JP2882368B2 - Driving method of solid-state imaging device - Google Patents
Driving method of solid-state imaging deviceInfo
- Publication number
- JP2882368B2 JP2882368B2 JP8167385A JP16738596A JP2882368B2 JP 2882368 B2 JP2882368 B2 JP 2882368B2 JP 8167385 A JP8167385 A JP 8167385A JP 16738596 A JP16738596 A JP 16738596A JP 2882368 B2 JP2882368 B2 JP 2882368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- charge
- charges
- receiving elements
- field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子の駆動
方法に関し、特に受光部からの電荷読出し方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for driving a solid-state image sensor, and more particularly to a method for reading out electric charges from a light receiving section.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は通常の固体撮像素子の構成を平面
的に示したブロック図である。受光部２１に隣接して垂
直転送部２２が設けられ、この垂直転送部２２は転送電
極φＶ１〜φＶ４を備えている。これら電極の配置は、
テレビジョン方式で適用されている２：１インタレース
駆動を前提とし、電極φＶ４とφＶ１、電極φＶ２とφ
Ｖ３がそれぞれ対になり１つの受光部（２１）に対応し
ている構造となり、これらのうち電極φＶ１とφＶ３は
受光部２１から垂直転送部２２への電荷読み出し電極を
兼ねている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a block diagram showing the structure of a general solid-state imaging device in a plan view. A vertical transfer unit 22 is provided adjacent to the light receiving unit 21, and the vertical transfer unit 22 includes transfer electrodes φV1 to φV4. The arrangement of these electrodes is
The electrodes φV4 and φV1 and the electrodes φV2 and φV2 are assumed on the assumption of the 2: 1 interlace drive applied in the television system.
V3 form a pair and correspond to one light receiving section (21). Of these, the electrodes φV1 and φV3 also serve as charge readout electrodes from the light receiving section 21 to the vertical transfer section 22.
【０００３】このような固体撮像素子の駆動方法とし
て、フィールド蓄積モードがある。これは、第１フィー
ルドにおいて、垂直方向に隣接する２つの受光部２１に
蓄えられた電荷を垂直転送部２２に読み出して混合し、
この混合電荷を１水平期間毎に垂直転送部１段ずつ、つ
まり１組の電極φＶ１〜φＶ４の電極分だけ水平転送部
２３の方向へ転送し、最も水平転送部２３に近い電荷か
ら水平転送部２３へ順次転送されてゆく。As a driving method of such a solid-state imaging device, there is a field accumulation mode. This is because, in the first field, the electric charges stored in the two light receiving units 21 vertically adjacent to each other are read out to the vertical transfer unit 22 and mixed,
This mixed charge is transferred in the direction of the horizontal transfer unit 23 by one stage of the vertical transfer unit for each horizontal period, that is, by one set of electrodes φV1 to φV4 in the direction of the horizontal transfer unit 23. 23 sequentially.
【０００４】さらに、これらの電荷は１水平期間内に水
平転送部２３から出力部２４へ転送され電気信号として
出力し、第２フィールドでは第１フィールドとは垂直方
向に１画素ずれた２画素の組み合わせで電荷を垂直転送
部２２へ読み出して混合し、第１フィールドと同様に水
平転送部２３を経て出力部２４より出力している。Further, these charges are transferred from the horizontal transfer section 23 to the output section 24 within one horizontal period and output as electric signals. In the second field, two pixels which are shifted by one pixel in the vertical direction from the first field are used. Charges are read out to the vertical transfer unit 22 in combination and mixed, and output from the output unit 24 via the horizontal transfer unit 23 as in the first field.
【０００５】このような固体撮像素子において、垂直方
向の受光部の数を増やせば、その分解像度も向上させる
ことができる。例えば、垂直方向の受光部の数を従来の
２倍とし、従来のテレビジョンシステムとの互換性を保
持しながら、垂直解像度を向上させるという方式が提案
されている。この場合、図６（ｂ）に示すように画面上
の１画素を構成する受光部の数を２倍にすれば、従来の
テレビジョンシステムに対応することになり、図６
（ａ）のように１画素の構成を従来通りにすれば、解像
度は従来の２倍となる。In such a solid-state imaging device, the resolution can be improved by increasing the number of light receiving portions in the vertical direction. For example, a method has been proposed in which the number of light receiving units in the vertical direction is doubled to improve the vertical resolution while maintaining compatibility with a conventional television system. In this case, as shown in FIG. 6B, if the number of light receiving sections constituting one pixel on the screen is doubled, it corresponds to the conventional television system.
