JP2899898B2

JP2899898B2 - Magneto-optical recording method

Info

Publication number: JP2899898B2
Application number: JP26376589A
Authority: JP
Inventors: 元町田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1988-12-21
Filing date: 1989-10-09
Publication date: 1999-06-02
Anticipated expiration: 2014-06-02
Also published as: JPH03130946A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は重ね書き（オーバライト）可能な光磁気記録
方法に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a magneto-optical recording method capable of overwriting (overwriting).

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by conventional technology and invention]

光磁気記録媒体は、従来の光記録媒体と同様にレーザ
光を用いて情報の記録、再生を行うため記録容量が大き
く、その上書換えが可能である。さらにヘッドと媒体が
非接触で記録再生を行うことができ、塵埃の影響を受け
ないため安定性にも優れている。このため、光磁気記録
媒体は現在盛んに研究されており、文書情報ファイル、
ビデオ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への
利用あるいはフロッピーディスク、ハードディスクの代
替が期待され、一部では商品化の段階に至っている。The magneto-optical recording medium has a large recording capacity because information is recorded and reproduced by using a laser beam similarly to a conventional optical recording medium, and can be rewritten. Further, recording and reproduction can be performed without contact between the head and the medium, and the recording medium is not affected by dust, so that the stability is excellent. For this reason, magneto-optical recording media are being actively studied at present, and document information files,
It is expected to be used for video / still image files, memory for computers, etc. or to replace floppy disks and hard disks, and some of them have reached the stage of commercialization.

このような光磁気記録媒体の記録層に用いる磁性膜と
して、遷移金属（Fe、Co）と希土類金属（Gd、Dy、Tb、
Nd）とを組み合わせたTbFe、TbFeCo、GdTbFeCo、NdDyFe
Co等の種々の非晶質（アモルファス）磁性合金膜が提案
されている。この磁性合金膜は非晶質であるため粒界に
よる媒体ノイズがなく、スパッタ法や蒸着法により容易
に垂直磁化膜が作製できるという利点を有している。As a magnetic film used for the recording layer of such a magneto-optical recording medium, a transition metal (Fe, Co) and a rare earth metal (Gd, Dy, Tb,
Nd) and TbFe, TbFeCo, GdTbFeCo, NdDyFe
Various amorphous (amorphous) magnetic alloy films such as Co have been proposed. Since this magnetic alloy film is amorphous, there is no medium noise due to grain boundaries, and there is an advantage that a perpendicular magnetization film can be easily produced by a sputtering method or a vapor deposition method.

近年の記録の高速、高密度化に対応するためには、キ
ュリー温度T_C、保磁力H_C、カー回転角θｋ等の熱磁気特
性がさらに良好であることが必要で、このため、新規な
光磁気記録材料の開発及び光磁気記録膜の改良が行われ
ている。この中に、光磁気記録膜を二層構造とし、記
録、再生の機能を各々の膜に持たせたいわゆる機能分離
型二層膜構造の光磁気記録媒体が提案されている（特開
昭56−153546号、同57−78652号、同60−177455号、同6
3−153752号公報等）。In order to respond to the recent high-speed and high-density recording, it is necessary that the thermomagnetic properties such as the Curie temperature T _C , the coercive force H _C , and the Kerr rotation angle θk be further improved. Development of a magneto-optical recording material and improvement of a magneto-optical recording film have been performed. Among them, there has been proposed a magneto-optical recording medium having a so-called function-separated double-layer film structure in which the magneto-optical recording film has a two-layer structure and each of the films has a recording and reproducing function (Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 56). -153546, 57-78652, 60-177455, 6
No. 3-153752).

又、光磁気記録方法としては、一般にレーザ光で情報
信号を変調し、記録及び消去に対応してバイアス磁界の
印加方向を変えて、記録と消去を行う光変調法が採用さ
れている。この方法では、ハードディスクのように重ね
書きができないので、既に情報が記録されている場合に
新たな情報記録を行おうとするときには、消去を先行さ
せ、次いで新たな記録をする必要がある。したがって、
消去の待時間だけアクセス時間が遅くなる欠点があっ
た。As a magneto-optical recording method, an optical modulation method is generally employed in which an information signal is modulated with a laser beam, and the direction of application of a bias magnetic field is changed in accordance with recording and erasing to perform recording and erasing. In this method, overwriting cannot be performed unlike a hard disk. Therefore, when new information is to be recorded when information has already been recorded, it is necessary to perform erasure first and then perform new recording. Therefore,
There was a disadvantage that the access time was delayed by the waiting time for erasing.

上記欠点を解決するため、本出願人は特開昭57−1134
02号公報において、レーザ光を光磁気記録媒体に連続照
射し、情報信号を磁気ヘッドからの磁界で変調する磁界
変調法を提案した。この方法によれば、ハードディスク
と同様に重ね書きが可能となる。In order to solve the above-mentioned drawbacks, the present applicant has disclosed in
In Japanese Patent Publication No. 02, a magnetic field modulation method for continuously irradiating a magneto-optical recording medium with laser light and modulating an information signal with a magnetic field from a magnetic head was proposed. According to this method, overwriting can be performed similarly to a hard disk.

一方で、情報処理の高速化、ハードディスクの代替等
の見地から、光磁気記録媒体の特性として、ハードディ
スクと同等以上の高速（ディスク回転数3600rpm、線速2
2m/秒以上）かつ高密度な記録が行えることが要求され
ている。On the other hand, from the viewpoints of high-speed information processing and replacement of hard disks, the characteristics of magneto-optical recording media are as high as or higher than those of hard disks (disk rotation speed 3600 rpm, linear speed 2
(2 m / sec or more) and high-density recording are required.

ところが、このような高速条件下で上記磁界変調法に
より重ね書き可能な記録を行うには以下のような不都合
があった。However, performing overwritable recording by the magnetic field modulation method under such a high speed condition has the following inconveniences.

磁気ヘッドの磁界反転を15MHz以上の高速で行う必要
があるが、これは実際上困難である。It is necessary to perform the magnetic field reversal of the magnetic head at a high speed of 15 MHz or more, but this is practically difficult.

磁化反転に必要な200〜3000eの磁界を得るためには磁
気ヘッドを光磁気記録媒体にほぼ接触するような高さに
浮上させなければならないが、このようにすると、磁気
ヘッドと光磁気記録媒体にハードディスクの場合と同様
に摩耗、損傷等の問題が発生し、光磁気記録法の長所で
ある非接触記録による信頼性が損われることになる。In order to obtain a magnetic field of 200 to 3000 e required for magnetization reversal, the magnetic head must be levitated to a height that almost contacts the magneto-optical recording medium. In the same way as in the case of a hard disk, problems such as wear and damage occur, and the reliability of non-contact recording, which is an advantage of the magneto-optical recording method, is impaired.

高周波で記録を行うと光磁気記録媒体の熱伝導と熱磁
気記録特性のため記録ビットの形状が長く尾を引いた三
日月状となるが、これはノイズの発生原因となり、C/N
を低下させる。When performing recording at high frequency, the shape of the recording bit becomes a crescent shape with a long tail due to the heat conduction and thermomagnetic recording characteristics of the magneto-optical recording medium, which causes noise and causes C / N
Lower.

このため、以上のような手法と異なり、単一レーザビ
ームの光強度を変えて重ね書き可能な記録を行う方法が
応用物理学会第34回大会予稿集（1987年春）p.721,28P
−ZL−３、特開昭62−175948号公報に提案されている。
該文献に記載の光磁気記録方法は、メモリ層と補助層か
らなるフェリ磁***換結合二層膜を設けた光磁気記録媒
体を用いるとともに、初期化用の補助磁石を利用した光
強度変調方式である。以下この方法によるオーバライト
過程につき第18図を参照しながら説明する。Therefore, unlike the above method, a method of performing overwriteable recording by changing the light intensity of a single laser beam is described in the 34th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics (Spring 1987), p.721, 28P
-ZL-3, proposed in JP-A-62-175948.
The magneto-optical recording method described in the document uses a magneto-optical recording medium provided with a ferrimagnetic exchange-coupling two-layer film composed of a memory layer and an auxiliary layer, and a light intensity modulation method using an auxiliary magnet for initialization. is there. Hereinafter, the overwriting process according to this method will be described with reference to FIG.

この方法に使用される光磁気記録媒体は、第18図の
（ａ）に示すようメモリ層31と補助層32からなり、メモ
リ層31には室温において遷移金属の磁気モーメントが優
位で保磁力H_Cが大きく、キュリー温度T_Cが小さい材料
（例えばTbFeCo）が使用され、補助層32には室温におい
て希土類金属の磁気モーメントが優位で保磁力H_Cが小さ
く、キュリー温度T_cが高い材料（例えばTbDyFeCo）が使
用される。第18図（ａ）中、a₁は記録部、a₂は消去部を
示す。メモリ層31と補助層32に使用される各非晶質磁性
合金膜の熱磁気特性は第19図に示す通りである。第19図
中、Hexはバイアス磁界、T₁,T₃はそれぞれ消去、記録動
作温度である。The magneto-optical recording medium used in this method is composed of a memory layer 31 and an auxiliary layer 32 as shown in FIG. 18 (a). In the memory layer 31, the magnetic moment of the transition metal is dominant at room temperature and the coercive force H _A material having a large _{C and a} small Curie temperature T _C (for example, TbFeCo) is used. A material having a small magnetic moment of a rare earth metal, a small coercive force H _C , and a high Curie temperature T _c at room temperature is used for the auxiliary layer 32. TbDyFeCo) is used. During the 18 view (a), a ₁ is recorded portion, a ₂ denotes an erase unit. The thermomagnetic properties of each amorphous magnetic alloy film used for the memory layer 31 and the auxiliary layer 32 are as shown in FIG. In FIG. 19, Hex is a bias magnetic field, and T ₁ and T ₃ are erasing and recording operating temperatures, respectively.

