JP2881316B2 - CO gas detector - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、COガスを検知するCOガス検知装置に関する
ものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a CO gas detection device for detecting CO gas.
現在、L.P.G.または都市ガス用としてガス警報器が市
販されているが、正常に動作しているものであってもCO
ガスに対しては感度が低く、さらにCOガス検知器または
COセンサとして市販されているものであっても、ガス弁
別性または経時安定性などの面で十分でない。At present, gas alarms are commercially available for LPG or city gas.
Low sensitivity to gas and CO gas detector or
Even a commercially available CO sensor is not sufficient in terms of gas discrimination or stability over time.
そこで、前記ガス検知器に備えたガス検出素子（セン
サ）として、半導体式センサを用いたものがある。該半
導体式センサはCOガス等の被検知ガスを半導体表面に吸
着させ、ガスの吸着による半導体の電気抵抗をガス濃度
として検出するものである。Therefore, there is a gas detection element (sensor) provided in the gas detector using a semiconductor sensor. The semiconductor sensor adsorbs a gas to be detected, such as CO gas, on a semiconductor surface, and detects the electric resistance of the semiconductor due to the gas adsorption as a gas concentration.
第16図はこのような半導体式センサを備えたガス検知
装置を示し、１はヒータＲ1と感知部Ｋとからなる半導
体式センサであり、該半導体センサ１と直列に電流電圧
変換用の電流検出抵抗Ｒsが接続されている。Ｖ1は動作
電源、Ｖ2はヒータ電源である。第17図は第16図の装置
の特性を示し、電源Ｖ2よりヒータＲ1に電流を流し、半
導体センサ１を100℃付近に加熱して連続的に使用した
ときの特性である。同図から明らかなように、清浄大気
中のセンサ出力（以下エアベースという）が経時的に上
昇し、またCOガスに対するセンサ出力（以下COガス感度
という）は経時的に下降する。従って、COガス検知器と
して安定に使用することができない。これは半導体式セ
ンサ１が加熱温度によってガスの吸着性が大きく変化し
たり、ガスの種類によって加熱温度と化学吸着特性（活
性度）が大きく変わってしまうためであり、例えば最大
吸着特性を示す温度は低い方から順に、CO、アルコー
ル、水素、ブタン、プロパン、メタンの如く並んでい
る。FIG. 16 shows a gas detecting device provided with such a semiconductor type sensor, and 1 is a semiconductor type sensor comprising a heater R 1 and a sensing portion K, and a current for converting a current to a voltage in series with the semiconductor sensor 1. detection resistor R s is connected. V 1 was operating power, V 2 is the heater power supply. Figure 17 shows the characteristic of the device of FIG. 16, current flows from the power source V 2 to the heater R 1, is a characteristic when used continuously by heating the semiconductor sensor 1 around 100 ° C.. As is clear from the figure, the sensor output in the clean air (hereinafter referred to as air base) increases with time, and the sensor output for CO gas (hereinafter referred to as CO gas sensitivity) decreases with time. Therefore, it cannot be used stably as a CO gas detector. This is because the semiconductor sensor 1 has a large change in the gas adsorption property depending on the heating temperature, and the heating temperature and the chemical adsorption property (activity) greatly change depending on the type of gas. Are arranged in order from the lowest, such as CO, alcohol, hydrogen, butane, propane, and methane.
そこで本出願人は、特公昭58-621号公報（名称:COガ
ス警報器）において改良されたガス検知装置を提案し
た。第18図は上記公報で提案した装置の概略構成を示
し、Ｖ3は高温加熱用電源、SW1はスイッチであり、その
他の構成は第16図と同様である。第19図は第18図の装置
の特性を示し、スイッチSW1を数10分に１回の割合で数1
0秒間電源Ｖ2からＶ3に切り換えることにより、半導体
センサ１を高温加熱（以下ヒートアップという）する
と、エアベース及びCOガス感度とも経時的に安定させる
ことができる。Therefore, the present applicant has proposed an improved gas detection device in Japanese Patent Publication No. 58-621 (name: CO gas alarm). FIG. 18 shows a schematic configuration of the apparatus proposed in the above publication, V 3 is the high temperature heating power source, SW 1 is a switch, the other structure is the same as FIG. 16. Figure 19 shows the characteristic of the device of FIG. 18, the number at a rate of once the switch SW 1 to the number 10 minutes 1
By switching from 0 seconds supply V 2 to V 3, the semiconductor sensor 1 temperature heating (hereinafter referred to as a heat-up), the both air-based and CO gas sensitivity can be stable over time.
