JP2879084B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JP2879084B2 JP2879084B2 JP8722590A JP8722590A JP2879084B2 JP 2879084 B2 JP2879084 B2 JP 2879084B2 JP 8722590 A JP8722590 A JP 8722590A JP 8722590 A JP8722590 A JP 8722590A JP 2879084 B2 JP2879084 B2 JP 2879084B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真用感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低
価格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光
材料を用いたものが普及しはじめている。
価格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光
材料を用いたものが普及しはじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾー
ル(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,4,7
−トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移動錯体
型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散
型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合せて用いる機
能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型
の感光体が注目されている。
ル(PVK)に代表される光導電性樹脂、PVK−TNF(2,4,7
−トリニトロフルオレノン)に代表される電荷移動錯体
型、フタロシアニン−バインダーに代表される顔料分散
型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合せて用いる機
能分離型の感光体などが知られており、特に機能分離型
の感光体が注目されている。
この様な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプ
ロセスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら
特性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、ま
た反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有して
いる。
ロセスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による、これら
特性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、ま
た反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有して
いる。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯
電性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸
収する光によって起こることから、光吸収によって発生
した電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時
間が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労に
よる帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光
吸収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操
作をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が
中和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上
昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が
遅れることになり、見かけ上の帯電電位は低くなる。
電性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸
収する光によって起こることから、光吸収によって発生
した電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時
間が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労に
よる帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光
吸収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操
作をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が
中和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上
昇しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が
遅れることになり、見かけ上の帯電電位は低くなる。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341、48−
3544および48−12034号には硝酸セルロース系樹脂中間
層が、特開昭48−47344、52−25638、58−30757、58−6
3945、58−95351、58−98739および60−66258号にはナ
イロン系樹脂中間層が、特開昭49−69332および52−101
38号にはマレイン酸系樹脂中間層が、そして特開昭58−
105155号にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞ
れ開示されている。また、中間層の電気抵抗を制御すべ
く種々の導電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提
案されている。例えば、特開昭51−65942号にはカーボ
ンまたはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間
層が、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添
加してイソイアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層
が、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加した樹
脂中間層が、特開昭58−58556号にはアルミニウムまた
はスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、特開昭58−93
062号には有機金属化合物を添加した樹脂中間層が、特
開昭58−93063、60−97363および60−111255号には導電
性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−8425
7、59−93453および60−32054号にはTiO2とSnO2粉体と
を分散した樹脂中間層が開示されている。
3544および48−12034号には硝酸セルロース系樹脂中間
層が、特開昭48−47344、52−25638、58−30757、58−6
3945、58−95351、58−98739および60−66258号にはナ
イロン系樹脂中間層が、特開昭49−69332および52−101
38号にはマレイン酸系樹脂中間層が、そして特開昭58−
105155号にはポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞ
れ開示されている。また、中間層の電気抵抗を制御すべ
く種々の導電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提
案されている。例えば、特開昭51−65942号にはカーボ
ンまたはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間
層が、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を添
加してイソイアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層
が、特開昭55−1180451号には抵抗調節剤を添加した樹
脂中間層が、特開昭58−58556号にはアルミニウムまた
はスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、特開昭58−93
062号には有機金属化合物を添加した樹脂中間層が、特
開昭58−93063、60−97363および60−111255号には導電
性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−8425
7、59−93453および60−32054号にはTiO2とSnO2粉体と
を分散した樹脂中間層が開示されている。
しかしながら、繰り返し使用による帯電性の低下、と
りわけ帯電々位の立上りの遅れに関しては未だに不充分
であり、より一層の改善が望まれていた。
りわけ帯電々位の立上りの遅れに関しては未だに不充分
であり、より一層の改善が望まれていた。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯
電性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返
し後においても帯電電位の立上りの遅れがなく、暗減衰
の小さな電子写真用感光体を提供することを目的とす
る。
電性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返
し後においても帯電電位の立上りの遅れがなく、暗減衰
の小さな電子写真用感光体を提供することを目的とす
る。
本発明によれば、導電性支持体上に中間層、感光層を
順次設けた電子写真感光体において、中間層はタンタル
酸塩、チタン酸塩及びニオブ酸塩から選ばれた少なくと
も1種の化合物を含有することを特徴とする電子写真感
光体が提供される。
順次設けた電子写真感光体において、中間層はタンタル
酸塩、チタン酸塩及びニオブ酸塩から選ばれた少なくと
も1種の化合物を含有することを特徴とする電子写真感
光体が提供される。
高感度な感光層を有する電子写真感光体はくり返し使
用によって、帯電時の表面電位の立上りの遅れと、暗減
衰を生ずる傾向が非常に強い。
用によって、帯電時の表面電位の立上りの遅れと、暗減
衰を生ずる傾向が非常に強い。
一方、一般に導電性基板と感光層の間に中間層を設け
た場合、とりわけ中間層が樹脂等の絶縁性物質であると
き、残留電位を生じやすい。
た場合、とりわけ中間層が樹脂等の絶縁性物質であると