先ず第18図（ａ）のようにレーザ光強度変調によって
記録及び消去された媒体に初期化用補助磁石を用いて６
〜7KOeの初期化磁界Hinを印加する。すると記録部a₁の
補助層32は室温で保磁力が小さいので、初期化磁界の方
向に、記録部a₁の補助層32のみが第18図（ｂ）のように
反転する。この状態で上向きにバイアス磁界Hexを印加
し、レーザ照射（パワー小）を行い昇温（T₁）させる
と、記録部a₁のメモリ層31の保磁力H_Cが急激に減少し、
（第18図（ｃ））、記録部a₁のメモリ層31は補助層32と
の交換結合作用により磁化反転が起こり、この状態で温
度を下げると第18図（ｄ）のように記録部a₁は消去され
る。第18図（ｄ）の状態からレーザ照射（パワー大）を
行い、補助層32を補助温度Tcompより高い温度T₃まで昇
温させると、補助層32の保磁力H_Cはバイアス磁界Hexよ
り小さいため、第18図（ｅ）に示すように補助層32の磁
化はバイアス磁界Hexの方向に反転し、この状態から室
温まで冷却すると第18図（ｆ）のように記録が行われ
る。First, as shown in FIG. 18 (a), a medium recorded and erased by laser beam intensity modulation is applied to a medium using an initialization auxiliary magnet.
An initialization magnetic field Hin of ~ 7KOe is applied. Since Then the auxiliary layer 32 of the recording unit a ₁ is small coercive force at room temperature, the direction of the initializing magnetic field, only the auxiliary layer 32 of the recording unit a ₁ is inverted as FIG. 18 (b). In this state, when a bias magnetic field Hex is applied upward and laser irradiation (low power) is performed to raise the temperature (T ₁ ), the coercive force H _C of the memory layer 31 of the recording unit a ₁ rapidly decreases,
(FIG. 18 (c)), the memory layer 31 of the recording unit a ₁ occurs magnetization reversal by the exchange coupling action between the auxiliary layer 32, a recording unit as FIG. 18 lowering the temperature in this state (d) a ₁ is deleted. 18 state laser irradiation from the diagram (d) performed (power Univ.), The auxiliary layer 32 is allowed to warm to a temperature T ₃ than the auxiliary temperature Tcomp, coercive force H _C of the auxiliary layer 32 is less than the bias field Hex Therefore, the magnetization of the auxiliary layer 32 is reversed in the direction of the bias magnetic field Hex as shown in FIG. 18 (e), and when this state is cooled to room temperature, recording is performed as shown in FIG. 18 (f).

しかしながら、上記方法では記録、消去に先立って6K
Oe程度の大きな磁界を印加して磁化の方向を揃えるイニ
シャライズが必要であり、このため初期化用の永久磁石
あるいは電磁石を設置しなければならず、光磁気ヘッド
の小型化が困難であり、又記録と消去の過程が複雑で実
用化は困難と考えられている。However, in the above method, 6K
It is necessary to initialize by applying a magnetic field as large as Oe to make the direction of magnetization uniform.Therefore, a permanent magnet or electromagnet must be provided for initialization, making it difficult to reduce the size of the magneto-optical head. It is considered that the process of recording and erasing is complicated and practical use is difficult.

本発明は、以上のような従来技術の欠点を解消し、イ
ニシャライズが不用でアクセス時間が短く、記録の高速
化に対応できる重ね書き可能な光磁気記録を達成するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art and to achieve overwritable magneto-optical recording which does not require initialization, has a short access time, and can cope with high-speed recording.

〔課題を解決するための手段及び作用〕[Means and Actions for Solving the Problems]

上記目的を達成するため、本発明によれば記録時と消
去時の動作温度においてそれぞれ保磁力が異なる２種の
磁性層を積層してなる記録層を有する光磁気記録媒体を
用い、該光磁気記録媒体に照射するレーザビームのパワ
ーを記録時と消去時で変化させ、記録時及び消去時にお
いて同一方向であり、かつ、低い方の動作温度において
両磁性層の保磁力より大きいバイアス磁界を付与するこ
とにより、重ね書き可能な記録を行うことを特徴とする
光磁気記録方法が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, a magneto-optical recording medium having a recording layer formed by laminating two types of magnetic layers having different coercive forces at operating temperatures during recording and erasing is used. The power of the laser beam applied to the recording medium is changed between recording and erasing, and a bias magnetic field that is in the same direction during recording and erasing and is larger than the coercive force of both magnetic layers at the lower operating temperature is applied. By doing so, a magneto-optical recording method characterized by performing overwritable recording is provided.

以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

先ず本発明で使用される光磁気記録媒体の実例につい
て述べる。第１図は本発明で使用される第１のタイプ
（以下タイプＡと記す。）の光磁気記録媒体の記録層を
示す概念図である。この記録層は図示の如く保磁力の温
度特性の異なる第１磁性層１及び第２磁性層２を積層し
た２層膜構造となっている。各磁性層の保磁力H_Cの温度
依存性を第４図に示す。タイプＡの光磁気記録媒体の各
磁性層には、非晶質（アモルファス）磁性体が好ましく
使用される。この場合、第１磁性層１及び第２磁性層２
は共に少なくとも１種以上の希土類金属（Gd,Dy,Tb,Ho,
Er,Nd等）と少なくとも１種以上の遷移金属（Fe,Co）を
含有する非晶質の合金薄膜（垂直磁化膜）により形成さ
れる。第１磁性層１の磁気モーメントは室温において遷
移金属（TM）の磁気モーメントが優位（リッチ）な特性
を有し、室温での保磁力は第２磁性層２の室温での保磁
力より大で1kOe以上、低い方の動作温度での保磁力は0.
5kOe以下であるのが好ましい。第２磁性層２の磁気モー
メントは室温において希土類金属（RE）の磁気モーメン
トが優位な特性を有し、低い方の動作温度での保磁力は
該保磁力より大きいバイアス磁界Hexを印加する関係
上、2kOe以下、望ましくは1kOe以下であるのが好まし
い。本発明で付与するバイアス磁界Hexは0.5〜1.5kOeが
適当である。First, an example of a magneto-optical recording medium used in the present invention will be described. FIG. 1 is a conceptual diagram showing a recording layer of a first type (hereinafter, referred to as type A) magneto-optical recording medium used in the present invention. This recording layer has a two-layer film structure in which a first magnetic layer 1 and a second magnetic layer 2 having different coercive force temperature characteristics are stacked as shown. FIG. 4 shows the temperature dependence of the coercive force H _C of each magnetic layer. For each magnetic layer of the type A magneto-optical recording medium, an amorphous magnetic material is preferably used. In this case, the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2
Are at least one or more rare earth metals (Gd, Dy, Tb, Ho,
It is formed of an amorphous alloy thin film (perpendicular magnetization film) containing Er, Nd, etc.) and at least one or more transition metals (Fe, Co). The magnetic moment of the first magnetic layer 1 has a characteristic that the magnetic moment of the transition metal (TM) is superior (rich) at room temperature, and the coercive force at room temperature is larger than that of the second magnetic layer 2 at room temperature. The coercivity at the lower operating temperature of 1 kOe or more is 0.
It is preferably at most 5 kOe. The magnetic moment of the second magnetic layer 2 is superior to that of the rare earth metal (RE) at room temperature, and the coercive force at the lower operating temperature is higher than the coercive force because a bias magnetic field Hex is applied. , 2 kOe or less, preferably 1 kOe or less. The bias magnetic field Hex applied in the present invention is suitably 0.5 to 1.5 kOe.

又、第１磁性層１の補償温度Tcomp₁は室温T_R以下、第
２磁性層２の補償温度Tcomp₂は70〜180℃であるのが好
ましい。第１磁性層１の補償温度Tcomp₁が室温T_Rより大
であると室温での保磁力が小さくなり、第２磁性層２の
補償温度Tcomp₂が70℃より小であると低い方の動作温度
と近くなり、低い方の動作温度における保磁力が大きく
なり、磁化反転が困難となり、一方180℃より大である
と高い方の動作温度の値が大きくなり、必要とするレー
ザパワーが大となる。また、第１磁性層１及び第２磁性
層２のキュリー温度をそれぞれT_C1、T_C2とするとT_C1＜T
comp₂＜T_C2であるのが好ましい。Also, compensation temperature Tcomp ₁ of the first magnetic layer 1 is below room T _R, compensation temperature Tcomp ₂ of the second magnetic layer 2 is preferably 70 to 180 ° C.. First compensation temperature Tcomp ₁ of the magnetic layer 1 is small coercive force at room temperature If it is larger than the room temperature T _R, the operation of the lower the compensation temperature Tcomp ₂ of the second magnetic layer 2 is at less than 70 ° C. Temperature, the coercive force at the lower operating temperature increases, and magnetization reversal becomes difficult.On the other hand, if it is higher than 180 ° C., the value of the higher operating temperature increases, and the required laser power increases. Become. When the Curie temperatures of the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2 are T _C1 and T _C2 , respectively, T _C1 <T
Preferably, comp ₂ <T _C2 .

又、記録時（又は消去時）のレーザパワーに対応する
動作温度をT_H、消去時（又は記録時）のレーザパワーに
対応する動作温度T_L（T_H＞T_L）とすると、第２磁性層２
にはその補償温度Tcomp₂が両動作温度T_H、T_Lの間である
ものを用い、第１磁性層１にはそのキュリー温度T_C1がT
comp₂より小さくかつ低い方の動作温度T_L近傍のものを
用いる。第２磁性層２の補償温度Tcomp₂は低い方の動作
温度より30℃以上大きく高い方の動作温度より30℃以上
小さいことが好ましい。Assuming that the operating temperature corresponding to the laser power at the time of recording (or erasing) is T _H and the operating temperature _TL corresponding to the laser power at the time of erasing (or recording) (T _H > T _L ), Magnetic layer 2
Is used whose compensation temperature Tcomp ₂ is between the two operating temperatures T _H and T _L , and the Curie temperature T _{C1 of} the first magnetic layer 1 is T
A component having an operating temperature smaller than comp ₂ and lower than the operating temperature _TL is used. It is preferred second compensation temperature Tcomp ₂ of the magnetic layer 2 is smaller 30 ° C. or higher than the lower operating temperatures towards larger high 30 ° C. or higher than the operating temperature of the.

更に、低い方の動作温度T_Lにおける第１磁性層１の保
磁力及び第２磁性層２の保磁力、バイアス磁界、浮遊磁
界及び第１磁性層１と第２磁性層２との間の低い方の動
作温度に対応するレーザ光照射時の交換エネルギーをそ
れぞれH_C1（T_L）、H_C2（T_L）、Hex、Hf、σ_Ｗとする
と、下記式を満足するものとする。Further, the coercive force of the first magnetic layer 1 and the coercive force of the second magnetic layer 2, the bias magnetic field, the stray magnetic field, and the lower coercive force between the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2 at the lower operating temperature _TL . Assuming that the exchange energies at the time of laser beam irradiation corresponding to the two operating temperatures are H _C1 (T _L ), H _C2 (T _L ), Hex, Hf, and σ _W , the following equation is satisfied.

H_C2（T_L）＞H_C1（T_L） |Hex|＞|H_C2（T_L）＋Hf＋σ_W| タイプＡの光磁気記録媒体の第１磁性層１として例え
ば次のような非晶質磁性合金を用いることができる。H _C2 (T _L )> H _C1 (T _L ) | Hex |> | H _C2 (T _L ) + Hf + σ _W | As the first magnetic layer 1 of the type A magneto-optical recording medium, for example, the following amorphous magnetic layer Alloys can be used.

・Tb_XFe_100-X-YCo_Y:Y≦４％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.5,0≦Ｙ≦９
％、又は、0.5＜ｎ≦1.0,0≦Ｙ≦15％・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.5,0≦Ｙ≦15％・（Tb_nEr_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦20
％・（Tb_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦15
％但し、上記式においてX,Yは非晶質磁性合金膜中のato
m％で、ｎは原子比である（以下同様）。また、Ｘは室
温で遷移金属の磁気モーメントが優位となる組成に選定
する。・ Tb _X Fe _100-XY Co _Y : Y ≦ 4% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.5,0 ≦ Y ≦ 9
% Or 0.5 <n ≦ 1.0,0 ≦ Y ≦ 15% ・ (Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.5,0 ≦ Y ≦ 15% ・ (Tb _n Er _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 20
% ・ (Tb _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 15
% Where X and Y are ato in the amorphous magnetic alloy film.
In m%, n is an atomic ratio (the same applies hereinafter). Further, X is selected to have a composition in which the magnetic moment of the transition metal becomes dominant at room temperature.

