JP2891164B2 - Manufacturing method of semiconductor laser - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザの
製造方法に関し、特に選択酸化を用いて作製する半導体
レーザの製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor laser manufactured by using selective oxidation.

【０００２】[0002]

【従来の技術】面発光型レーザは、基板に対して垂直な
方向に光を出射するレーザであり（文献１：特開平７−
２４０５０６号公報）、従来より光インタコネクション
等の光源として用いられている。この面発光形レーザで
は、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓよりなる分布ブラッグ
反射膜（ＤＢＲ：distributed Bragg reflector ）によ
り共振器を構成し、その共振器の間の注入電流が流れる
領域を挾むように高抵抗な領域を設け、これにより電流
狭窄をおこなうようにしていた。そして、この高抵抗な
領域を、イオン注入により形成するようにしていた。2. Description of the Related Art A surface emitting laser is a laser that emits light in a direction perpendicular to a substrate (Reference 1: Japanese Unexamined Patent Publication No.
240506), which has been conventionally used as a light source for optical interconnection and the like. In this surface emitting laser, for example, a resonator is formed by a distributed Bragg reflector (DBR) made of GaAs / AlAs, and a high-resistance region sandwiches a region through which an injection current flows between the resonators. , Thereby performing current constriction. Then, this high-resistance region is formed by ion implantation.

【０００３】これに対し、文献２（K.D.Choquette,R.P.
Schneider,Jr.,K.L.Lers and K.M.Geib,"Low threshold
voltage vertical-cavity lasers fabricated by sele
ctive oxidation",ELECTRONICS LETTERS 24th November
1994 Vol.30,pp2043-2044）に示されるように、構成材
料中のＡｌＧａＡｓの酸化を用いて、電流狭窄のための
高抵抗な領域を形成する方法もある。この方法により、
低閾値，高効率の優れた特性を有するレーザが作製され
ている。この高抵抗領域（電流狭窄層）の作製には、高
温での水蒸気によるＡｌＧａＡｓの酸化が用いられ、さ
らにＡｌ組成比が０から１へ増えるに従い酸化の速度が
増していくことを利用して、活性層直近の１層のみを酸
化する方法がとられている。On the other hand, reference 2 (KDChoquette, RP
Schneider, Jr., KLLers and KMGeib, "Low threshold
voltage vertical-cavity lasers fabricated by sele
ctive oxidation ", ELECTRONICS LETTERS 24th November
As shown in 1994 Vol. 30, pp. 2043-2044), there is a method of forming a high-resistance region for current confinement by using oxidation of AlGaAs in a constituent material. In this way,
Lasers having excellent characteristics with low threshold and high efficiency have been manufactured. The high resistance region (current confinement layer) is manufactured by using oxidation of AlGaAs by steam at a high temperature, and further utilizing the fact that the oxidation rate increases as the Al composition ratio increases from 0 to 1. A method of oxidizing only one layer near the active layer has been adopted.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来は以上のように構
成されていたので、電流狭窄のための高抵抗な領域の形
成において、酸化の速度が不均一で、かつ再現性に欠け
るという問題があった。例えば、上記文献２の例では、
１０５μｍの巾の凸部領域に形成したＡｌＧａＡｓの層
の、露出している端部から酸化をおこなって高抵抗層を
形成し、４．５×８μｍの電流注入域（未酸化の領域）
を残すようにしている。ここで、このときの酸化速度
は、規格化した値で０．０７〜０．３の幅、すなわち４
倍程度ばらついている。従って、作製される電流注入域
も大きくばらつく。電流密度と光出力はほぼ比例の関係
があるので、これは非常に大きな特性ばらつきにあた
る。工業化を考えた場合、この特性ばらつきは致命的で
ある。Conventionally, as described above, in the formation of a high-resistance region for current confinement, there is a problem that the oxidation rate is not uniform and the reproducibility is poor. there were. For example, in the example of the above document 2,
A high resistance layer is formed by oxidizing the AlGaAs layer formed in the convex region having a width of 105 μm from the exposed end, and a current injection region of 4.5 × 8 μm (unoxidized region)
I have to leave. Here, the oxidation rate at this time is a standardized value in a range of 0.07 to 0.3, that is, 4
It fluctuates about twice. Therefore, the current injection region to be manufactured greatly varies. Since the current density and the optical output have a substantially proportional relationship, this corresponds to a very large characteristic variation. When considering industrialization, this characteristic variation is fatal.