If the configuration of one pixel is the same as in the conventional case as shown in FIG.
【０００６】このような垂直倍画素の固体撮像素子で、
従来のテレビジョンシステムと互換性のある２：１イン
タレース，フィールド蓄積を行う場合を、図８のその動
作を説明する模式図および図９のその動作タイミング図
により説明する。図８のように垂直方向に隣接する受光
部Ｐ３ＢとＰ１Ｂ，Ｐ３ＡとＰ１Ａに蓄積された電荷を
垂直転送部２２で混合し、これを１組とする。第１フィ
ールドにおいては垂直方向に隣接する２組の混合電荷は
水平転送部２３で混合され１画素を構成し、第２フィー
ルドでは、この混合電荷を第１フィールドとは混合電荷
１組分ずれた組み合わせで水平転送部２３で混合し１画
素を構成することになる。[0006] In such a solid-state image pickup device having vertical double pixels,
The case of performing 2: 1 interlacing and field storage compatible with a conventional television system will be described with reference to a schematic diagram for explaining the operation of FIG. 8 and an operation timing diagram of FIG. As shown in FIG. 8, the electric charges accumulated in the light receiving units P3B and P1B and P3A and P1A adjacent in the vertical direction are mixed in the vertical transfer unit 22 to form one set. In the first field, two sets of mixed charges adjacent in the vertical direction are mixed by the horizontal transfer unit 23 to form one pixel, and in the second field, the mixed charges are shifted from the first field by one set of mixed charges. The horizontal transfer section 23 mixes them to form one pixel.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の撮像方
式を用いて、図７（ａ）のような垂直方向に受光部４個
分の周期のパターンを撮像した場合、第１フィールド，
第２フィールドでの受光部２１の動作は図７（ｂ），
（ｄ）のようになり、その出力信号パターンは、図７
（ｃ），（ｅ）のようになる。従って、出力される撮像
パターンは、図７（ｆ）のように、第１フィールドと第
２フィールドの信号の主力レベルに差がなくなり、実際
の被写体のパターンのコントラストをモニタ上に再現す
ることができなくなる。When a pattern having a period corresponding to four light receiving units is vertically imaged in the vertical direction as shown in FIG.
The operation of the light receiving section 21 in the second field is shown in FIG.
The output signal pattern is as shown in FIG.
(C) and (e) are obtained. Therefore, as shown in FIG. 7F, the output imaging pattern has no difference in the main power levels of the signals of the first field and the second field, and the actual contrast of the pattern of the subject can be reproduced on the monitor. become unable.
【０００８】なお、図７（ａ）のようなパターンを撮像
して、これをモニタ上で再現するために、図６（ｃ）の
ように１画素を受光部２個で構成し、従来のフィールド
蓄積のように電荷を転送する方法がある。この場合、垂
直画素数が従来の２倍になっているため、水平走査線数
も２倍になる。このように垂直方向の画素数を増やして
垂直解像度を向上させようとした場合、動画として１画
面を構成する時間はほぼ決まっているので、一定時間内
の水平走査線数が多くなる分、水平転送部の転送速度を
速く、すなわち水平駆動周波数が大きくする必要があ
る。ところで水平転送部の消費電力Ｐは、駆動電圧を
Ｖ、転送電荷量をＱ、駆動周波数をｆとすると Ｐ＝Ｖ・Ｉ＝Ｖ・ｄＱ／ｄｔ∝Ｖ・Ｑ・ｆ となり駆動周波数に比例する。つまり垂直画素数を増や
して解像度を向上しようとすると消費電力が増大し、そ
の結果固体撮像素子自体の温度が上昇することになり、
暗電流や自欠陥等が増加するといった問題が発生する。
また固体撮像素子の温度上昇はカメラシステムの温度上
昇にもつながり、システムへの悪影響も生じる。In order to capture a pattern as shown in FIG. 7A and reproduce it on a monitor, one pixel is composed of two light receiving portions as shown in FIG. There is a method of transferring electric charges like field accumulation. In this case, since the number of vertical pixels is twice as large as that of the related art, the number of horizontal scanning lines is also doubled. When the vertical resolution is improved by increasing the number of pixels in the vertical direction in this manner, the time required to compose one screen as a moving image is almost fixed. It is necessary to increase the transfer speed of the transfer unit, that is, to increase the horizontal drive frequency. By the way, the power consumption P of the horizontal transfer unit is proportional to the drive frequency, where P = V · I = V · dQ / dt∝V · Q · f, where V is the drive voltage, Q is the transfer charge amount, and f is the drive frequency. . That is, if the resolution is improved by increasing the number of vertical pixels, power consumption increases, and as a result, the temperature of the solid-state imaging device itself increases,
Problems such as an increase in dark current and self-defect occur.
