JP2909053B2 - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JP2909053B2 JP2909053B2 JP5458798A JP5458798A JP2909053B2 JP 2909053 B2 JP2909053 B2 JP 2909053B2 JP 5458798 A JP5458798 A JP 5458798A JP 5458798 A JP5458798 A JP 5458798A JP 2909053 B2 JP2909053 B2 JP 2909053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- stage
- original
- projection exposure
- transferred
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置、特
に、高集積半導体を製造するのに適した投影露光装置に
関するものである。 【０００２】 【従来の技術】高集積半導体は、被露光物に複数枚の原
画の模様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なＸＹステージ上に設置された被露光物、例
えばウエハー上に、照明光学系を含む投影露光系によっ
て、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、こ
の際、被露光物にあらかじめ転写された検出マークをパ
ターン検出器によって検出し、このパターン検出器で検
出されたマークを基準として、次段の原画との相対位置
を求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね
合せを行っている。 【０００３】図１はこのような投影露光方法の実施に用
いられる装置を示すもので、１はウエハ２が載置され、
ＸＹ方向にステップアンドリピートされるＸＹステージ
で、駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に駆動され、
レーザー測長系５によって位置制御されるようになって
おり、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっている。
６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は縮小レン
ズで、９は原版載置台１０に載置されているパターン原
版（レチクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ、１２ａは検出系照明系、１１ｂ、１２ｂは
パターン検出器、１１ｃ、１２ｃはハーフミラー、１１
ｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメータであ
る。 【０００４】この装置を用いて投影露光を行うには、Ｘ
Ｙステージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１０
に最初のレチクル９が設置された後、露光照明系６によ
り発生しコンデンサレンズ７を通り集光された光が、レ
チクル９を通り、縮小レンズ８を経て、ＸＹステージ１
のウエハ２上にレチクル９のパターンが結像される。 【０００５】次に、このようにして、ウエハ２上にレチ
クル９のパターンが転写された後、この上に異なるレチ
クル９のパターンの転写が行われるが、このウエハ２上
に転写されているレチクル９のパターンの上に、次段の
レチクル９のパタンを精度良く重ね合せて転写可能にす
るために、検出系照明系１１および１２よりの光をそれ
ぞれ、ハーフミラー１１ｃ、１２ｃ、ミラー１１ｄ、１
２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮小レンズ
８を通してウエハ２に照射し、ウエハ２上の検出パター
ン１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡大し
たものをそれぞれ、ミラー１１ｄ、１２ｄ、ハーフミラ
ー１１ｃ、１２ｃを介してパターン検出器１１ｂ、１２
ｂに導き、パターン検出器１１ｂ、１２ｂによって、ウ
エハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標を求め、これをウ
エハ２上の二つのチップの測定から、ウエハ２とレチク
ル９の位置の相対誤差を知り、その相対誤差をＸＹステ
ージの制御にフイードバックさせて転写を行っている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】一般にウエハは種々の
プロセスを経ることにより歪を受け、この歪は転写歪と
して現われる。この転写歪は全く不規則であるというわ
けではなく、むしろ規則的である。図２〜６は転写歪の
例を示す。何れの図も、横軸、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸
がとってある。図２及び図３の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
図４及び図５はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に
伸びるかまたは縮むような転写歪（ピッチエラー）が発
生した場合、図６はＸＹの直交度エラーが生じたような
転写歪が発生した場合を示すもので、これら各種のエラ
ーは、単独で生じることも、混合して起きることもあ
り、配列誤差は１：１プロジェクション方式の投影露光
装置において特に大きく１μｍ以上になることもある。 【０００７】転写されたウエハ上の２個のチップ位置を
検出し、これを重ね合わせ露光時の基準位置として用い
るいわゆるグローバルアライメントが知られている。こ
のアライメント方式はスループット向上のためには非常