上述の装置では、消費電力が通常2W〜4W/時必要とな
り、携帯用の用途も含めて乾電池等による動作する装置
に使用することは消費電力の面から不可能である。In the above-described apparatus, power consumption is usually required to be 2 W to 4 W / hour, and it is impossible to use the apparatus for operation using a dry battery or the like, including portable use, from the viewpoint of power consumption.
そこで、半導体センサ１が常温付近でもCOガスの検知
が可能であることに着目し、低消費電力化を図るため
に、第20図に示すように半導体センサ１を通常は加熱せ
ずに常温で使用し、所定時間毎に所定時間スイッチSW1
をオンにしてピートアップし、かつこのピートアップ間
隔を長くするようにした装置も考えられる。Focusing on the fact that the semiconductor sensor 1 can detect CO gas even at around room temperature, and to reduce the power consumption, as shown in FIG. Use and switch SW 1 for a predetermined time every predetermined time
Is turned on to increase the peat-up interval, and the peep-up interval is lengthened.
しかし、このような構成の装置においてもその特性は
第21図に示すように経時的にエアベースが上昇し、COガ
ス感度が下降してしまって安定に動作させることができ
ない。However, even in the device having such a configuration, the characteristics thereof are such that the air base rises with time and the CO gas sensitivity decreases as shown in FIG. 21, so that the device cannot be operated stably.
よって本発明は、乾電池等の使用を可能にするよう
に、動作の安定を損なうことなく低消費電力化を図った
COガス検知装置を提供することを課題としている。Therefore, the present invention has reduced power consumption without impairing operation stability so as to enable use of a dry battery or the like.
It is an object to provide a CO gas detection device.
上記課題を解決するため本発明により成されたCOガス
検知装置は、半導体センサよりのセンサ出力を判定して
COガスを検知するCOガス検知装置において、前記センサ
出力のレベルを検出する検出手段と、該検出手段の出力
にて動作し前記半導体センサを高温加熱する加熱手段と
を備え、前記検出手段はセンサ出力が所定レベルになる
と、加熱手段を動作させるようにしたことを特徴として
いる。In order to solve the above problems, a CO gas detection device made according to the present invention determines a sensor output from a semiconductor sensor.
In a CO gas detection device for detecting CO gas, a detection means for detecting a level of the sensor output, and a heating means which operates at an output of the detection means and heats the semiconductor sensor at a high temperature, wherein the detection means is a sensor When the output reaches a predetermined level, the heating means is operated.
また上記課題を解決するため本発明により成されたCO
ガス検知装置は、半導体センサよりのセンサ出力を判定
してCOガスを検知するガス検知装置において、前記セン
サ出力のレベルを検出する検出手段と、前記半導体セン
サを高温加熱する加熱手段とを備え、前記検出手段はセ
ンサ出力が所定レベルになると加熱手段を動作させて半
導体センサを高温加熱させると共に、COガスを検出する
と加熱手段を繰り返し動作させて半導体センサを繰り返
し高温加熱させるようにしたことを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, CO produced by the present invention has been developed.
The gas detection device is a gas detection device that determines a sensor output from a semiconductor sensor to detect CO gas, and includes a detection unit that detects a level of the sensor output, and a heating unit that heats the semiconductor sensor at a high temperature, The detection means operates the heating means to heat the semiconductor sensor to a high temperature when the sensor output reaches a predetermined level, and when the CO gas is detected, the heating means is operated repeatedly to heat the semiconductor sensor repeatedly to a high temperature. And
上記構成により、半導体センサよりのセンサ出力が所
定レベルになると検出手段がこれを検出して加熱手段を
動作させ、前記半導体センサを高温加熱させる。これに
より半導体センサがクリーニングされCOガスに対する感
度低下を防止する。According to the above configuration, when the sensor output from the semiconductor sensor reaches a predetermined level, the detecting means detects this and operates the heating means to heat the semiconductor sensor at a high temperature. As a result, the semiconductor sensor is cleaned to prevent a decrease in sensitivity to CO gas.