一方、第２磁性層２としては例えば次のような非晶質
磁性合金を用いることができる。On the other hand, as the second magnetic layer 2, for example, the following amorphous magnetic alloy can be used.

・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.4＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦12
％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.4,10≦Ｙ≦30
％・（Gd_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.5,5≦Ｙ≦30％・（Tb_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.6,10≦Ｙ≦30
％・（Gd_nTb_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.3＜ｎ≦1.0,0≦Ｙ≦20
％但し、上記式においてＸは室温で希土類金属の磁気モ
ーメントが優位となる組成に選定する。・ (Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.4 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 12
% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.4,10 ≦ Y ≦ 30
% ・ (Gd _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.5,5 ≦ Y ≦ 30% ・ (Tb _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.6,10 ≦ Y ≦ 30
% ・ (Gd _n Tb _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.3 <n ≦ 1.0,0 ≦ Y ≦ 20
% However, in the above formula, X is selected to have a composition in which the magnetic moment of the rare earth metal is superior at room temperature.

次に、本発明で使用される第２のタイプ（以下タイプ
Ｂと記す。）の光磁気記録媒体について述べる。第２図
はタイプＢの光磁気記録媒体の記録層を示す概念図であ
る。この記録層も保磁力の温度特性の異なる第１磁性層
３及び第２磁性層４を積層してなる２層膜構造を有して
いる。両磁性層3,4はタイプＡの磁性層と同様、共に少
なくとも１種以上の希土類金属（Gd,Dy,Tb,Ho,Er,Nd
等）と少なくとも１種以上の遷移金属（Fe,Co）を含有
する非晶質の合金薄膜（垂直磁化膜）からなるが、両磁
性層3,4は共に室温において希土類金属（RE）の磁気モ
ーメントが優位な特性を有している。各磁性層の保磁力
H_Cの温度依存性を第５図に示す。第１磁性層３の室温T_R
での保磁力H_C1（T_R）は第２磁性層４の室温T_Rでの保持
力H_C2（T_R）より大で2kOe以上、低い方の動作温度T_Lで
の保磁力H_C1（T_L）は0.5kOe以下であるのが好ましい。
第２磁性層４の低い方の動作温度T_Lでの保磁力H
_C2（T_L）は第１磁性層３の室温T_Rでの保磁力H_C1（T_R）
より大きいが、該保磁力より大きいバイアス磁界を印加
する関係上2kOe以下、望ましくは1kOe以下であるのが好
ましい。Next, a second type (hereinafter, referred to as type B) magneto-optical recording medium used in the present invention will be described. FIG. 2 is a conceptual diagram showing a recording layer of a type B magneto-optical recording medium. This recording layer also has a two-layer structure in which a first magnetic layer 3 and a second magnetic layer 4 having different coercive force temperature characteristics are laminated. Both the magnetic layers 3 and 4 are at least one or more rare earth metals (Gd, Dy, Tb, Ho, Er, Nd) as in the case of the type A magnetic layer.
Etc.) and an amorphous alloy thin film (perpendicular magnetization film) containing at least one or more transition metals (Fe, Co). Both magnetic layers 3 and 4 are made of a rare-earth metal (RE) magnetic material at room temperature. The moment has superior properties. Coercive force of each magnetic layer
FIG. 5 shows the temperature dependence of _HC . Room temperature T _R of the first magnetic layer 3
Coercivity H _C1 at (T _R) and the second holding force at room temperature T _R of the magnetic layer 4 H _C2 (T _R) larger in 2kOe above, the coercive force H _C1 at lower operating temperatures T _L of ( T _L ) is preferably 0.5 kOe or less.
Coercive force H at the lower operating temperature _TL of the second magnetic layer 4
_C2 (T _L) is the coercive force H _C1 at room temperature T _R of the first magnetic layer 3 (T _R)
However, it is preferably 2 kOe or less, more preferably 1 kOe or less in view of applying a bias magnetic field larger than the coercive force.

又、第１磁性層３及び第２磁性層４の補償温度Tcom
p₁、Tcomp₂及びキュリー温度T_C1,T_C2の関係は、 Tcomp₁＜T_C1＜Tcomp₂＜T_C2 なる条件を満足する材料が選ばれる。そしてTcomp₁はT
_C1より30℃以上小さく、Tcomp₂はT_C1より30℃以上大き
くかつT_C2より30℃以上小さいことが好ましい。The compensation temperature Tcom of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4
As for the relationship between p ₁ , Tcomp ₂ and the Curie temperatures T _C1 , T _C2 , a material that satisfies the condition of Tcomp ₁ <T _C1 <Tcomp ₂ <T _C2 is selected. And Tcomp ₁ is T
It is preferable that Tcomp ₂ is smaller than _C1 by 30 ° C. or more, and that Tcomp ₂ is larger than T _C1 by 30 ° C. or more and smaller than T _C2 by 30 ° C. or more.

第２磁性層４にはその補償温度Tcomp₂が、記録時及び
消去時の動作温度T_H、T_Lの間であるものを用い、第１磁
性層１にはこのキュリー温度T_C1が低い方の動作温度T_L
近傍のものを用いる。For the second magnetic layer 4, the one whose compensation temperature Tcomp ₂ is between the operating temperatures T _H and T _L at the time of recording and erasing is used. For the first magnetic layer 1, the Curie temperature T _C1 is lower. Operating temperature T _L
Use a nearby one.

更に、第１磁性層３及び第２磁性層４は下記式を満足
するものとする。Further, the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 satisfy the following expression.

H_C2（T_C）＞H_C1（T_L） |Hex|＞|H_C2（T_L）＋Hf＋σ_W| タイプＢの光磁気記録媒体の第１磁性層３としては例
えば次のような非晶質磁性合金を用いることができる。H _C2 (T _C )> H _C1 (T _L ) | Hex |> | H _C2 (T _L ) + Hf + σ _W | As the first magnetic layer 3 of the type B magneto-optical recording medium, for example, the following amorphous Magnetic alloys can be used.

・Tb_XFe_100-X-YCo_Y:0＜Ｙ＜４％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ≦0.5,0≦Ｙ≦30
％、又は、0.5＜ｎ≦1.0,0≦Ｙ≦20％・（Tb_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.3＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦20
％・（Tb_nEr_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦20
％・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ＜0.5,0≦Ｙ≦10％但し、上記式においてＸは室温で希土類金属の磁気モ
ーメントが優位となる組成に選定する。・ Tb _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <Y <4% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n ≦ 0.5,0 ≦ Y ≦ 30
% Or 0.5 <n ≦ 1.0,0 ≦ Y ≦ 20% ・ (Tb _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.3 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 20
% ・ (Tb _n Er _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 20
% · (Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n <0.5,0 ≦ Y ≦ 10% However, in the above formula, X is a composition in which the magnetic moment of the rare earth metal is dominant at room temperature. Select.

一方、第２磁性層４としては例えば次のような非晶質
磁性合金を用いることができる。On the other hand, as the second magnetic layer 4, for example, the following amorphous magnetic alloy can be used.

・Tb_XFe_100-X-YCo_Y:4＜Ｙ＜20％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0≦ｎ≦0.5,5≦Ｙ≦30
％、又は、0.5＜ｎ＜1.0,3≦Ｙ＜20％・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0≦ｎ≦0.5,5≦Ｙ≦25
％、又は、0.5＜ｎ＜1.0,3≦Ｙ≦15％・（Gd_nTb_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0≦ｎ≦0.5,7≦Ｙ≦20
％、又は、0.5＜ｎ＜1.0,3≦Ｙ≦15％・（Tb_nEr_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,5＜Ｙ＜30
％・（Tb_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,5＜Ｙ＜30
％但し、上記式においてＸは室温で希土類金属の磁気モ
ーメントが優位となる組成に選定する。・ Tb _X Fe _100-XY Co _Y : 4 <Y <20% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 ≦ n ≦ 0.5,5 ≦ Y ≦ 30
% Or 0.5 <n <1.0,3 ≦ Y <20% ・ (Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 ≦ n ≦ 0.5,5 ≦ Y ≦ 25
% Or 0.5 <n <1.0,3 ≦ Y ≦ 15% ・ (Gd _n Tb _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 ≦ n ≦ 0.5,7 ≦ Y ≦ 20
% Or 0.5 <n <1.0, 3 ≦ Y ≦ 15% (Tb _n Er _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0, 5 <Y <30
% (Tb _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0, 5 <Y <30
% However, in the above formula, X is selected to have a composition in which the magnetic moment of the rare earth metal is superior at room temperature.

次に、本発明で参考までに使用される第３のタイプ
（以下タイプＣと記す。）の光磁気記録媒体について述
べる。第３図はタイプＣの光磁気記録媒体の記録層を示
す概念図である。この記録層も保磁力の温度特性の異な
る第１磁性層５及び第２磁性層６を積層してなる２層膜
構造を有している。両磁性層5,6はタイプA,Bの磁性層と
同様、共に少なくとも１種以上の希土類金属（Gd,Dy,T
b,Ho,Er,Nd等）と少なくとも１種以上の遷移金属（Fe,C
o）を含有する非晶質の合金薄膜（垂直磁化膜）からな
るが、両磁性層5,6は共に室温において遷移金属（TM）
の磁気モーメントが優位な特性を有している。各磁性層
の保磁力H_Lの温度依存性を第６図に示す。低い方の動作
温度T_Lにおいて第１磁性層５及び第２磁性層６の保磁力
H_C1（T_L）、H_C2（T_L）はタイプA,Bの場合と同様の関
係、すなわち、 H_C2（T_L）＞H_C1（T_L） |Hex|＞|H_C2（T_L）＋Hf＋σ_W| を満足する。第１磁性層５の低い方の動作温度T_Lでの保
磁力H_C1（T_L）は0.5kOe以下であるのが好ましい。また
第２磁性層６の低い方の動作温度T_Lでの保磁力H
_C2（T_L）は2kOe以下、好ましくは1kOe以下であるのが好
ましい。Next, a third type (hereinafter referred to as type C) magneto-optical recording medium used for reference in the present invention will be described. FIG. 3 is a conceptual diagram showing a recording layer of a type C magneto-optical recording medium. This recording layer also has a two-layer structure in which a first magnetic layer 5 and a second magnetic layer 6 having different coercive force temperature characteristics are laminated. Both magnetic layers 5 and 6 are at least one or more rare earth metals (Gd, Dy, T
b, Ho, Er, Nd, etc.) and at least one or more transition metals (Fe, C
o) containing an amorphous alloy thin film (perpendicular magnetization film), and both magnetic layers 5 and 6 are both transition metal (TM) at room temperature.
Has a superior property. FIG. 6 shows the temperature dependence of the coercive force _HL of each magnetic layer. Coercive force of the first magnetic layer 5 and the second magnetic layer 6 at the lower operating temperature _TL
H _C1 (T _L ) and H _C2 (T _L ) have the same relationship as in the case of types A and B, that is, H _C2 (T _L )> H _C1 (T _L ) | Hex |> | H _C2 (T _L ) + Hf + σ _W | is satisfied. The first magnetic layer 5 lower operating temperatures of T _L in the coercive force H _C1 (T _L) is preferably not more than 0.5 kOe. Also, the coercive force H at the lower operating temperature _TL of the second magnetic layer 6
_C2 (T _L ) is preferably 2 kOe or less, preferably 1 kOe or less.