に有効であるが、前述のように転写歪がある場合は精度
の点で不十分である。チップごとに位置検出し、アライ
メントを行うチップアライメントもある。このアライメ
ント方式はスループットの点で大きな問題があり、ま
た、アライメント精度についても、あるチップをアライ
メントしたときにそのアライメントが何らかの原因で若
干ずれた場合、そのチップはそのままずれてしまうこと
もあり得る。 【０００８】本発明の目的は高スループットおよび高精
度アライメントという互いに相反する利点を期待し得る
投影露光装置を提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、被露光物を移
動させるステージと、原画模様を前記被露光物に露光す
るための投影レンズを有し、前記ステージを順次移動し
て前記原画模様を前記被露光物に露光する投影露光装置
において、前記被露光物に転写された第１の原画模様の
少なくとも一部のそれぞれに対応して付された検出マー
クが検出できるように前記ステージを移動させ少なくと
も直線上にない選択された４個の原画模様の位置を検出
するパタ−ン検出器と、その検出された位置に基づいて
前記転写された第１の原画模様の配列の直交度誤差を補
正するように前記ステージを移動させるステージ制御手
段を有し、第２の原画模様を前記転写された第１の原画
模様に重ね合わせように前記投影レンズを介して前記被
露光物に露光するように構成されることを特徴とするも
のである。 【００１０】このような本発明によれば、被露光物に転
写された第１の原画模様のうちの少なくとも３個の原画
模様が選択されその位置が検出されることから、その選
択される原画模様の数が増える分だけグローバルアライ
メントよりも露光に時間がかかることになるが、チップ
アライメントよりは高スループットが期待できる。ま
た、アライメント精度についても、少なくとも３個の原
画模様が選択されることから、原画模様配列をかなり精
度良く求めることができ、加えて平均化効果により１個
の原画模様程度のアライメントが少しずれても、他の原
画模様がそれを補う形で影響を軽減することができる。
転写された原画模様に直交度の歪が含まれていても、精
度良く、重ね合わせ転者することができる。かくして、
本発明によれば、高スループット及び高精度アライメン
トという互いに相反する利点が期待できる投影露光装置
が提供される。 【００１１】一例として、図２〜６に示されるように、
チップが５行５列に配列されている場合は、中心のチッ
プとこの中心のチップからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞ
れ１個のチップを置いて選んだ５チップを検出用チップ
として用いることができる。この場合、中心のチップの
座標が（ｘ0、ｙ0）、Ｘ軸方向二つのチップの座標がそ
れぞれ（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）、Ｙ軸方向の二
つのチップの座標がそれぞれ（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、
ｙｄ）と検出されたとすると、２図に示される円弧状の
うねりの場合は、（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘ
ｂ、ｙｂ）の３点の検出座標から良く知られている最小
２乗法を用いて（ｘ1、ｙ1）、（ｘ2、ｙ2）を求めるこ
とにより５行５列のチップの配列が決定でき、図３に示
されるうねりの場合も図２の場合と同様の考え方でチッ
プ配列が決定できる。また、図４に示されるようにＸ方
向に伸びがある場合には、検出により求められた
（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点
の座標からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチッ
プ配列が決定できる。 【００１２】図５に示すＹ方向に伸びのある場合も全く
同様にして配列が決定される。さらに、図６に示す直交
度エラーがある場合には、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙ
ｂ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、ｙｄ）の４点の座標を
求めると、これらの座標より 【００１３】 【数１】 【００１４】として直交度エラーが求まり、５行５列の
配列が決まる。 【００１５】従って、このように配列されたチップ上に
次段の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置し
ているＸＹステージを移動させることによって次段の原
画の模様を前段の原画の模様上の正しい位置に転写する
ことができる。 【００１６】 【００１７】 【発明の実施の形態】図７はこの投影露光装置の一実施
例の要部の概略説明図を示すもので、１４及び１５はウ
エハで、５個のチップを用いる場合のチップの配列と、
この方法で検出マークの位置が検出されるチップの位置
が示してあり、５個のチップは、中心に位置するチップ
と、このチップを中心として互に直角をなす方向にあ
り、かつこのチップから等距離に位置する４個よりなっ
ている。マークの位置は図１の投影露光装置の検出系照
明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及び１２ｂに
よって求められる。なおチップに付した符号は図２〜６
と同じにしてある。そして１６は（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘ
0、ｙ0）、（ｘｄ、ｙｄ）のデータが入力してＸ方向う
ねり誤差を求めるＸ方向うねり誤差補正計算回路、１７
は同じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤差補
正計算回路、１８は（ｘａ、ｙａ）、（ｘ0、ｙ0）、
