JP2898871B2

JP2898871B2 - 電子放出素子の製造方法

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Publication number: JP2898871B2
Application number: JP33956293A
Authority: JP
Inventors: 靖男高橋
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-12-03
Filing date: 1993-12-03
Publication date: 1999-06-02
Anticipated expiration: 2014-06-02
Also published as: JPH07161289A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子線発生装置や画像
形成装置等の電子源として用いられる電子放出素子の製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源に
は、表面伝導型電子放出素子（以下ＳＣＥと略す）等が
ある。ＳＣＥ型は基板上に形成された小面積の薄膜に、
膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる
現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素
子としては、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜によるもの
〔Ｍ．ＨａｒｔｗｅｌｌａｎｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔ
ａｄ：“ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥＤＣｏｎｆ．”、
５１９（１９７５）〕等が報告されている。

【０００３】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を
図３に示す。同図において１は絶縁性基板である。２は
電子放出部形成用薄膜で、Ｈ型形状のパターンに、スパ
ッタで形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述のフ
ォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部３が形
成される。４は電子放出部を含む薄膜と呼ぶことにす
る。尚、図中のＬ１は０．５〜１ｍｍ、Ｗは０．１ｍｍ
で設定されている。

【０００４】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜２
を予めフォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放
出部３を形成するのが一般的であった。即ち、フォーミ
ングとは前記電子放出部形成用薄膜２の両端に電圧を印
加通電し、電子放出部形成用薄膜を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子
放出部３を形成することである。尚、電子放出部３は電
子放出部形成用薄膜２の一部に亀裂が発生し、その亀裂
付近から電子放出が行われる。以下フォーミングにより
形成した電子放出部を含む電子放出部形成用薄膜２を電
子放出部を含む薄膜４と呼ぶ。

【０００５】前記フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子は、上述の電子放出部を含む薄膜４に電圧を
印加し、素子に電流を流すことにより、上述の電子放出
部３より電子を放出せしめるものである。しかしなが
ら、これら従来の表面伝導型電子放出素子においては、
実用化にあたっては、様々の問題があったが、本出願人
等は、後述するような様々な改善を鋭意検討し、実用上
の様々な問題点を解決してきた。

【０００６】これらの従来技術の内、しばしば採用され
る方法としては、例えば特開平１−２００５３２号公報
等に開示されている様に、電子放出素子を作製する方法
において、フォーミング処理するための金属や金属酸化
物の微粒子の電子放出部形成用薄膜２を得るために、素
子電極間に有機金属化合物の薄膜を形成し、これを焼成
と呼ぶ熱処理を施していた。この熱処理温度は、原料の
有機金属化合物の融点、または分解温度以上であった。
また、この熱処理は、空気中で有機金属化合物の熱分解
を行なうことにより金属や金属酸化物の微粒子の薄膜を
生成するものであった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の表面伝導型電子放出素子の製造方法には、
次のような問題点があった。

【０００８】フォーミング処理する前の電子放出部形成
用薄膜２を得るために、有機金属化合物の薄膜を融点以
上に熱処理すると、有機金属化合物の内の一部が揮発ま
たは昇華して失われるために、得られる金属や金属酸化
物の微粒子の薄膜の膜厚が薄くなり、高価な貴金属を損
失し、またこれで作製した素子や装置の電気特性のバラ
ツキも大きくなる欠点があった。

【０００９】本発明の目的は、この様な従来技術の欠点
を改善するものであり、電子放出部形成用薄膜の作製時
に、有機金属化合物に還元剤を添加して熱処理すること
により、有機金属化合物の金属と低温揮発性有機物への
還元分解を化学的に促進し、熱処理温度を従来よりも低
温にすることができ、得られる薄膜の膜厚の減少を抑
え、また素子特性のバラツキの少ない電子放出素子の製
造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、対向す
る電極間に有機金属化合物からなる薄膜を設け、該薄膜
を熱処理して金属微粒子膜または金属酸化物微粒子膜と
した後、通電処理することにより電子放出部を形成する
電子放出素子の製造方法において、前記薄膜の有機金属
化合物に還元剤を添加し、該薄膜を熱処理して有機金属
化合物を還元して金属微粒子膜または金属酸化物微粒子
膜とすることを特徴とする電子放出素子の製造方法であ
る。