又、第１磁性層５及び第２磁性層６のキュリー温度T
_C1,T_C2と両動作温度T_L、T_Hとの関係はT_L＜T_C1＜T_H＜T_C2
となるようにする。第１磁性層５のキュリー温度T_C1は1
60℃以下が好ましく、第２磁性層６のキュリー温度T_C2
は180℃以上が好ましい。また、第１磁層性５及び第２
磁性層６の補償温度Tcomp₁は40〜100℃、Tcomp₂は70〜1
80℃とする。The Curie temperature T of the first magnetic layer 5 and the second magnetic layer 6
_C1, T _C2 and both the operating temperature T _L, the relationship between T _H is _{_{_{T L <T C1 <T H}}} <T C2
So that Curie temperature T _C1 of the first magnetic layer 5 is 1
It is preferably 60 ° C. or lower, and the Curie temperature T _C2 of the second magnetic layer 6
Is preferably 180 ° C. or higher. In addition, the first magnetic layer properties 5 and the second
The compensation temperature Tcomp ₁ of the magnetic layer 6 is 40 to 100 ° C., and Tcomp ₂ is 70 to 1
80 ° C.

タイプＣの光磁気記録媒体の第１磁性層５としては例
えば次のような非晶質磁性合金を用いることができる。As the first magnetic layer 5 of the type C magneto-optical recording medium, for example, the following amorphous magnetic alloy can be used.

・Tb_XFe_1-X、Dy_XFe_100-X-YCo_Y:10≦Ｙ≦20％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ＜0.5,0≦Ｙ≦10％・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜0.5,0≦Ｙ≦10
％・（Tb_nHo_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦15
％・（Tb_nEr_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5＜ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦15
％但し、上記式においてＸは室温で遷移金属の磁気モー
メントが優位となる組成に選定する。・ Tb _X Fe _1-X , Dy _X Fe _100-XY Co _Y : 10 ≦ Y ≦ 20% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n <0.5,0 ≦ Y ≦ 10% ・ (Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <0.5,0 ≦ Y ≦ 10
% ・ (Tb _n Ho _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 15
% ・ (Tb _n Er _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 <n <1.0,0 ≦ Y ≦ 15
% However, in the above formula, X is selected to be a composition in which the magnetic moment of the transition metal becomes superior at room temperature.

一方、第２磁性層６としては例えば次のような非晶質
磁性合金を用いることができる。On the other hand, as the second magnetic layer 6, for example, the following amorphous magnetic alloy can be used.

・Tb_XFe_100-X-YCo_Y:7≦Ｙ≦25％・Dy_XFe_100-X-YCo_Y:12≦Ｙ≦35％・Gd_XFe_100-X-YCo_Y:0≦Ｙ≦10％・（Gd_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5≦ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦15
％・（Gd_nTb_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0.5≦ｎ＜1.0,0≦Ｙ≦15
％・（Tb_nDy_1-n）_XFe_100-X-YCo_Y:0＜ｎ＜1.0,10≦Ｙ≦30
％但し、上記式においてＸは室温で遷移金属の磁気モー
メントが優位となる組成に選定する。・ Tb _X Fe _100-XY Co _Y : 7 ≦ Y ≦ 25% ・ Dy _X Fe _100-XY Co _Y : 12 ≦ Y ≦ 35% ・ Gd _X Fe _100-XY Co _Y : 0 ≦ Y ≦ 10% ・ ( Gd _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 ≦ n <1.0,0 ≦ Y ≦ 15
% ・ (Gd _n Tb _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0.5 ≦ n <1.0,0 ≦ Y ≦ 15
% ・ (Tb _n Dy _1-n ) _X Fe _100-XY Co _Y : 0 <n <1.0,10 ≦ Y ≦ 30
% However, in the above formula, X is selected to be a composition in which the magnetic moment of the transition metal becomes superior at room temperature.

次に、本発明の光磁気記録方法における記録と消去の
動作について説明する。Next, recording and erasing operations in the magneto-optical recording method of the present invention will be described.

先ず、タイプＡの光磁気記録媒体を用いた場合の記録
と消去の動作について述べる。タイプＡの光磁気記録媒
体の２種の磁性層1,2における室温での磁化は、第７図
（ａ）のようになっている。ここで記録のためにレーザ
パワーPw（＝P_H:動作温度T_Hと対応）のレーザ光が媒体
に照射されると、第４図に示すように第１磁性層１と第
２磁性層２の保磁力は、H_C2（T_H）＞H_C1（T_H）となり、
第１磁性層１の磁化は殆ど零、第２磁性層２の磁化は小
さいものとなる。なお、ここではPw＞P_E（P_Eは消去時の
レーザパワー）とする。この時、第７図（ｂ）に示すよ
うに、下向きにすなわち第２磁性層２の消去状態の磁化
の方向と同方向にバイアス磁界Hexが付与されると、こ
のバイアス磁界Hexにより第２磁性層２のレーザ光照射
部分が磁化反転し、媒体が冷却するとこれに対応して第
１磁性層１の磁化が交換結合力により磁化反転し、その
後さらに媒体が冷却し室温と等しい温度となると第７図
（ｃ）の状態となり記録が行われる。First, recording and erasing operations using a type A magneto-optical recording medium will be described. The magnetization at room temperature in the two types of magnetic layers 1 and 2 of the type A magneto-optical recording medium is as shown in FIG. 7 (a). Here, when the medium is irradiated with a laser beam of laser power Pw (= P _H : corresponding to the operating temperature T _H ) for recording, the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2 as shown in FIG. The coercive force of H _C2 (T _H )> H _C1 (T _H )
The magnetization of the first magnetic layer 1 is almost zero, and the magnetization of the second magnetic layer 2 is small. Here, Pw> P _{_E} (P _E is the laser power during erase) a. At this time, as shown in FIG. 7 (b), when the bias magnetic field Hex is applied downward, that is, in the same direction as the direction of the magnetization in the erased state of the second magnetic layer 2, the second magnetic layer Hex When the laser beam-irradiated portion of the layer 2 undergoes magnetization reversal and the medium cools, the magnetization of the first magnetic layer 1 correspondingly reverses its magnetization due to the exchange coupling force. 7 The state shown in FIG. 7C is reached, and recording is performed.

次に、第７図（ｃ）のように形成された記録ビットの
消去動作について述べると、第７図（ｄ）に示すように
消去のためのレーザパワーP_E（＝P_L:動作温度T_Lと対
応）のレーザ光が照射されると第１磁性層１と第２磁性
層２との交換結合力は著しく減少する。この時、バイア
ス磁界Hex（H_C2（T_L）より大きいものとする）が下向き
にすなわち第２磁性層２の消去状態の磁化の方向と同方
向に付与されると、第４図に示すようにHex＞H_C2（T_L）
＞H_C1（T_L）となるので、第２磁性層２のレーザ光照射
部分の磁化はバイアス磁界Hexの方向に反転し、その後
媒体が冷却すると第２磁性層２の磁化に対応して第１磁
性層１の磁化が交換結合力により反転し、さらに媒体が
冷却し室温と等しい温度になると第７図（ｅ）の状態
（第７図（ａ）と同じ状態）となり、消去が行われる。Next, the erasing operation of the recording bit formed as shown in FIG. 7 (c) will be described. As shown in FIG. 7 (d), the erasing laser power P _E (= P _L : operating temperature T) ₍ Corresponding to _L ), the exchange coupling force between the first magnetic layer 1 and the second magnetic layer 2 is significantly reduced. At this time, when the bias magnetic field Hex (supposed to be larger than H _C2 (T _L )) is applied downward, that is, in the same direction as the direction of magnetization in the erased state of the second magnetic layer 2, as shown in FIG. Hex> H _C2 (T _L )
> H _C1 (T _L ), the magnetization of the laser beam-irradiated portion of the second magnetic layer 2 is reversed in the direction of the bias magnetic field Hex. When the magnetization of the one magnetic layer 1 is reversed by the exchange coupling force and the medium is further cooled to reach a temperature equal to room temperature, the state shown in FIG. 7 (e) (the same state as FIG. 7 (a)) is reached and erasing is performed. .

上記の記録、消去動作は、記録時のレーザパワーPwが
消去時のレーザパワーP_Eより大きい場合であったが、タ
イプＡの光磁気記録媒体はこれらレーザパワーの関係が
逆の場合、すなわちPw＜P_Eである場合にも第２磁性層２
の消去状態の磁化の方向と逆方向にバイアス磁界Hexを
付与することにより同様の動作が可能となる。第８図
（ａ）〜（ｅ）にその記録過程及び消去過程を示す。The above recording, the erase operation, when the laser power Pw at the time of recording was when the laser power P _E is greater than at the time of erasing, the magneto-optical recording medium of the type A relationship between these laser power of the reverse, i.e. Pw < _PE , the second magnetic layer 2
By applying the bias magnetic field Hex in the direction opposite to the direction of the magnetization in the erased state, the same operation can be performed. FIGS. 8A to 8E show the recording process and the erasing process.

先ず、タイプＡの光磁気記録媒体の２種の磁性層１、
２における室温での磁化が第８図（ａ）となっていると
する。ここで記録のためにレーザパワーPw（＝P_L:動作
温度T_Lと対応）のレーザ光が照射されると第１磁性層１
と第２磁性層２との交換結合力は著しく減少する。この
時、バイアス磁界Hex（H_C2（T_L）よりも大きいものとす
る）が上向きにすなわち第２磁性層２の消去状態の磁化
の方向と逆方向に付与されると、第４図に示すようにHe
x＞H_C2（T_L）＞H_C1（T_L）となるので、第２磁性層２の
レーザ光照射部分の磁化はバイアス磁界Hexの方向に反
転し、（第８図（ｂ））、その後媒体が冷却すると第２
磁性層２の磁化に対応して第１磁性層１の磁化が交換結
合力により反転しさらに媒体が冷却し室温と等しい温度
になると第８図（ｃ）の状態となり記録が行われる。First, two types of magnetic layers 1 of a type A magneto-optical recording medium,
It is assumed that the magnetization at room temperature in No. 2 is as shown in FIG. Here, when a laser beam of laser power Pw (= P _L : corresponding to the operating temperature _TL ) is irradiated for recording, the first magnetic layer 1
The exchange coupling force between the magnetic layer and the second magnetic layer 2 is significantly reduced. At this time, when the bias magnetic field Hex (supposed to be larger than H _C2 (T _L )) is applied upward, that is, in the direction opposite to the direction of the magnetization of the second magnetic layer 2 in the erased state, as shown in FIG. He
Since x> H _C2 (T _L )> H _C1 (T _L ), the magnetization of the laser beam-irradiated portion of the second magnetic layer 2 is reversed in the direction of the bias magnetic field Hex (FIG. 8B), Then when the medium cools, the second
When the magnetization of the first magnetic layer 1 is reversed by the exchange coupling force in accordance with the magnetization of the magnetic layer 2 and the medium is cooled and reaches a temperature equal to room temperature, the state shown in FIG. 8C is reached and recording is performed.

