JP2910527B2 - 高温はんだ - Google Patents
高温はんだInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Pbを主成分とした高温
はんだ、特にハイブリッドＩＣのはんだ付けに適した高
温はんだに関する。
はんだ、特にハイブリッドＩＣのはんだ付けに適した高
温はんだに関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッドＩＣは、シリコンチップと
アルミナ基板を接合したもので、この接合には高温はん
だが用いられる。ここに、高温はんだとは、固相線温度
が普通はんだの共晶温度 (183 ℃) 以上のものをいい、
Pb主成分にSnやAgなどを少量添加したPb系や、Sn主成分
にPb、Ag、Bi、Cu等を少量添加したSn系がある。
アルミナ基板を接合したもので、この接合には高温はん
だが用いられる。ここに、高温はんだとは、固相線温度
が普通はんだの共晶温度 (183 ℃) 以上のものをいい、
Pb主成分にSnやAgなどを少量添加したPb系や、Sn主成分
にPb、Ag、Bi、Cu等を少量添加したSn系がある。
【０００３】特にハイブリッドＩＣ用に使用される高温
はんだとしては、次のような条件を満足するものでなけ
ればならない。 完成したハイブリッドＩＣは、プリント基板に普通は
んだ (Pb−63Sn: 共晶温度183 ℃) ではんだ付けする
が、このはんだ付け時に、シリコンチップとアルミナ基
板とを予め接合した高温はんだが再溶融しないこと。 ハイブリッドＩＣは、シリコンチップとアルミナ基板
をはんだ付けした後、保護のため全体を樹脂で封止する
樹脂モールドを行う。この樹脂モールドを行うときの処
理温度は 170〜180 ℃であり、内部の高温はんだに直接
影響するが、この処理温度でも溶融しないこと。
はんだとしては、次のような条件を満足するものでなけ
ればならない。 完成したハイブリッドＩＣは、プリント基板に普通は
んだ (Pb−63Sn: 共晶温度183 ℃) ではんだ付けする
が、このはんだ付け時に、シリコンチップとアルミナ基
板とを予め接合した高温はんだが再溶融しないこと。 ハイブリッドＩＣは、シリコンチップとアルミナ基板
をはんだ付けした後、保護のため全体を樹脂で封止する
樹脂モールドを行う。この樹脂モールドを行うときの処
理温度は 170〜180 ℃であり、内部の高温はんだに直接
影響するが、この処理温度でも溶融しないこと。
【０００４】はんだ付け性が良好なこと。ハイブリッ
ドＩＣの電極は銅で形成されており、アルミナ基板の電
極はAg／Pdで形成されているため、どちらの電極に対し
てもはんだ付け性が良好でなければならない。特にAg/P
d 電極は、導電ペーストを焼成したものであるため、は
んだの濡れ性が悪く、はんだ付け不良を起こしやすい。
ドＩＣの電極は銅で形成されており、アルミナ基板の電
極はAg／Pdで形成されているため、どちらの電極に対し
てもはんだ付け性が良好でなければならない。特にAg/P
d 電極は、導電ペーストを焼成したものであるため、は
んだの濡れ性が悪く、はんだ付け不良を起こしやすい。
【０００５】したがって、本明細書で云う「はんだ付け
性」とは、特にことわりがない限り、導電ペーストを焼
成して得たAg/Pd 電極に対するはんだのヌレ性の良否で
判断される特性をいう。
性」とは、特にことわりがない限り、導電ペーストを焼
成して得たAg/Pd 電極に対するはんだのヌレ性の良否で
判断される特性をいう。
【０００６】シリコンチップとアルミナ基板のはんだ
付け時に、アルミナ基板の電極を拡散溶解させないこ
と。すなわち、アルミナ基板の電極は、Ag／Pdからでき
ており、Agは溶融はんだに拡散しやすいため、できるだ
けAgの拡散 (銀喰われ) を少なくできるようなものでな
ければならない。
付け時に、アルミナ基板の電極を拡散溶解させないこ
と。すなわち、アルミナ基板の電極は、Ag／Pdからでき
ており、Agは溶融はんだに拡散しやすいため、できるだ
けAgの拡散 (銀喰われ) を少なくできるようなものでな
ければならない。
【０００７】ここで、従来の高温はんだが以上の条件を
満足するか否かについて検討すると次の通りである。
との温度に関する条件に対しては、一般の高温はんだ
でも満足できる。
満足するか否かについて検討すると次の通りである。
との温度に関する条件に対しては、一般の高温はんだ
でも満足できる。
【０００８】のはんだ付け性に関しては、Pb主成分で