（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力しＹ方向のうねり誤差を
求めるＹ方向うねり誤差補正計算回路、１９は同じくＸ
方向ピッチ誤差を求めるＸ方向ピッチ誤差補正計算回
路、２０は、（ｘｄ、ｙｄ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘ
ａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力し直交度誤
差を求める直交度誤差補正計算回路で、これらの計算回
路によって求めた計算結果によって最終ステージ目標位
置を求める。このようにして最終ステージ目標位置が求
められると、この最終ステージ目標位置と次段の原画の
位置とのずれを駆動モータ３及び４を用いてＸＹステー
ジを動かして調整すれば、ウエハ２上のチップに転写さ
れている前段の原画の模様上に次段の原画の模様を重ね
ることができる。 【００１８】この目標決定は、行×列＝５×５の配列を
もつ１：１プロジェクションの場合を例にして説明され
たが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場合、あるいは、
図８に示すように、ウエハ２上の行×列＝ｎ×ｎの配列
の一部がウエハ２の形状に制限されて欠除する場合にも
同様の考えで行うことができる。 【００１９】なお、用いる補正式及び方法は、１：１プ
ロジェクションの機種、行×列の配列状況により適宜変
化するが、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チップ以上であれば、適宜選定することがで
きる。さらに、この方法は、前段が１：１プロジェクシ
ョン露光方法によって転写されたものに限られず、前段
が他のどのような種類の露光方法によって転写形成され
た場合にも適用可能である。 【００２０】 【発明の効果】本発明によれば、転写された原画模様に
直交度の歪が含まれていても、精度良く、重ね合わせ転
写することができ、高スループット及び高精度アライメ
ントという互いに相反する利点が期待できる投影露光装
置を提供可能とするもので、産業上の効果の大なるもの
である。
に、高集積半導体を製造するのに適した投影露光装置に
関するものである。 【０００２】 【従来の技術】高集積半導体は、被露光物に複数枚の原
画の模様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なＸＹステージ上に設置された被露光物、例
えばウエハー上に、照明光学系を含む投影露光系によっ
て、複数枚の原画の模様を順次転写して行われるが、こ
の際、被露光物にあらかじめ転写された検出マークをパ
ターン検出器によって検出し、このパターン検出器で検
出されたマークを基準として、次段の原画との相対位置
を求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね
合せを行っている。 【０００３】図１はこのような投影露光方法の実施に用
いられる装置を示すもので、１はウエハ２が載置され、
ＸＹ方向にステップアンドリピートされるＸＹステージ
で、駆動モータ３及び４によってＸＹ方向に駆動され、
レーザー測長系５によって位置制御されるようになって
おり、０．０５μｍ程度の位置決め精度をもっている。
６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は縮小レン
ズで、９は原版載置台１０に載置されているパターン原
版（レチクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ、１２ａは検出系照明系、１１ｂ、１２ｂは
パターン検出器、１１ｃ、１２ｃはハーフミラー、１１
ｄ、１２ｄはミラー、１１ｅ、１２ｅはコリメータであ
る。 【０００４】この装置を用いて投影露光を行うには、Ｘ
Ｙステージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１０
に最初のレチクル９が設置された後、露光照明系６によ
り発生しコンデンサレンズ７を通り集光された光が、レ
チクル９を通り、縮小レンズ８を経て、ＸＹステージ１
のウエハ２上にレチクル９のパターンが結像される。 【０００５】次に、このようにして、ウエハ２上にレチ
クル９のパターンが転写された後、この上に異なるレチ
クル９のパターンの転写が行われるが、このウエハ２上
に転写されているレチクル９のパターンの上に、次段の
レチクル９のパタンを精度良く重ね合せて転写可能にす
るために、検出系照明系１１および１２よりの光をそれ
ぞれ、ハーフミラー１１ｃ、１２ｃ、ミラー１１ｄ、１
２ｄを介してレチクル９に設けられた穴から縮小レンズ
８を通してウエハ２に照射し、ウエハ２上の検出パター
ン１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡大し
たものをそれぞれ、ミラー１１ｄ、１２ｄ、ハーフミラ
ー１１ｃ、１２ｃを介してパターン検出器１１ｂ、１２
ｂに導き、パターン検出器１１ｂ、１２ｂによって、ウ
エハ検出パターンの位置のＸ、Ｙ座標を求め、これをウ
エハ２上の二つのチップの測定から、ウエハ２とレチク
ル９の位置の相対誤差を知り、その相対誤差をＸＹステ
ージの制御にフイードバックさせて転写を行っている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】一般にウエハは種々の
プロセスを経ることにより歪を受け、この歪は転写歪と
して現われる。この転写歪は全く不規則であるというわ
けではなく、むしろ規則的である。図２〜６は転写歪の
例を示す。何れの図も、横軸、縦軸にそれぞれＸ、Ｙ軸
がとってある。図２及び図３の場合はチップ配列があた
かも弓形のうねりを持つような転写歪が発生した場合、
図４及び図５はチップ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に