【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。図１は電
子放出部形成用薄膜の製造工程を示す工程図、図４は本
発明の方法により製造された電子放出素子の一例を示す
概略図、図５は本発明の電子放出素子の製造方法の一例
を示す工程図である。

【００１２】以下、順をおって本発明の製造方法の説明
を図５に基づいて説明する。１）絶縁性基板１を洗剤、純水および有機溶剤により
十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電
極材料を堆積後、フォトリソグラフィー技術により該絶
縁性基板１の面上に素子電極５，６を形成する（図５
（ａ）参照）。

【００１３】２）絶縁性基板１上に設けられた素子電
極５と素子電極６との間に、素子電極５と６を形成した
絶縁性基板上に有機金属化合物と還元剤を含有する溶液
を塗布して放置することにより、薄膜を形成する。この
後、該薄膜を熱処理して金属微粒子膜または金属酸化物
微粒子膜とし、リフトオフ、エッチング等によりパター
ニングし、電子放出部形成用薄膜２を形成する（図５
（ｂ）参照）。尚、ここでは、有機金属化合物と還元剤
を含有する溶液の塗布法により説明したが、これに限定
されるものではなく、分散塗布法、ディッピング法、ス
ピンナー法等によって形成される場合もある。

【００１４】３）つづいて、フォーミングと呼ばれる
通電処理を素子電極５，６間に電圧を付図示の電源によ
りパルス状あるいは、高速の昇電圧による通電処理がお
こなわれると、電子放出部形成用薄膜２の部位に構造の
変化した電子放出部３が形成される（図５（ｃ）参
照）。この通電処理により電子放出部形成用薄膜２を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造の変化した
部位を電子放出部３と呼ぶ。先に説明したように、電子
放出部３は、導電性微粒子で構成されていることを本出
願人らは観察している。

【００１５】フォーミング処理の電圧波形を図６に示
す。図６中、Ｔ₁ 及びＴ₂ は電圧波形のパルス幅とパル
ス間隔であり、Ｔ₁ を１マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ₂
を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒とし、三角波の波高値
（フォーミング時のピーク電圧）は４Ｖ〜１０Ｖ程度と
し、フォーミング処理は真空雰囲気下で数十秒間程度で
適宜設定した。

【００１６】以上説明した電子放出部を形成する際に、
素子の電極間に三角波パルスを印加してフォーミング処
理を行っているが、素子の電極間に印加する波形は三角
波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用い
ても良く、その波高値及びパルス幅・パルス間隔等につ
いても上述の値に限ることなく、電子放出部が良好に形
成されれば所望の値を選択することができる。

【００１７】次に、本発明の主眼である前記の電子放出
部形成用薄膜２の形成工程について、図１に基づいて詳
しく説明する。本発明においては、対向する電極間に有
機金属化合物と還元剤を含有する薄膜を熱処理して有機
金属化合物を還元して金属微粒子膜または金属酸化物微
粒子膜とすることを特徴とする。

【００１８】すなわち、有機金属化合物原料からなる薄
膜の熱処理時に、上記有機金属化合物を金属と低温揮発
性有機物へ還元分解を促進させることができる還元剤を
有機金属化合物原料に含有させるか、又は熱処理時に添
加する。

【００１９】有機金属化合物には、例えば有機パラジウ
ム錯体、有機パラジウム化合物、有機ルテニウム化合
物、有機銀化合物、等の金属を主元素とする有機化合物
が用いられる。