また半導体センサのセンサ出力より検出手段がCOガス
を検出すると、加熱手段を繰り返し動作させる。これに
より半導体センサのCOガス検知時には該半導体センサが
繰り返し高温加熱され、感度低下の防止と脱離特性の向
上を図る。When the detecting means detects the CO gas from the sensor output of the semiconductor sensor, the heating means is repeatedly operated. Thus, the semiconductor sensor is repeatedly heated to a high temperature at the time of detecting the CO gas of the semiconductor sensor, thereby preventing the sensitivity from decreasing and improving the desorption characteristics.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明によるCOガス検知装置の一実施例を示
す図であり、同図において、１は半導体式センサ、２は
バッテリ、３はサーミスタを含み、センサ出力の補正を
行う温度補償回路、４はセンサ出力（エアレベル）判定
回路、５は判定回路４からの出力にてヒートアップを発
生させるヒートアップ発生回路、６はセンサ出力判定回
路、７は表示回路、８は警報回路、９は打消回路、10は
タイマ回路、11はバッテリ２の電圧降下を検出する電圧
降下検出回路である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a CO gas detection device according to the present invention, in which 1 is a semiconductor type sensor, 2 is a battery, 3 is a temperature compensating circuit which includes a thermistor and corrects a sensor output. 4 is a sensor output (air level) determination circuit, 5 is a heat-up generation circuit that generates a heat-up based on the output from the determination circuit 4, 6 is a sensor output determination circuit, 7 is a display circuit, 8 is an alarm circuit, 9 Is a canceling circuit, 10 is a timer circuit, and 11 is a voltage drop detecting circuit for detecting a voltage drop of the battery 2.
上記半導体式センサ１は、スズの塩を焼成して得られ
る酸化第２スズに増感剤としてパラジウム等の貴金属を
担持させ、これに感度調整用アルミナを適量配合してセ
ンサ材料とした後、該材料をペースト化し、厚さ0.38mm
及び3mm角のアルミナチップ上へスクリーン印刷するこ
とで形成される。また裏面には酸化金属のヒータを印刷
により形成しておき、このようなして得られたものを適
当にエージング処理してセンサとして使用する。The semiconductor-type sensor 1 has a noble metal such as palladium as a sensitizer supported on stannic oxide obtained by baking a tin salt, and an appropriate amount of alumina for sensitivity adjustment is mixed with the noble metal to form a sensor material. Paste the material, 0.38mm thick
And by screen printing on 3 mm square alumina chips. Further, a metal oxide heater is formed on the back surface by printing, and the obtained heater is appropriately aged and used as a sensor.
上記半導体センサ１は通常は加熱せずに常温で使用す
る。従ってバッテリ２は例えばマンガン電池の単３×４
本にて構成し、携帯用検知装置としても使用できるよう
にする。また打消回路９はヒートアップによりセンサ出
力が過渡応答し、センサ出力判定回路６がCOガスの発生
を誤判別するのを防止するために設けている。The semiconductor sensor 1 is usually used at normal temperature without heating. Therefore, the battery 2 is, for example, an AA × 4 manganese battery.
It is composed of a book and can be used as a portable detection device. The canceling circuit 9 is provided to prevent the sensor output from transiently responding due to heat-up, and prevent the sensor output determining circuit 6 from erroneously determining the generation of CO gas.
またタイマ回路10は、ヒートアップによりセンサ出力
がエアレベル判定回路４の判定レベルを上下するので、
該ヒートアップ後は所定時間ヒートアップしないように
遅延させると共に、センサ出力のエアレベルが常にエア
レベル判定回路４の判定レベル以上のときに、所定時間
後にヒートアップを繰り返し行わせるために設けられた
ものである。更に表示回路７及び警報回路８は、センサ
１がCOガスを検知したときに、異常状態を表示及びブザ
ー等により警報するものであり、警報回路８はこの他に
電圧降下検出回路11よりバッテリ２が所定電圧まで降下
したときにこれを警報する機能も備えている。Also, the timer circuit 10 causes the sensor output to increase or decrease the determination level of the air level determination circuit 4 due to heat-up,
After the heat-up, a delay is provided so as not to heat up for a predetermined time, and the heat-up is repeatedly performed after a predetermined time when the air level of the sensor output is always equal to or higher than the determination level of the air level determination circuit 4. Things. Further, the display circuit 7 and the alarm circuit 8 are for displaying an abnormal condition and alarming by a buzzer or the like when the sensor 1 detects the CO gas. Is provided with a function to warn when the voltage drops to a predetermined voltage.