伸びるかまたは縮むような転写歪（ピッチエラー）が発
生した場合、図６はＸＹの直交度エラーが生じたような
転写歪が発生した場合を示すもので、これら各種のエラ
ーは、単独で生じることも、混合して起きることもあ
り、配列誤差は１：１プロジェクション方式の投影露光
装置において特に大きく１μｍ以上になることもある。 【０００７】転写されたウエハ上の２個のチップ位置を
検出し、これを重ね合わせ露光時の基準位置として用い
るいわゆるグローバルアライメントが知られている。こ
のアライメント方式はスループット向上のためには非常
に有効であるが、前述のように転写歪がある場合は精度
の点で不十分である。チップごとに位置検出し、アライ
メントを行うチップアライメントもある。このアライメ
ント方式はスループットの点で大きな問題があり、ま
た、アライメント精度についても、あるチップをアライ
メントしたときにそのアライメントが何らかの原因で若
干ずれた場合、そのチップはそのままずれてしまうこと
もあり得る。 【０００８】本発明の目的は高スループットおよび高精
度アライメントという互いに相反する利点を期待し得る
投影露光装置を提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、被露光物を移
動させるステージと、原画模様を前記被露光物に露光す
るための投影レンズを有し、前記ステージを順次移動し
て前記原画模様を前記被露光物に露光する投影露光装置
において、前記被露光物に転写された第１の原画模様の
少なくとも一部のそれぞれに対応して付された検出マー
クが検出できるように前記ステージを移動させ少なくと
も直線上にない選択された４個の原画模様の位置を検出
するパタ−ン検出器と、その検出された位置に基づいて
前記転写された第１の原画模様の配列の直交度誤差を補
正するように前記ステージを移動させるステージ制御手
段を有し、第２の原画模様を前記転写された第１の原画
模様に重ね合わせように前記投影レンズを介して前記被
露光物に露光するように構成されることを特徴とするも
のである。 【００１０】このような本発明によれば、被露光物に転
写された第１の原画模様のうちの少なくとも３個の原画
模様が選択されその位置が検出されることから、その選
択される原画模様の数が増える分だけグローバルアライ
メントよりも露光に時間がかかることになるが、チップ
アライメントよりは高スループットが期待できる。ま
た、アライメント精度についても、少なくとも３個の原
画模様が選択されることから、原画模様配列をかなり精
度良く求めることができ、加えて平均化効果により１個
の原画模様程度のアライメントが少しずれても、他の原
画模様がそれを補う形で影響を軽減することができる。
転写された原画模様に直交度の歪が含まれていても、精
度良く、重ね合わせ転者することができる。かくして、
本発明によれば、高スループット及び高精度アライメン
トという互いに相反する利点が期待できる投影露光装置
が提供される。 【００１１】一例として、図２〜６に示されるように、
チップが５行５列に配列されている場合は、中心のチッ
プとこの中心のチップからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞ
れ１個のチップを置いて選んだ５チップを検出用チップ
として用いることができる。この場合、中心のチップの
座標が（ｘ0、ｙ0）、Ｘ軸方向二つのチップの座標がそ
れぞれ（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）、Ｙ軸方向の二
つのチップの座標がそれぞれ（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、
ｙｄ）と検出されたとすると、２図に示される円弧状の
うねりの場合は、（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘ
ｂ、ｙｂ）の３点の検出座標から良く知られている最小
２乗法を用いて（ｘ1、ｙ1）、（ｘ2、ｙ2）を求めるこ
とにより５行５列のチップの配列が決定でき、図３に示
されるうねりの場合も図２の場合と同様の考え方でチッ
プ配列が決定できる。また、図４に示されるようにＸ方
向に伸びがある場合には、検出により求められた
（ｘ0、ｙ0）、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）の３点
の座標からｘ1、ｘ2を求めることにより５行５列のチッ
プ配列が決定できる。 【００１２】図５に示すＹ方向に伸びのある場合も全く
同様にして配列が決定される。さらに、図６に示す直交
度エラーがある場合には、（ｘａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙ
ｂ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘｄ、ｙｄ）の４点の座標を
求めると、これらの座標より 【００１３】 【数１】 【００１４】として直交度エラーが求まり、５行５列の
配列が決まる。 【００１５】従って、このように配列されたチップ上に
次段の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置し
ているＸＹステージを移動させることによって次段の原
画の模様を前段の原画の模様上の正しい位置に転写する
ことができる。 【００１６】 【００１７】 【発明の実施の形態】図７はこの投影露光装置の一実施
例の要部の概略説明図を示すもので、１４及び１５はウ
エハで、５個のチップを用いる場合のチップの配列と、
この方法で検出マークの位置が検出されるチップの位置
が示してあり、５個のチップは、中心に位置するチップ
と、このチップを中心として互に直角をなす方向にあ
り、かつこのチップから等距離に位置する４個よりなっ
ている。マークの位置は図１の投影露光装置の検出系照