【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、面発光形レーザの生産性
を向上させることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to improve the productivity of a surface emitting laser.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
の製造方法は、第１の分布ブラッグ反射膜上にこれとは
膨張係数が異なる所定形状のパタンを形成し、そのパタ
ンにより被酸化層に応力を加えた状態で、被酸化層をそ
の端部より所定時間熱酸化して高抵抗領域を形成する工
程とを備えるようにした。また、基板の第１および第２
の分布ブラッグ反射膜が形成された下の領域の所定位置
に所定多状の孔を形成し、その孔により被酸化層に応力
を加えた状態で、被酸化層をその端部より所定時間熱酸
化して高抵抗領域を形成する工程とを備えるようにし
た。被酸化層をその端部より酸化することで形成される
高抵抗領域は、加えられた応力により限定される。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor laser, comprising: forming a first distributed Bragg reflection film on a first distributed Bragg reflection film;
Form a pattern of a predetermined shape with a different expansion coefficient, and
Forming a high resistance region by thermally oxidizing the oxidized layer from its end for a predetermined time while applying a stress to the oxidized layer by the application. Also, the first and second substrates
Predetermined position of the area under the Bragg reflection film formed
A predetermined polymorphic hole is formed in the
With the oxidized layer added, the layer to be oxidized is
And forming a high resistance region.
Was. The high resistance region formed by oxidizing the oxidized layer from its end is limited by the applied stress.

【０００７】[0007]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を参照して説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける半導体レーザの製造方法を説明するための断面図で
ある。同図（ａ）において、１はｎ形のＧａＡｓからな
る基板、２はｎ形の不純物が１×１０¹⁸ｃｍ^-3導入され
たＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｎ形ＤＢＲ、３はＡ
ｌＧａＡｓからなるクラッド層、４はＩｎＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓからなり量子井戸となるＩｎＧａＡｓ層が４
層形成された多重量子井戸構造の活性層、５はＡｌＧａ
Ａｓからなるクラッド層、６はｐ形の不純物が１×１０
¹⁸ｃｍ^-3導入されたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｐ
形ＤＢＲ、６ａはクラッド層５直上に形成されｐ形ＤＢ
Ｒ６を構成する他よりＡｌ組成比の大きいＡｌＧａＡｓ
からなる被酸化層である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1A, 1 is a substrate made of n-type GaAs, 2 is an n-type DBR made of GaAs / AlGaAs into which n-type impurities are introduced at 1 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ , and 3 is A
1 is a cladding layer composed of lGaAs, and 4 is InGaAs / A
When the InGaAs layer made of lGaAs and serving as a quantum well is 4
An active layer having a multiple quantum well structure formed as a layer,
The cladding layer 6 made of As has a p-type impurity of 1 × 10
P of GaAs / AlGaAs introduced at ¹⁸ cm ^-3
The DBR 6a is formed just above the cladding layer 5 and is a p-type DBR.
AlGaAs having a higher Al composition ratio than that of R6
It is a layer to be oxidized consisting of:

【０００８】以下、この発明の製造方法について説明す
る。基板１上に上述した各層を形成した後、まず、図１
（ｂ）に示すように、所定の大きさのメサ７を被酸化層
６ａ側面が露出するまで形成する。次いで、図１（ｃ）
に示すように、メサ７を形成したｐ形ＤＢＲ６上に、酸
化シリコンからなる応力制御パタン８を形成する。この
応力制御パタン８は、被酸化層６ａに形成する電流狭窄
領域の形状にほぼ等しくする。Hereinafter, the manufacturing method of the present invention will be described. After forming each layer described above on the substrate 1, first, FIG.
As shown in (b), a mesa 7 having a predetermined size is formed until the side surface of the oxidized layer 6a is exposed. Next, FIG.
As shown in FIG. 7, a stress control pattern 8 made of silicon oxide is formed on the p-type DBR 6 on which the mesa 7 is formed. This stress control pattern 8 is made substantially equal to the shape of the current constriction region formed in the oxidized layer 6a.