以上の構成においてその動作を以下説明する。上記エ
アレベル判定回路４はエアレベルを常時監視しており、
所定レベル（ヒートアップ判定レベル）になるとヒート
アップ発生回路５を駆動し、センサ１をヒートアップす
る。第２図は上記動作に基づく通常状態のエアベースに
おける特性を示し、エアレベルが経時的に上昇し、ヒー
トアップ判定レベルに達するとヒートアップ発生回路５
が数10秒間動作して半導体センサ１をヒートアップす
る。これにより半導体センサ１の出力は一時的に上昇
し、その後急速に減少して再び当初のエアレベルとな
る。以上の動作を経時的に繰り返しエアベースの安定化
を図る。The operation of the above configuration will be described below. The air level determination circuit 4 constantly monitors the air level.
When a predetermined level (heat-up determination level) is reached, the heat-up generating circuit 5 is driven to heat up the sensor 1. FIG. 2 shows the characteristics of the air base in the normal state based on the above operation. When the air level rises with time and reaches the heat-up determination level, the heat-up generation circuit 5
Operates for several tens of seconds to heat up the semiconductor sensor 1. As a result, the output of the semiconductor sensor 1 temporarily increases, then rapidly decreases, and returns to the original air level. The above operation is repeated with time to stabilize the air base.
第３図はCOガスが発生しているときの特性を示し、CO
ガス発生時にはセンサ出力が上昇し、エアベースの上昇
時と同様にヒートアップ発生回路５が動作して半導体セ
ンサ１をヒートアップする。このヒートアップにより半
導体センサ１がクリーニングされるが、その後もセンサ
出力はCOガスの存在によって上昇し、センサ出力判定回
路６により所定のCOガス判定レベルに達すると、警報回
路８及び表示回路７を駆動してCOガスの発生を外部に知
らせる。FIG. 3 shows the characteristics when CO gas is generated.
When gas is generated, the sensor output increases, and the heat-up generating circuit 5 operates to heat up the semiconductor sensor 1 in the same manner as when the air base rises. Although the semiconductor sensor 1 is cleaned by this heat-up, the sensor output continues to rise due to the presence of CO gas, and when the sensor output determination circuit 6 reaches a predetermined CO gas determination level, the alarm circuit 8 and the display circuit 7 are activated. Drive to notify the outside of the generation of CO gas.
第４図は更に具体的な特性を示し、現象（Ｉ）はセン
サ１を通常雰囲気中に放置した場合（第２図と同様の状
態）であり、エアベースが経時的に上昇するとヒートア
ップ発生回路５に備えたヒータにバッテリ２より所定時
間（例えば60秒）ヒータ電圧を印加して半導体センサ１
をヒートアップする。このとき打消回路９の動作により
センサ出力判定回路６からはCOガスの検出出力は発生し
ない。FIG. 4 shows more specific characteristics. Phenomenon (I) is a case where the sensor 1 is left in a normal atmosphere (the same state as in FIG. 2). A heater voltage is applied to the heater provided in the circuit 5 from the battery 2 for a predetermined time (for example, 60 seconds) and the semiconductor sensor 1
Heat up. At this time, no detection output of CO gas is generated from the sensor output determination circuit 6 by the operation of the cancellation circuit 9.
また現象（II）はCOガスが発生した場合（第３図と同
様の状態）を示し、このCOガス発生時においてもセンサ
出力の上昇によりヒートアップが行われた後センサ出力
判定回路６によりCOガスの発生が検知される。Phenomenon (II) shows a case where CO gas is generated (the same state as in FIG. 3). Even when this CO gas is generated, the sensor output is increased by the sensor output, and then the sensor output determination circuit 6 turns the CO on. Gas generation is detected.