明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及び１２ｂに
よって求められる。なおチップに付した符号は図２〜６
と同じにしてある。そして１６は（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘ
0、ｙ0）、（ｘｄ、ｙｄ）のデータが入力してＸ方向う
ねり誤差を求めるＸ方向うねり誤差補正計算回路、１７
は同じくＹ方向ピッチ誤差を求めるＹ方向ピッチ誤差補
正計算回路、１８は（ｘａ、ｙａ）、（ｘ0、ｙ0）、
（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力しＹ方向のうねり誤差を
求めるＹ方向うねり誤差補正計算回路、１９は同じくＸ
方向ピッチ誤差を求めるＸ方向ピッチ誤差補正計算回
路、２０は、（ｘｄ、ｙｄ）、（ｘｃ、ｙｃ）、（ｘ
ａ、ｙａ）、（ｘｂ、ｙｂ）のデータが入力し直交度誤
差を求める直交度誤差補正計算回路で、これらの計算回
路によって求めた計算結果によって最終ステージ目標位
置を求める。このようにして最終ステージ目標位置が求
められると、この最終ステージ目標位置と次段の原画の
位置とのずれを駆動モータ３及び４を用いてＸＹステー
ジを動かして調整すれば、ウエハ２上のチップに転写さ
れている前段の原画の模様上に次段の原画の模様を重ね
ることができる。 【００１８】この目標決定は、行×列＝５×５の配列を
もつ１：１プロジェクションの場合を例にして説明され
たが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場合、あるいは、
図８に示すように、ウエハ２上の行×列＝ｎ×ｎの配列
の一部がウエハ２の形状に制限されて欠除する場合にも
同様の考えで行うことができる。 【００１９】なお、用いる補正式及び方法は、１：１プ
ロジェクションの機種、行×列の配列状況により適宜変
化するが、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チップ以上であれば、適宜選定することがで
きる。さらに、この方法は、前段が１：１プロジェクシ
ョン露光方法によって転写されたものに限られず、前段
が他のどのような種類の露光方法によって転写形成され
た場合にも適用可能である。 【００２０】 【発明の効果】本発明によれば、転写された原画模様に
直交度の歪が含まれていても、精度良く、重ね合わせ転
写することができ、高スループット及び高精度アライメ
ントという互いに相反する利点が期待できる投影露光装
置を提供可能とするもので、産業上の効果の大なるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】投影露光に用いられる投影露光装置の説明図で
ある。 【図２】本発明の投影露光装置の原理を説明するための
ウエハ上のチップの配列を示す説明図である。 【図３】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図４】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図５】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図６】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図７】本発明の投影露光装置の一実施例の要部の概略
説明図である。 【図８】ウエハ上のチップの配列の他の例を示す平面図
である。 【符号の説明】 １…ＸＹステージ、２…ウエハ、３、４…駆動モータ、
５…レーザ測長系、６…露光照明系、７…コンデンサー
レンズ、８…縮小レンズ、９…パターン原版（レチク
ル）、１０…原版載置台、１１、１２…パターン検出
系、１３…検出パターン
ある。 【図２】本発明の投影露光装置の原理を説明するための
ウエハ上のチップの配列を示す説明図である。 【図３】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図４】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図５】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図６】同じくウエハ上のチップの配列を示す説明図で
ある。 【図７】本発明の投影露光装置の一実施例の要部の概略
説明図である。 【図８】ウエハ上のチップの配列の他の例を示す平面図
である。 【符号の説明】 １…ＸＹステージ、２…ウエハ、３、４…駆動モータ、
５…レーザ測長系、６…露光照明系、７…コンデンサー
レンズ、８…縮小レンズ、９…パターン原版（レチク
ル）、１０…原版載置台、１１、１２…パターン検出
系、１３…検出パターン
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−261585（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−54225（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−17132（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−80724（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−41739（ＪＰ，Ａ)
特許2675528（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平７−66905（ＪＰ，Ｂ２)
特公 平４−74854（ＪＰ，Ｂ２)
Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．25，Ｎｏ．５,
（1982−５），ｐ．111−115