【００２０】また、還元剤の具体例としては、ぎ酸、蓚
酸、酢酸またはアルデヒド類から選ばれた一種または二
種以上が挙げられるが、その中でも、ぎ酸による還元分
解が好ましい。還元剤は、有機金属化合物の種類や有機
基の種類によって、組み合わせ方については適切なもの
を選択する必要がある。

【００２１】還元剤の添加量は、有機金属化合物１０重
量部に対して２〜２５０重量部、好ましくは５〜２５０
重量部が望ましい。２重量部未満では有効に還元作用が
行なわれず、２５０重量部を越えると希釈によって塗布
量減少となるので好ましくない。

【００２２】薄膜を形成するには、絶縁性基板上に設け
られた２つの素子電極間に、上記の有機金属化合物と還
元剤を、アセトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、酢酸イソブチルまたはフタル酸ジエチ
ルから選ばれた一種または二種以上の溶媒に溶解した溶
液を塗布して放置することにより、薄膜を形成する。な
お、薄膜は塗布法以外に、分散塗布法、ディッピング
法、スピンナー法等によっても形成することができる。

【００２３】次に、有機金属化合物と還元剤を含有する
薄膜を熱処理して有機金属化合物を還元して金属微粒子
膜または金属酸化物微粒子膜とする。前記薄膜の熱処理
方法としては、第一加熱（低温加熱）で有機金属化合物
を還元剤で還元して金属微粒子を生成した後、第二加熱
（高温加熱）で第一加熱（低温加熱）により生成した有
機物を除去する方法が好ましい。なお、低温加熱とは１
００℃以下、高温加熱とは１００℃以上、更に高温加熱
とは２００℃以上を意味する。

【００２４】温度プロファイルとしては、好ましくは、
第一加熱（低温加熱）を１００℃、３０秒〜３０分とし
て、金属微粒子を生成させ、第二加熱（高温加熱）を１
００℃以上、１〜３０分とするのが好ましい。この後、
金属を酸化物に変えるために更に高温（２００℃以上、
第三加熱）で熱処理することが有効である。なお、第一
加熱（低温加熱）を省略し、第二加熱（高温加熱）だけ
とすることもできる。また、第二加熱（高温加熱）を省
略し、第一加熱（低温加熱）から第三加熱にすることも
できる。

【００２５】本発明者らの研究によれば、有機金属化合
物の融点以下で、化学的に金属と低温揮発性有機物に還
元分解すれば、分解温度は低くなり、また、有機金属化
合物は、融点がより高い金属に変化するため、揮発や昇
華が無くなることを見出した。また、従来例では、溶媒
が蒸発した状態、つまり、乾いた状態で熱分解させるた
め、形成された膜の中に分解した有機物が抱き込まれた
状態になり、揮発除去しにくかった。一方、本発明の方
法は、還元剤の存在により熱処理が低温でできるため、
湿った状態で分解させ、この状態で金属が分離してしま
うため、膜の中に抱き込まれる有機物は、従来例より少
ない。更には、還元分解によって生成する有機物は、比
較的低温で揮発する物質であるので、揮発除去が比較的
低温・短時間で可能である。このため、できあがる膜厚
は従来より厚くなり、膜厚のバラツキは小さくなる。こ
のため、素子特性、装置特性のバラツキも小さくなる。

【００２６】本発明により得られた表面伝導型電子放出
素子の基本的な構成は、平面型及び垂直型の２つの構成
があげられる。図４を用いて、平面型表面伝導型電子放
出素子について説明する。図４（ａ）は、本発明に係わ
る基本的な平面型表面伝導型電子放出素子の構成を示す
平面図及び図４（ｂ）はＡＡ線断面図である。図４にお
いて１は絶縁性基板、５と６は素子電極、４は電子放出
部を含む薄膜、３は電子放出部である。

【００２７】絶縁性基板１としては、石英ガラス、Ｎａ
等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板
ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉＯ₂ を積層し
たガラス基板等及びアルミナ等のセラミックス等が挙げ
られる。