【０００９】以下、この酸化シリコンからなる応力制御
パタン８の形成方法を説明する。まず、例えば、常圧化
学気相堆積法（Chemical Vapor Deposit:CVD）により、
ｐ形ＤＢＲ６上に酸化シリコンを成膜する。ついで、こ
の酸化シリコン膜を光学露光法によりパターニングした
レジストパターンをマスクに選択エッチングする。この
エッチングは、ドライエッチング、あるいはウェットエ
ッチングによりおこなう。A method for forming the stress control pattern 8 made of silicon oxide will be described below. First, for example, by atmospheric pressure chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposit: CVD),
A silicon oxide film is formed on the p-type DBR 6. Next, selective etching is performed using a resist pattern obtained by patterning the silicon oxide film by an optical exposure method as a mask. This etching is performed by dry etching or wet etching.

【００１０】形成する応力制御パタン８の膜厚として
は、厚い方が大きな応力が得られるが、成膜速度や応力
が大きすぎることによる下層への欠陥の導入を考慮する
と、０．８μｍ程度が妥当と考えられる。また材料とし
ては、酸化シリコン以外にも、窒化シリコン等の誘電
体，Ｃｒ，Ｎｉ等の金属も考えられる。金属の場合に
は、酸化時の高温で下層のｐ形ＤＢＲ６などと合金化し
てしまわないことが使用できる条件である。As the thickness of the stress control pattern 8 to be formed, the larger the thickness, the larger the stress can be obtained. However, in consideration of the film formation rate and the introduction of defects into the lower layer due to the excessively large stress, about 0.8 μm is preferable. Deemed appropriate. As a material, a dielectric such as silicon nitride and a metal such as Cr and Ni may be considered in addition to silicon oxide. In the case of a metal, a condition that can be used is that it does not alloy with the underlying p-type DBR 6 at a high temperature during oxidation.

【００１１】以上示したように応力制御パタン８を形成
した後、水蒸気中で４３０℃に加熱することで、メサ７
の側面の露出部より被酸化層６ａを選択的に酸化する。
他のＡｌＧａＡｓからなる層よりもＡｌ組成比を高くし
てあるので、この被酸化層６ａが選択的に酸化されてい
く。酸化の速度はＡｌ組成に大きく依存し、Ａｌ_xＧａ
_1-xＡｓにおいて、ｘ＝０．９８ではｘ＝１の場合の
０．２倍となる。従って、例えば、被酸化層６ａをｘ＝
１としたＡｌ_xＧａ_1-xＡｓを用い、他の層では、ｘ＝
０．９としたＡｌ_xＧａ_1-xＡｓを用いるようにすればよ
い。After the stress control pattern 8 is formed as described above, the mesa 7 is heated by heating it to 430 ° C. in steam.
The layer 6a to be oxidized is selectively oxidized from the exposed portion on the side surface.
Since the Al composition ratio is higher than that of the other layers made of AlGaAs, the oxidized layer 6a is selectively oxidized. The rate of oxidation greatly depends on the Al composition, and Al _x Ga
_{In 1-x} As, when x = 0.98, the value is 0.2 times that in the case where x = 1. Therefore, for example, the oxidized layer 6a is defined as x =
1, Al _x Ga _{1 -x} As was used, and in other layers, x =
Al _x Ga _{1 -x} As, which is set to 0.9, may be used.

【００１２】この酸化現象は、拡散フロント（前線）を
有する拡散現象と同様に、内部での酸素の濃度勾配と酸
化による体積変化に起因する内部応力に支配される。一
方、応力制御パタン８は他のｐ形ＤＢＲ６など他の層と
膨張係数が異なるため、４００℃において図中矢印線で
示す方向の応力を発生する。この応力が、被酸化層６ａ
の端部からの酸化における酸化フロントの進行を抑制す
る。このため、被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、
図２の特性図に示すように、応力制御パタン８の直下で
遅くなる。その結果、応力制御パタン８に近い形状の電
流注入領域を形成することが可能となる。すなわち、応
力制御パタン８が無い時に比べ均一な酸化が行われ、そ
の結果、最終的に作製されたレーザの特性均一性も向上
する。This oxidation phenomenon, like the diffusion phenomenon having a diffusion front (front line), is governed by the concentration gradient of oxygen inside and the internal stress caused by the volume change due to oxidation. On the other hand, since the stress control pattern 8 has a different expansion coefficient from other layers such as other p-type DBRs 6, a stress is generated at 400 ° C. in a direction indicated by an arrow in the drawing. This stress is applied to the oxidized layer 6a.
Of the oxidation front in the oxidation from the end of the substrate. For this reason, the progress of the oxidation front of the oxidized layer 6a is as follows.
As shown in the characteristic diagram of FIG. 2, the speed becomes slow just below the stress control pattern 8. As a result, a current injection region having a shape close to the stress control pattern 8 can be formed. That is, uniform oxidation is performed as compared to when the stress control pattern 8 is not provided, and as a result, the uniformity of characteristics of the finally manufactured laser is also improved.

