｐ型ＧａＡｓコン
タクト層５を形成する。この後、ｎ側電極６，ｐ側電極
７を蒸着等により形成し、劈開による端面形成工程等を
経て図１に示す可視光レーザダイオードが完成する。
【００２２】このような本実施例による可視光レーザダ
イオードの製造方法によれば、２回目の結晶成長時にリ
ッジ３の上部に選択成長のマスクをつけずにｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６の表面を露出させておいて、ｎ型Ｇａ
Ａｓを成長させることにより、リッジ３の両サイドのｐ
型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２４上にｎ型ＧａＡ
ｓブロック層４ａを形成すると同時に、リッジ３のｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６上にｎ型ＧａＡｓパイルアップ
防止層４ｂを形成し、さらにこれに続いて、不純物の導
電型をｐ型に変えてリッジ３及びｎ型ＧａＡｓパイルア
ップ防止層４ｂを埋め込むようにｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層５を形成するようにしたので、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５の成長時には、リッジ上部のｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６上はｎ型ＧａＡｓ層４ｂにより覆われている
こととなり、これにより、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５
の成長時に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層の
界面へパイルアップすることを防ぐことができ、ダブル
ヘテロ構造の特性の劣化を低減できる。
イオードの製造方法によれば、２回目の結晶成長時にリ
ッジ３の上部に選択成長のマスクをつけずにｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６の表面を露出させておいて、ｎ型Ｇａ
Ａｓを成長させることにより、リッジ３の両サイドのｐ
型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層２４上にｎ型ＧａＡ
ｓブロック層４ａを形成すると同時に、リッジ３のｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６上にｎ型ＧａＡｓパイルアップ
防止層４ｂを形成し、さらにこれに続いて、不純物の導
電型をｐ型に変えてリッジ３及びｎ型ＧａＡｓパイルア
ップ防止層４ｂを埋め込むようにｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層５を形成するようにしたので、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層５の成長時には、リッジ上部のｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６上はｎ型ＧａＡｓ層４ｂにより覆われている
こととなり、これにより、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５
の成長時に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層の
界面へパイルアップすることを防ぐことができ、ダブル
ヘテロ構造の特性の劣化を低減できる。
【００２３】また、本実施例の製造方法によれば、リッ
ジ３の形成後、２回目結晶成長前に、リッジ３部上のＳ
ｉＮX 膜３０を除去するようにしたので、従来のよう
に、２回目の結晶成長時にＳｉＮX 膜３０の熱変成によ
りｐ型ＧａＡｓキャップ層２６に変成が生じるというこ
ともない。
ジ３の形成後、２回目結晶成長前に、リッジ３部上のＳ
ｉＮX 膜３０を除去するようにしたので、従来のよう
に、２回目の結晶成長時にＳｉＮX 膜３０の熱変成によ
りｐ型ＧａＡｓキャップ層２６に変成が生じるというこ
ともない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、２回
目の結晶成長中に、ダブルヘテロ構造部の逆メサ形状の
ストライプ状リッジの両サイド及びリッジ上部のｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層の上に、逆メサ形状のストライプ状リ
ッジ構造の形成後に結晶成長により、断面三角形状のｎ
型ＧａＡｓを成長した後、つづいて、不純物の導電型を
変えてリッジ及びリッジ上のｎ型ＧａＡｓ層を埋め込む
ようにｐ型ＧａＡｓ層コンタクト層を形成するようにし
たので、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を成長する際に、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層界面にパイルアッ
プすることを防止でき、これによりダブルヘテロ構造部
の特性がｐ型ＧａＡｓコンタクト層の成長中に劣化する
のを防止できる効果がある。
目の結晶成長中に、ダブルヘテロ構造部の逆メサ形状の
ストライプ状リッジの両サイド及びリッジ上部のｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層の上に、逆メサ形状のストライプ状リ
ッジ構造の形成後に結晶成長により、断面三角形状のｎ
型ＧａＡｓを成長した後、つづいて、不純物の導電型を
変えてリッジ及びリッジ上のｎ型ＧａＡｓ層を埋め込む
ようにｐ型ＧａＡｓ層コンタクト層を形成するようにし
たので、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を成長する際に、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰ層中のＺｎが活性層界面にパイルアッ
プすることを防止でき、これによりダブルヘテロ構造部
の特性がｐ型ＧａＡｓコンタクト層の成長中に劣化する
のを防止できる効果がある。
【００２５】また、逆メサ形状のストライプ状リッジ部
上のＳｉＮX 膜を選択成長のマスクとして用いることな
くｎ型ＧａＡｓブロック層を形成したので、従来のよう
に２回目の結晶成長時にＳｉＮX 膜の熱変成によるｐ型
ＧａＡｓキャップ層の変成が生じる恐れはなく、さらに
この２回目の結晶成長工程でｎ型ＧａＡｓブロック層及
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層を同時に形成することがで
きるので製造工程を簡略化も図れるという効果がある。
上のＳｉＮX 膜を選択成長のマスクとして用いることな