In addition, an increase in the temperature of the solid-state image sensor also leads to an increase in the temperature of the camera system, which has an adverse effect on the system.
【０００９】本発明の目的は、消費電力を増大させず
に、高解像度を可能とした固体撮像素子の駆動方法を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a method for driving a solid-state image pickup device which enables high resolution without increasing power consumption.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、マトリ
クス状に配置され、垂直方向にテレビジョン方式で規定
される走査線数の２倍の受光素子をもつ受光部を有し、
これら受光素子の垂直列毎に配置され前記受光部で光電
変換された電荷を垂直方向へ転送する垂直転送部と、こ
の垂直転送部から転送されてくる電荷を水平方向に転送
する水平転送部とを備え、前記受光部の垂直方向に連続
した２個を１組の受光素子の組とし、前記受光素子の組
の１組おきに独立して蓄積電荷を読出し、かつ前記受光
部の垂直方向奇数番目と偶数番目の蓄積電荷を独立して
読出す電極構造を有する固体撮像素子の駆動方法におい
て、２：１インタレース駆動を行う第１フィールドで
は、隣接する２組の前記受光素子の組のうち一方の受光
素子の組については２個の受光素子から電荷を読出し、
もう一方の組については１個の受光素子のみから電荷を
読出し、第２フィールドでは、前記第１フィールドで電
荷を読出さなかった受光素子を含む前記受光素子の組に
ついては２個の受光素子から電荷を読出し、もう一方の
組については１個の受光素子のみから電荷を読出すこと
を特徴とする。According to the present invention, there is provided a light-receiving portion having a light-receiving element arranged in a matrix and having twice the number of scanning lines defined by a television system in a vertical direction,
A vertical transfer unit that is arranged for each vertical column of these light receiving elements and transfers the charge photoelectrically converted by the light receiving unit in the vertical direction; and a horizontal transfer unit that transfers the charge transferred from the vertical transfer unit in the horizontal direction. A set of two light receiving elements that are continuous in the vertical direction are set as a set of light receiving elements, and the stored charge is independently read out for every other set of the light receiving elements, and the odd number of the light receiving elements in the vertical direction is set. In the driving method of the solid-state imaging device having the electrode structure for independently reading out the and the even-numbered accumulated charges, in the first field in which the 2: 1 interlace drive is performed, of the two adjacent sets of the light receiving elements, For one set of light receiving elements, the charge is read out from the two light receiving elements,
Charges are read out from only one light receiving element for the other set, and in the second field, two light receiving elements are read out for the light receiving element set including the light receiving elements for which the charge was not read out in the first field. The electric charge is read out, and the electric charge is read out from only one light receiving element for the other set.
【００１１】本発明において、受光部に対応した電荷読
出し電極に電荷読出しパルスを印加した後に、電荷掃き
出しパルスを印加して前記受光部に蓄積されている電荷
の全部または一部を取り除くことができる。In the present invention, after applying a charge readout pulse to the charge readout electrode corresponding to the light receiving section, a charge sweeping pulse is applied to remove all or a part of the charges accumulated in the light receiving section. .
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図２は本発明の適用される固体撮像素子の
ブロック図である。受光部１１に隣接して垂直転送部１
２が設けてあり、垂直転送部１２は６種類の独立な転送
電極φＶ１Ａ，φＶ１Ｂ，φＶ２，φＶ３Ａ，φＶ３
Ｂ，φＶ４を備えている。これらのうち電極φＶ１Ａ，
φＶ１Ｂ，φＶ３Ａ，φＶ３Ｂは受光部１１から垂直転
送部１２への電荷読み出し電極を兼ねている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a block diagram of a solid-state imaging device to which the present invention is applied. Vertical transfer unit 1 adjacent to light receiving unit 11
The vertical transfer unit 12 includes six types of independent transfer electrodes φV1A, φV1B, φV2, φV3A, φV3.