あろうとSn主成分であろうと、一般に高温はんだは、Sn
−Pb系の普通はんだよりもはんだ付け性が悪い。しかし
ながら、ハイブリッドＩＣの製造には、高温はんだを使
わざるを得ないことから、高温はんだでもできるだけ、
はんだ付け性の良好なものが望まれている。
あろうとSn主成分であろうと、一般に高温はんだは、Sn
−Pb系の普通はんだよりもはんだ付け性が悪い。しかし
ながら、ハイブリッドＩＣの製造には、高温はんだを使
わざるを得ないことから、高温はんだでもできるだけ、
はんだ付け性の良好なものが望まれている。
【０００９】のAgの拡散に関する条件としては、Sn主
成分の高温はんだは使用できない。なぜならば、SnはAg
との相溶性がよく、溶融したSn主成分の高温はんだ中
に、Agが拡散溶解して電極の接合力を弱めてしまうから
である。いわゆる銀喰われである。
成分の高温はんだは使用できない。なぜならば、SnはAg
との相溶性がよく、溶融したSn主成分の高温はんだ中
に、Agが拡散溶解して電極の接合力を弱めてしまうから
である。いわゆる銀喰われである。
【００１０】以上の検討結果からは、まずSn主成分の高
温はんだは銀喰われが激しいことから、ハイブリッドＩ
Ｃ用の高温はんだとしては、必然的にPb主成分のものに
限定され、結局、Pb主成分のものでなければならないこ
とが分かる。
温はんだは銀喰われが激しいことから、ハイブリッドＩ
Ｃ用の高温はんだとしては、必然的にPb主成分のものに
限定され、結局、Pb主成分のものでなければならないこ
とが分かる。
【００１１】従来にあってもこのようにPb主成分でハイ
ブリッドＩＣに適した高温はんだとしては、いくつかの
ものがすでに提案されている。特開平４−327396号公報
で提案されている高温はんだは、その組成が、Sn: 10〜
14重量％、Sb:8〜14重量％、Ag:2重量％以下、残部Pbで
ある。この高温はんだの場合、Sbは固相線温度を上げる
ために添加するのであって、８重量％未満では固相線温
度を上げる効果がないとされている。
ブリッドＩＣに適した高温はんだとしては、いくつかの
ものがすでに提案されている。特開平４−327396号公報
で提案されている高温はんだは、その組成が、Sn: 10〜
14重量％、Sb:8〜14重量％、Ag:2重量％以下、残部Pbで
ある。この高温はんだの場合、Sbは固相線温度を上げる
ために添加するのであって、８重量％未満では固相線温
度を上げる効果がないとされている。
【００１２】しかし、かかる組成の高温はんだは、前記
条件のうち、の高温特性、およびの銀喰われの問
題については、優れた効果があるものの、のはんだ付
け性については少々難点のあるものであった。
条件のうち、の高温特性、およびの銀喰われの問
題については、優れた効果があるものの、のはんだ付
け性については少々難点のあるものであった。
【００１３】このはんだ付け性における難点とは、アル
ミナ基板のAg／Pd電極は、導電ペーストをアルミナ基板
に焼成したものであるため、電極の中に導電ペーストの
粘結剤が残っており、これがはんだ付けを阻害している
からである。従って、高温はんだとしては、はんだ付け
が困難なAg／Pd電極に対して良好なはんだ付け性を有し
たものでなければならない。
ミナ基板のAg／Pd電極は、導電ペーストをアルミナ基板
に焼成したものであるため、電極の中に導電ペーストの
粘結剤が残っており、これがはんだ付けを阻害している
からである。従って、高温はんだとしては、はんだ付け
が困難なAg／Pd電極に対して良好なはんだ付け性を有し
たものでなければならない。
【００１４】また、高温はんだに限定してはいないが、
高温はんだとしても使用でき、しかも銀喰われ防止効果
のあるはんだが、特開昭56−144893号公報に提案されて
いる。この公報開示のはんだ合金組成は、Sn: 15〜65重
量％、Sb:0.5〜３重量％、Ag:0.5〜3.5 重量％、残部Pb
である。このはんだ合金は、Sn:15 〜65重量％といって
いるが、実態的にはSn主成分のはんだ合金であって、A
g:0.5〜3.5 ％配合することで銀喰われを防止してお
り、Sbを3.0 重量％超とするとAg電極に対するはんだ付
け性が劣化するとしている。
高温はんだとしても使用でき、しかも銀喰われ防止効果
のあるはんだが、特開昭56−144893号公報に提案されて
いる。この公報開示のはんだ合金組成は、Sn: 15〜65重
量％、Sb:0.5〜３重量％、Ag:0.5〜3.5 重量％、残部Pb
である。このはんだ合金は、Sn:15 〜65重量％といって