くｎ型ＧａＡｓブロック層を形成したので、従来のよう
に２回目の結晶成長時にＳｉＮX 膜の熱変成によるｐ型
ＧａＡｓキャップ層の変成が生じる恐れはなく、さらに
この２回目の結晶成長工程でｎ型ＧａＡｓブロック層及
びｐ型ＧａＡｓコンタクト層を同時に形成することがで
きるので製造工程を簡略化も図れるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による可視光レーザダイオ
ードを示す断面構造図である。
ードを示す断面構造図である。
【図２】図１の可視光レーザダイオードの製造方法を示
す断面工程図である。
す断面工程図である。
【図３】従来の可視光レーザダイオードを示す断面構造
図である。
図である。
【図４】図３の可視光レーザダイオードの製造方法を示
す断面工程図である。
す断面工程図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓ基板上に成長したダブルヘテロ構造 ２１ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層 ２２ アンドープＧａＩｎＰ活性層 ２３ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層 ２４ ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストッパ層 ２５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層 ２６ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 ３ ダブルヘテロ構造２に形成したリッジ ４ 再成長したｎ型ＧａＡｓ層 ４ａ ｎ型ＧａＡｓブロック層 ４ｂ ｎ型ＧａＡｓパイルアップ防止層 ５ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ３０ ＳｉＮX 膜
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型ＧａＡｓ基板上に順次結晶成
長された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層，ＧａＩ
ｎＰ活性層，及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
と、 上記第２導電型クラッド層の一部をエッチング除去して
形成した逆メサ形状のストライプ状リッジ構造と、 上記ストライプ状リッジの両サイド上に配置された、該
リッジの上端が突出するような層厚を有する第１導電型
ＧａＡｓ電流ブロック層と、 上記ストライプ状リッジ頂上全面に、上記逆メサ形状の
ストライプ状リッジ構造の形成後に結晶成長により形成
された、断面三角形状の第１導電型ＧａＡｓ層と、 上記電流ブロック層上，電流ブロック層から突出したリ
ッジ側壁上及び上記断面三角形状の第１導電型ＧａＡｓ
層上に形成された第２導電型ＧａＡｓコンタクト層とを
備えたことを特徴とする可視光レーザダイオード。 - 【請求項２】 ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ層，ＧａＩｎＰ層，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層のダブルヘ
テロ構造を連続成長する１回目の結晶成長工程と、 この成長基板上にストライプ状にパターニングした誘電
体膜を設け、該誘電体膜をマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰ層の一部を除去して逆メサ形状のストライプ状のリ
ッジを形成する工程と、 上記誘電体膜を除去した後、ウエハ全面に対して、ｎ型
ＧａＡｓを結晶成長させ、リッジサイドをリッジ上端が
突出するようにｎ型ＧａＡｓで埋め込むとともに、リッ
ジ頂上部全面に断面三角形状のｎ型ＧａＡｓ層を形成す
る工程と、 上記ｎ型ＧａＡｓ成長に連続して、供給する不純物をｎ
型よりｐ型に変えることによりｐ型ＧａＡｓ成長し、上
記リッジ上端部及びリッジ上のｎ型ＧａＡｓ層を埋め込
むようにｐ型ＧａＡｓコンタクト層を形成する工程とを
含むことを特徴とする可視光レーザダイオードの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006591A JP2911270B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27006591A JP2911270B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582911A JPH0582911A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2911270B2 true JP2911270B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17481033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27006591A Expired - Lifetime JP2911270B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911270B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100789111B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | 열 특성이 우수한 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 |
| CN104347565B (zh) * | 2013-07-23 | 2017-02-15 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 瞬态电压抑制二极管封装结构 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457785A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| JPH04369884A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP27006591A patent/JP2911270B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582911A (ja) | 1993-04-02 |
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