き、残留電位を生じやすい。
本発明者らは、これらに鑑み導電性基体上に感光層を
設けてなる電子写真感光体において、導電性基板と感光
層の間に、前記金属化合物よりなる中間層を設けること
によって上記問題点が解消されることを見出し、本発明
を完成させるに至った。
設けてなる電子写真感光体において、導電性基板と感光
層の間に、前記金属化合物よりなる中間層を設けること
によって上記問題点が解消されることを見出し、本発明
を完成させるに至った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は、本発明の電子写真感光体の構成例を示す断
面図であり、導電性基体11上に、中間層13、次いで感光
層15を設けた構成を採っている。
面図であり、導電性基体11上に、中間層13、次いで感光
層15を設けた構成を採っている。
第2図では、本発明の別の構成例を示す断面図であ
る。感光層が、電荷発生層17と電荷輸送層19の順に積層
になっている。
る。感光層が、電荷発生層17と電荷輸送層19の順に積層
になっている。
第3図では、更に別の構成例を示す断面図である。感
光層が、電荷輸送層19と電荷発生層17の順に積層になっ
ている。
光層が、電荷輸送層19と電荷発生層17の順に積層になっ
ている。
第4図、第5図、第6図は、更に又、別の構成例を示
す断面図である。それぞれ、第1図、第2図、第3図の
構成の上に、保護層21を設けたものである。
す断面図である。それぞれ、第1図、第2図、第3図の
構成の上に、保護層21を設けたものである。
次に、中間層13について説明する。
中間層13は前記したようにタンタル酸塩、チタン酸塩
及びニウブ酸塩から選ばれた少なくとも1種の化合物を
含有する層である。
及びニウブ酸塩から選ばれた少なくとも1種の化合物を
含有する層である。
タンタル酸塩の例としては、リチウム塩、ナトリウム
塩、カリウム塩、ルビジウム塩、セシウム塩、ストロン
チウム塩、マグネシウム塩等が挙げられる。
塩、カリウム塩、ルビジウム塩、セシウム塩、ストロン
チウム塩、マグネシウム塩等が挙げられる。
チタン酸塩の例としては、カルシウム塩、ストロンチ
ウム塩、バリウム塩、カドミウム塩、鉛塩、マグネシウ
ム塩、リチウム塩、マンガン塩、鉄塩、コバルト塩、ニ
ッケル塩、アルミニウム塩、カリウム塩等が挙げられ
る。
ウム塩、バリウム塩、カドミウム塩、鉛塩、マグネシウ
ム塩、リチウム塩、マンガン塩、鉄塩、コバルト塩、ニ
ッケル塩、アルミニウム塩、カリウム塩等が挙げられ
る。
ニオブ酸塩化合物の例としては、バリウム塩、カリウ
ム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、鉛塩、ストロンチウ
ム塩、ルビジウム塩、セシウム塩、マグネシウム塩等が
挙げられる。
ム塩、リチウム塩、ナトリウム塩、鉛塩、ストロンチウ
ム塩、ルビジウム塩、セシウム塩、マグネシウム塩等が
挙げられる。
かかる中間層は真空薄膜形成法あるいは湿式法によっ
て形成される。
て形成される。
真空薄膜作成法としては、抵抗加熱、イオンビーム加
熱等による真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ート法、MBE、CVD等が挙げられるが、スパッタリング法
が好ましく使用される。
熱等による真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ート法、MBE、CVD等が挙げられるが、スパッタリング法
が好ましく使用される。
湿式法としては、ディッピング法、スプレーコート
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法等が挙げられる。
法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法等が挙げられる。
この場合、塗工液としては、タンタル酸塩、チタン酸
塩又はニオブ酸塩を溶媒に分散し、そのまま用いてもよ
いが、同時に結着剤樹脂を用いてもかまわない。結着剤
樹脂としては、その上に感光層を塗布して設ける場合を
考えると、一般の有機溶媒に対して、耐溶剤性の高い樹
脂が好ましい。このような樹脂しては、ポリビニルアル
コール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶
性樹脂、共重合ナトリウム、アルコキシメチル化ナイロ
ン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂が
挙げられる。
塩又はニオブ酸塩を溶媒に分散し、そのまま用いてもよ
いが、同時に結着剤樹脂を用いてもかまわない。結着剤
樹脂としては、その上に感光層を塗布して設ける場合を
考えると、一般の有機溶媒に対して、耐溶剤性の高い樹
脂が好ましい。このような樹脂しては、ポリビニルアル
コール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶
性樹脂、共重合ナトリウム、アルコキシメチル化ナイロ
ン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂が
挙げられる。
また、中間層の膜厚は100Å〜10μm好まくは500Å〜
5μmである。
5μmである。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010Ωcm以下の導
電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパ
ッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラス
チック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板お
よびそれらをD.I.,I.I.,押出し、引抜き等の工法で素管
化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理した管等を使
用することができる。
電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、ク
ロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパ
ッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラス
チック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板お
よびそれらをD.I.,I.I.,押出し、引抜き等の工法で素管
化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理した管等を使
用することができる。
本発明における感光層15は、単層型でも積層型でもよ
いが、ここでは説明の都合上、先ず積層型について述べ
る。
いが、ここでは説明の都合上、先ず積層型について述べ
る。
電荷発生層17は、電荷発生物質を主成分とする層で、
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。
電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用
いることができる。無機系材料では結晶セレン、アモル
ファス・セレン、セレン−テルル、セルン−テルル−ハ
ロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコ
ン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいて
は、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でタ
ーミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドー
プしたものが良好に用いられる。
いることができる。無機系材料では結晶セレン、アモル
ファス・セレン、セレン−テルル、セルン−テルル−ハ
ロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコ
ン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいて
は、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でタ
ーミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドー
プしたものが良好に用いられる。
一方、有機系材料には、フタロシアニ系顔料、ナフタ
ロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、
キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクア
リック酸系染料、アズレニウム塩系染料、モノアゾ顔
料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等が挙げられ用いら
れる。
ロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ペリノン系顔料、
キナクリドン系顔料、キノン系縮合多環化合物、スクア
リック酸系染料、アズレニウム塩系染料、モノアゾ顔
料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料等が挙げられ用いら
れる。
これら電荷発生物質の中でも、とりわけ次に示す構造
式で表されるジスアゾ又はトリスアゾ顔料が、好ましく
用いられる。
式で表されるジスアゾ又はトリスアゾ顔料が、好ましく
用いられる。
(ただしCpはカップラー残基、以下同様) (ただしRは、水素原子、置換又は非置換のアルキル基
を表わす。) (ただしRは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子を
表わす。) (ただしAは、−NH−、−O−、−S−を表わす。) (ただしnは、1〜5の間の整数を表わす。) これらのカップラー残基Cpとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(11)で表わ
されるものである。
を表わす。) (ただしRは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子を
表わす。) (ただしAは、−NH−、−O−、−S−を表わす。) (ただしnは、1〜5の間の整数を表わす。) これらのカップラー残基Cpとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(11)で表わ
されるものである。
〔上記式(1),(2),(3)および(4)中、X,
Y1,Z,mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。
Y1,Z,mおよびnはそれぞれ以下のものを表わす。
(R1およびR2は水素または置換もしくは無置換のアルキ
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル
基または (R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体、あるいは (但し、R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R6は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、、あるいはR5及びR6はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) Z :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換の
炭化水素基を表わし、Aは芳香族炭化水素の2価または
窒素原子の環内に含む複素環の2価基を表わす(これら
の環は置換されていてもよい)。Xは前記に同じであ
る。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキシ
基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環基ま
たはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。〕 〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水素基
またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(1),(2),(3)または(4)のZ
の炭化水素環としてベンゼン環、ナフタレン環などが例
示でき、また複素環(置換を持っていてもよい)として
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベ
ンゾフラン環などが例示できる。Zの環における置換基
としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示
できる。
ル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアルキル基ま
たは置換もしくは無置換のアリール基を表わす。) Y1:水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ
基、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル
基または (R4は水素、アルキル基またはその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基またはそ
の置換体、複素環基またはその置換体、あるいは (但し、R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基
またはその置換体あるいはスチリル基またはその置換
体、R6は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換
体を表わすか、、あるいはR5及びR6はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形成してもよい。)を示す。) Z :炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換の
炭化水素基を表わし、Aは芳香族炭化水素の2価または
窒素原子の環内に含む複素環の2価基を表わす(これら
の環は置換されていてもよい)。Xは前記に同じであ
る。〕 〔式中、R8はアルキル基、カルバモイル基、カルボキシ
基またはそのエステルを表わし、Ar1は炭化水素環基ま
たはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。〕 〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換も
しくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水素基
またはその置換体を表わす。〕 前記一般式(1),(2),(3)または(4)のZ
の炭化水素環としてベンゼン環、ナフタレン環などが例
示でき、また複素環(置換を持っていてもよい)として
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベ
ンゾフラン環などが例示できる。Zの環における置換基
としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示
できる。
Y2またはR5における炭化水素環基としては、フェニル
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5お
よびR6が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。
基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、ま
た、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリル
基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、さらに、R5お
よびR6が結合して形成する環としては、フルオレン環な
どが例示できる。
Y2またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいはR5
およびR6によって形成される環における置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのスルホ
ン酸塩基などが挙げられる。
およびR6によって形成される環における置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのスルホ
ン酸塩基などが挙げられる。
R4のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R7またはR9における炭化水素基の代表例としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置換
体が例示できる。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置換
体が例示できる。
R7またはR9の炭化水素基における置換基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar1またはAr2における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これ
らの基における置換基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。
ル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、これ
らの基における置換基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキ
シ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基な
どのジアルキルアミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
(2),(5),(6),(7),(8)および(9)
で示されるものであり、この中でも一般式におけるXが
水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般式(1
0) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z,Y2およびR2は前記に同じ。) で表わされるカップラー残基である。
(2),(5),(6),(7),(8)および(9)
で示されるものであり、この中でも一般式におけるXが
水酸基のものが好ましい。また、この中でも一般式(1
0) (Y1およびZは前記に同じ。) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z,Y2およびR2は前記に同じ。) で表わされるカップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一
般式(12)または(13) (Z,R2,R5およびR6は前記に同じであり、またR10として
は上記のY2の置換基が例示できる。) で表わされる。
般式(12)または(13) (Z,R2,R5およびR6は前記に同じであり、またR10として
は上記のY2の置換基が例示できる。) で表わされる。
必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポ
リアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキシ樹
脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、
アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げら
れる。
リアミド、ポリウレタン、ポリエステル、エポキシ樹
脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、
アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げら
れる。
電荷発生層17を形成する方法には、真空薄膜作成法と
溶液分散系からの、キャスティング法とが大きく挙げら
れる。
溶液分散系からの、キャスティング法とが大きく挙げら
れる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イ
オンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパ
ッタリング法、CVD法等が用いられ、電荷発生層17とし
て、上述した無機系材料、有機系材料層が良好に形成で
きる。
オンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパ
ッタリング法、CVD法等が用いられ、電荷発生層17とし
て、上述した無機系材料、有機系材料層が良好に形成で
きる。
また、後者のキャスティング法によって電荷発生層を
設けるには、上述した無機系もしくは有機系電荷発生物
質を、必要ならばバインダー樹脂とともにテトラヒドロ
フラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタ
ン、ブタノン等の溶融を用いたボールミル、アトライタ
ー、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈
して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗
工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行
なうことができる。
設けるには、上述した無機系もしくは有機系電荷発生物
質を、必要ならばバインダー樹脂とともにテトラヒドロ
フラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタ
ン、ブタノン等の溶融を用いたボールミル、アトライタ
ー、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈
して塗布することにより、形成できる。塗布は、浸漬塗
工法やスプレーコート、ビードコート法などを用いて行
なうことができる。
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、0.