いるが、実態的にはSn主成分のはんだ合金であって、A
g:0.5〜3.5 ％配合することで銀喰われを防止してお
り、Sbを3.0 重量％超とするとAg電極に対するはんだ付
け性が劣化するとしている。
【００１５】しかし、このはんだを、前記条件のうち
のはんだ付け性に関しては抜群の効果はあるが、他の条
件である、のはんだ付け温度、の銀喰われについ
て問題の残るものであった。
のはんだ付け性に関しては抜群の効果はあるが、他の条
件である、のはんだ付け温度、の銀喰われについ
て問題の残るものであった。
【００１６】すなわち、このはんだは温度的には固相線
温度が 170〜190 ℃という低い温度であり、ハイブリッ
ドＩＣに使用した場合、ハイブリッドＩＣのプリント基
板へのはんだ付けや、樹脂モールドの処理時に内部のは
んだが溶融してしまう。また銀喰われについても、一般
のPb−63Snはんだよりも優れてはいるが、それでも未だ
充分ではなかった。
温度が 170〜190 ℃という低い温度であり、ハイブリッ
ドＩＣに使用した場合、ハイブリッドＩＣのプリント基
板へのはんだ付けや、樹脂モールドの処理時に内部のは
んだが溶融してしまう。また銀喰われについても、一般
のPb−63Snはんだよりも優れてはいるが、それでも未だ
充分ではなかった。
【００１７】ところで近年のハイブリッドＩＣは、高温
下の使用においても高い信頼性が要求される傾向をも
ち、そのためそれに用いられる高温はんだとしては、高
温特性が良好であるとともに、はんだ付け性と銀喰われ
防止の改善が求められてきている。すなわち、固相線温
度は少なくとも 210℃以上であること、またAg/Pd 電極
に対するはんだ付け性が良好であること、そして銀喰わ
れが効果的に防止できることが同時に満足されることが
必要である。
下の使用においても高い信頼性が要求される傾向をも
ち、そのためそれに用いられる高温はんだとしては、高
温特性が良好であるとともに、はんだ付け性と銀喰われ
防止の改善が求められてきている。すなわち、固相線温
度は少なくとも 210℃以上であること、またAg/Pd 電極
に対するはんだ付け性が良好であること、そして銀喰わ
れが効果的に防止できることが同時に満足されることが
必要である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】かくして、本発明の目
的は、従来のPb主成分の高温はんだの欠点に鑑みなされ
たもので、ハイブリッドＩＣ用の高温はんだとして要求
される前記条件を全て満足する高温はんだを提供するこ
とにある。
的は、従来のPb主成分の高温はんだの欠点に鑑みなされ
たもので、ハイブリッドＩＣ用の高温はんだとして要求
される前記条件を全て満足する高温はんだを提供するこ
とにある。
【００１９】そしてこのためにはPb主成分系であって固
相線温度210 ℃以上を確保でき、Ag/Pd 電極へのはんだ
付け性が良好であってさらに銀喰われの見られないもの
が求められるのである。
相線温度210 ℃以上を確保でき、Ag/Pd 電極へのはんだ
付け性が良好であってさらに銀喰われの見られないもの
が求められるのである。
【００２０】したがって、より具体的には、本発明の目
的は、固相線温度210 ℃以上、銀喰われなし、そしては
んだ付け性にすぐれている、ハイブリッドＩＣ用のPb主
成分の高温はんだを提供することである。
的は、固相線温度210 ℃以上、銀喰われなし、そしては
んだ付け性にすぐれている、ハイブリッドＩＣ用のPb主
成分の高温はんだを提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来のPb
主成分の高温はんだの欠点について鋭意検討を重ねた結
果、Sbの添加量がはんだ付け性や溶融温度に大いに影響
していることを見い出し本発明を完成させた。
主成分の高温はんだの欠点について鋭意検討を重ねた結
果、Sbの添加量がはんだ付け性や溶融温度に大いに影響
していることを見い出し本発明を完成させた。
【００２２】つまり本発明者らは、Pb主成分の高温はん
だにおいて、特開平４−327396号公報開示の発明と異な
り、Sn:12 〜16％の範囲ではSb:4〜7 とすることによっ
て初めて固相線温度210 ℃以上、銀喰われなし、そして
はんだ付け性が良好であるとの条件をいずれも満足され
ることを知り、本発明を完成した。
だにおいて、特開平４−327396号公報開示の発明と異な
り、Sn:12 〜16％の範囲ではSb:4〜7 とすることによっ
て初めて固相線温度210 ℃以上、銀喰われなし、そして
