JP2876047B2 - プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネルの障壁の製造方法に係り、より詳細には、障壁の
端部の跳ね上がりを防止できるプラズマディスプレイパ
ネルの障壁の製造方法に関する。
パネルの障壁の製造方法に係り、より詳細には、障壁の
端部の跳ね上がりを防止できるプラズマディスプレイパ
ネルの障壁の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、アノー
ド電極３が形成される前面板１と、カソード電極４が形
成される背面板２の二枚の絶縁板１、２の内側に障壁５
が形成された構成よりなる（図１参照）。すなわち、直
交するカソード電極群とアノード電極群と、該電極間に
光のクロストークを防ぎ、画面のコントラストを作るた
めの黒色の障壁５を設け、該電極内部に希ガスを封入
し、絶縁板１、２に形成された両電極３、４の交差部が
１つの画素（表示セル）に対応する構成とされている。
ド電極３が形成される前面板１と、カソード電極４が形
成される背面板２の二枚の絶縁板１、２の内側に障壁５
が形成された構成よりなる（図１参照）。すなわち、直
交するカソード電極群とアノード電極群と、該電極間に
光のクロストークを防ぎ、画面のコントラストを作るた
めの黒色の障壁５を設け、該電極内部に希ガスを封入
し、絶縁板１、２に形成された両電極３、４の交差部が
１つの画素（表示セル）に対応する構成とされている。
【０００３】そして、このプラズマディスプレイパネル
は、放電空間中で放電時に気体ガス原子を電子により励
起させ、この励起された原子が基底状態に戻ることによ
り光を発生させている。ところで、この励起状態にある
原子の寿命は、約１０−８ｓｅｃ程度であるが、特定の
ものは、１〜１０ｍｓｅｃ程度の寿命をもつものもあ
る。そして、後者は、放電中にゆっくり拡散し、障壁等
の構造物に衝突して、そこで再結合し消滅する。長寿命
の励起された原子は、電子の衝突により容易に電離さ
れ、イオン電子を生成するため、空間中にこれが多数存
在するほど電離が起こり易くなり、放電を安定させ、ま
た放電電圧を低下するのに効果がある。このため、放電
空間は広いほど有利となるため、画素面積を小さくし、
かつ放電空間を広くする工夫が期待されている。
は、放電空間中で放電時に気体ガス原子を電子により励
起させ、この励起された原子が基底状態に戻ることによ
り光を発生させている。ところで、この励起状態にある
原子の寿命は、約１０−８ｓｅｃ程度であるが、特定の
ものは、１〜１０ｍｓｅｃ程度の寿命をもつものもあ
る。そして、後者は、放電中にゆっくり拡散し、障壁等
の構造物に衝突して、そこで再結合し消滅する。長寿命
の励起された原子は、電子の衝突により容易に電離さ
れ、イオン電子を生成するため、空間中にこれが多数存
在するほど電離が起こり易くなり、放電を安定させ、ま
た放電電圧を低下するのに効果がある。このため、放電
空間は広いほど有利となるため、画素面積を小さくし、
かつ放電空間を広くする工夫が期待されている。
【０００４】ところで、このプラズマディスプレイパネ
ルにおいて、その放電空間を形成する障壁は、通常、印
刷法やサンドブラスト法によって形成されていたが、近
年、フォトリソグラフィ法を用いて形成する方法が提案
されている。このフォトリソグラフィ法は、光に感じる
物質を絶縁板上に塗布して、該光のエネルギーを遮蔽す
るパターンを前もって準備し、該遮蔽マスクを通過した
エネルギーを試料上に照射してパターンを形成する方法
である。そして、この方法によれば、１００μｍ以下の
ライン幅およびライン間隔をもち、かつ１００μｍ以上
の障壁高さを有するプラズマディスプレイパネルを得る
ことができる。
ルにおいて、その放電空間を形成する障壁は、通常、印
刷法やサンドブラスト法によって形成されていたが、近
年、フォトリソグラフィ法を用いて形成する方法が提案
されている。このフォトリソグラフィ法は、光に感じる
物質を絶縁板上に塗布して、該光のエネルギーを遮蔽す
るパターンを前もって準備し、該遮蔽マスクを通過した
エネルギーを試料上に照射してパターンを形成する方法
である。そして、この方法によれば、１００μｍ以下の
ライン幅およびライン間隔をもち、かつ１００μｍ以上
の障壁高さを有するプラズマディスプレイパネルを得る
ことができる。
【０００５】そして、このフォトリソグラフィ法による
プラズマディスプレイパネルの障壁形成法は、具体的に
は、 セラミック粉末に紫外線硬化樹脂を混合した障
壁形成のためのスリップをアノード電極の形成された絶
縁板上にコーティングする工程、 該コーティング層