B, φV4. Of these, the electrode φV1A,
φV1B, φV3A, and φV3B also serve as charge readout electrodes from the light receiving unit 11 to the vertical transfer unit 12.
【００１３】図１は本発明の一実施形態の垂直転送部１
２の電極の配置と電荷の読み出し手順の一例を示した模
式図、図３は図１に用いられる各パルスのタイミング図
である。垂直転送部１２の電極は水平転送部１３へ向か
って電極φＶ１Ａ，φＶ２，φＶ３Ｂ，φＶ４，φＶ１
Ｂ，φＶ２，φＶ３Ａ，φＶ４の順に繰り返し並んでお
り、電極φＶ４とφＶ１Ａ、φＶ４と電極φＶ１Ｂ、φ
Ｖ２と電極φＶ３Ａ、φＶ２と電極φＶ３Ｂが対になっ
ており、それぞれが１つの受光部１１の素子Ｐ１Ａ，Ｐ
１Ｂ，Ｐ３Ａ，Ｐ３Ｂに対応している。FIG. 1 shows a vertical transfer unit 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the arrangement of two electrodes and a procedure for reading out electric charges. FIG. 3 is a timing chart of each pulse used in FIG. The electrodes of the vertical transfer unit 12 are connected to the electrodes φV1A, φV2, φV3B, φV4, φV1 toward the horizontal transfer unit 13.
B, φV2, φV3A, φV4 are repeatedly arranged in this order, and electrodes φV4 and φV1A, φV4 and electrodes φV1B, φ
V2 and an electrode φV3A, and φV2 and an electrode φV3B are paired.
1B, P3A, and P3B.
【００１４】まず第１フィールドにおいて、時刻ｔ１に
電極φＶ３ＢおよびφＶ３Ａに読み出しパルスを印加す
ることにより、受光部１１の素子Ｐ３ＢおよびＰ３Ａか
ら垂直転送部１２へ読み出された電荷は、受光部１つ分
だけ水平転送部１２の方向に転送される。このうち素子
Ｐ３Ａから読み出された電荷は、時刻ｔ２に電極φＶ１
Ａに読み出しパルスを印加することにより受光素子Ｐ１
Ａから読み出された電荷と混合される。一方、素子Ｐ３
Ｂから読み出された電荷は、時刻ｔ２に電極φＶ１Ｂに
読み出しパルスを印加しないので、素子Ｐ１Ｂの電荷と
は混合されない。従って、水平転送部１２で混合される
電荷は、受光部１１の素子Ｐ１Ａ，Ｐ３Ａ，Ｐ３Ｂに蓄
積されたもののみとなる。First, in the first field, by applying a read pulse to the electrodes φV3B and φV3A at time t1, the electric charge read out from the elements P3B and P3A of the light receiving section 11 to the vertical transfer section 12 becomes one light receiving section. The transfer is performed in the direction of the horizontal transfer unit 12 by the distance. The electric charge read out from the element P3A is supplied to the electrode φV1 at time t2.
By applying a read pulse to A, the light receiving element P1
A is mixed with the charge read from A. On the other hand, the element P3
The electric charge read from B is not mixed with the electric charge of the element P1B because no read pulse is applied to the electrode φV1B at time t2. Therefore, the charges mixed in the horizontal transfer unit 12 are only those accumulated in the elements P1A, P3A, and P3B of the light receiving unit 11.