第５図はCOガスに対する応答特性を示し、ヒートアッ
プにより一時的にセンサ出力が過度応答を示し、打消回
路９により所定時間（例えば１分）応答遅れが生じる
が、その後所定時間（例えば２分）以内に安定レベルに
達する。ここでCOガスの人体に与える影響は温度と時間
により決まり、通常５分以内に応答すれば問題ない。FIG. 5 shows a response characteristic to CO gas, in which the sensor output temporarily shows an excessive response due to heat-up, and a response delay occurs for a predetermined time (for example, 1 minute) by the cancellation circuit 9, and thereafter, a predetermined time (for example, 2 minutes). Reach a stable level within). Here, the influence of CO gas on the human body is determined by the temperature and time, and there is no problem if the response is usually made within 5 minutes.
第６図は半導体センサ１の各種ガスに対する出力特性
を示し、COガスとその他のガス、Ｈ2、EtOHに対する弁
別性も備えている。FIG. 6 shows the output characteristics of the semiconductor sensor 1 with respect to various gases, and the semiconductor sensor 1 is also provided with a discrimination property with respect to CO gas and other gases, H 2 and EtOH.
第７図はセンサ出力の温度特性を示し、０℃の雰囲気
において正常に検知動作することを示している。FIG. 7 shows a temperature characteristic of the sensor output, and shows that a normal detection operation is performed in an atmosphere of 0 ° C.
第８図は経時的安定性を示し、経時的にもエアベース
の上昇及びCOガス感度の低下が生じることなく安定した
動作が得られるのがわかる。FIG. 8 shows the stability over time, and it can be seen that stable operation can be obtained without increasing the air base and decreasing the CO gas sensitivity over time.
第９図は本発明の第２の実施例を示し、図において第
１図と同一部分を同一符号を付記する。第９図ではタイ
マ回路12を設けており、エアベース判定回路４よりの出
力にかかわらず周期的（例えば１日に数回）にヒートア
ップ発生回路５を駆動して半導体センサ１をヒートアッ
プするようにしたものである。FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention, in which the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 9, a timer circuit 12 is provided, and the semiconductor sensor 1 is heated up by driving the heat-up generating circuit 5 periodically (for example, several times a day) regardless of the output from the air-based determination circuit 4. It is like that.
第10図は本発明の第３の実施例を示し、同図において
13は温度補償回路３よりの出力をホールドするホールド
回路であり、そのホールド出力がセンサ出力判定回路６
に入力される。また該ホールド回路13の動作は打消回路
９よりの出力で制御される。またタイマ回路10はエアベ
ース判定回路４が所定判定レベル以上のときに１分〜２
分の短時間で周期的にヒートアップを行うようにセット
される。その他の構成は第１図と同様である。FIG. 10 shows a third embodiment of the present invention.
Reference numeral 13 denotes a hold circuit for holding the output from the temperature compensation circuit 3, and the hold output is used as the sensor output determination circuit 6.
Is input to The operation of the hold circuit 13 is controlled by the output from the cancellation circuit 9. When the air-based determination circuit 4 is at or above a predetermined determination level, the timer circuit 10 operates for one minute to two minutes.
It is set to heat up periodically in a short time of minutes. Other configurations are the same as those in FIG.