第８図（ｃ）のように形成された記録ビットを消去す
るには、第８図（ｄ）に示すように消去のためのレーザ
パワーP_E（＝P_H:動作温度T_Hと対応）のレーザ光を照射
する。すると第４図に示すように第１磁性層と第２磁性
層２の保磁力は、H_C2（T_H）＞H_C1（T_H）となり、しかも
第１磁性層１の磁化は殆ど零、第２磁性層２の磁化は小
さいものとなる。この時、バイアス磁界Hexを上向きに
すなわち第２磁性層２の消去状態の磁化の方向と逆向き
に付与することにより、第２磁性層２の磁化は反転し、
媒体が冷却するとこれに対応して第１磁性層１の磁化が
交換結合力により反転し、さらに媒体が冷却し室温と等
しい温度となると第８図（ｅ）の状態（第８図（ａ）と
同じ状態）となり、消去が行われる。To clear the formed recorded bits as FIG. 8 (c), the laser power P _E for erased as shown in FIG. 8 (d) (= P _H: corresponds to the operating temperature T _H) Is irradiated. Then, as shown in FIG. 4, the coercive force of the first magnetic layer and the second magnetic layer 2 is H _C2 (T _H )> H _C1 (T _H ), and the magnetization of the first magnetic layer 1 is almost zero. The magnetization of the second magnetic layer 2 becomes small. At this time, the magnetization of the second magnetic layer 2 is reversed by applying the bias magnetic field Hex upward, that is, in the direction opposite to the direction of the magnetization in the erased state of the second magnetic layer 2.
When the medium is cooled, the magnetization of the first magnetic layer 1 is correspondingly reversed by the exchange coupling force. When the medium is further cooled and reaches a temperature equal to room temperature, the state shown in FIG. 8E (FIG. 8A) And the erase is performed.

次に、上記の記録と消去を連続して行なう場合の動作
につき第９図により説明する。Next, the operation in the case where the above-described recording and erasing are performed continuously will be described with reference to FIG.

ここでは、光磁気記録媒体は矢印Ｑの方向に進むもの
とし、該媒体の上部からレーザ光が照射され、該媒体の
下部には磁石が設置されバイアス磁界Hexを付与するよ
うになっているものとする。Here, it is assumed that the magneto-optical recording medium advances in the direction of arrow Q, and that a laser beam is irradiated from above the medium, and a magnet is provided below the medium to apply a bias magnetic field Hex. I do.

今、第９図（ａ）に示すような状態において、ビット
ｂの消去状態及びビットｃの記録状態をそれぞれ記録及
び消去するものとする。この場合、光磁気記録媒体が矢
印Ｑの方向に移動し、ａ、ｂ、ｃ、ｄの各ビットがレー
ザ照射位置に達すると、Pw＜P_Eの条件のときには、それ
ぞれａ→P_E,b→Pw,c→P_E,d→P_Eのレーザパワーでレーザ
照射が行われ、第９図（ｂ）に示すようにｂの消去状態
はｂ′の記録状態となり、ビットｃの記録状態はビット
ｃ′の消去状態となる。このように、記録時と消去時で
バイアス磁界の印加方向は同一とし、単一レーザビーム
のパワーを変えることによって重ね書き可能な記録が行
えるようになる。また、Pw＞P_Eの条件のときにも、記録
時と消去時でバイアス磁界の印加方向は同一としてその
向きは上記の場合と逆にすることで同様の重ね書き記録
が可能となる。Now, in the state as shown in FIG. 9 (a), the erased state of bit b and the recorded state of bit c are to be recorded and erased, respectively. In this case, the magneto-optical recording medium is moved in the direction of arrow Q, a, b, c, if each bit of d reaches the laser irradiation position, when the conditions of Pw <P _E are each a → P _E, b → Pw, c → P _E, d → laser irradiation at a laser power of P _E is made, the erased state of b as shown in FIG. 9 (b) becomes a recording state of b ', the recording state of the bit c is Bit c 'is erased. As described above, the direction in which the bias magnetic field is applied is the same during recording and erasing, and by changing the power of a single laser beam, overwritable recording can be performed. Further, even when the conditions of Pw> P _E, the application direction of the bias magnetic field in the erasing and the recording its orientation becomes possible similar overwrite recording by reversed in the case of the as same.

次に、タイプＢの光磁気記録媒体の記録と消去の動作
について述べる。タイプＢの光記録記録媒体の２種の磁
性層３、４における室温での磁化は、第10図（ａ）のよ
うになっている。ここで記録のためにレーザパワーPw
（＝P_H:動作温度T_Hと対応）のレーザ光が媒体に照射さ
れると、第５図に示すように第１磁性層３と第２磁性層
４の保磁力は、H_C2（T_H）＞H_C1（T_H）となり、第１磁性
層３の磁化は殆と零、第２磁性層４の磁化は小さいもの
となる。この時、第10図（ｂ）に示すように、上向きす
なわち第２磁性層４の消去状態の磁化の方向と同方向に
バイアス磁界Hexが付与されると、このバイアス磁界Hex
により第２磁性層４のレーザ光照射部分が磁化反転し、
媒体が冷却するとこれに対応して第１磁性層３の磁化が
交換結合力により磁化反転し、その後さらに媒体が冷却
し室温と等しい温度となると第10図（ｃ）の状態となり
記録が行われる。Next, recording and erasing operations of the type B magneto-optical recording medium will be described. The magnetization of the two types of magnetic layers 3 and 4 of the type B optical recording medium at room temperature is as shown in FIG. 10 (a). Here the laser power Pw for recording
When the medium is irradiated with a laser beam (= P _H : corresponding to the operating temperature T _H ), the coercive force of the first magnetic layer 3 and the second magnetic layer 4 becomes H _C2 (T _H )> H _C1 (T _H ), the magnetization of the first magnetic layer 3 is almost zero, and the magnetization of the second magnetic layer 4 is small. At this time, as shown in FIG. 10 (b), when the bias magnetic field Hex is applied upward, that is, in the same direction as the direction of the magnetization in the erased state of the second magnetic layer 4, this bias magnetic field Hex
As a result, the laser beam-irradiated portion of the second magnetic layer 4 reverses its magnetization,
When the medium is cooled, the magnetization of the first magnetic layer 3 is reversed by the exchange coupling force. When the medium is further cooled and reaches a temperature equal to room temperature, the state shown in FIG. 10C is reached and recording is performed. .

次に、第10図（ｃ）のように形成された記録ビットの
消去動作について述べると、第10図（ｄ）に示すように
消去のためのレーザパワーP_E（＝P_L:動作温度T_Lと対
応）のレーザ光が照射され、バイアス磁界Hex（H
_C2（T_L）より大きいものとする）が上向きにすなわち第
２磁性層２の消去状態の磁化の方向と同方向に付与され
ると、第５図に示すようにHex＞H_C2（T_L）＞H_C1（T_L）
となるので、第２磁性層４のレーザ光照射部分の磁化は
バイアス磁界Hexの方向に反転し、その後媒体が冷却す
ると第２磁性層４の磁化に対応して第１磁性層３の磁化
が交換結合力により反転し、さらに媒体が冷却し室温と
等しい温度になると第10図（ｅ）の状態（第10図（ａ）
と同じ状態）となり、消去が行われる。Next, the erasing operation of the recording bit formed as shown in FIG. 10 (c) will be described. As shown in FIG. 10 (d), the laser power P _E (= P _L : operating temperature T for erasing) _L ), and a bias magnetic field Hex (H
_{When C2} (which is larger than T _L ) is applied upward, that is, in the same direction as the magnetization direction of the erased state of the second magnetic layer 2, Hex> H _C2 (T _L ) as shown in FIG. )> H _C1 (T _L )
Therefore, the magnetization of the laser beam-irradiated portion of the second magnetic layer 4 is reversed in the direction of the bias magnetic field Hex, and then when the medium is cooled, the magnetization of the first magnetic layer 3 corresponds to the magnetization of the second magnetic layer 4. When the medium is inverted by the exchange coupling force and the medium is further cooled to reach a temperature equal to the room temperature, the state shown in FIG. 10E (FIG. 10A)
And the erase is performed.

上記の記録、消去動作は、記録時のレーザパワーPwが
消去時のレーザパワーP_Eより大きい場合であったが、タ
イプＢの光磁気記録媒体はこれらレーザパワーの関係が
逆の場合、すなわちPw＜P_Eとした場合にも第２磁性層４
の消去状態の磁化の方向と逆方向にバイアス磁界Hexを
付与することにより同様の動作が可能となる。この場合
の記録過程及び消去過程を第11図（ａ）〜（ｅ）に示
す。また、記録と消去を連続して行う場合の動作も第９
図の場合と同様なメカニズムにより行われる。The above recording, the erase operation, when the laser power Pw at the time of recording was when the laser power P _E is greater than at the time of erasing, the magneto-optical recording medium of the type B is the relationship of these laser power of the reverse, i.e. Pw <the second magnetic layer 4 even when the P _E
By applying the bias magnetic field Hex in the direction opposite to the direction of the magnetization in the erased state, the same operation can be performed. The recording process and the erasing process in this case are shown in FIGS. The operation when recording and erasing are performed continuously is also described in ninth embodiment.
This is performed by a mechanism similar to that shown in the figure.

参考までに挙げた前記タイプＣの光磁気記録媒体に対
する記録と消去及びこれらの連続動作についても、Pw＞
P_Eの場合には記録時及び消去時のバイアス磁界Hexをい
ずれも第２磁性層６の消去状態の磁化の方向と同じ方向
に付与し、Pw＜P_Eの場合には記録時及び消去時のバイア
ス磁界Hexをいずれも第２磁性層６の消去状態の磁化の
方向と反対方向に付与し、かつ、バイアス磁界Hexの大
きさを低い方の動作温度T_Lにおける第２磁性層６の保磁
力H_C2（T_L）より大きくすることにより、タイプＡ及び
タイプＢの光磁気記録媒体の場合と同様に重ね書き可能
な記録を行うことができる。The recording and erasing of the type C magneto-optical recording medium and the continuous operation thereof are also referred to as Pw>
Any bias magnetic field Hex at recording and erasing in the case of P _E was applied to the same direction as the direction of magnetization of the erased state of the second magnetic layer 6, Pw <time of recording and erasing in the case of P _E Are applied in a direction opposite to the direction of magnetization in the erased state of the second magnetic layer 6, and the magnitude of the bias magnetic field Hex is maintained at the lower operating temperature _TL . By making it larger than the magnetic force H _C2 (T _L ), overwritable recording can be performed as in the case of the type A and type B magneto-optical recording media.