【００１５】また、第２フィールドでは、時刻ｔ３に電
極φＶ３Ｂに読み出しパルスを印加することにより、受
光素子Ｐ３Ｂから垂直転送部１２へ読み出された電荷
は、受光素子１つ分だけ水平転送部方向に転送される。
このうち素子Ｐ３Ｂから読み出された電荷は、時刻ｔ２
に電極φＶ１Ｂに読み出しパルスを印加することによ
り、受光素子Ｐ１Ｂから読み出された電荷と混合され
る。一方、素子Ｐ３Ａから読み出された電荷は、時刻ｔ
２に電極φＶ１Ａに読み出しパルスを印加しないので、
素子Ｐ１Ａの電荷とは混合されない。従って、水平転送
部で混合される電荷は、受光部１１の素子Ｐ１，Ｐ３
Ａ，Ｐ３Ｂに蓄積されたもののみとなる。In the second field, by applying a read pulse to the electrode φV3B at time t3, the charge read from the light receiving element P3B to the vertical transfer unit 12 is shifted by one light receiving element toward the horizontal transfer unit. Is forwarded to
The electric charge read out from the element P3B is at time t2
By applying a read pulse to the electrode φV1B, the charges are mixed with the charge read from the light receiving element P1B. On the other hand, the electric charge read from the element P3A is at time t
2 does not apply a read pulse to the electrode φV1A,
The charge of the element P1A is not mixed. Therefore, the electric charges mixed in the horizontal transfer unit are the elements P1 and P3 of the light receiving unit 11.
Only those stored in A and P3B.
【００１６】第１フィールドで読み出されなかった受光
素子Ｐ１Ｂの電荷と、第２フィールドで読み出されなか
った受光素子Ｐ１Ａの電荷は不要となり、また互いに次
のフィールドでは蓄積された電荷が必要となるので、こ
れらの読み出されなかった電荷は次のフィールドが始ま
る前に取り除く必要がある。The electric charge of the light receiving element P1B not read out in the first field and the electric charge of the light receiving element P1A not read out in the second field become unnecessary, and the electric charge accumulated in the next field is required. Therefore, these unread charges need to be removed before the next field starts.
【００１７】このために、例えば受光部の余剰電荷を半
導体基板側へ引き抜く方式の固体撮像素子では、電極φ
Ｖ１ＡおよびφＶ１Ｂに読み出しパルスを印加した直後
（図３の時刻ｔ２′およびｔ４′）に半導体基板に、そ
のハイレベルが電荷引き抜くことができる電圧に設定さ
れたパルスを印加する。以上のようにして、第１および
第２フィールドで読み出されなかった電荷は、次のフィ
ールドが始まる前の取り除かれる。For this reason, for example, in a solid-state imaging device of a type in which surplus electric charges in a light receiving section are drawn out to the semiconductor substrate side, an electrode φ
Immediately after the read pulse is applied to V1A and φV1B (time t2 ′ and t4 ′ in FIG. 3), a pulse whose high level is set to a voltage at which the charge can be extracted is applied to the semiconductor substrate. As described above, the charges that have not been read in the first and second fields are removed before the start of the next field.
【００１８】このように駆動して、図４のような垂直方
向に受光部１１の素子４個分の周期のパターンを撮像し
た場合について説明する。図４は本実施形態の動作を説
明する模式図で、図４（ａ）のような、撮像パターンを
撮像する場合、第１フィールド，第２フィールドの受光
部の動作状態（図４（ｂ），（ｄ））として、白抜き部
分が電荷を読出さず、ハッチング部分が電荷を読出す様
子を示す。簡単のために撮像パターンの黒の部分を撮像
した受光部の電荷量を０，白の部分を撮像した受光部の
電荷量を１とすると、第１フィールドでは受光部Ｐ１Ｂ
の電荷は読み出されないが黒のパターンを撮像している
ため、その出力信号パターンは図４（ｃ）のように結局
水平ラインの出力レベルは全て２となる。A description will be given of a case where a pattern having a period corresponding to four elements of the light receiving section 11 is imaged in the vertical direction as shown in FIG. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the operation of the present embodiment. In the case where an imaging pattern is imaged as shown in FIG. 4A, the operation states of the light receiving units in the first field and the second field (FIG. 4B) , (D)), the white portion does not read out the charges, and the hatched portion reads out the charges. For the sake of simplicity, assuming that the charge amount of the light receiving portion that has imaged the black portion of the imaging pattern is 0, and the charge amount of the light receiving portion that has imaged the white portion is 1, the light receiving portion P1B in the first field
However, since the electric charge is not read out, but a black pattern is imaged, the output level of the output signal pattern of the horizontal line eventually becomes 2 as shown in FIG.