以上の構成において、その動作を説明する。第11図は
COガスが存在していないときの特性を示し、第２図の特
性と同様にエアレベルがヒートアップ判定レベルになる
とヒートアップ発生回路５が動作して半導体センサ１を
ヒートアップし、エアベースの安定化を図る。また第12
図はCOガスが存在するときの特性を示し、センサ出力が
上昇し、エアベースが上昇してヒートアップ判定レベル
になるとエアレベル判定回路４の出力よりヒートアップ
発生回路５が動作して半導体センサ１をヒートアップす
る。これによって半導体センサ１がクリーニングされる
が、その後もセンサ出力が上昇し、ヒートアップ後にお
いてもヒートアップ判定レベル以上にあるため、ヒート
アップ発生回路５よりの出力でタイマ回路10が作動し、
１分〜２分程度の短時間で繰り返しヒートアップが行わ
れる。つまり、COガスが雰囲気中に潜在しているときに
は、半導体センサ１に対してヒートアップを繰り返し行
うようにしている。The operation of the above configuration will be described. Figure 11 shows
2 shows the characteristics when no CO gas is present. When the air level reaches the heat-up determination level, the heat-up generating circuit 5 operates to heat up the semiconductor sensor 1 when the air level reaches the heat-up determination level, similar to the characteristics in FIG. Stabilize. Also the twelfth
The figure shows the characteristics when CO gas is present. When the sensor output rises and the air base rises to reach the heat-up determination level, the heat-up generation circuit 5 operates from the output of the air level determination circuit 4 to activate the semiconductor sensor. Heat 1 up. As a result, the semiconductor sensor 1 is cleaned. However, since the sensor output also increases and remains at or above the heat-up determination level even after the heat-up, the timer circuit 10 operates with the output from the heat-up generating circuit 5,
Heat-up is repeatedly performed in a short time of about 1 minute to 2 minutes. That is, when the CO gas is latent in the atmosphere, the semiconductor sensor 1 is repeatedly heated up.
なお、上記第１及び第２の実施例と同様にヒートアッ
プによるセンサ出力の過度応答により、センサ出力がセ
ンサ出力判定回路６のCOガス判定レベルを前後するの
で、打消回路９によりヒートアップによる誤動作を防止
している。Since the sensor output fluctuates around the CO gas determination level of the sensor output determination circuit 6 due to the excessive response of the sensor output due to the heat-up as in the first and second embodiments, a malfunction due to the heat-up by the cancellation circuit 9 is performed. Has been prevented.
またセンサ出力がヒートアップ判定レベルを越えたと
きには、温度補償回路３を通ったヒートアップ直前のセ
ンサ出力がホールド回路13によりホールドされる。そし
て該ホールド出力がセンサ出力判定回路６に入力され、
COガス判定レベル以上になると表示回路７と警報回路８
を駆動してCOガスの発生を外部に知らしめる。When the sensor output exceeds the heat-up determination level, the sensor output immediately before the heat-up through the temperature compensation circuit 3 is held by the hold circuit 13. Then, the hold output is input to the sensor output determination circuit 6,
Display circuit 7 and alarm circuit 8 when the CO gas judgment level is exceeded
To inform the outside of the generation of CO gas.
第13図は更に具体的な特性を示し、現象（Ｉ）が通常
雰囲気中であり、現象（II）がCOガス発生状態を示す。
現象（II）ではCOガス濃度が上昇してセンサ出力がヒー
トアップ判定レベルを越えると１回当り60秒間ヒータ電
圧を印加してヒートアップを行い、これを60秒の周期で
数回繰り返す。またホールド回路13によりヒートアップ
直前の温度補償回路３を介したセンサ出力がホールドさ
れ連続的にセンサ出力を検知し、COガス判定レベル以上
になるとセンサ出力判定回路６より検知出力が発生す
る。FIG. 13 shows more specific characteristics. Phenomenon (I) indicates a normal atmosphere, and phenomenon (II) indicates a state of CO gas generation.
In the phenomenon (II), when the CO gas concentration rises and the sensor output exceeds the heat-up determination level, a heater voltage is applied for 60 seconds each time to perform heat-up, and this is repeated several times in a cycle of 60 seconds. Further, the sensor output via the temperature compensation circuit 3 immediately before the heat-up is held by the hold circuit 13 and the sensor output is continuously detected. When the sensor output exceeds the CO gas determination level, the sensor output determination circuit 6 generates a detection output.
第14図はCOガスに対する応答を示し、ヒートアップに
よるセンサ出力の過度応答があるために、その間１分程
度応答時間に遅れが生じるが、その後２分以内に安定レ
ベルに達する。ここで上述のようにCOガスの人体に与え
る影響を考慮すると、５分以内に応答すれば問題ない。FIG. 14 shows the response to the CO gas, and the response time of the sensor output due to heat-up causes a delay in the response time of about 1 minute, but reaches a stable level within 2 minutes thereafter. Here, considering the effect of the CO gas on the human body as described above, there is no problem if a response is made within 5 minutes.