以上本発明の光磁気記録方法を単一レーザビームによ
り実施する場合につき説明してきたが、本発明の方法は
先行ビームと後行ビームの２つのビームを利用したいわ
ゆるツービーム方式にも適用することができる。Although the case where the magneto-optical recording method of the present invention is performed using a single laser beam has been described above, the method of the present invention can also be applied to a so-called two-beam method using two beams, a leading beam and a trailing beam. it can.

次に、本発明で使用される光磁気記録媒体の具体的構
成について説明する。Next, a specific configuration of the magneto-optical recording medium used in the present invention will be described.

第12図は本発明で使用される光磁気記録媒体の一構成
例を示す断面図である。図中21は基板であり、この基板
21上に下地層（誘電層）22、記録層23、保護層（誘電
層）24、及び有機保護層又は接合層25が順に積層された
構成となっている。記録層23は第１磁性層23a及び第２
磁性層23bの２層膜構造となっている。24の保護層は用
いなくても良い。FIG. 12 is a sectional view showing a configuration example of a magneto-optical recording medium used in the present invention. In the figure, reference numeral 21 denotes a substrate.
An underlying layer (dielectric layer) 22, a recording layer 23, a protective layer (dielectric layer) 24, and an organic protective layer or bonding layer 25 are sequentially laminated on the layer 21. The recording layer 23 includes the first magnetic layer 23a and the second magnetic layer 23a.
The magnetic layer 23b has a two-layer film structure. The 24 protective layers need not be used.

基板21としては、ポリカーボネート、アモルファスポ
リオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、メチルメタクリレー
ト樹脂等のプラスチック、あるいはソーダガラス、アル
ミノ珪酸ガラス、バイコールガラス、パイレックガラス
等のガラスが使用可能である。基板21には記録、消去及
び再生の際にレーザビームスポット（光ヘッド）をガイ
ドするためのガイドトラック、あるいはフォーマット情
報のためのプレグルーブを形成してもよい。これらガイ
ドトラック、プレグルーブの微小溝は例えばインジェク
ション、2P法を用いて形成するか、あるいはガラスに直
接にホトレジスト法で形成することができる。また、基
板21のレーザ光入射面をH₂O、O₂の侵入防止のために誘
電層、疎水性、耐ガラス性層（例えばフッ素系樹脂層）
等で被覆してもよい。As the substrate 21, plastic such as polycarbonate, amorphous polyolefin resin, epoxy resin, and methyl methacrylate resin, or glass such as soda glass, aluminosilicate glass, Vycor glass, and Pyrex glass can be used. A guide track for guiding a laser beam spot (optical head) at the time of recording, erasing, and reproducing may be formed on the substrate 21, or a pre-groove for format information may be formed. These guide tracks and microgrooves of the pregroove can be formed by, for example, injection, 2P method, or can be formed directly on glass by a photoresist method. In addition, the laser light incident surface of the substrate 21 is formed on a dielectric layer, a hydrophobic layer, and a glass-resistant layer (for example, a fluorine-based resin layer) to prevent H ₂ O and O ₂ from entering.
Or the like.

下地層22は基板外部からH₂O、O₂が侵入して記録層23
の磁気特性が劣化するのを防止するとともに、光の多重
反射により磁気光学効果（カー回転角θ_ｋ）をエンハン
スメントする役割を行う。ここでこのような役割を果た
すために最適な下地層22の特性について考察してみる。
第13図は、第14図のような媒体構成としたときの下地層
膜厚と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係を示すグラフであ
る。第14図中、61はガラス基板、62はSi_XN_Y下地層（屈
折率2.3）、63はTbDyFeCo磁性層、64はSi_XN_Y保護層、65
はレーザ光である。磁性層63の膜厚は一定（700Å）と
なっている。第13図において下地層62の膜厚600〜700Å
付近で吸収率Ａが最大となり、この付近の膜厚で使用す
れば記録感度が改良できることがわかる。また、第15図
は下地層膜厚とカー回転角θ_ｋとの関係を示すグラフで
ある。この図から、吸収率Ａが最大となる膜厚付近では
多重反射（エンハンスメント）効果によりカー回転角θ
_ｋも増大することがわかる。さらに第16図は下地層に使
用する誘電体の屈折率と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの関係
を示すものである。この図からは、屈折率ｎが2.5〜2.7
で吸収率Ａが最大となることがわかる。本発明の光磁気
記録媒体の下地層22では、屈折率が大きく500〜1000Å
の膜厚の誘電膜が使用されるが、上記のことより屈折率
ｎが2.0以上の材料を膜厚600〜900Åで使用することが
特に望ましい。また、熱伝導による熱損失という観点か
ら下地層22の熱伝導率は0.1cal/cm・ｓ・℃より悪いの
が好ましい。このような材料としては、具体的にはSixN
y、SixOy、AlN、ZrN、CrN、Al₂O₃、TiO₂、ZnS、ZnO、Mg
O、Al₂O₃、AlON、ZrAlSiN、ZrAlSi、ZrSiO、ZrSiN、ZrA
lN、ZrAlON、AlSiN、ZrAlSiNO、AlSiNO、In₂O₃、ZrO₂、
Ta₂O₅、Cr₂O₃等が挙げられ、これらのうちの少なくとも
１種以上が使用される。成膜方法としてはスパッタ法、
蒸着法、イオンプレーティング法等が使用される。In the underlayer 22, H ₂ O and O ₂ penetrate from the outside of the substrate and the recording layer 23
In addition to preventing deterioration of the magnetic characteristics of the light-emitting element, it plays the role of enhancing the magneto-optical effect (Kerr rotation angle θ _k ) by multiple reflection of light. Here, the characteristics of the underlayer 22 optimal for fulfilling such a role will be considered.
FIG. 13 is a graph showing the relationship between the thickness of the underlayer and the absorptance A and the reflectance R when the medium configuration is as shown in FIG. 14, 61 is a glass substrate, 62 is a Si _X N _Y underlayer (refractive index 2.3), 63 is a TbDyFeCo magnetic layer, 64 is a Si _X N _Y protective layer, 65
Is a laser beam. The thickness of the magnetic layer 63 is constant (700 °). In FIG. 13, the thickness of the underlayer 62 is 600 to 700 mm.
It can be seen that the absorption rate A becomes maximum near this point, and that the recording sensitivity can be improved by using a film thickness near this point. FIG. 15 is a graph showing the relationship between the thickness of the underlayer and the Kerr rotation angle θ _k . From this figure, it can be seen that the Kerr rotation angle θ due to the multiple reflection (enhancement) effect near the film thickness where the absorption rate A becomes the maximum.
_It can be seen that _k also increases. FIG. 16 shows the relationship between the refractive index of the dielectric used for the underlayer, the absorptance A and the reflectivity R. From this figure, it can be seen that the refractive index n is 2.5 to 2.7.
It can be seen that the absorption rate A becomes maximum. The underlayer 22 of the magneto-optical recording medium of the present invention has a large refractive index of 500 to 1000 °.
A dielectric film having a thickness of is used. From the above, it is particularly desirable to use a material having a refractive index n of 2.0 or more with a thickness of 600 to 900 °. From the viewpoint of heat loss due to heat conduction, the thermal conductivity of the underlayer 22 is preferably lower than 0.1 cal / cm · s · ° C. As such a material, specifically, SixN
y, SixOy, AlN, ZrN, CrN, Al 2 O 3, TiO 2, ZnS, ZnO, Mg
O, Al ₂ O ₃ , AlON, ZrAlSiN, ZrAlSi, ZrSiO, ZrSiN, ZrA
lN, ZrAlON, AlSiN, ZrAlSiNO, AlSiNO, In ₂ O ₃ , ZrO ₂ ,
Ta ₂ O ₅ , Cr ₂ O _{3 and the} like are used, and at least one or more of these are used. As a film forming method, a sputtering method,
An evaporation method, an ion plating method, or the like is used.

記録層23は前述したような特性の第１磁性層23a及び
第２磁性層23bを積層して形成される。各磁性層の膜厚
は100〜1000Åが適当であり、合計の厚さは200〜2000Å
が適当である。各磁性層はスピッタ法、蒸着法等により
成膜される。各磁性層に使用される非晶質合金としては
前記したような組合わせのものが例示されるが、勿論、
前述の条件を満足すればこれ以外の非晶質磁性合金、例
えば（Fe、Co）と（Gd、Tb、Dy、Er、Ho、Sm）及び（P
t、Sn、Ni、Al、Ti、Zr、Au、Pm、Ｙ、Nd、Ce、Rb、N
b、Rh、Pr、In、Ta、Cr、Sb、Si等）からなる非晶質磁
性合金を用いてもよい。また、第２磁性層23bの保磁力H
_C2を下げるために、あるいは第２磁性層23bの第１磁性
層23aに対する保磁力の温度特性の関係を調整するため
に膜中にPt、Sn、Al、Ti、Ni等を添加してもよい。The recording layer 23 is formed by laminating a first magnetic layer 23a and a second magnetic layer 23b having the above-described characteristics. The thickness of each magnetic layer is suitably 100 to 1000 mm, and the total thickness is 200 to 2000 mm.
Is appropriate. Each magnetic layer is formed by a spitter method, an evaporation method, or the like. Examples of the amorphous alloy used for each magnetic layer include combinations as described above.
If the above conditions are satisfied, other amorphous magnetic alloys such as (Fe, Co), (Gd, Tb, Dy, Er, Ho, Sm) and (P
t, Sn, Ni, Al, Ti, Zr, Au, Pm, Y, Nd, Ce, Rb, N
b, Rh, Pr, In, Ta, Cr, Sb, Si, etc.). Also, the coercive force H of the second magnetic layer 23b
Pt, Sn, Al, Ti, Ni, etc. may be added to the film in order to lower _C2 or to adjust the relationship between the temperature characteristics of the coercive force of the second magnetic layer 23b and the first magnetic layer 23a. .

保護層24は記録時にレーザ照射により記録層23に発生
した熱を拡散させないで該記録層23内に熱を集める役割
をするとともに、大気中の水、酸素により記録層23が酸
化、腐食するのを防止する役割を行う。このため、保護
層24の熱伝導率は下地層22の熱伝導率より小さいことが
望ましく、熱伝導率が５×10^-2cal/cm・ｓ・℃より悪い
誘電材料が好ましく用いられる。そして、そのような誘
電材料としては、下縮層22と同様な材料が使用される
が、SixNy、Al₂O₃、SiO₂、SiO、ZrO₂、ZrSiO、ZrSiN、C
r₂O₃等が最適である。更に熱伝導率の調整のためTi、P
t、Cr、Nd、Mnを添加しても良い。そして保護層24は下
地層形成と同様の成膜法により500〜2000Åの膜厚に形
成される。The protective layer 24 serves to collect heat in the recording layer 23 without diffusing the heat generated in the recording layer 23 by laser irradiation during recording, and the recording layer 23 is oxidized and corroded by water and oxygen in the atmosphere. Perform the role of preventing. For this reason, the thermal conductivity of the protective layer 24 is desirably smaller than the thermal conductivity of the underlayer 22, and a dielectric material having a thermal conductivity lower than 5 × 10 ⁻² cal / cm · s · ° C. is preferably used. And, as such a dielectric material, the same material as the lower compression layer 22 is used, but SixNy, Al ₂ O ₃ , SiO ₂ , SiO, ZrO ₂ , ZrSiO, ZrSiN, Cr
r ₂ O ₃ etc. is optimal. Ti, P for adjusting thermal conductivity
t, Cr, Nd, and Mn may be added. Then, the protective layer 24 is formed to a thickness of 500 to 2000 Å by the same film forming method as the formation of the underlayer.