01〜5μm程度が適当であり、好ましくは0.05〜2μm
である。
01〜5μm程度が適当であり、好ましくは0.05〜2μm
である。
電荷輸送層19は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。また、必要により可塑剤やレ
ベリング剤等を添加することもできる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。また、必要により可塑剤やレ
ベリング剤等を添加することもできる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とが
ある。
ある。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブ
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ンジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサ
ントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕
チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチ
オフェノン−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質
が挙げられる。
ロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ンジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−
テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサ
ントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕
チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチ
オフェノン−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質
が挙げられる。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電
子供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
子供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
(式中、R1,R2,R3およびR4は水素原子、置換もしく無置
換のアリール基を表わし、Ar1は置換又は無置換のアリ
ール基を表わし、Ar1とR1は共用で環を形成してもよ
く、またnは0又は1の整数である。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハ
ロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R2,R
3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は非置
換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2,R3は
それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、C1〜C4のヒドロキシアルキル基、C1〜C4の
クロルアルキル基、あるいは置換又は非置換のアラルキ
ル基を表わし、またR2とR3は共用で窒素を含む複素環を
形成してもよく、R4,R5はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基又はハロゲン原子を表わす。) (式中、R1は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R2は
置換または非置換の芳香族残基あるいは複素環残基(但
し前記置換基はハロゲン、シアノ、ジ低級アルキルアミ
ノ、置換又は非置換のジアラルキルアミノ基、低級アル
キル基、低級アルコキシ基及びニトロ基よりなる群から
選ばれる。)を表わす。) (式中、R1,R3は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わし、
R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nは0又は1を
表わす。) (式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル
基、インドリル基又はフリル基落、あるいはそれぞれ置
換または非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基
又はアントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルア
ミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群か
ら選ばれる)を表わす。) (式中、R1,R2,R3は同一でも異なっていてもよく、水素
原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす。) (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低級
アルキル基を表わし、Arは (ただし、R2,R3,R6は水素原子、置換又は無置換の低級
アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル基を表わ
し、R4,R5は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミノ基
を表わす。)を表わす。) (式中、R1,R2,R3,R4,R6は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、置換又は無置換のジ
低級アルキルアミノ基又はジベンジルアミノ基を表わ
し、R5は低級アルキル基又はベンジル基を表わす。) (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリル
基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキル
基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロロエチル
基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子又は
ハロゲン原子を表わし、R3は低級アルキル基、ジ低級ア
ルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は無置換
のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳香環又
はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等)、置
換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環、キノ
キサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、
置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環
残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセ
ン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリ
ジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わ
す。) (式中、R1,R2は同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル、クロル
低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシル基、
アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あるいは
置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) (式中、R1,R3及びR4は水素原子、アミノ基、アルコキ
シ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレン
ジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲ
ン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、R2は水
素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル
基又はハロゲンを表わす。但し、R1,R2,R3およびR4がす
べて水素原子である場合は除く。またk,l,m及びnは1,
2,3又は4の整数であり、各々が2,3又は4の整数の時は
前記R1,R2,R3およびR4は同一でも異なっていてもよい。
換のアリール基を表わし、Ar1は置換又は無置換のアリ
ール基を表わし、Ar1とR1は共用で環を形成してもよ
く、またnは0又は1の整数である。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハ
ロゲン原子を表わし、nは0〜4の整数を表わし、R2,R
3は同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す。) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は非置
換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R2,R3は
それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、C1〜C4のヒドロキシアルキル基、C1〜C4の
クロルアルキル基、あるいは置換又は非置換のアラルキ
ル基を表わし、またR2とR3は共用で窒素を含む複素環を
形成してもよく、R4,R5はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基又はハロゲン原子を表わす。) (式中、R1は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R2は
置換または非置換の芳香族残基あるいは複素環残基(但
し前記置換基はハロゲン、シアノ、ジ低級アルキルアミ
ノ、置換又は非置換のジアラルキルアミノ基、低級アル
キル基、低級アルコキシ基及びニトロ基よりなる群から
選ばれる。)を表わす。) (式中、R1,R3は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わし、
R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nは0又は1を
表わす。) (式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル
基、インドリル基又はフリル基落、あるいはそれぞれ置
換または非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基
又はアントリル基(但し前記置換基はジ低級アルキルア
ミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からなる群か
ら選ばれる)を表わす。) (式中、R1,R2,R3は同一でも異なっていてもよく、水素
原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす。) (式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低級
アルキル基を表わし、Arは (ただし、R2,R3,R6は水素原子、置換又は無置換の低級
アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル基を表わ
し、R4,R5は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アルキルアミノ基
を表わす。)を表わす。) (式中、R1,R2,R3,R4,R6は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、置換又は無置換のジ
低級アルキルアミノ基又はジベンジルアミノ基を表わ
し、R5は低級アルキル基又はベンジル基を表わす。) (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環、スチリル
基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基又はベ
ンジル基を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキル
基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす。) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロロエチル
基又はヒドロキシエチル基を表わし、R2は水素原子又は
ハロゲン原子を表わし、R3は低級アルキル基、ジ低級ア
ルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置換又は無置換
のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残基(芳香環又
はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等)、置
換又は無置換の複素環残基(複素環はピリジン環、キノ
キサリン環、カルバゾール環等)を表わす。) (式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、
置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環
残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセ
ン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環はピリ
ジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わ
す。) (式中、R1,R2は同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル、クロル
低級アルキル基、アルキルの炭素数1〜2のアシル基、
アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、あるいは
置換又は非置換のアラルキル基を表わす。) (式中、R1,R3及びR4は水素原子、アミノ基、アルコキ
シ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレン
ジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲ
ン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、R2は水
素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル
基又はハロゲンを表わす。但し、R1,R2,R3およびR4がす
べて水素原子である場合は除く。またk,l,m及びnは1,
2,3又は4の整数であり、各々が2,3又は4の整数の時は
前記R1,R2,R3およびR4は同一でも異なっていてもよい。
A−CH2CH2−Ar1−CH2CH2−A (式中、Ar1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基
または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN
−置換カルバゾリル基または (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して
用いられる。
または複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN
−置換カルバゾリル基または (ただし、Ar2は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素
基または複素環基であり、R1及びR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である。)を表わす。) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して
用いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレンアク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性また
は熱硬化性樹脂が挙げられる。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステ
ル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレ
ート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セ
ルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、
ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹
脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性また
は熱硬化性樹脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ト
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。
ルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メ
チレンなどが用いられる。
電荷輸送層19の厚さは5〜100μm程度が適当であ
る。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑剤やレ
ベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチ
ルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の
可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、
その使用量は、バインダー樹脂に対して0〜30重量%程
度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリ
コーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの
シリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基
を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その
使用量はバインダー樹脂に対して、0〜1重量%程度が
適当である。
る。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑剤やレ
ベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチ
ルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の
可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、
その使用量は、バインダー樹脂に対して0〜30重量%程
度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリ
コーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの
シリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基
を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その
使用量はバインダー樹脂に対して、0〜1重量%程度が
適当である。
次に、感光層15が単層構成の場合について述べる。
無機感光層は、上述したアモルファス・セレン、セレ
ン合金、アモルファス・シリコン感光層等をこれも上述
した真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティ
ング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、
CVD法等の真空薄膜形成法で設けることができる。ま
た、これらの無機物質層を二層以上積層した感光体も本
発明の範疇に属するものである。
ン合金、アモルファス・シリコン感光層等をこれも上述
した真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティ
ング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、
CVD法等の真空薄膜形成法で設けることができる。ま
た、これらの無機物質層を二層以上積層した感光体も本
発明の範疇に属するものである。
キャスティング法で、単層感光層を設ける場合、多く
は電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能分離型のも
のが挙げられる。即ち、電荷発生物質ならびに電荷輸送
物質には前出の材料を用いることができる。
は電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能分離型のも
のが挙げられる。即ち、電荷発生物質ならびに電荷輸送
物質には前出の材料を用いることができる。
単層感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質およ
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必
要により、可塑剤やレベリング剤等を添加することもで
きる。
びバインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、こ
れを塗布、乾燥することによって形成できる。また、必
要により、可塑剤やレベリング剤等を添加することもで
きる。
バインダー樹脂としては、先に電荷輸送層19で挙げた
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層17
で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層17
で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。
単層感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質およびバ
インダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジク
ロルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて、分散
機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコー
ト、ビートコートなどで塗工して形成できる。
インダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジク
ロルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて、分散
機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコー
ト、ビートコートなどで塗工して形成できる。
ピリリウム系染料、ビスフェノールA系ポリカーボネ
ートから形成される共晶錯体に電荷輸送物質を添加した
感光体も、適当な塗工液から同様な塗工法で形成でき
る。
ートから形成される共晶錯体に電荷輸送物質を添加した
感光体も、適当な塗工液から同様な塗工法で形成でき
る。
単層感光層の膜厚は、5〜100μm程度が適当であ
る。
る。
なお、本発明において感光層の上にさらに保護層21を
設けることも可能である。
設けることも可能である。
保護層21は感光体の表面保護の目的で設けられ、これ
に使用される材料としてはABS樹脂、ACS樹脂、オレフィ
ン〜ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、ア
リル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリル
スルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ア
クリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、
AS樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.5
〜10μm程度が適当である。
に使用される材料としてはABS樹脂、ACS樹脂、オレフィ
ン〜ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、ア
リル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミ
ド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリル
スルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ア
クリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、
AS樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.5
〜10μm程度が適当である。
本発明においては、感光層と保護層の間に別の中間層
(図示せず)を設けることも可能である。
(図示せず)を設けることも可能である。
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、と
りわけ、感光低下、残留電位の上昇を防止する目的で、
酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有
機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸
送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
りわけ、感光低下、残留電位の上昇を防止する目的で、
酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有
機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸
送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
本発明に用いることができる酸化防止剤として下記の
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
モノフェノール系 2,6−ジ−t−ブチル−P−クレゾール、ブチル化ヒ
ドロキシアニゾール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチ
ルフェノール、スチアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなど。
ドロキシアニゾール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチ
ルフェノール、スチアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなど。
ビスフェノール系化合物 2,2′−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、2,2′−メチレン−ビス−(4−エ
チル−6−t−ブチルフェノール)、4,4′−チオビス
−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4′
−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェ
ノール)など。
チルフェノール)、2,2′−メチレン−ビス−(4−エ
チル−6−t−ブチルフェノール)、4,4′−チオビス
−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4′
−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェ
ノール)など。
高分子型フェノール系化合物 1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5
−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−
2,4,6−トリス(3.5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキベ
ンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−
(3′,5′−ジ−t−ブチル−4′−ヒドロキシフェニ
ル)プロピオネート]メタン、ビス[3,3′−ビス
(4′−ヒドロキシ−3′−t−ブチルフェニル)ブチ
リックアシッド]グリコールエステル、トコフェノール
類など。
−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−
2,4,6−トリス(3.5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキベ
ンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−
(3′,5′−ジ−t−ブチル−4′−ヒドロキシフェニ
ル)プロピオネート]メタン、ビス[3,3′−ビス
(4′−ヒドロキシ−3′−t−ブチルフェニル)ブチ
リックアシッド]グリコールエステル、トコフェノール
類など。
パラフェニレンジアミン類 N−フェニル−N′−イソプロビル−p−フェニレン
ジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジ
アミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニ
レンジアミン、N,N′−ジイソプロピル−p−フェニレ
ンジアミン、N,N′−ジメチル−N,N′−ジ−t−ブチル
−p−フェニレンジアミンなど。
ジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジ
アミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニ
レンジアミン、N,N′−ジイソプロピル−p−フェニレ
ンジアミン、N,N′−ジメチル−N,N′−ジ−t−ブチル
−p−フェニレンジアミンなど。
ハイドロキノン類 2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデ
シルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2
−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オク
チル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデ
セニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
シルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2
−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オク
チル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデ
セニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
有機硫黄化合物類 ジラウリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシ
ル−3,3′−チオジプロピオネートなど。
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシ
ル−3,3′−チオジプロピオネートなど。
有機隣化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホ
スフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリ
クレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィンなど。
スフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリ
クレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキ
シ)ホスフィンなど。
これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸
化防止剤として知られており、市販品を容易に入手でき
る。
化防止剤として知られており、市販品を容易に入手でき
る。
本発明における酸化防止剤の添加量は電荷輸送物質10
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは、2〜30
重量部である。
0重量部に対して0.1〜100重量部、好ましくは、2〜30
重量部である。
次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例によって限定されるものでは
ない。尚、実施例中に使用する部はすべて重量部を表わ
す。
が、本発明は以下の実施例によって限定されるものでは
ない。尚、実施例中に使用する部はすべて重量部を表わ
す。
実施例1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、
電荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
フィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、
電荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
タンタル酸リチウムをスパッタリングにより製膜し
た。
た。
下記構造式の電荷発生物質 5部 ポリビニルブチラール樹脂(電気化学工業(株)製:
デンカブラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 200部 シクロヘキサン 150部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
デンカブラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 200部 シクロヘキサン 150部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
水溶性ポリビニルブチラールの25%水溶液(積水化学
工業(株)製 エスレックW−201) 50部 水 150部 メタノール 200部 タンタル酸ナトリウム 50部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 100部 2−ブタノン 70部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層
塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して
各々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層および18μ
mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
工業(株)製 エスレックW−201) 50部 水 150部 メタノール 200部 タンタル酸ナトリウム 50部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 100部 2−ブタノン 70部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層
塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して
各々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層および18μ
mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
タンタル液カリウム 10 部 ポリエステル(東洋紡績(株)バイロン200) 1 部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部 2−ブタノン 100 部 4−メチル−2−ペンタノン 70 部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部 ポリビニルブチラール(UCC社 XYHL) 3部 シクロヘキサノン 100部 テトラヒドロフラン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトL
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例4 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例4 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
タンタル酸ルビジウムをスパッタリングより製膜し
た。
た。
ヒ素セレンを真空蒸着法により製膜した。
下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例5 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例5 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ポリビニルアルコール(電気化学工業(株)製デンカ
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 タンタル酸セシウム 4部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 5部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 1部 シクロヘキサノン 500部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例6 実施例4の同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々5Åの中間層、
24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 タンタル酸セシウム 4部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 5部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 1部 シクロヘキサノン 500部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例6 実施例4の同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々5Åの中間層、
24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
タンタル酸ストロンチウムをスパッタリングより製膜
した。
した。
下記構造式の電荷輸送物質 8部 ポリアリレート(ユニチカ(株)製 U−100) 10部 テトラヒドロフラン 82部 〔電荷発生送層〕 τ型チタニルフタロシアニンを真空蒸着法により製膜
した。
した。
実施例7 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗装工
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
タンタル酸マグネシウム 5部 アルコール可溶性ナイロン(東レ:CM−8000) 7部 メタノール 200部 ブタノール 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(三菱瓦斯化学(株)製ポリカーボ
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 100部 4−メチル−2−ペンタノン 0.2部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例1 実施例1において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 100部 4−メチル−2−ペンタノン 0.2部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例1 実施例1において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例2 実施例2において、中間層のタンタル酸ナトリウムを
用いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光
体を作成した。
用いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光
体を作成した。
比較例3 実施例3において、中間層にタンタル酸カリウムを用
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
比較例4 実施例4において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例5 実施例5において、中間層にタンタル酸セシウムを用
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
比較例6 実施例6において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例7 実施例7において、中間層にタンタル酸マグネシウム
を用いない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
を用いない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
以上の各感光体の特性を、静電複写試験装置(川口電
気製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
気製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
まず、−6.0KV(もしくは)+6.0KVの放電々圧にて、
コロナ帯電を20秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電位が−800Vもしくは+800Vになったところで5luxのタ
ングステン光を照射した。
コロナ帯電を20秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電位が−800Vもしくは+800Vになったところで5luxのタ
ングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒および20秒の表面電位V
1(V)、V20(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)を測定した。
1(V)、V20(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)を測定した。
更に、この感光体に色温度2856゜Kのタングステン光
を10000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と
同様にしてV1、V20、E400を測定した。評価結果を表−
1に示す。
を10000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と
同様にしてV1、V20、E400を測定した。評価結果を表−
1に示す。
実施例8 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレタレートフ
ィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、電
荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中間
層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、電
荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中間
層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
チタン酸ストロンチウムをスパッタリングにより製膜
した。
した。
下記構造式の電荷発生物質 2部 ポリビニルブチラール樹脂(電気化学工業(株)製:
デンカブチラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 150部 シクロヘキサン 50部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例9 実施例8と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
デンカブチラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 150部 シクロヘキサン 50部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例9 実施例8と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
水溶性ポリビニルブチラールの25%水溶液(積水化学
工業(株)製エスレックW−201) 50部 水 150部 メタノール 200部 チタン酸マグネシウム 100部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 5部 シクロヘキサノン 70部 2−ブタノン 30部 〔電荷輸送層塗装工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して各
々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層および18μm
の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。
工業(株)製エスレックW−201) 50部 水 150部 メタノール 200部 チタン酸マグネシウム 100部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 5部 シクロヘキサノン 70部 2−ブタノン 30部 〔電荷輸送層塗装工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して各
々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層および18μm
の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。
チタン酸リチウム 10部 ポリエステル(東洋紡績(株)バイロン200) 1部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部 2−ブタノン 100部 4−メチル−2−ペンタノン 70部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 5部 ポリビニルブチラール(UCC社 XYHL) 2部 シクロヘキサノン 150部 テトラヒドロフラン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトL
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例11 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例11 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
チタン酸マンガンをスパッタリングより製膜した。
ヒ素セレンを真空蒸着法により製膜した。
下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例12 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例12 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ポリビニルアルコール(電気化学工業(株)製デンカ
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 チタン酸カルシウム 6部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 2部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 4部 シクロヘキサノン 400部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例13 実施例11と同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々500Åの中間
層、24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 チタン酸カルシウム 6部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 2部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 4部 シクロヘキサノン 400部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例13 実施例11と同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々500Åの中間
層、24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
チタン酸バリウムをスパッタリングより製膜した。
下記構造式の電荷輸送物質 8部 ポリアリレート(ユニチカ(株)製 U−100) 10部 テトラヒドロフラン 82部 〔電荷発生層〕 無金属フタロシアニンを真空蒸着法により製膜した。
実施例14 実施例11と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
チタン酸ニッケル 5部 アルコール可溶性ナイロン(東レ:CM−8000) 1部 メタノール 100部 ブタノール 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(三菱瓦斯化学(株)製ポリカーボ
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 200部 4−メチル−2−ペンタノン 100部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例8 実施例8において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較の電子写真感光体を作成した。
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 200部 4−メチル−2−ペンタノン 100部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例8 実施例8において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較の電子写真感光体を作成した。
比較例9 実施例9において、中間層のチタン酸マグネシウムを
用いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光
体を作成した。
用いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光
体を作成した。
比較例10 実施例10において、中間層にチタン酸リチウムを用い
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
比較例11 実施例11において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例12 実施例12において、中間層にチタン酸カルシウムを用
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
いない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体
を作成した。
比較例13 実施例13において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例14 実施例14において、中間層にチタン酸ニッケルを用い
ない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を作成し
た。
ない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を作成し
た。
以上の各感光体の特性を、静電複写試験装置(川口電
機製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
機製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
まず、−5.8KV(もしくは)+5.6KVの放電々圧にて、
コロナ帯電を15秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電域が−800Vもしくは+800Vになったところで4.5luxの
タングステン光を照射した。
コロナ帯電を15秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電域が−800Vもしくは+800Vになったところで4.5luxの
タングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒および15秒の表面電位V
1(V)、V15(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)を測定した。
1(V)、V15(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)を測定した。
更に、この感光体に色温度2856゜Kのタングステン光
を8000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と同
様にしてV1、V15、E400を測定した。評価結果を表−2
に示す。
を8000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と同
様にしてV1、V15、E400を測定した。評価結果を表−2
に示す。
実施例15 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、
電荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
フィルム上に、下記組成の中間層、電荷発生層塗工液、
電荷輸送層塗工液を順次、積層して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ニオブ酸バリウムをスパッタリングにより製膜した。
下記構造式の電荷発生物質 5部 ポリビニルブチラール樹脂(電気化学工業(株)製:
デンカブチラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 200部 シクロヘキサン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例16 実施例15と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層の形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
デンカブチラール#4000−1) 2部 シクロヘキサノン 200部 シクロヘキサン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 7部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトC
−1400) 10部 塩化メチレン 80部 実施例16 実施例15と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を、順次
塗布・乾燥して各々0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発
生層および20μmの電荷輸送層の形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
水溶性ポリビニルブチラールの25%水溶液(積水化学
工業(株)製 エスレックW201) 50部 水 150部 メタノール 200部 ニオブ酸カリウム 75部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 250部 2−ブタノン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例17 ハステロイ誘導層を設けたポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層
塗工液及び電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して各
々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層覆および18μ
mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
工業(株)製 エスレックW201) 50部 水 150部 メタノール 200部 ニオブ酸カリウム 75部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部 シクロヘキサノン 250部 2−ブタノン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(GE社製レキサン−141) 10部 塩化メチレン 100部 実施例17 ハステロイ誘導層を設けたポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層
塗工液及び電荷輸送層塗工液を順次、塗布・乾燥して各
々2μmの中間層、0.3μmの電荷発生層覆および18μ
mの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作
成した。
ニオブ酸リチウム 10 部 ポリエステル(東洋紡績(株)バイロン200) 1 部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部 2−ブタノン 100 部 4−メチル−2−ペンタノン 70 部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 4部 ポリビニルブチラール(UCC社 XYHL) 2部 シクロヘキサノン 200部 テトラヒドロフラン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトL
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例18 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
−1250) 10部 テトラヒドロフラン 81部 実施例18 厚さ0.2mmのアルミニウム板上に、下記組成の中間
層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層し、各々0.1μ
mの中間層、1μmの電荷発生層、17μmの電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ニオブ酸ナトリウムをスパッタリングより製膜した。
ヒ素セレンを真空蒸着法により製膜した。
下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例19 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
−1300) 10部 テトラヒドロフラン 75部 実施例19 厚さ0.1mmの電鋳ニッケル板上に、下記組成の中間層
塗工液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布・乾燥して、各々0.3μmの中
間層、0.2μmの電荷発生層、18μmの電荷輸送層およ
び3μmの保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ポリビニルアルコール(電気化学工業(株)製デンカ
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 ニオブ酸鉛 6部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 3部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 1部 シクロヘキサノン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例20 実施例18と同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々500Åの中間
層、24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ポバールH−20) 2部 水 100部 メタノール 100部 ニオブ酸鉛 6部 〔電荷発生層塗工液〕 β型銅フタロシアニン 3部 ポリサルホン(日産化学:P−1700) 1部 シクロヘキサノン 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 9部 ポリカーボネート(帝人化成(株)製 パンライトK
−1300) 10部 塩化メチレン 80部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜3−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン共重合体 80部 酸化錫 80部 トルエン 170部 2−ブタノン 100部 実施例20 実施例18と同じ支持体上に、下記組成の中間層、電荷
輸送層、電荷発生層を順次積層し、各々500Åの中間
層、24μmの電荷輸送層、0.5μmの電荷発生層を形成
し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ニオブ酸ストロンチウムをスパッタリングより製膜し
た。
た。
下記構造式の電荷輸送物質 8部 ポリアリレート(ユニチカ(株)製 U−100) 10部 テトラヒドロフラン 82部 〔電荷発生送層〕 銅フタロシアニンクロライドを真空蒸着法により製膜
した。
した。
実施例21 実施例18と同じ支持体上に、下記組成の中間層塗工
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
液、電荷輸送層塗工液、電荷発生層塗工液および保護層
塗工液を順次、塗布・乾燥して各々1μmの中間層、20
μmの電荷輸送層、0.3μmの電荷発生層、5μmの保
護層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
ニオブ酸マグネシウム 3部 アルコール可溶性ナイロン(東レ:CM−8000) 7部 メタノール 300部 ブタノール 100部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部 ポリカーボネート(三菱瓦斯化学(株)製ポリカーボ
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部 シクロヘキサノン 130部 4−メチル−2−ペンタノン 70部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例15 実施例15において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
ネートZ) 12部 塩化メチレン 70部 1,2−ジクロロエタン 30部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部 シクロヘキサノン 130部 4−メチル−2−ペンタノン 70部 〔保護層塗工液〕 スチレン〜メチルメタクリレート〜2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート〜トリフロロエチルメタクリレート
共重合体 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部 n−ブタノール 60部 比較例15 実施例15において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例16 実施例16において、中間層にニオブ酸カリウムを用い
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
比較例17 実施例17において、中間層にニオブ酸リチウムを用い
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
ない以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を
作成した。
比較例18 実施例18において、中間層設けない以外はすべて同様
にして比較例の電子写真感光体を作成した。
にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例19 実施例19において、中間層にニオブ酸亜鉛を用いない
以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を作成
した。
以外はすべて同様にして比較例の電子写真感光体を作成
した。
比較例20 実施例20において、中間層を設けない以外はすべて同
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
様にして比較例の電子写真感光体を作成した。
比較例21 実施例21において、中間層にニオブ酸マグネシウムを
用いない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を作
成した。
用いない以外は同様にして比較例の電子写真感光体を作
成した。
以上の各感光体の特性を、静電複写試験装置(川口電
機製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
機製作所製SP−428型)を用いて次のように評価した。
まず、−5.5KV(もしくは)+6.0KVの放電々圧にて、
コロナ帯電を20秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電位が−800Vもしくは+800Vになったところで5luxのタ
ングステン光を照射した。
コロナ帯電を20秒間行ない、次いで、暗減衰させて表面
電位が−800Vもしくは+800Vになったところで5luxのタ
ングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒および20秒の表面電位V
2(V)、V20(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)測定した。
2(V)、V20(V)または光照射の際、表面電位が−40
0Vもしくは+400Vになるのに必要な露光量E400(lux・s
ec)測定した。
更に、この感光体に色温度2856゜Kのタングステン光
を13000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と
同様にしてV2、V20、E400を測定した。評価結果を表−
3に示す。
を13000lux・sec照射して光疲労させた後、再び前記と
同様にしてV2、V20、E400を測定した。評価結果を表−
3に示す。
〔発明の効果〕 本発明によれば、感光体のくり返し使用後の帯電特性
の劣化を防ぐことが可能となる。
の劣化を防ぐことが可能となる。
すなわち、複写機、プリンター等の画像濃度低下、画
像濃度ムラ、カブリあるいは、反転現像時においては、
地肌汚れのない良好な画像を得ることができる。
像濃度ムラ、カブリあるいは、反転現像時においては、
地肌汚れのない良好な画像を得ることができる。
第1図〜第6図は本発明に係る電子写真感光体の模式断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】導電性支持体上に中間層、感光層を順次設
けた電子写真感光体において、中間層はタンタル酸塩、
チタン酸塩及びニオブ酸塩から選ばれた少なくとも1種
の化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP8722590A JP2879084B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8722590A JP2879084B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03284759A JPH03284759A (ja) | 1991-12-16 |
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Family
ID=13908937
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8722590A Expired - Fee Related JP2879084B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 電子写真感光体 |
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3367168A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US10152002B2 (en) | 2017-02-28 | 2018-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
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JP2734365B2 (ja) * | 1994-02-14 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 電子写真感光体 |
JP6918663B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-08-11 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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JP2020067635A (ja) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8722590A patent/JP2879084B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
EP3367168A1 (en) | 2017-02-28 | 2018-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US10152002B2 (en) | 2017-02-28 | 2018-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US10216105B2 (en) | 2017-02-28 | 2019-02-26 | Canon Kabushiki Kaisa | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
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JPH03284759A (ja) | 1991-12-16 |
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