【００２８】対向する素子電極５，６の材料としては導
電性を有するものであればどのようなものであっても構
わないが、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、
Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属或いは合金及びＰｄ、
Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂ 、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或いは金属
酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ₂ Ｏ₃
−ＳｎＯ₂ 等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体
材料等があげられる。

【００２９】素子電極間隔Ｌ１は、数百Åより数百μｍ
であり、素子電極の製法の基本となるフォトリソグラフ
ィー技術、即ち、露光機の性能とエッチング方法等、及
び、素子電極間に印加する電圧と電子放出し得る電界強
度により設定されるが、好ましくは、数μｍより数十μ
ｍである。素子電極の長さＷ１、素子電極５、６の膜厚
ｄは、電極の抵抗値、Ｘ，Ｙ配線との結線、多数配置さ
れた電子源の配置上の問題より適宜設計され、通常は、
素子電極長さＷ１は、数μｍより数百μｍであり、素子
電極５，６の膜厚ｄは、好ましくは数百Åより数μｍで
ある。

【００３０】絶縁性基板１上に設けられた対向する素子
電極５と素子電極６間及び素子電極５，６上に設置され
た電子放出部を含む薄膜４は、電子放出部３を含むが、
図４（ｂ）に示された場合だけでなく、素子電極５，６
上には、設置されない場合もある。即ち、絶縁性基板１
上に、電子放出部形成用薄膜２、対向する素子電極５，
６の電極順に積層構成した場合である。また、対向する
素子電極５と素子電極６間全てが、製法によっては、電
子放出部として機能する場合もある。

【００３１】この電子放出部を含む薄膜４の膜厚は、数
Åより数千Å、好ましくは数十Åより数百Åであり、素
子電極５，６へのステップカバレージ、電子放出部３と
素子電極５，６間の抵抗値及び電子放出部３の導電性微
粒子の粒径、後述する通電処理条件等によって、適宜設
定される。その抵抗値は、１０³ より１０⁷ Ω／□のシ
ート抵抗値を示す。

【００３２】電子放出部を含む薄膜４を構成する材料の
具体例をあげるならば、Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ等の金属、Ｐ
ｄＯ，ＳｎＯ₂等の酸化物、ＨｆＢ₂等の硼化物、ＴｉＣ
等の炭化物、ＴｉＮ等の窒化物、Ｓｉ等の半導体、カー
ボン、ＡｇＭｇ、ＮｉＣｕ等であり、微粒子膜からな
る。

【００３３】なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互い
に隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜
をさす。電子放出部３は、数Åより数千Å、好ましくは
５Åより２００Åの粒径の導電性微粒子多数個からな
り、電子放出部を含む薄膜４の膜厚及び後述する通電処
理条件等の製法等に依存しており、適宜設定される。

【００３４】電子放出部３を構成する材料は、電子放出
部を含む薄膜４を構成する材料の元素の一部あるいは全
てと同様の物である。

【００３５】

【実施例】以下に実施例を示し、本発明を詳しく説明す
る。

【００３６】実施例１本実施例では、有機金属原料として、有機パラジウム錯
体（酢酸パラジウムジプロピルアミン錯体融点１００
℃、分解温度２２０℃）の酢酸エチル溶液（Ｐｄ２ｗ
ｔ％含有）に塗布直前にぎ酸を１０％添加し、スピナー
塗布したのち、第一段の熱処理を温度８０℃で３０分行
ない、金属微粒子膜と低温揮発性有機物を生成した。次
に、第二段の熱処理を、空気中で２００℃で２０分行な
い、低温揮発性有機物を揮発除去し、金属微粒子膜を形
成した。

【００３７】この時の第一段の熱処理温度は、従来例、
即ち、ぎ酸を添加しない場合より、２０℃低く、第二段
の熱処理温度は１００℃低く、また形成された膜の厚さ
は、ぎ酸を添加しない場合に比べ約３倍であった。ま
た、膜厚のバラツキは、従来例の約５／８であった。こ
の時の熱処理の温度プロファイルを図２に示した。ま
た、膜厚などの値を表１に示す。次に通電処理して電子
放出部を作製し、図８（ｃ）に示した構成を有する電子
放出素子を作製した。