はんだ付け性が良好であるとの条件をいずれも満足され
ることを知り、本発明を完成した。
【００２３】かくして、本発明の要旨とするところは、
Sn: 12〜16重量％、Sb:4〜７重量％、残部Pbからなるこ
とを特徴とするハイブリッドＩＣのはんだ付け用高温は
んだである。また、別の面からは、本発明は、Sn: 12〜
16重量％、Sb:4〜７重量％、Ag:2重量％以下、残部Pbか
らなることを特徴とするハイブリッドＩＣのはんだ付け
用高温はんだである。
Sn: 12〜16重量％、Sb:4〜７重量％、残部Pbからなるこ
とを特徴とするハイブリッドＩＣのはんだ付け用高温は
んだである。また、別の面からは、本発明は、Sn: 12〜
16重量％、Sb:4〜７重量％、Ag:2重量％以下、残部Pbか
らなることを特徴とするハイブリッドＩＣのはんだ付け
用高温はんだである。
【００２４】
【作用】次に、本発明にかかる高温はんだの組成を上述
のように規定した理由をその作用に関連させて説明す
る。まず、本発明の高温はんだは、固相線温度が210 ℃
以上となり、完成したハイブリッドＩＣを普通はんだで
プリント基板にはんだ付けしたり、ハイブリッドＩＣを
樹脂でモールドした時に、内部の接合部を溶融させるこ
とがない。
のように規定した理由をその作用に関連させて説明す
る。まず、本発明の高温はんだは、固相線温度が210 ℃
以上となり、完成したハイブリッドＩＣを普通はんだで
プリント基板にはんだ付けしたり、ハイブリッドＩＣを
樹脂でモールドした時に、内部の接合部を溶融させるこ
とがない。
【００２５】ちなみに、普通はんだでのはんだ付け温度
は 200〜230 ℃であるが、はんだ付け時にハイブリッド
ＩＣの内部にはこのはんだ付け温度が直接かからず、内
部は200 ℃以下となっている。従って、ハイブリッドＩ
Ｃの内部に使用する高温はんだは、固相線温度が210℃
以上であれば、はんだ付け時に溶融することはない。
は 200〜230 ℃であるが、はんだ付け時にハイブリッド
ＩＣの内部にはこのはんだ付け温度が直接かからず、内
部は200 ℃以下となっている。従って、ハイブリッドＩ
Ｃの内部に使用する高温はんだは、固相線温度が210℃
以上であれば、はんだ付け時に溶融することはない。
【００２６】本発明では、Snが12重量％よりも少ない
と、Ag／Pd電極に対するはんだ付け性を改良することが
できず、しかるにこれが16重量％を越えて添加されると
液相線温度が 210℃よりも低い温度に下がってしまう。
したがって、Sn:12 〜16重量％に制限する。好ましく
は、13〜15重量％である。
と、Ag／Pd電極に対するはんだ付け性を改良することが
できず、しかるにこれが16重量％を越えて添加されると
液相線温度が 210℃よりも低い温度に下がってしまう。
したがって、Sn:12 〜16重量％に制限する。好ましく
は、13〜15重量％である。
【００２７】SbはPb主成分の合金に対して固相線と液相
線間の溶融範囲を調節する効果があり、本発明の高温は
んだにおけるSbの添加量は、４〜７重量％である。この
添加量が４重量％よりも少ないと、Pb−Sn状態図の固相
線温度が183 ℃近辺の温度で現れてしまうため、ハイブ
リッドＩＣには使用できなくなる。一方、Sbは、Pb主成
分の高温はんだでは、はんだ付け性を低下させる成分で
あり、７重量％よりも多く添加するとはんだ付け性が悪
くなる。好ましくは、Sb:4〜5 重量％である。
線間の溶融範囲を調節する効果があり、本発明の高温は
んだにおけるSbの添加量は、４〜７重量％である。この
添加量が４重量％よりも少ないと、Pb−Sn状態図の固相
線温度が183 ℃近辺の温度で現れてしまうため、ハイブ
リッドＩＣには使用できなくなる。一方、Sbは、Pb主成
分の高温はんだでは、はんだ付け性を低下させる成分で
あり、７重量％よりも多く添加するとはんだ付け性が悪
くなる。好ましくは、Sb:4〜5 重量％である。
【００２８】本発明のSn−Sb−Pb系の高温はんだは、そ
れ自体でもAgを拡散溶解させることは少ないものである
が、この組成の高温はんだにAgを少量添加すると、さら
にAgの拡散防止効果が出てくる。
れ自体でもAgを拡散溶解させることは少ないものである
が、この組成の高温はんだにAgを少量添加すると、さら
にAgの拡散防止効果が出てくる。
【００２９】したがって、この組成の高温はんだにAgを
添加する場合、Agが２重量％を越えると、液相線温度が
急激に上昇してしまい、はんだ付け温度も高くなること