【００１３】次に上述した酸化フロントの進行について
詳細に説明する。この選択酸化現象に関してはまだ解明
されていない点が多いが、はっきりとした酸化フロント
を有することや、体積変化を伴うことなどから、ポリマ
ー中へのアルコールの拡散等で知られるケース（ｃａｓ
ｅ）ＩＩ拡散と類似な点が多い。この場合、拡散は、濃
度勾配の項と体積変化に起因する内部応力「∂ｃ／∂ｔ
＝（Ｄ・∂ｃ／∂ｘ−ｖｃ）」の項の２つの要素に支配
され、拡散フロントは時間に比例して進行することが知
られている。なお、上式において、ｃは拡散濃度、Ｄは
拡散係数、ｖは応力、ｘは拡散距離、ｔは時間である。Next, the progress of the oxidation front will be described in detail. Although the selective oxidation phenomenon has not yet been elucidated in many cases, the case known as the diffusion of alcohol into the polymer (cas) due to the fact that it has a clear oxidation front and changes in volume, etc.
e) Many similarities to II diffusion. In this case, the diffusion is caused by the internal stress “Δc / Δt” due to the concentration gradient term and the volume change.
= (D · ∂c / ∂x−vc) ”, and it is known that the diffusion front progresses in proportion to time. In the above equation, c is the diffusion concentration, D is the diffusion coefficient, v is the stress, x is the diffusion distance, and t is the time.

【００１４】ここで、図１に示したように、応力制御パ
タン８が存在すると、この応力制御パタン８とｐ形ＤＢ
Ｒ６との膨張係数の違いにより、応力制御パタン８の直
下のｐ形ＤＢＲ６内部に応力が発生する。このため、上
式に新たに逆向きの応力項が加わり「∂ｃ／∂ｔ＝｛Ｄ
・∂ｃ／∂ｘ−（ｖ−ｖ’）ｃ｝」となる。それに伴い
被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、図２に示すよう
に、応力制御パタン８の直下で遅くなる。すなわち、処
理条件としては選択酸化の速度を遅くすることなく、応
力制御パタン８直下では自動的に酸化速度が遅くなる。Here, as shown in FIG. 1, when the stress control pattern 8 exists, the stress control pattern 8 and the p-type DB
Due to the difference in expansion coefficient from R6, stress is generated inside the p-type DBR 6 immediately below the stress control pattern 8. For this reason, a reverse stress term is newly added to the above equation, and “∂c / ∂t = ｛D
{C / {x- (v−v ′) c}} ”. Accordingly, the progress of the oxidation front of the oxidized layer 6a is slowed immediately below the stress control pattern 8, as shown in FIG. That is, as the processing condition, the oxidation rate is automatically reduced immediately below the stress control pattern 8 without reducing the selective oxidation rate.

【００１５】以上のことにより、所定の時間だけ酸化を
おこなうようにすることで、酸化フロントの進行位置を
均一性良くまた再現性良く停止できる。そして、このと
き、被酸化層６ａの未酸化領域を応力制御パタン８とほ
ぼ同形状に形成することが可能となる。そして、この被
酸化層６ａの未酸化領域が電流注入領域となり、酸化領
域が高抵抗領域となり電流狭窄として機能する。As described above, by oxidizing only for a predetermined time, the proceeding position of the oxidation front can be stopped with good uniformity and good reproducibility. Then, at this time, the unoxidized region of the oxidized layer 6a can be formed in substantially the same shape as the stress control pattern 8. The unoxidized region of the oxidized layer 6a becomes a current injection region, and the oxidized region becomes a high-resistance region and functions as a current constriction.