【００３８】実施例２本実施例における作製工程を図８を用いて説明する。絶縁性基板２１として石英基板を用い、これを有機
溶剤により充分に洗浄後、該基板２１面上に、素子電極
２２、２３を形成した（図８（ａ）参照）。電極の材料
として、Ａｕ金属を用いた。電極間隔Ｇは２μｍとし、
電極の長さ（紙面奥行き方向）を５００μｍ、その厚さ
を１０００Åとした。

【００３９】基板２１上に有機金属原料として有機
パラジウム錯体（酢酸パラジウムジプロピルアミン錯体
融点１００℃、分解温度２２０℃）の酢酸ブチル溶液
（Ｐｄ２ｗｔ％含有）に、ぎ酸を５０ｗｔ％添加してか
ら、スピナー塗布した後、図９に示した温度プロファイ
ルで空気中で加熱処理し、酸化パラジウム微粒子（平均
粒径５８Å）からなる微粒子膜２４を形成した。ここで
微粒子膜２４の長さ（紙面奥行き方向）を３００μｍと
して、素子電極２２、２３のほぼ中央に配置した（図８
（ｂ）参照）。

【００４０】なお、プラズマ発光分光法でパラジウム量
を定量した結果、Ｐｄとしては、２０μｇ／ｃｍ² であ
った。また、原子間力顕微鏡で膜厚を測定した結果、１
２０Åであった。

【００４１】次に、素子電極２２と素子電極２３の
間に電圧を印加し、微粒子膜２４を通電処理（フォーミ
ング処理）することにより電子放出部２５を形成した
（図８（ｃ）参照）。フォーミング処理の電圧波形を図
６に示す。

【００４２】図６中、Ｔ₁ 及びＴ₂ は電圧波形のパルス
幅とパルス間隔であり、本実施例ではＴ₁ を１．０ミリ
秒、Ｔ₂ を１０ミリ秒とした。また、フォーミング処理
は約１×１０^-6ｔｏｒｒの真空雰囲気下で行った。

【００４３】上記工程で同様の素子を５００素子作製
し、図７に示される評価装置を用いて電子放出特性を測
定した。図７に測定評価装置の概略構成図を示す。

【００４４】図７において、１は絶縁性基板、５及び６
は素子電極、４は電子放出部を含む薄膜、３は電子放出
部を示し、３１は素子に電圧を印加するための電源、３
０は素子電流Ｉｆを測定するための電流計、３４は素子
より発生する放出電流Ｉｅを測定するためのアノード電
極、３３はアノード電極３４に電圧を印加するための高
圧電源、３２は放出電流を測定するための電流計であ
る。ここで、上記素子電流とは、電流計３０によって測
定される電流量であり、また、上記放出電流とは、電流
計３２により測定される電流量である。

【００４５】電子放出素子の上記素子電流Ｉｆ、放出電
流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極５、６に電源３１
と電流計３０とを接続し、該電子放出素子の上方に電源
３３と電流計３２とを接続したアノード電極３４を配置
している。

【００４６】また、本電子放出素子及びアノード電極３
４は真空装置内に設置されており、その真空装置には不
図示の排気ポンプ及び真空計等の真空装置に必要な機器
が具備されており、所望の真空下で本素子の測定評価を
行えるようになっている。

【００４７】なお、本実施例では、アノード電極と電子
放出素子間の距離を４ｍｍ、アノード電極の電位を１ｋ
Ｖ、電子放出特性測定時の真空装置内の真空度を１×１
０^-6ｔｏｒｒとした。

【００４８】以上のような測定評価装置を用いて、本電
子放出素子の電極５及び６の間に素子電圧を印加し、そ
の時に流れる素子電流Ｉｆ及び放出電流Ｉｅを測定し
た。本素子では、素子電圧８Ｖ程度から急激に放出電流
Ｉｅが増加し、素子電圧１４Ｖでは素子電流Ｉｆが２．
２ｍＡ、放出電流Ｉｅが１．１μＡとなり、電子放出効
率がη＝Ｉｅ／Ｉｆ（％）は０．０５であった。