から、はんだ付け時にシリコンチップを熱損傷させてし
まうようになる。従って、Agを添加する場合、その添加
量は２重量％以下とする。
添加する場合、Agが２重量％を越えると、液相線温度が
急激に上昇してしまい、はんだ付け温度も高くなること
から、はんだ付け時にシリコンチップを熱損傷させてし
まうようになる。従って、Agを添加する場合、その添加
量は２重量％以下とする。
【００３０】かくして、本発明によれば、今日、ハイブ
リッドＩＣ用として特に求められている高温使用下にお
ける信頼性向上の為の諸特性を備えた高温はんだとして
すぐれた特性を発揮できるハイブリッドＩＣ用高温はん
だが得られる。次に、実施例によって本発明の作用につ
いてさらに具体的に説明する。
リッドＩＣ用として特に求められている高温使用下にお
ける信頼性向上の為の諸特性を備えた高温はんだとして
すぐれた特性を発揮できるハイブリッドＩＣ用高温はん
だが得られる。次に、実施例によって本発明の作用につ
いてさらに具体的に説明する。
【００３１】
【実施例】表１に示す合金組成の高温はんだを調整し、
それぞれについて液相線温度、固相線温度、はんだ付け
性、そして銀喰われを試験し、それらの結果を同じく表
１に示す。なお、比較例として従来の高温はんだについ
ても同様の試験を行い、それらの結果も表１に示す。
それぞれについて液相線温度、固相線温度、はんだ付け
性、そして銀喰われを試験し、それらの結果を同じく表
１に示す。なお、比較例として従来の高温はんだについ
ても同様の試験を行い、それらの結果も表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】（注） ：本発明の範囲外 合否は、Ｓ．Ｐ．、Ｌ．Ｐ．のいずれをも満足し、はん
だ付け性＋銀喰われの評点合計が４以上の場合を合格と
し、それを外れる場合を不合格（否）とした 。
だ付け性＋銀喰われの評点合計が４以上の場合を合格と
し、それを外れる場合を不合格（否）とした 。
【００３４】S.P.: 固相線温度 (℃) L.P.: 液相線温度 (℃) はんだ付け性 : アルミナ基板上にAg／Pdペーストで焼
結した電極にボール状のはんだを乗せ、リフロー炉で加
熱してはんだ付け状態を観察し、その外観から優、良、
劣と３段階評価し、それぞれ３，２，０の評点を与え
た。 銀喰われ : 溶融はんだ中に銀線を浸して、その細り具
合を測定し、極少、少、やや多、多の４段階評価を行
い、それぞれ３，２，１，０の各評点を与えた。 比較例１ : 特開平４−327396号公報に開示のはんだ組
成 比較例２ : 特開昭56−144893号公報開示のはんだ組成 比較例３ : 特公昭61−58542 号公報開示のはんだ組成 表１の結果からも分かるように、比較例１ではSbが10％
と多いためはんだ付け性が著しく劣化していることが分
かる。また比較例２および３ではSnが35％以上とかなり
多いため210 ℃以上という固相線温度を確保できず、ま
た銀喰われもかなり多くなっているのが分かる。
結した電極にボール状のはんだを乗せ、リフロー炉で加
熱してはんだ付け状態を観察し、その外観から優、良、
劣と３段階評価し、それぞれ３，２，０の評点を与え
た。 銀喰われ : 溶融はんだ中に銀線を浸して、その細り具
合を測定し、極少、少、やや多、多の４段階評価を行
い、それぞれ３，２，１，０の各評点を与えた。 比較例１ : 特開平４−327396号公報に開示のはんだ組
成 比較例２ : 特開昭56−144893号公報開示のはんだ組成 比較例３ : 特公昭61−58542 号公報開示のはんだ組成 表１の結果からも分かるように、比較例１ではSbが10％
と多いためはんだ付け性が著しく劣化していることが分
かる。また比較例２および３ではSnが35％以上とかなり
多いため210 ℃以上という固相線温度を確保できず、ま
た銀喰われもかなり多くなっているのが分かる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の高温はんだは、Pb主成分の高温
はんだでありながら、はんだ付け困難なAg／Pd電極に対
して良好なはんだ付け性を有しているばかりでなく、固
相線温度が210 ℃以上であるため、シリコンチップを樹
脂モールドする際や完成したハイブリッドＩＣをプリン
ト基板にはんだ付けする際に、内部の高温はんだが溶融
することなく、しかも液相線温度があまり高くないた
め、シリコンチップとアルミナ基板の接合時にシリコン
チップを熱損傷させることもないという従来にない優れ
た効果を有している。