【００１６】実施の形態２．ところで、上記実施の形態
１では、被酸化層６ａ領域に応力を発生させるために、
応力制御パタン８を形成するようにしたが、これに限る
ものではない。図３に示すように、メサ９を形成して被
酸化層６ａ領域に応力を発生させるようにしても良い。
図３において、メサ９は、メサ７を形成した後、ｐ形Ｄ
ＢＲ６の被酸化層６ａ上の部分に、被酸化層６ａに形成
する電流狭窄領域の形状にその平面形状をほぼ等しく形
成する。なお、他の符号は図１と同様である。Embodiment 2 By the way, in the first embodiment, in order to generate stress in the region to be oxidized 6a,
Although the stress control pattern 8 is formed, it is not limited to this. As shown in FIG. 3, a mesa 9 may be formed to generate a stress in the region to be oxidized 6a.
In FIG. 3, after the mesa 9 is formed,
On the portion of the BR 6 on the layer 6a to be oxidized, the planar shape of the current constriction region formed in the layer 6a to be oxidized is substantially equal to that of the current constriction region. Other symbols are the same as those in FIG.

【００１７】このように、メサ９を形成した以外の周囲
の部分では、被酸化層６ａの選択酸化のときに、応力が
緩和され小さくなる。これに対してメサ９直下のｐ形Ｄ
ＢＲ６では図中矢印線で示す応力が増すので、被酸化層
６ａの酸化フロントの進行が遅くなる。結果として、上
記実施の形態１と同様に、メサ９の平面形状に近い未酸
化領域を得ることが可能となる。このように、形成する
メサ９の平面形状と未酸化領域の形状が近い場合、電流
狭窄と光の閉じこめ領域がほぼ一致するので高い発光効
率が得られる。As described above, in the peripheral portion other than the formation of the mesa 9, the stress is relaxed and reduced when the oxidized layer 6a is selectively oxidized. On the other hand, p-type D directly under mesa 9
In BR6, the stress indicated by the arrow in the figure increases, so that the oxidation front of the oxidized layer 6a progresses slowly. As a result, similarly to the first embodiment, it is possible to obtain an unoxidized region close to the planar shape of the mesa 9. As described above, when the planar shape of the mesa 9 to be formed and the shape of the unoxidized region are close to each other, the current confinement and the light confinement region are almost the same, so that high luminous efficiency can be obtained.

【００１８】実施の形態３．次に、本発明の第３の実施
の形態について説明する。この実施の形態３では、図４
に示すように、基板１裏面に孔１０を形成するようにし
たものである。同図において、孔１０は、被酸化層６ａ
に形成する電流狭窄領域にその位置を合わせ、またその
平面形状をその領域にほぼ等しく形成する。なお、他の
符号は図１と同様である。このことにより、被酸化層６
ａの選択酸化の際に、孔１０による基板１下方からの反
りの応力が酸化フロントに加わる。結果として、上記実
施の形態１と同様に、孔１０の形状に近い未酸化領域を
得ることが可能となる。Embodiment 3 Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the third embodiment, FIG.
As shown in FIG. 1, a hole 10 is formed on the back surface of the substrate 1. In the figure, a hole 10 is formed in an oxidized layer 6a.
The current confinement region is aligned with the current confinement region, and its planar shape is formed substantially equal to that region. Other symbols are the same as those in FIG. As a result, the oxidized layer 6
During the selective oxidation of a, the warping stress from below the substrate 1 due to the holes 10 is applied to the oxidation front. As a result, similarly to the first embodiment, an unoxidized region close to the shape of the hole 10 can be obtained.

【００１９】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、この発明では、第
１の分布ブラッグ反射膜上にこれとは膨張係数が異なる
所定形状のパタンを形成し、または、基板の第１および
第２の分布ブラッグ反射膜が形成された下の領域の所定
位置に所定形状の孔を形成することで、被酸化層に応力
を加えた状態で、被酸化層をその端部より所定時間熱酸
化して高抵抗領域を形成する工程を備えるようにした。
この結果、被酸化層をその端部より酸化することで形成
される高抵抗領域は、加えられた応力により限定され
る。この結果、その高抵抗領域が均一性良くまた再現性
良く形成され、結果として、面発光形レーザの生産性を
向上させるという効果を奏する。As described above, according to the present invention, the
1 has a different expansion coefficient on Bragg reflective film
Forming a pattern of a predetermined shape, or the first and second
A predetermined area below the second distributed Bragg reflection film is formed.
A step of forming a high-resistance region by forming a hole of a predetermined shape at a position and thermally oxidizing the oxidized layer from an end thereof for a predetermined time while applying stress to the oxidized layer is provided.
As a result, the high resistance region formed by oxidizing the oxidized layer from its end is limited by the applied stress. As a result, the high resistance region is formed with good uniformity and good reproducibility, and as a result, there is an effect that the productivity of the surface emitting laser is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 酸化フロントの進行を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the progress of an oxidation front.