保護層24の上には必要に応じて有機保護層あるいは接
合層25が設けられるが、有機保護層は下層を保護し、接
合層は両面記録タイプの媒体における接合を行う。これ
ら有機保護層あるいは接合層25はエポキシ樹脂、紫外線
硬化樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ビニル樹脂
等を用いてスピナー塗布法あるいは熱ローラ塗布等の方
法で１μｍ〜100μｍの膜厚に成膜される。An organic protective layer or a bonding layer 25 is provided on the protective layer 24 as necessary. The organic protective layer protects a lower layer, and the bonding layer performs bonding in a double-sided recording type medium. These organic protective layers or bonding layers 25 are formed to a thickness of 1 μm to 100 μm by a method such as spinner coating or hot roller coating using an epoxy resin, an ultraviolet curing resin, a phenol resin, an acrylic resin, a vinyl resin or the like. .

また、上記において２枚のディスクを貼合せた両面記
録タイプの光磁気ディスクとするときには、そのディス
クの端部を誘電材あるいはプラスチックで接合するのが
好ましい。When a double-sided recording type magneto-optical disk is formed by laminating two disks in the above, it is preferable to join the ends of the disks with a dielectric material or plastic.

以上述べた構成は本発明の一例であって、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えば第12図の構成にお
いて有機保護層25を設けないもの、有機保護層25を設け
るが24の誘電層を設けないもの、更に有機保護層25の上
にソリを改良する目的でプラスチック基板と同様な吸水
による伸縮性、線膨張、圧縮応力を有するポリカーボネ
ート（厚さ0.05〜0.5mm）等の保護基板を接合したも
の、あるいは第17図に示す構成等、種々の変形、変更が
可能である。The configuration described above is an example of the present invention, and the present invention is not limited to this. For example, in the configuration of FIG. 12, the organic protective layer 25 is not provided, Protection of polycarbonate (thickness 0.05-0.5mm) with elasticity, linear expansion and compressive stress due to water absorption similar to plastic substrate for the purpose of improving warpage on organic protective layer 25 without dielectric layer Various modifications and alterations are possible, such as those obtained by bonding substrates or the configuration shown in FIG.

第17図は保護層24と有機保護層又は接合層25との間に
反射層（熱吸収層）26を設けるとともに有機保護層又は
接合層25の上に保護基板27を設けたものである。FIG. 17 shows a configuration in which a reflective layer (heat absorbing layer) 26 is provided between the protective layer 24 and the organic protective layer or the bonding layer 25, and a protective substrate 27 is provided on the organic protective layer or the bonding layer 25.

反射層26は磁気光学効果をさらに高めるとともに保護
層24での熱拡散を防止する作用を行い、また熱吸収層と
しても作用する。また、記録時にレーザ照射により記録
層23に発生した熱は、熱伝導率の小さい保護層24に伝導
し、その保護層24の熱が反射層26に伝導することによ
り、保護層24での熱拡散が防止される。その結果、記録
ビット後端の尾引きが短く、そのビット形状もシャープ
でレーザスポット径に忠実となる。一方、反射層26の無
い場合には保護層24での熱拡散が起り、記録ビット後端
の尾引きが長く、その形状はレーザスポット径より細く
なる。上記作用のため、反射層26には熱伝導率が0.15ca
l/cm・ｓ・℃より良い材料が使用される。このような材
料としてはAl、Pt、Au、Rh、Cu、Ag、Ni、Zr、Te、Nd、
Fe、Zn、In、Cr等又はこれらの合金が好ましい。反射層
26の熱伝導率が大きいと反射層26での熱損失が多くなる
ので0.3〜0.15cal/cm・ｓ・℃の間にあるNi、Cr、Pt、Z
r、Fe及びこれらを含む合金が特に望ましい。成膜法と
してはスパッタ法、蒸着法等の方法が使用され、200〜1
000Åの膜厚に形成される。なお、この反射層26は場合
によっては設けなくても良いが、基板21にガラス板を用
いる場合は、記録層23で発生した熱を保護層24を介して
吸収し、保護層24の膜面水平方向への熱拡散を効果的に
防止する。The reflection layer 26 functions to further enhance the magneto-optical effect, prevent heat diffusion in the protection layer 24, and also functions as a heat absorption layer. In addition, heat generated in the recording layer 23 by laser irradiation during recording is transmitted to the protective layer 24 having a low thermal conductivity, and the heat of the protective layer 24 is transmitted to the reflective layer 26. Spreading is prevented. As a result, the trailing edge of the recording bit is short, and the bit shape is sharp and faithful to the laser spot diameter. On the other hand, when the reflective layer 26 is not provided, thermal diffusion occurs in the protective layer 24, and the trailing edge of the recording bit is long, and its shape is smaller than the laser spot diameter. Due to the above effects, the reflective layer 26 has a thermal conductivity of 0.15 ca.
Materials better than l / cm · s · ° C are used. Such materials include Al, Pt, Au, Rh, Cu, Ag, Ni, Zr, Te, Nd,
Fe, Zn, In, Cr and the like or alloys thereof are preferable. Reflective layer
If the thermal conductivity of 26 is large, heat loss in the reflective layer 26 increases, so Ni, Cr, Pt, Z between 0.3 and 0.15 cal / cm
r, Fe and alloys containing them are particularly desirable. As a film forming method, a method such as a sputtering method or a vapor deposition method is used, and 200 to 1
It is formed to a thickness of 000 mm. Although the reflective layer 26 may not be provided in some cases, when a glass plate is used for the substrate 21, the heat generated in the recording layer 23 is absorbed through the protective layer 24, and the surface of the protective layer 24 is Effectively prevent heat diffusion in the horizontal direction.

保護基板27は媒体に傷や摩耗等の機械的損傷が生じな
いようにするため、またソリを防止するために用いられ
る。その材料としてはポリカーボネート、アモルファス
ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。The protective substrate 27 is used to prevent mechanical damage such as scratches and abrasion on the medium and to prevent warpage. As the material, polycarbonate, amorphous polyolefin resin, epoxy resin and the like are used.

〔実施例〕〔Example〕

以下に本発明の実施例をあげるが、本発明はこれら実
施例に限定されるものではない。Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples.

実施例１外径130mm、内径15mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート
基板上に、下地層としてSixNy膜を700Åの膜厚に形成
し、その上に第１磁性層として（Tb_０・５Dy_０・５）
_23・８（Fe_０・９Co_０・１）_76・２膜を300Åの膜厚
に、第２磁性層として（Tb_０・５Dy_０・５）₂₈（Fe
_０・82Co_０・18）₇₂膜を300Åの膜厚にそれぞれ形成
し、さらにその上に保護層としてSixNy膜を1000Åの膜
厚に形成し、最後に有機保護層としてUVレジン（UDAL−
391K、日本精化（株）製）層を５μｍの膜厚に形成し、
光磁気ディスクを作製した。このときの各層の作製条件
は以下の通りである。Example 1 outside diameter 130 mm, an inner diameter of 15 mm, a thickness 1.2mm of the polycarbonate substrate, a SixNy film as an underlying layer is formed to a thickness of _{700Å, (Tb 0 · 5 Dy} 0 · thereon as a first magnetic layer ₅ )
The _{_{23 · 8 (Fe 0 · 9}} Co 0 · 1) 76 · 2 film to a thickness of 300 Å, a second magnetic layer _{_{(Tb 0 · 5 Dy 0 ·}} 5) 28 (Fe
_{_{0 ·} 82} Co _{0 ·} ₁₈₎ formed respectively ₇₂ film thickness of 300 Å, further forming a SixNy film as a protective layer thereon to a thickness of 1000 Å, finally UV resin as the organic protective layer (UDAL-
391K, Nippon Seika Co., Ltd.) layer to a thickness of 5 μm,
A magneto-optical disk was manufactured. The conditions for forming each layer at this time are as follows.

・記録層（第１磁性層及び第２磁性層）:RFスパッタリ
ング法、背圧1.0×10^-6Torr以下、Arガス圧3.0mmTorr、
RFパワー200W、作製時間20分・下地層及び保護層:RFスパッタリング法、背圧1.0×10
^-6Torr以下、Arガス圧3.0mmTorr、RFパワー200〜500W、
作製時間15〜50分・有機保護層：スピンコートによって塗布し、その後UV
（紫外線）照射し、硬化させた。Recording layer (first magnetic layer and second magnetic layer): RF sputtering method, back pressure 1.0 × 10 ⁻⁶ Torr or less, Ar gas pressure 3.0 mmTorr,
RF power 200W, production time 20 minutes ・ Underlayer and protective layer: RF sputtering method, back pressure 1.0 × 10
^-6 Torr or less, Ar gas pressure 3.0mmTorr, RF power 200 ~ 500W,
Preparation time 15-50 minutes ・ Organic protective layer: applied by spin coating, then UV
(Ultraviolet) was irradiated and cured.

実施例２〜26、参考例1,2 基板、下地層、記録層、保護層及び有機保護層として
表−１及び表−２に示す材料を使用し、実施例１と同様
にして光磁気ディスクを作製した。Examples 2 to 26, Reference Examples 1 and 2 A magneto-optical disk was produced in the same manner as in Example 1 except that the materials shown in Tables 1 and 2 were used as the substrate, underlayer, recording layer, protective layer and organic protective layer. Was prepared.

なお、反射層を有する媒体では、保護層と有機保護層
の間に、Al、Pt、Au、Cr、Ni、Zrを用いて電子ビーム蒸
着法により反射層を形成した。この層の作製時間は１〜
５分であった。In the medium having a reflective layer, a reflective layer was formed between the protective layer and the organic protective layer by using an Al, Pt, Au, Cr, Ni, or Zr layer by an electron beam evaporation method. The production time of this layer is 1 to
5 minutes.