【００４９】比較例１実施例１において、有機パラジウム錯体の熱処理を、ぎ
酸を添加せずに図９に示される温度プロファイルにより
行った以外は全く同様にして電子放出素子を５００素子
作製した。

【００５０】この場合は、プラズマ発光分光法でパラジ
ウム量を定量した結果、Ｐｄとしては、７μｇ／ｃｍ²
であった。また、原子間力顕微鏡で膜厚を測定した結
果、４０Åであった。その結果を表１に示す。

【００５１】

【表１】 (注) 膜厚のバラツキは、基板（１×１．５インチ）３
枚の間でのバラツキである。

【００５２】このように、熱処理時に有機パラジウム錯
体にぎ酸を添加することにより、膜厚を厚くできる。ま
た、素子間の電子放出特性のばらつきを低減することも
できる。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電子放出部形成用薄膜の作製時に、有機金属化合物に還
元剤を添加して熱処理することにより、有機金属化合物
の金属と低温揮発性有機物への還元分解を化学的に促進
し、熱処理温度を従来よりも低温にすることができ、得
られる薄膜の膜厚の減少を抑え、また素子特性のバラツ
キの少ない電子放出素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子放出部形成用薄膜の製造工程を示す工程図
である。

【図２】実施例１の熱処理の温度プロファイルを示すグ
ラフである。

【図３】従来の表面伝導型電子放出素子の典型的な素子
構成を示す概略図である。

【図４】本発明の方法により製造された電子放出素子の
一例を示す概略図である。

【図５】本発明の電子放出素子の製造方法の一例を示す
工程図である。

【図６】フォーミング処理の電圧波形を示す図である。

【図７】素子の電子放出特性を測定するための測定評価
装置の概略構成図である。

【図８】実施例１、実施例２の電子放出素子の製造方法
を示す工程図である。

【図９】実施例２、比較例１の熱処理の温度プロファイ
ルを示すグラフである。

【符号の説明】

１，２１絶縁性基板２電子放出部形成用薄膜３，２５電子放出部４電子放出部を含む薄膜５，６，２２，２３素子電極２４微粒子膜３０，３２電流計３１電源３３高圧電源３４アノード電極

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する電極間に有機金属化合物からな
る薄膜を設け、該薄膜を熱処理して金属微粒子膜または
金属酸化物微粒子膜とした後、通電処理することにより
電子放出部を形成する電子放出素子の製造方法におい
て、前記薄膜の有機金属化合物に還元剤を添加し、該薄
膜を熱処理して有機金属化合物を還元して金属微粒子膜
または金属酸化物微粒子膜とすることを特徴とする電子
放出素子の製造方法。
【請求項２】前記薄膜の熱処理が、第一加熱で有機金
属化合物を還元剤で還元して金属微粒子を生成した後、
第二加熱で第一加熱により生成した有機物を除去する請
求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】前記薄膜の熱処理が、第一加熱で有機金
属化合物を還元剤で還元して金属微粒子を生成した後、
第二加熱で第一加熱により生成した有機物を除去し、さ
らに加熱して金属酸化物微粒子膜とする請求項１記載の
電子放出素子の製造方法。
【請求項４】前記還元剤として、ぎ酸、蓚酸、酢酸ま
たはアルデヒド類から選ばれた一種または二種以上を用
いる請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】前記有機金属化合物が有機パラジウム錯
体である請求項１記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項６】前記薄膜が、有機金属化合物と還元剤
を、アセトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、
酢酸ブチル、酢酸イソブチルまたはフタル酸ジエチルか
ら選ばれた一種または二種以上の溶媒に溶解した溶液か
ら形成される請求項１記載の電子放出素子の製造方法。