はんだでありながら、はんだ付け困難なAg／Pd電極に対
して良好なはんだ付け性を有しているばかりでなく、固
相線温度が210 ℃以上であるため、シリコンチップを樹
脂モールドする際や完成したハイブリッドＩＣをプリン
ト基板にはんだ付けする際に、内部の高温はんだが溶融
することなく、しかも液相線温度があまり高くないた
め、シリコンチップとアルミナ基板の接合時にシリコン
チップを熱損傷させることもないという従来にない優れ
た効果を有している。
フロントページの続き (72)発明者 加藤 力弥 埼玉県草加市谷塚町405番地 千住金属 工業株式会社草加事業所内 (72)発明者 宗形 修 埼玉県草加市谷塚町405番地 千住金属 工業株式会社草加事業所内 (56)参考文献 特公 昭61−58542（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭46−8569（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 35/26
Claims (2)
- 【請求項１】 Sn：12〜16重量％、Sb : 4〜７重量％、
残部Pbからなることを特徴とするハイブリッドＩＣのは
んだ付け用高温はんだ。 - 【請求項２】 Sn：12〜16重量％、Sb : 4〜７重量％、
Ag : 2重量％以下、残部Pbからなることを特徴とするハ
イブリッドＩＣのはんだ付け用高温はんだ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25432193A JP2910527B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 高温はんだ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25432193A JP2910527B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 高温はんだ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07108396A JPH07108396A (ja) | 1995-04-25 |
| JP2910527B2 true JP2910527B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=17263382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25432193A Expired - Fee Related JP2910527B2 (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | 高温はんだ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910527B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115957A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Sanken Electric Co Ltd | 電子部品及びこれを使用した電子回路装置の製造方法 |
| US6704189B2 (en) | 2002-04-09 | 2004-03-09 | Tdk Corporation | Electronic device with external terminals and method of production of the same |
| JP5839892B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-01-06 | 三菱電機株式会社 | 半田材および半導体装置 |
| CN104741819B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-11-16 | 北京有色金属与稀土应用研究所 | 一种Pb-Sn-Sb-Ag合金钎料及其制备方法 |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25432193A patent/JP2910527B2/ja not_active Expired - Fee Related
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