第15図は第10図の実施例と従来の装置における脱離特
性を示し、それぞれCOガス100ppm中に30分間暴露させた
ものである。なお、脱離とはCOガス排気後からCOガス検
知出力がなくなるまでの作用をいう。同図より、従来の
装置では脱離にCOガス排気後４分程度かかるのに対して
第10図の実施例のものでは約２分で脱離する。FIG. 15 shows the desorption characteristics of the embodiment of FIG. 10 and a conventional apparatus, each of which is exposed to 100 ppm of CO gas for 30 minutes. The desorption refers to an operation from exhaust of the CO gas until the CO gas detection output disappears. As shown in the figure, in the conventional apparatus, desorption takes about 4 minutes after CO gas exhaustion, whereas in the embodiment of FIG. 10, desorption takes about 2 minutes.
上記各実施例において、経時的エアベースの上昇によ
り例えば１日１回の割りでヒートアップが行われたとす
れば、１日当り約0.65mwの消費電力となり、マンガン電
池の単３×４本で約900日の使用が可能となる。従って
携帯用として使用することもできる。また第10図の実施
例ではCOガス発生中においてヒートアップが行われるの
で、脱離速度が速くなる。In each of the above embodiments, if the heat-up is performed once a day, for example, due to the rise of the air base over time, the power consumption is about 0.65 mw per day. Can be used for 900 days. Therefore, it can be used for portable use. Further, in the embodiment shown in FIG. 10, since the heat-up is performed during the generation of the CO gas, the desorption speed is increased.
なお、上記各実施例では半導体センサ１を常温にて使
用したが、通常状態で100℃程度に加熱して使用するよ
うにしてもよい。In each of the above embodiments, the semiconductor sensor 1 is used at normal temperature. However, the semiconductor sensor 1 may be used after being heated to about 100 ° C. in a normal state.
以上説明したように本発明によれば、半導体センサの
出力レベルを判定して加熱を行うようにしているため、
半導体センサの加熱回数を減らしているため、COガスの
検出感度を低下させることなく、消費電力を少なくする
ことができる。As described above, according to the present invention, since the heating is performed by determining the output level of the semiconductor sensor,
Since the number of times of heating the semiconductor sensor is reduced, power consumption can be reduced without lowering the detection sensitivity of the CO gas.
第１図は本発明による装置の実施例を示すブロック図、 第２図及び第３図は第１図の装置における通常時及びCO
ガス発生時のセンサ温度とセンサ出力特性をそれぞれ示
す図、 第４図は第１図の装置における通常時及びCOガス発生時
の具体的特性を示す図、 第５図は第１図の装置におけるCOガス発生時の応答特性
を示す図、 第６図は第１図の装置における各種ガスに対するセンサ
出力特定を示す図、 第７図は第１図の装置における温度に対するセンサ出力
特性を示す図、 第８図は第１図の装置におけるセンサ出力の経時的特定
を示す図、 第９図及び第10図は本発明による装置の他の実施例をそ
れぞれ示すブロック図、 第11図及び第12図は第10図の装置における通常時及びCO
ガス発生時のセンサ温度とセンサ出力特定をそれぞれ示
す図、 第13図は第10図の装置における通常時及びCOガス発生時
の具体的特性を示す図、 第14図は第10図の装置におけるCOガス発生時の応答特性
を示す図、 第15図は第10図の装置と従来の装置における離脱特性を
対比して示す図、 第16図は従来の装置を示す図、 第17図は第16図の装置におけるセンサ温度とセンサ出力
特定を示す図、 第18図は従来の他の装置を示す図、 第19図は第18図の装置におけるセンサ温度とセンサ出力
特性を示す図、 第20図は従来の他の装置を示す図、 第21図は第20図の装置におけるセンサ温度とセンサ出力
特性を示す図である。 １……半導体センサ、３……温度補償回路、４……エア
レベル判定回路、５……ヒートアップ発生回路、６……
センサ出力判定回路、９……打消回路、10,12……タイ
マ回路、13……ホールド回路。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the apparatus according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 show normal and CO2 states in the apparatus of FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a sensor temperature and a sensor output characteristic at the time of gas generation, respectively. FIG. 4 is a diagram showing specific characteristics at the time of normal and CO gas generation in the apparatus of FIG. 1, and FIG. FIG. 6 is a diagram showing response characteristics at the time of generation of CO gas, FIG. 6 is a diagram showing identification of sensor outputs for various gases in the device of FIG. 1, FIG. 7 is a diagram showing sensor output characteristics with respect to temperature in the device of FIG. FIG. 8 is a diagram showing the time-dependent identification of the sensor output in the device of FIG. 1, FIGS. 9 and 10 are block diagrams showing another embodiment of the device according to the present invention, respectively, and FIGS. 11 and 12. Is the normal time and CO