【００１９】一方、第２フィールドでは白のパターンを
撮像した受光素子Ｐ１Ａの電荷が読み出されないため、
図４（ｂ）のように水平ラインの出力レベルは全て１と
なる。モニタ上の映像信号は、第１フィールドと第２フ
ィールドの水平走査線が交互に配置されるため、図４
（ｆ）のように出力レベルが２と１のラインが撮像パタ
ーンと同じ周期で表示されることになる。以上の説明で
は、電荷を読み出さない受光部を素子Ｐ１ＡとＰ１Ｂと
してきたが、他の組み合わせ、たとえば素子Ｐ３ＡとＰ
３Ｂとしても同様である。On the other hand, in the second field, the electric charge of the light receiving element P1A that has picked up the white pattern is not read out.
As shown in FIG. 4B, the output levels of the horizontal lines are all 1. As the video signal on the monitor, the horizontal scanning lines of the first field and the second field are alternately arranged.
As shown in (f), the lines whose output levels are 2 and 1 are displayed in the same cycle as the imaging pattern. In the above description, the light receiving sections from which no charge is read are the elements P1A and P1B, but other combinations, for example, the elements P3A and P3A
The same applies to 3B.
【００２０】この駆動方法では、水平の走査線数を増や
していないので、水平駆動周波数も従来の１倍画素の場
合と同じでよく、結果として消費電力を増大させずに高
解像度の撮像素子を実現できる。In this driving method, since the number of horizontal scanning lines is not increased, the horizontal driving frequency may be the same as that of the conventional one-time pixel. As a result, a high-resolution image sensor can be used without increasing power consumption. realizable.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によれ
ば２：１インタレース駆動における第１フィールドで
は、隣接する２組の受光素子の組のうち、一方の受光素
子の組については２個の受光素子から電荷を読出し、も
う一方の組については１個の受光素子のみから電荷を読
出し、第２フィールドでは、第１フィールドで電荷を読
出さなかった受光素子を含む受光素子の組については２
個の受光素子から電荷を読出し、もう一方の組について
は１個の受光素子のみから電荷を読出すようにしたこと
により、水平駆動周波数を増加させることなく、従って
消費電力を増大させずに高解像度の撮像素子を実現でき
るという効果がある。As described above, according to the structure of the present invention, in the first field in the 2: 1 interlace driving, one of the two sets of adjacent light receiving elements is set to 2 The charge is read out from one light-receiving element, the other set is read out from only one light-receiving element, and in the second field, the set of light-receiving elements including the light-receiving element whose charge was not read out in the first field Is 2
By reading charges from one light receiving element and reading charges from the other set only from one light receiving element, the horizontal driving frequency is not increased, and thus the power consumption is not increased. There is an effect that an image sensor having a resolution can be realized.
【図１】本発明の一実施形態を説明する模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に適用される固体撮像装置の一例のブロ
ック図である。FIG. 2 is a block diagram of an example of a solid-state imaging device applied to the present invention.
【図３】本実施形態の動作を説明するタイミング図であ
る。FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment.
【図４】本実施形態の特定の撮像パターンに対する動作
を説明する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an operation for a specific imaging pattern according to the present embodiment.
【図５】従来例の固体撮像装置のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a conventional solid-state imaging device.
【図６】図５の各動作方式を説明する模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating each operation method of FIG.
【図７】図５で特定の撮像パターンに対する動作を説明
する模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an operation for a specific imaging pattern in FIG.
【図８】図５の動作を説明する模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the operation of FIG.