【図３】 本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention.

【図４】 本発明の第３の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor laser according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…基板、２…ｎ形ＤＢＲ、３，５…クラッド層、４…
活性層、６…ｐ形ＤＢＲ、６ａ…被酸化層、７…メサ、
８…応力制御パタン。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... n-type DBR, 3, 5 ... clad layer, 4 ...
Active layer, 6 p-type DBR, 6a oxidized layer, 7 mesa,
8. Stress control pattern.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特表 平６−503919（ＪＰ，Ａ) Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．32［11 ］（1995）ｐ886−888 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．30［24 ］（1994）ｐ2043−2044 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 27/15 H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References Table 6-503919 (JP, A) Electron. Lett. 32 [11] (1995) p886-888 Electron. Lett. 30 [24] (1994) p2043-2044 (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁶ , DB name) H01S 3/18 H01L 27/15 H01L 33/00 JICST file (JOIS)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 化合物半導体からなる基板上に形成され
た化合物半導体多層構造の第１導電形を有する第１の分
布ブラッグ反射膜および第２導電形を有する第２の分布
ブラッグ反射膜と、前記第１および第２の分布ブラッグ
反射膜に挟まれて形成された活性層と、前記活性層へ注
入する電流路を狭窄するように形成された高抵抗領域と
を備え、被酸化層を酸化することで前記高抵抗領域を形
成した半導体レーザの製造方法において、前記第１の分布ブラッグ反射膜上にこれとは膨張係数が
異なる所定形状のパタンを形成する第１の工程と、 前記パタンにより 前記被酸化層に応力を加えた状態で、
前記被酸化層をその端部より所定時間熱酸化して前記高
抵抗領域を形成する第２の工程とを備えたことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。A first distributed Bragg reflecting film having a first conductivity type and a second distributed Bragg reflecting film having a second conductivity type formed on a compound semiconductor multilayer structure formed on a substrate made of a compound semiconductor; An active layer formed between the first and second distributed Bragg reflection films; and a high resistance region formed so as to narrow a current path injected into the active layer, and oxidizes a layer to be oxidized. Thus, in the method of manufacturing a semiconductor laser in which the high resistance region is formed, the first distributed Bragg reflection film has an expansion coefficient different from that of the first distributed Bragg reflection film.
A first step of forming a pattern having a different predetermined shape, and in a state where stress is applied to the oxidized layer by the pattern ,
The method of manufacturing a semiconductor laser which is characterized in that a second step of forming the oxidizable layer and the high resistance region by a predetermined time thermally oxidized from its ends. 【請求項２】 化合物半導体からなる基板上に形成され
た化合物半導体多層構造の第１導電形を有する第１の分
布ブラッグ反射膜および第２導電形を有する第２の分布
ブラッグ反射膜と、前記第１および第２の分布ブラッグ
反射膜に挟まれて形成された活性層と、前記活性層へ注
入する電流路を狭窄するように形成された高抵抗領域と
を備え、被酸化層を酸化することで前記高抵抗領域を形
成した半導体レーザの製造方法において、 前記基板の前記第１および第２の分布ブラッグ反射膜が
形成された下の領域の所定位置に所定形状の孔を形成す
る第１の工程と 、前記孔により前記被酸化層に応力を加えた状態で、前記
被酸化層をその端部より所定時間熱酸化して前記高抵抗
領域を形成する第２の工程と を備えたことを 特徴とする
半導体レーザの製造方法。2. The method according to claim 1 , wherein the substrate is formed on a substrate made of a compound semiconductor.
Component having a first conductivity type of a compound semiconductor multilayer structure
Fabric Bragg reflector and second distribution having second conductivity type
A Bragg reflection film and the first and second distributed Braggs
The active layer formed between the reflective films and the active layer
A high-resistance region formed to narrow the current path
And oxidizing the oxidized layer to form the high-resistance region.
In the method of manufacturing a semiconductor laser, the first and second distributed Bragg reflection films of the substrate are
A hole of a predetermined shape is formed at a predetermined position in the formed lower region.
A first step, and applying a stress to the oxidized layer by the holes,
Thermal oxidation of the layer to be oxidized from its end for a predetermined time
The method of manufacturing a semiconductor laser which is characterized in that a second step of forming a region.