FIG. 13 is a diagram showing the sensor temperature and the sensor output specification at the time of gas generation, FIG. 13 is a diagram showing specific characteristics at the time of normal and CO gas generation in the device of FIG. 10, and FIG. 14 is a diagram of the device of FIG. FIG. 15 shows a response characteristic when CO gas is generated, FIG. 15 shows a comparison between the desorption characteristics of the apparatus of FIG. 10 and a conventional apparatus, FIG. 16 shows a conventional apparatus, and FIG. FIG. 16 is a diagram showing the sensor temperature and sensor output identification in the device of FIG. 16, FIG. 18 is a diagram showing another conventional device, FIG. 19 is a diagram showing the sensor temperature and sensor output characteristics in the device of FIG. FIG. 21 is a diagram showing another conventional device, and FIG. 21 is a diagram showing sensor temperature and sensor output characteristics in the device of FIG. 1 ... Semiconductor sensor, 3 ... Temperature compensation circuit, 4 ... Air level judgment circuit, 5 ... Heat-up generation circuit, 6 ...
Sensor output judgment circuit, 9 ... Canceling circuit, 10,12 ... Timer circuit, 13 ... Hold circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−215959（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−23243（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−17943（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−92846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−113141（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 27/00 - 27/24 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-63-215959 (JP, A) JP-A-59-23243 (JP, A) JP-A-61-17943 (JP, A) JP-A-58-1983 92846 (JP, A) JP-A-60-113141 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G01N 27/00-27/24
Claims (2)
COガスを検知するCOガス検知装置において、 前記センサ出力のレベルを検出する検出手段と、 該検出手段の出力にて動作し前記半導体センサを高温加
熱する加熱手段とを備え、 前記検出手段はセンサ出力が所定レベルになると、前記
加熱手段を動作させるようにした、 ことを特徴とするCOガス検知装置。1. A sensor output from a semiconductor sensor is determined.
A CO gas detection device for detecting CO gas, comprising: a detection unit for detecting a level of the sensor output; and a heating unit that operates at an output of the detection unit and heats the semiconductor sensor at a high temperature, wherein the detection unit is a sensor. When the output reaches a predetermined level, the heating means is operated.
COガスを検知するガス検知装置において、 前記センサ出力のレベルを検出する検出手段と、 前記半導体センサを高温加熱する加熱手段とを備え、 前記検出手段はセンサ出力が所定レベルになると加熱手
段を動作させて半導体センサを高温加熱させると共に、
COガスを検出すると加熱手段を繰り返し動作させて半導
体センサを繰り返し高温加熱させるようにした、 ことを特徴とするCOガス検知装置。2. A sensor output from a semiconductor sensor is determined.
A gas detection device for detecting CO gas, comprising: a detection unit for detecting a level of the sensor output; and a heating unit for heating the semiconductor sensor at a high temperature, wherein the detection unit operates the heating unit when the sensor output reaches a predetermined level. To heat the semiconductor sensor to a high temperature,
A CO gas detection device characterized in that when CO gas is detected, the heating means is repeatedly operated to repeatedly heat the semiconductor sensor to a high temperature.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26209289A JP2881316B2 (en) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | CO gas detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26209289A JP2881316B2 (en) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | CO gas detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123844A JPH03123844A (en) | 1991-05-27 |
| JP2881316B2 true JP2881316B2 (en) | 1999-04-12 |
Family
ID=17370925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26209289A Expired - Lifetime JP2881316B2 (en) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | CO gas detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2881316B2 (en) |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP26209289A patent/JP2881316B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03123844A (en) | 1991-05-27 |
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