上記のようにして作製した各光磁気ディスクの磁性層
に用いた各合金組成物の熱磁気特性を表−３に示す。ち
なみにTbDyFeCo4元系合金の補償組成はCoの金属濃度10a
tom％の場合は希土類金属濃度が約24.5atom％であり、G
dDyFeCo4元系合金の補償組成はCoの金属濃度10atom％の
場合は希土類金属濃度が約25.5atom％であり、TbFeCo3
元系合金の補償組成は希土類金属濃度の約21atom％であ
った。 Table 3 shows the thermomagnetic properties of each alloy composition used for the magnetic layer of each magneto-optical disk produced as described above. By the way, the compensating composition of TbDyFeCo quaternary alloy is Co metal concentration 10a
In the case of tom%, the rare earth metal concentration is about 24.5 atom%, and G
The compensating composition of the dDyFeCo quaternary alloy is that when the metal concentration of Co is 10 atom%, the rare earth metal concentration is about 25.5 atom%, and TbFeCo 3
The compensation composition of the original alloy was about 21 atom% of the rare earth metal concentration.

次に、上記各光磁気ディスクを用いて記録、消去及び
再生実験を行った。記録と消去については、記録時と消
去時で単一レーザビームの強度を表−５に示すように変
え、デューティ50％、記録・消去周波数10又は15MHzの
変調信号で重ね書き記録、消去を行った。バイアス磁界
の印加方向は記録時と消去時で同方向とした。その他の
条件は表−４に示す通りである。Next, recording, erasing, and reproducing experiments were performed using the above-described magneto-optical disks. For recording and erasing, the intensity of a single laser beam is changed between recording and erasing as shown in Table 5, and overwriting and recording are performed using a modulation signal with a duty of 50% and a recording / erasing frequency of 10 or 15 MHz. Was. The bias magnetic field was applied in the same direction during recording and erasing. Other conditions are as shown in Table-4.

以上の実験の結果、単一レーザビームでバイアス磁界
の反転を必要としない重ね書き記録、消去が高線速、低
レーザパワーで可能であり、さらに表−５に示すように
再生C/Nは50dB以上、記録ビット長も0.85μｍ以下と良
好であった。 As a result of the above experiments, overwriting and erasing without reversing the bias magnetic field with a single laser beam can be performed at high linear velocity and low laser power. Further, as shown in Table 5, the reproduction C / N is The recording bit length was as good as not less than 50 dB and not more than 0.85 μm.

〔発明の効果〕以上詳細に説明したように、本発明によれば、レーザ
ビームの強度を変え、記録時と消去時でバイアス磁界の
方向を変えないで、重ね書き（オーバライト）可能な記
録ができる上、高線速の光磁気記録が実現できる。ま
た、単一レーザビームの光強度を変えて重ね書き可能な
記録を行う従来方法のようなイニシャライズが不用のた
め、初期化用補助磁石を設ける必要がないので、光磁気
ヘッドを小型化することができる。 [Effects of the Invention] As described above in detail, according to the present invention, overwriting can be performed without changing the direction of a bias magnetic field between recording and erasing by changing the intensity of a laser beam. In addition, high linear velocity magneto-optical recording can be realized. In addition, since the initialization as in the conventional method of performing overwritable recording by changing the light intensity of a single laser beam is unnecessary, it is not necessary to provide an auxiliary magnet for initialization, so that the magneto-optical head can be downsized. Can be.

さらに、単一レーザビームを用いた場合には、上記の
利点に加え、高アクセス化が図れる利点がある。Further, when a single laser beam is used, there is an advantage that high access can be achieved in addition to the above advantages.

【図面の簡単な説明】第１図〜第３図はそれぞれ本発明で使用するタイプＡ〜
タイプＣの光磁気記録媒体の記録層の概念断面図、第４
図〜第６図はそれぞれ上記光磁気記録媒体の記録層を構
成する各磁性層の保磁力の温度特性を示すグラフ、第７
図及第８図はタイプＡの光磁気記録媒体を用いたときの
記録及び消去の動作説明図、第９図は記録と消去の連続
動作説明図、第10図及び第11図はタイプＢの光磁気記録
媒体を用いたときの記録及び消去の動作説明図、第12図
は本発明で用いる光磁気記録媒体の層構成例を示す断面
図、第13図は下地層の膜厚と吸収率Ａ及び反射率Ｒとの
関係を示すグラフ、第14図は第13図のデータの測定に使
用した光磁気記録媒体の構成を示す断面図、第15図は下
地層の膜厚とカー回転角θ_ｋ及び反射率Ｒとの関係を示
すグラフ、第16図は下地層の屈折率と吸収率Ａ及び反射
率Ｒとの関係を示すグラフ、第17図は本発明による光磁
気記録媒体の別の構成例を示す断面図、第18図は単一レ
ーザビームの光強度を変えて重ね書き可能な記録を行う
従来方法の説明図である。 1,3,5,23a……第１磁性層 2,4,6,23b……第２磁性層 21……基板、22……地下層 23……記録層、24……保護層 25……有機保護層又は接合層 26……反射層、27……保護基板BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 to 3 respectively show types A to A used in the present invention.
FIG. 4 is a conceptual sectional view of a recording layer of a type C magneto-optical recording medium.
FIGS. 6 to 6 are graphs showing the temperature characteristics of the coercive force of each magnetic layer constituting the recording layer of the magneto-optical recording medium.
FIGS. 8A and 8B are explanatory diagrams of recording and erasing operations when a type A magneto-optical recording medium is used, FIGS. 9A and 9B are explanatory diagrams of continuous recording and erasing operations, and FIGS. FIG. 12 is an explanatory diagram of recording and erasing operations when a magneto-optical recording medium is used, FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a layer configuration of the magneto-optical recording medium used in the present invention, and FIG. FIG. 14 is a graph showing the relationship between A and the reflectance R. FIG. 14 is a cross-sectional view showing the configuration of the magneto-optical recording medium used for measuring the data shown in FIG. 13, and FIG. FIG. 16 is a graph showing the relationship between θ _k and the reflectance R, FIG. 16 is a graph showing the relationship between the refractive index of the underlayer and the absorptance A and the reflectance R, and FIG. 17 is a diagram showing another example of the magneto-optical recording medium according to the present invention. FIG. 18 is an explanatory view of a conventional method for performing overwriteable recording by changing the light intensity of a single laser beam. 1,3,5,23a First magnetic layer 2,4,6,23b Second magnetic layer 21 Substrate 22, Underground layer 23 Recording layer 24 Protective layer 25 Organic protective layer or bonding layer 26 Reflective layer 27 Protective substrate

Claims

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]

【請求項１】記録時と消去時の動作温度においてそれぞ
れ保磁力が異なる２種の磁性層を積層してなる記録層を
有する光磁気記録媒体を用い、該光磁気記録媒体に照射するレーザビームのパワーを記
録時と消去時で変化させ、記録時及び消去時において同一方向であり、かつ、低い
方の動作温度において両磁性層の保磁力より大きいバイ
アス磁界を付与することにより、重ね書き可能な記録を
行うことを特徴とする光磁気記録方法。1. A laser beam applied to a magneto-optical recording medium having a recording layer formed by laminating two types of magnetic layers having different coercive forces at operating temperatures during recording and erasing, respectively. Overwrite by applying a bias magnetic field that is in the same direction at the time of recording and erasing, and is larger than the coercive force of both magnetic layers at the lower operating temperature. A magneto-optical recording method, characterized in that a simple recording is performed.

【請求項２】前記光磁気記録媒体に照射するレーザビー
ムが単一ビームであることを特徴とする請求項１記載の
光磁気記録方法。2. The magneto-optical recording method according to claim 1, wherein the laser beam applied to the magneto-optical recording medium is a single beam.

【請求項３】前記光磁気記録媒体に照射するレーザビー
ムがツービームであることを特徴とする請求項１記載の
光磁気記録方法。3. The magneto-optical recording method according to claim 1, wherein the laser beam applied to the magneto-optical recording medium is a two-beam.

【請求項４】前記光磁気記録媒体として、２種の磁性層
がそれぞれ垂直磁気異方性を有する非晶質の希土類金属
−遷移金属合金薄膜からなり、両磁性層（第１磁性層及
び第２磁性層）が共に室温で希土類金属の磁気モーメン
トが優位である光磁気記録媒体を用いることを特徴とす
る請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の光磁気記
録方法。4. The magneto-optical recording medium, wherein the two types of magnetic layers are each composed of an amorphous rare earth metal-transition metal alloy thin film having perpendicular magnetic anisotropy. The magneto-optical recording method according to any one of claims 1 to 3, wherein a magneto-optical recording medium in which the magnetic moment of the rare-earth metal is superior at room temperature is used.

【請求項５】前記光磁気記録媒体として、２種の磁性層
がそれぞれ垂直磁気異方性を有する非晶質の希土類金属
−遷移金属合金薄膜からなり、室温で一方の磁性層（第
１磁性層）は遷移金属の磁気モーメントが優位であり、
もう一方の磁性層（第２磁性層）は希土類金属の磁気モ
ーメントが優位である光磁気記録媒体を用いることを特
徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の光
磁気記録方法。5. The magneto-optical recording medium, wherein the two types of magnetic layers are each composed of an amorphous rare earth metal-transition metal alloy thin film having perpendicular magnetic anisotropy. Layer) is dominated by the magnetic moment of the transition metal,
The magneto-optical recording according to any one of claims 1 to 3, wherein the other magnetic layer (second magnetic layer) uses a magneto-optical recording medium in which the magnetic moment of the rare earth metal is superior. Method.

【請求項６】記録時及び消去時に、第２磁性層の室温で
の消去状態の磁化の方向と同方向のバイアス磁界を付与
し、高い方の動作温度に相当するパワーのレーザビーム
を照射して第２磁性層の消去部の磁化を反転させて記録
を行い、低い方の動作温度に相当するパワーのレーザビ
ームを照射して第２磁性層の記録部の磁化を反転させて
消去を行うことを特徴とする請求項４〜５のいずれか一
項に記載の光磁気記録方法。6. At the time of recording and erasing, a bias magnetic field is applied in the same direction as the direction of magnetization of the second magnetic layer in an erased state at room temperature, and a laser beam having a power corresponding to a higher operating temperature is irradiated. The recording is performed by reversing the magnetization of the erased portion of the second magnetic layer by irradiating a laser beam having a power corresponding to the lower operating temperature to reverse the magnetization of the recorded portion of the second magnetic layer to perform erasure. The magneto-optical recording method according to any one of claims 4 to 5, wherein:

【請求項７】記録時及び消去時に、第２磁性層の室温で
の消去状態の磁化の方向と逆方向となるようにバイアス
磁界を付与し、低い方の動作温度に相当するパワーのレ
ーザビームを照射して第２磁性層の消去部の磁化を反転
させて記録を行い、高い方の動作温度に相当するパワー
のレーザビームを照射して第２磁性層の記録部の磁化を
反転させて消去を行うことを特徴とする請求項４〜５の
いずれか一項に記載の光磁気記録方法。7. A laser beam having a power corresponding to a lower operating temperature, wherein a bias magnetic field is applied during recording and erasing so as to be in a direction opposite to the direction of magnetization of the second magnetic layer in an erased state at room temperature. To perform recording by reversing the magnetization of the erased portion of the second magnetic layer, and irradiating a laser beam having a power corresponding to the higher operating temperature to reverse the magnetization of the recorded portion of the second magnetic layer. The magneto-optical recording method according to any one of claims 4 to 5, wherein erasing is performed.