【図９】図８の動作パルスのタイミング図である。FIG. 9 is a timing chart of the operation pulse of FIG. 8;
１１，２１ 受光部 １２，２２ 垂直転送部 １３，２３ 水平転送部 １４，２４ 出力部 １８ 差動スイッチ φＶ１Ａ，φＶ３Ａ，φＶ１Ｂ，φＶ３Ｂ，φＶ１〜φ
Ｖ４ 垂直転送電極 Ｐ１Ａ，Ｐ３Ａ，Ｐ１Ｂ，Ｐ３Ｂ 受光素子11, 21 Light receiving section 12, 22 Vertical transfer section 13, 23 Horizontal transfer section 14, 24 Output section 18 Differential switch φV1A, φV3A, φV1B, φV3B, φV1 to φ
V4 Vertical transfer electrode P1A, P3A, P1B, P3B Light receiving element
Claims (2)
レビジョン方式で規定される走査線数の２倍の受光素子
をもつ受光部を有し、これら受光素子の垂直列毎に配置
され前記受光部で光電変換された電荷を垂直方向へ転送
する垂直転送部と、この垂直転送部から転送されてくる
電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備え、前記受
光部の垂直方向に連続した２個を１組の受光素子の組と
し、前記受光素子の組の１組おきに独立して蓄積電荷を
読出し、かつ前記受光部の垂直方向奇数番目と偶数番目
の蓄積電荷を独立して読出す電極構造を有する固体撮像
素子の駆動方法において、２：１インタレース駆動を行
う第１フィールドでは、隣接する２組の前記受光素子の
組のうち一方の受光素子の組については２個の受光素子
から電荷を読出し、もう一方の組については１個の受光
素子のみから電荷を読出し、第２フィールドでは、前記
第１フィールドで電荷を読出さなかった受光素子を含む
前記受光素子の組については２個の受光素子から電荷を
読出し、もう一方の組については１個の受光素子のみか
ら電荷を読出すことを特徴とする固体撮像素子の駆動方
法。1. A light-receiving section having a number of light-receiving elements arranged in a matrix and having twice the number of scanning lines defined by a television system in the vertical direction. A vertical transfer unit for transferring the charges photoelectrically converted by the unit in the vertical direction, and a horizontal transfer unit for transferring the charges transferred from the vertical transfer unit in the horizontal direction. Two sets of light receiving elements are used as a set of light receiving elements, and the stored charge is read independently for every other set of the light receiving elements, and the odd-numbered and even-numbered stored charges of the light receiving section are read independently. In the method of driving a solid-state imaging device having an electrode structure for emitting light, in a first field in which 2: 1 interlaced driving is performed, one of two adjacent sets of the light receiving elements has two light receiving elements. Read charge from the device, Charges are read out from only one light receiving element for the other set, and in the second field, two light receiving elements are read out for the light receiving element set including the light receiving elements for which the charge was not read out in the first field. A method for driving a solid-state imaging device, comprising reading out electric charges and reading out electric charges from only one light receiving element for the other set.
読出しパルスを印加した後に、電荷掃き出しパルスを印
加して前記受光部に蓄積されている電荷の全部または一
部を取り除く請求項１記載の固体撮像素子の駆動方法。2. The method according to claim 1, wherein after applying a charge readout pulse to a charge readout electrode corresponding to the light receiving portion, a charge sweeping pulse is applied to remove all or a part of the charges accumulated in the light receiving portion. A method for driving a solid-state imaging device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167385A JP2882368B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Driving method of solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167385A JP2882368B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Driving method of solid-state imaging device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1013743A JPH1013743A (en) | 1998-01-16 |
| JP2882368B2 true JP2882368B2 (en) | 1999-04-12 |
Family
ID=15848733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167385A Expired - Fee Related JP2882368B2 (en) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | Driving method of solid-state imaging device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2882368B2 (en) |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167385A patent/JP2882368B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1013743A (en) | 1998-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4831453A (en) | Solid-state imaging device having high-speed shutter function and method of realizing high-speed function in solid-state imaging device | |
| JP3906496B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera | |
| JPH0918792A (en) | Image pickup device | |
| JPH0416949B2 (en) | ||
| JPH0522668A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPH04262679A (en) | Driving method for solid-state image pickup device | |
| JP2000152255A (en) | Solid-state image pickup device and signal read method | |
| JP4078741B2 (en) | Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera system | |
| US5796432A (en) | Method of and apparatus for solid state imaging device | |
| JP2773787B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device and solid-state imaging device | |
| JP2882368B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device | |
| JP2000138943A (en) | Solid-state image pickup element, its driving method and camera system | |
| JPH10285467A (en) | Image-pickup device | |
| US6785027B1 (en) | Method for driving a CCD solid-state imaging device | |
| JP2721603B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device and solid-state imaging device | |
| JP2799003B2 (en) | Driving method of solid-state image sensor | |
| JPH0514816A (en) | Solid state image pickup device and driving method therefor | |
| JP2809903B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device and solid-state imaging device | |
| JPH0856312A (en) | Solid-state image pickup element and its driving method | |
| JP2001186418A (en) | Solid-state image pickup device and its drive method, and camera system | |
| JPH09312849A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP2002027332A (en) | Image pickup device | |
| JP2791999B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device and solid-state imaging device | |
| JP3558505B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device | |
| JP3050223B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990105 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |