JP2878468B2 - Plasma generation method and apparatus for long thin plate - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コイルから払い出され
る金属ストリップ等の長尺薄板を連続的にプラズマエッ
チングするのに適したプラズマ発生方法及び装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma generating method and apparatus suitable for continuously plasma-etching a long thin plate such as a metal strip discharged from a coil.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属をエッチングする方法として、従来
の化学エッチング，電解エッチング等に代わえてプラズ
マエッチングを採用することが検討されている。このプ
ラズマエッチングに使用されるプラズマを発生させるた
め、直流放電，高周波放電，マイクロ波放電等が従来か
ら使用されている。2. Description of the Related Art As a method for etching a metal, the use of plasma etching instead of conventional chemical etching, electrolytic etching or the like has been studied. DC discharge, high frequency discharge, microwave discharge and the like have been conventionally used to generate the plasma used for the plasma etching.
【０００３】高周波放電を使用するとき、被エッチング
物が大きなものになるに従って、エッチング速度が低下
する。また、高周波発生装置やマイクロ波発生装置は、
大型になるほど設備費が高くなる。そのため、長尺の薄
板のように大型部材を対象とするエッチングにあって
は、直流放電により発生させたプラズマが使用されてい
る。When a high frequency discharge is used, the etching rate decreases as the object to be etched becomes larger. In addition, high frequency generators and microwave generators
The larger the size, the higher the equipment cost. Therefore, plasma generated by DC discharge is used in etching for a large member such as a long thin plate.
【０００４】直流波放電によってプラズマを発生させる
とき、通常は、被エッチング物にのみ負の電圧を印加
し、被エッチング物にプラズマを集中させることによ
り、エッチングの効率を上昇させる。この場合、プラズ
マ発生空間に磁界を加えマグネトロン放電等を併用する
ことによって、プラズマ密度を高くし、エッチング速度
を向上させることも知られている（１９９０年１１月２
６日 産業技術サービスセンター発行「実用真空技術総
覧」第６２１頁）。[0004] When a plasma is generated by DC wave discharge, a negative voltage is usually applied only to the object to be etched, and the plasma is concentrated on the object to be etched, thereby increasing the etching efficiency. In this case, it is also known that the plasma density is increased and the etching rate is improved by using a magnetron discharge or the like by applying a magnetic field to the plasma generation space (November 2, 1990).
6th Industrial Technology Service Center, “Practical Vacuum Technology Overview”, p. 621).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】コイルから払い出され
る金属ストリップのような長尺の薄板をエッチングする
場合、長尺の薄板がロール等の装置構成物に接触して搬
送される。そのため、長尺の薄板のみに負の電圧を印加
することが困難である。仮に、負の電圧を印加すること
ができたとしても、ロール等に対する絶縁が必要とされ
るため、装置構成が複雑になり、設備費の負担が増大す
る。また、真空槽の外面にも数百Ｖ以上の高電圧が印加
されることから、安全上にも問題がある。When etching a long thin plate such as a metal strip discharged from a coil, the long thin plate is conveyed in contact with an apparatus component such as a roll. Therefore, it is difficult to apply a negative voltage only to a long thin plate. Even if a negative voltage can be applied, since insulation against rolls and the like is required, the configuration of the apparatus becomes complicated, and the burden on equipment costs increases. Further, since a high voltage of several hundred volts or more is applied to the outer surface of the vacuum chamber, there is a problem in safety.
【０００６】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、プラズマ発生空間を長尺薄板の表
面近傍に絞り込むと共に、プラズマ発生機構側を長尺薄
板から絶縁することにより、電力及び原料ガスの消費量
を少なくし、高速度で且つ安全に長尺薄板をエッチング
することを目的とする。The present invention has been devised in order to solve such a problem. The plasma generation space is narrowed to the vicinity of the surface of the long thin plate, and the plasma generating mechanism side is insulated from the long thin plate. It is an object of the present invention to reduce the consumption of electric power and raw material gas and to etch a long thin plate at high speed and safely.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ発生方
法は、その目的を達成するため、大地電位に維持された
長尺薄板を連続的に走行させ、前記長尺薄板の走行方向
に対し平行に配置された正電極と前記長尺薄板の表面と
の間のプラズマ発生空間を絶縁箱で取り囲み、大地から
絶縁された磁界発生手段によって前記プラズマ発生空間
に前記走行方向と平行な磁界を発生させながら、Ａｒガ
スを前記プラズマ発生空間に導入することを特徴とす
る。According to the plasma generating method of the present invention, in order to achieve the object, a long thin plate maintained at the ground potential is continuously run, and is parallel to the running direction of the long thin plate. A plasma generation space between the positive electrode disposed on the surface of the long thin plate is surrounded by an insulating box, and a magnetic field parallel to the traveling direction is generated in the plasma generation space by magnetic field generating means insulated from the ground. While introducing Ar gas into the plasma generation space.
【０００８】また、プラズマ発生装置は、大地電位に維
持された長尺薄板の表面にプラズマ発生空間を介して対
向する正電極と、前記長尺薄板と前記正電極との間の前
記プラズマ発生空間を取り囲む絶縁箱と、前記プラズマ
発生空間に原料ガスを導入するガス供給手段と、前記長
尺薄板の走行方向と平行な磁界を前記長尺薄板と前記正
電極との間の前記プラズマ発生空間に加える磁界発生手
段とを備えており、該磁界発生手段は、大地から絶縁さ
れた状態に保たれていることを特徴とする。Further, the plasma generating apparatus comprises: a positive electrode facing a surface of a long thin plate maintained at ground potential via a plasma generating space; and a plasma generating space between the long thin plate and the positive electrode. An insulating box surrounding the plasma generating space, a gas supply means for introducing a source gas into the plasma generating space, and a magnetic field parallel to a running direction of the long thin plate is applied to the plasma generating space between the long thin plate and the positive electrode. And a magnetic field generating means for applying the magnetic field, wherein the magnetic field generating means is kept insulated from the ground.
【０００９】ここで、正電極は、長尺薄板の両面に対向
して配置することができる。また、長尺薄板の走行方向
に沿ってプラズマ発生装置を多段に配置しても良い。多
段に配置するとき、最上段のプラズマ発生装置の入側及
び最下段プラズマ発生装置の出側に、それぞれのプラズ
マ発生装置の内部とは反対方向の磁界を発生させる磁界
発生手段が設けるとき、プラズマの漏洩が防止される。[0009] Here, the positive electrode can be arranged to face both sides of the long thin plate. Further, the plasma generators may be arranged in multiple stages along the running direction of the long thin plate. When arranged in multiple stages, when the magnetic field generating means for generating a magnetic field in the opposite direction to the inside of each plasma generator is provided on the inlet side of the uppermost plasma generator and the outlet side of the lowermost plasma generator, the plasma Leakage is prevented.
【００１０】このプラズマ発生装置をたとえば鋼板の表
面処理ラインに組み込むとき、プラズマ発生装置が設置
された真空槽及びその構成物が大地から絶縁することが
好ましい。When this plasma generator is incorporated into, for example, a steel sheet surface treatment line, it is preferable that the vacuum chamber in which the plasma generator is installed and its components be insulated from the ground.
【００１１】以下、図面を参照しながら、本発明を具体
的に説明する。本発明のプラズマ発生装置は、たとえば
図１の（ａ）及び（ｂ）に示すように大地から絶縁され
た絶縁箱１０を、接地された金属ストリップ等の長尺薄
板Ｓに対向させている。絶縁箱１０には正電極１１が内
蔵されており、正電極１１と長尺薄板Ｓとの間のプラズ
マ発生空間１２が絶縁箱１０の器壁で取り囲まれてい
る。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the plasma generator of the present invention, for example, as shown in FIGS. 1A and 1B, an insulating box 10 insulated from the ground is opposed to a long thin plate S such as a grounded metal strip. A positive electrode 11 is built in the insulating box 10, and a plasma generation space 12 between the positive electrode 11 and the long thin plate S is surrounded by a wall of the insulating box 10.
【００１２】正電極１１は中空状になっており、その内
部空間を経てプラズマ発生用の原料ガス１３がプラズマ
発生空間１２に送り込まれる。或いは、別途のガス供給
管をプラズマ発生空間１２に臨ませ、原料ガス１３を導
入することもできる。また、プラズマ発生空間１２の周
囲には、長尺薄板Ｓに平行な磁界をプラズマ発生空間１
２に印加する磁石１４，１５が配置されている。なお、
磁石１４及び１５を相互に連結するヨークは、図示を省
略している。このプラズマ発生機構は、長尺薄板Ｓの表
面からはがれ落ちる蒸着物が付着することがないよう
に、幅方向を垂直に維持した状態で走行する長尺薄板Ｓ
に側方から対向して配置することが好ましい。The positive electrode 11 has a hollow shape, and a raw material gas 13 for generating plasma is fed into the plasma generating space 12 through the internal space. Alternatively, a separate gas supply pipe may be made to face the plasma generation space 12 to introduce the source gas 13. A magnetic field parallel to the long thin plate S is applied around the plasma generation space 12 to the plasma generation space 1.
2, magnets 14 and 15 are arranged. In addition,
The yoke connecting the magnets 14 and 15 to each other is not shown. This plasma generating mechanism is a long thin plate S running in a state in which the width direction is maintained vertically so that a deposit falling off from the surface of the long thin plate S is not attached.
It is preferable to dispose from the side.
【００１３】このように本発明においては、大地電位と
した長尺薄板Ｓの片側に正の電位に印加した正電極１１
を配置している。そして、正電極１１と長尺薄板Ｓとの
間に発生するプラズマを閉じ込めるため、大地から絶縁
された絶縁箱１０で正電極１１及び正電極１１と長尺薄
板Ｓとの間のプラズマ発生空間１２を取り囲んでいる。
プラズマ発生用の原料ガス１３は、この取り囲まれたプ
ラズマ発生空間１２に導入され、プラズマ発生空間１２
のみをプラズマ発生に適したガス分圧に保持する。他
方、その他の空間は、プラズマ発生に不適当な雰囲気に
維持する。この条件下で、エッチング力の大きい密度の
高いプラズマを発生させるため、電界に直交するように
且つ長尺薄板Ｓの長手方向に対して平行に、長尺薄板Ｓ
と正電極１１の間のプラズマ発生空間１２に磁界を加え
る。As described above, in the present invention, the positive electrode 11 applied to the positive potential is applied to one side of the long thin plate S at the ground potential.
Has been arranged. Then, in order to confine the plasma generated between the positive electrode 11 and the long thin plate S, the plasma generating space 12 between the positive electrode 11 and the positive electrode 11 and the long thin plate S is placed in an insulating box 10 insulated from the ground. Surrounds.
The source gas 13 for plasma generation is introduced into the surrounded plasma generation space 12 and
Only at a gas partial pressure suitable for plasma generation. On the other hand, other spaces are maintained in an atmosphere unsuitable for plasma generation. Under this condition, in order to generate a high-density plasma with a large etching force, the long thin plate S is perpendicular to the electric field and parallel to the longitudinal direction of the long thin plate S.
A magnetic field is applied to the plasma generation space 12 between the electrode and the positive electrode 11.
【００１４】長尺薄板Ｓの両面をエッチングする場合、
図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、長尺薄板Ｓを挟
んで一対のプラズマ発生機構を配置する。正電極１１及
び長尺薄板Ｓを取り囲む絶縁箱１０は、二つのプラズマ
発生機構間で連結される。そして、長尺薄板Ｓは、両側
の絶縁箱１０の間に形成されたスリット１６を通って走
行することができる。これによって、スリット１６を通
過する長尺薄板Ｓの両面は、強いエッチング力をもつプ
ラズマにより同時にエッチングされる。When etching both sides of the long thin plate S,
As shown in FIGS. 2A and 2B, a pair of plasma generating mechanisms are arranged with the long thin plate S interposed therebetween. The insulating box 10 surrounding the positive electrode 11 and the long thin plate S is connected between the two plasma generating mechanisms. And the long thin plate S can run through the slit 16 formed between the insulating boxes 10 on both sides. Thereby, both surfaces of the long thin plate S passing through the slit 16 are simultaneously etched by the plasma having a strong etching force.
【００１５】プラズマ発生機構を長尺薄板Ｓの両側に配
置することにより、磁界強度が大きくなり、よりエッチ
ング力の大きなプラズマを発生させることができる。ま
た、長尺薄板Ｓの両面を同時にエッチングすることも可
能となる。By arranging the plasma generating mechanism on both sides of the long thin plate S, the magnetic field intensity is increased, and it is possible to generate plasma having a larger etching force. Further, it is possible to simultaneously etch both surfaces of the long thin plate S.
【００１６】プラズマ発生機構は、図３に示すように、
長尺薄板Ｓの走行方向に関して複数段にわたって配置す
ることができる。この場合、各プラズマ発生機構をヨー
ク１７で連結することにより、スリット１６の部分にプ
ラズマ発生機構の内部とは反対方向の磁界を発生させる
ことができる。また、長尺薄板Ｓの走行方向に関してそ
れぞれ上流側及び下流側に向けて突出する形状にスリッ
ト１６を形成し、磁石１４，１５を長尺薄板１０の走行
方向と斜交して配置することにより、スリット１６の箇
所で磁界強度が大きくなり、その部分からプラズマが漏
れることが防止される。このプラズマ発生機構の多段配
置によって、通過する長尺薄板Ｓに高速エッチングを施
すことができる。たとえば、図３の場合にはプラズマ発
生機構が３段に配置されているので、エッチング速度は
ほぼ３倍になる。The plasma generation mechanism is, as shown in FIG.
The long thin plate S can be arranged in a plurality of stages in the running direction. In this case, by connecting the respective plasma generating mechanisms with the yoke 17, it is possible to generate a magnetic field in the slit 16 in a direction opposite to the inside of the plasma generating mechanism. The slit 16 is formed in a shape protruding toward the upstream side and the downstream side with respect to the running direction of the long thin plate S, and the magnets 14 and 15 are arranged obliquely to the running direction of the long thin plate 10. In addition, the magnetic field intensity is increased at the location of the slit 16, and the plasma is prevented from leaking from the location. By the multi-stage arrangement of the plasma generating mechanism, the long thin plate S passing therethrough can be subjected to high-speed etching. For example, in the case of FIG. 3, since the plasma generating mechanisms are arranged in three stages, the etching rate is almost tripled.
【００１７】多段にプラズマ発生機構を設ける場合、最
上段及び最下段からプラズマが漏れることを防止するた
め、図４に示すようにヨーク１８，１９を介して磁石２
０，２１を設けている。これら磁石２０，２１によっ
て、最上段のプラズマ発生機構の入側及び最下段のプラ
ズマ発生機構の出側で、プラズマ発生機構の内部とは反
対方向の磁界が発生し、プラズマの漏れが非常に少なく
なる。更に、真空槽及び内部の構成物を大地から絶縁し
ているので、正電極１１との間で発生しがちなプラズマ
が抑制され、プラズマ発生空間１２のみで正電極１１と
長尺薄板Ｓとの間にプラズマが発生する。When the plasma generating mechanism is provided in multiple stages, in order to prevent the plasma from leaking from the uppermost stage and the lowermost stage, as shown in FIG.
0 and 21 are provided. These magnets 20 and 21 generate a magnetic field in the direction opposite to the inside of the plasma generation mechanism on the entrance side of the uppermost plasma generation mechanism and on the exit side of the lowermost plasma generation mechanism, so that plasma leakage is extremely small. Become. Furthermore, since the vacuum chamber and the internal components are insulated from the ground, the plasma that tends to be generated between the positive electrode 11 and the positive electrode 11 is suppressed. Plasma is generated in between.
【００１８】このプラズマ発生装置は、たとえば図５に
示すように、鋼板の前処理装置として巻取り式蒸着装置
に組み込まれる。長尺薄板としての鋼帯３０は、ペイオ
フリール３１から送り出され、真空シール部３２を経由
して真空槽３３に搬入される。真空槽３３の内部でプラ
ズマ発生装置が設置されている部分は、絶縁体３４で大
地から絶縁されている。また、絶縁シール３５によっ
て、正電極１１から絶縁されている。As shown in FIG. 5, for example, this plasma generating apparatus is incorporated in a roll-up type vapor deposition apparatus as a pretreatment apparatus for a steel sheet. The steel strip 30 as a long thin plate is sent out from a payoff reel 31 and is carried into a vacuum chamber 33 via a vacuum seal 32. The portion where the plasma generator is installed inside the vacuum chamber 33 is insulated from the ground by an insulator 34. Further, it is insulated from the positive electrode 11 by the insulating seal 35.
【００１９】プラズマ発生空間１２には、正電極１１の
中空部を介してＡｒガス３６が導入される。鋼帯３０の
表面は、プラズマ発生装置を通過する間に、Ａｒプラズ
マによってエッチングされ、表面酸化皮膜が除去され活
性化される。Ar gas 36 is introduced into the plasma generation space 12 through the hollow portion of the positive electrode 11. The surface of the steel strip 30 is etched by Ar plasma while passing through the plasma generator, and the surface oxide film is removed and activated.
【００２０】次いで、活性化された鋼帯３０は、蒸着ゾ
ーン３７に導かれる。蒸着ゾーン３７には、蒸着材料３
８が収容されたルツボ３９が配置されている。蒸着材料
３８は、適宜の加熱手段によって加熱・蒸発し、活性化
された鋼帯３０の表面に析出する。蒸着後の鋼帯３０
は、真空シール部４０を経由して搬出され、巻取りリー
ル４１に巻き取られ製品となる。Next, the activated steel strip 30 is led to a vapor deposition zone 37. The deposition zone 37 contains the deposition material 3
A crucible 39 accommodating 8 is arranged. The vapor deposition material 38 is heated and evaporated by an appropriate heating means, and is deposited on the surface of the activated steel strip 30. Steel strip 30 after evaporation
Is carried out via the vacuum seal section 40 and wound up on a take-up reel 41 to be a product.
【００２１】[0021]
【作 用】大地に接地された長尺薄板Ｓから絶縁された
状態でプラズマ発生機構を配置することにより、プラズ
マが長尺薄板Ｓの表面近傍に閉じ込められる。また、磁
石１４，１５で発生した磁界によってプラズマのエッチ
ング力が高められる。そのため、プラズマを発生させる
ために必要な電力及び原料ガスの供給量を低減させて
も、所定のエッチングを高速で行うことができる。しか
も、長尺薄板Ｓが大地電位に保たれているので、プラズ
マ発生部以外の真空槽やロール等の真空構成物を絶縁す
る必要がなく、設備の簡略化及び設備費の節減が図られ
る。更に、長尺薄板Ｓが大地電位であるため、作業者が
触れ易い真空槽の器壁等に高電圧が印加されることがな
く、安全性も向上する。[Operation] By arranging the plasma generating mechanism in a state insulated from the long thin plate S grounded to the ground, the plasma is confined near the surface of the long thin plate S. In addition, the magnetic field generated by the magnets 14 and 15 enhances the plasma etching power. Therefore, predetermined etching can be performed at high speed even when the supply amount of power and source gas required to generate plasma is reduced. In addition, since the long thin plate S is kept at the ground potential, there is no need to insulate vacuum components such as a vacuum tank and rolls other than the plasma generating unit, and the equipment can be simplified and the equipment cost can be reduced. Further, since the long thin plate S is at the ground potential, a high voltage is not applied to the vessel wall or the like of the vacuum chamber which is easy for the operator to touch, and the safety is improved.
【００２２】[0022]
【実施例】板厚０．５ｍｍ，板幅１００ｍｍの低炭素鋼
鋼帯を脱脂した後、図５に概略を示したエッチング−蒸
着ラインで処理した。なお、プラズマ発生は、合計電力
６ｋＷで正電極に３５０Ｖの電圧を印加し、プラズマ発
生空間に流量９０ｓｃｃｍでＡｒガスを導入しながら行
った。次いで、鋼帯を加熱することなく、Ｃｕを蒸着さ
せた。EXAMPLE A low-carbon steel strip having a thickness of 0.5 mm and a width of 100 mm was degreased and then processed in an etching-deposition line schematically shown in FIG. The plasma was generated by applying a voltage of 350 V to the positive electrode at a total power of 6 kW and introducing Ar gas at a flow rate of 90 sccm into the plasma generation space. Next, Cu was deposited without heating the steel strip.
【００２３】鋼帯表面に形成された蒸着層の厚み及び密
着性を、ライン速度との関係で表１に示す。なお、表１
には、プラズマエッチングを行わない場合を比較例とし
て示している。この場合、Ａｒガスを供給せず、真空槽
３３を真空度１×１０-4トールの減圧雰囲気に維持し
た。また、密着性は、蒸着後の鋼帯を１８０度折り曲げ
て、折り曲げた部分に粘着テープを貼り付け、粘着テー
プを剥したときに全くＣｕ蒸着層が剥離しないものを
○，剥離したものを×で評価した。Table 1 shows the thickness and adhesion of the deposited layer formed on the steel strip surface in relation to the line speed. Table 1
Shows a comparative example in which plasma etching is not performed. In this case, the Ar gas was not supplied, and the vacuum chamber 33 was maintained in a reduced pressure atmosphere having a degree of vacuum of 1 × 10 −4 Torr. The adhesiveness was evaluated by bending the steel strip after vapor deposition by 180 degrees, applying an adhesive tape to the bent portion, and ○ when the Cu vapor-deposited layer was not peeled off when the adhesive tape was peeled off, and x when peeled. Was evaluated.
【００２４】[0024]
【表１】 [Table 1]
【００２５】表１から明らかなように、少ない電力及び
Ａｒガス流量で、密着性に優れた蒸着層が形成されてい
ることが判る。しかも、得られた蒸着層は、ラインスピ
ードを５０ｍ／分に上昇させたときにも、密着性を低下
することはない。これは、プラズマエッチングによって
鋼帯表面が十分に活性化され、Ｃｕ層との間で強固な結
合が生じたことを示すものである。As is clear from Table 1, it can be seen that a deposited layer having excellent adhesion was formed with a small electric power and a small flow rate of Ar gas. Moreover, the obtained vapor-deposited layer does not deteriorate in adhesion even when the line speed is increased to 50 m / min. This indicates that the steel strip surface was sufficiently activated by the plasma etching, and a strong bond was formed between the steel strip and the Cu layer.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、エッチングされる長尺薄板の表面近傍の空間にエッ
チング力の大きなプラズマを閉じ込めている。そのた
め、少ない電力及びＡｒガス流量であっても、十分に高
速のエッチングが可能となり、ランニングコストを少な
くすることができる。また、長尺薄板が大地電位に維持
されているため、真空設備が簡素となり、設備費を低減
することができると共に、作業者に対する安全性も高ま
る。このプラズマエッチングは、特に表面化処理鋼板の
活性化前処理方法として非常に有効であり、また金属蒸
着，セラミックス被覆，溶融めっき等の前処理として採
用することも可能である。As described above, in the present invention, a plasma having a large etching force is confined in a space near the surface of a long thin plate to be etched. Therefore, a sufficiently high-speed etching can be performed even with a small electric power and a small Ar gas flow rate, and the running cost can be reduced. Further, since the long thin plate is maintained at the ground potential, the vacuum equipment is simplified, the equipment cost can be reduced, and the safety for the operator is also increased. This plasma etching is very effective especially as a pretreatment method for activation of a surface-treated steel sheet, and can also be employed as a pretreatment such as metal deposition, ceramic coating, and hot-dip plating.
【図１】 長尺薄板の片側にプラズマ発生装置を配置し
た場合の上面図（ａ）及び断面図（ｂ）FIG. 1 is a top view (a) and a cross-sectional view (b) when a plasma generator is arranged on one side of a long thin plate.
【図２】 長尺薄板の両側にプラズマ発生装置を配置し
た場合の上面図（ａ）及び断面図（ｂ）FIG. 2 is a top view (a) and a cross-sectional view (b) when plasma generators are arranged on both sides of a long thin plate.
【図３】 図２のプラズマ発生装置を長尺薄板の走行方
向に沿って３段に配置した場合の断面図FIG. 3 is a cross-sectional view when the plasma generator of FIG. 2 is arranged in three stages along the running direction of a long thin plate.
【図４】 図３のプラズマ発生装置の最上段及び最下段
に磁石を配置した場合の断面図FIG. 4 is a cross-sectional view of a case where magnets are arranged at the uppermost stage and the lowermost stage of the plasma generator of FIG. 3;
【図５】 巻取り式真空蒸着装置に組み込まれたプラズ
マ発生装置を示す。FIG. 5 shows a plasma generator incorporated in a roll-to-roll vacuum evaporation apparatus.
Ｓ 長尺薄板 １０ 絶縁箱
１１ 正電極 １２ プラズマ発生空間 １３ 原料ガス
１４，１５ 磁石 １６ スリット １７〜１８ ヨーク
２０，２１ 磁石 ３０ 鋼帯 ３２，４０ 真空シール部
３３ 真空槽S long thin plate 10 insulation box
11 Positive electrode 12 Plasma generation space 13 Source gas
14, 15 magnet 16 slit 17-18 yoke
20,21 Magnet 30 Steel strip 32,40 Vacuum seal
33 vacuum chamber
フロントページの続き (72)発明者 吉井 紹泰 大阪府堺市石津西町５番地 日新製鋼株 式会社鉄鋼研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−226029（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−114962（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00 C23C 2/02,14/02,16/02 Continuation of the front page (72) Inventor Shoyasu Yoshii 5 Ishizu Nishimachi, Sakai City, Osaka Prefecture Inside of the Steel Research Laboratory, Nisshin Steel Corporation (56) References JP-A-59-226029 (JP, A) JP-A-63- 114962 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C23F 4/00 C23C 2 / 02,14 / 02,16 / 02
Claims (6)
に走行させ、前記長尺薄板の走行方向に対し平行に配置
された正電極と前記長尺薄板の表面との間のプラズマ発
生空間を絶縁箱で取り囲み、大地から絶縁された磁界発
生手段によって前記プラズマ発生空間に前記走行方向と
平行な磁界を発生させながら、Ａｒガスを前記プラズマ
発生空間に導入することを特徴とする長尺薄板用プラズ
マ発生方法。1. A continuous operation of a long thin plate maintained at a ground potential, and generation of plasma between a positive electrode disposed parallel to a running direction of the long thin plate and a surface of the long thin plate. A long space surrounding the space with an insulating box, and introducing an Ar gas into the plasma generation space while generating a magnetic field parallel to the traveling direction in the plasma generation space by magnetic field generation means insulated from the ground. Plasma generation method for thin plates.
プラズマ発生空間を介して対向する正電極と、前記長尺
薄板と前記正電極との間の前記プラズマ発生空間を取り
囲む絶縁箱と、前記プラズマ発生空間に原料ガスを導入
するガス供給手段と、前記長尺薄板の走行方向と平行な
磁界を前記長尺薄板と前記正電極との間の前記プラズマ
発生空間に加える磁界発生手段とを備えており、該磁界
発生手段は、大地から絶縁された状態に保たれているこ
とを特徴とする長尺薄板用プラズマ発生装置。2. A positive electrode facing a surface of a long thin plate maintained at ground potential via a plasma generation space, and an insulating box surrounding the plasma generation space between the long thin plate and the positive electrode. Gas supply means for introducing a source gas into the plasma generation space, and magnetic field generation means for applying a magnetic field parallel to the running direction of the long thin plate to the plasma generation space between the long thin plate and the positive electrode; Wherein the magnetic field generating means is kept insulated from the ground.
面に対向して配置されていることを特徴とする長尺薄板
用プラズマ発生装置。3. A plasma generating apparatus for a long thin plate, wherein the positive electrode according to claim 2 is disposed to face both surfaces of the long thin plate.
は、長尺薄板の走行方向に沿って多段に配置されている
ことを特徴とする長尺薄板用プラズマ発生装置。4. The plasma generator for a long thin plate according to claim 2, wherein the plasma generator is arranged in multiple stages along the running direction of the long thin plate.
ち、最上段のプラズマ発生装置の入側及び最下段プラズ
マ発生装置の出側に、それぞれのプラズマ発生装置の内
部とは反対方向の磁界を発生させる磁界発生手段が設け
られていることを特徴とする長尺薄板用プラズマ発生装
置。5. The plasma generator according to claim 4, wherein a magnetic field in a direction opposite to the inside of each of the plasma generators is applied to an inlet of the uppermost plasma generator and an outlet of the lowermost plasma generator. A plasma generator for a long thin plate, comprising a magnetic field generating means for generating the magnetic field.
発生装置が真空槽の内部に設置されており、該真空槽及
びその構成物が大地から絶縁されていることを特徴とす
る長尺薄板用プラズマ発生装置。6. The plasma generator according to claim 2, wherein the plasma generator is installed inside a vacuum chamber, and the vacuum chamber and its components are insulated from the ground. Plasma generator for thin sheet.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217091A JP2878468B2 (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Plasma generation method and apparatus for long thin plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217091A JP2878468B2 (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Plasma generation method and apparatus for long thin plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285184A JPH04285184A (en) | 1992-10-09 |
| JP2878468B2 true JP2878468B2 (en) | 1999-04-05 |
Family
ID=13481493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7217091A Expired - Lifetime JP2878468B2 (en) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | Plasma generation method and apparatus for long thin plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2878468B2 (en) |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP7217091A patent/JP2878468B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04285184A (en) | 1992-10-09 |
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