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．被露光物を移動させるステージと、原画模様を前記
被露光物に露光するための投影レンズを有し、前記ステ
ージを順次移動して前記原画模様を前記被露光物に露光
する投影露光装置において、前記被露光物に転写された
第１の原画模様の少なくとも一部のそれぞれに対応して
付された検出マークが検出できるように前記ステージを
移動させ少なくとも直線上にない選択された４個の原画
模様の位置を検出するパタ−ン検出器と、その検出され
た位置に基づいて前記転写された第１の原画模様の配列
の直交度誤差を補正するように前記ステージを移動させ
るステージ制御手段を有し、第２の原画模様を前記転写
された第１の原画模様に重ね合わせように前記投影レン
ズを介して前記被露光物に露光するように構成されるこ
とを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5458798A JP2909053B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5458798A JP2909053B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 投影露光装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249109A Division JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261586A JPH10261586A (ja) | 1998-09-29 |
| JP2909053B2 true JP2909053B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=12974860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5458798A Expired - Lifetime JP2909053B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2909053B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0619548D0 (en) | 2006-10-03 | 2006-11-15 | Plastic Logic Ltd | Distortion tolerant processing |
-
1998
- 1998-03-06 JP JP5458798A patent/JP2909053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．５，（１９８２−５），ｐ．１１１−１１５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10261586A (ja) | 1998-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3376179B2 (ja) | 面位置検出方法 | |
| US4823012A (en) | Step and repeat exposure apparatus having improved system for aligning | |
| JP3501276B2 (ja) | 半導体ウエハの位置合わせ方法 | |
| JPH06252027A (ja) | 位置合わせ方法および装置 | |
| JP3292022B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| US6018395A (en) | Alignment system | |
| JP3047863B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JPH0474854B2 (ja) | ||
| US7852458B2 (en) | Exposure apparatus | |
| JP2909053B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2909052B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3168590B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JPH0766905B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JP2675528B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JP3245859B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP2000329521A (ja) | パターン測定方法および位置合わせ方法 | |
| JP3204253B2 (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP2830003B2 (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
| US20010031406A1 (en) | Photomask and exposure method | |
| JP2000106345A (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH0282510A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3276608B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2663939B2 (ja) | 位置合わせ方法 |