の障壁形成に必要な部分のみを露光マスクで露光し硬化
させる工程、 の工程を一回ないし数回に繰り返
し、必要高さの形成層を得る工程、 以上の形成層を
現像してパターニングし非露光部を溶出する工程、
紫外線硬化された部分を焼成する工程、の５工程を経て
障壁を形成する構成よりなる。
プラズマディスプレイパネルの障壁形成法は、具体的に
は、 セラミック粉末に紫外線硬化樹脂を混合した障
壁形成のためのスリップをアノード電極の形成された絶
縁板上にコーティングする工程、 該コーティング層
の障壁形成に必要な部分のみを露光マスクで露光し硬化
させる工程、 の工程を一回ないし数回に繰り返
し、必要高さの形成層を得る工程、 以上の形成層を
現像してパターニングし非露光部を溶出する工程、
紫外線硬化された部分を焼成する工程、の５工程を経て
障壁を形成する構成よりなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このフォトリ
ソグラフィ法による障壁形成法の場合、次のような課題
がある。すなわち、 障壁パターンは、ライン幅が細
いため基板ガラスとの密着力（密着面積）が弱く、該障
壁の焼成の際に、該障壁ラインの長さ方向の収縮に耐え
られず、パターン端部が跳ね上がるという現象が発生す
る場合がある。 該パターンは、パネル封着時に欠落
し、該欠落したパターンがパネル上に残り、画素をつぶ
してしまい、歩留りが低下する。等の課題がある。
ソグラフィ法による障壁形成法の場合、次のような課題
がある。すなわち、 障壁パターンは、ライン幅が細
いため基板ガラスとの密着力（密着面積）が弱く、該障
壁の焼成の際に、該障壁ラインの長さ方向の収縮に耐え
られず、パターン端部が跳ね上がるという現象が発生す
る場合がある。 該パターンは、パネル封着時に欠落
し、該欠落したパターンがパネル上に残り、画素をつぶ
してしまい、歩留りが低下する。等の課題がある。
【０００７】本発明は、上述した課題に対処して創案し
たものであって、その目的とする処は、障壁端部の跳ね
上がり現象を防止し、歩留りのよいプラズマディスプレ
イパネルの障壁の製造方法を提供することにある。
たものであって、その目的とする処は、障壁端部の跳ね
上がり現象を防止し、歩留りのよいプラズマディスプレ
イパネルの障壁の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そして、上記目的を達成
するための手段としての本発明のプラズマディスプレイ
パネルの障壁の製造方法は、一定の空間を隔てて互いに
平行にかつ対向して配した絶縁板の間に、相対向して交
差する二組の電極群を設け、更に、該両電極群間の直交
する部分に放電セルを形成するためのライン幅の狭い障
壁の形成に、セラミック粉末に紫外線硬化樹脂を混合し
たスリップによるコーティング層を形成し、該コーティ
ング層の障壁形成に必要な部分のみを露光して硬化させ
る工程を複数回繰り返して必要高さの多層の形成層を得
た後、現像・パターニングし焼成して多層構造の障壁を
形成するフォトリソグラフィ法を用いるプラズマディス
プレイパネルの障壁の製造方法において、前記コーティ
ング層の形成の段階において、前記多層の形成層のうち
下層を形成する前記スリップの含有ガラスの屈伏点をそ
の上層を形成する前記スリップの含有ガラスの屈伏点よ
り１〜１００℃の範囲で低くしたものを用い、しかも、
下層側を形成する前記スリップの全厚みが１０〜１５０
μｍの範囲にあるようにして、焼成時に前記下層の流動
性を向上させて前記絶縁板との密着性を向上し、最終的
に形成される前記障壁の端部の跳ね上がりを抑制してい
る。ここで、前記発明方法において、前記障壁のガラス
組成が、下層より上層に向けて段階的に変化する多層構
造とすることも可能である。
するための手段としての本発明のプラズマディスプレイ
パネルの障壁の製造方法は、一定の空間を隔てて互いに
平行にかつ対向して配した絶縁板の間に、相対向して交
差する二組の電極群を設け、更に、該両電極群間の直交
する部分に放電セルを形成するためのライン幅の狭い障
壁の形成に、セラミック粉末に紫外線硬化樹脂を混合し
たスリップによるコーティング層を形成し、該コーティ
ング層の障壁形成に必要な部分のみを露光して硬化させ
る工程を複数回繰り返して必要高さの多層の形成層を得
た後、現像・パターニングし焼成して多層構造の障壁を
形成するフォトリソグラフィ法を用いるプラズマディス
プレイパネルの障壁の製造方法において、前記コーティ
ング層の形成の段階において、前記多層の形成層のうち
下層を形成する前記スリップの含有ガラスの屈伏点をそ
の上層を形成する前記スリップの含有ガラスの屈伏点よ
り１〜１００℃の範囲で低くしたものを用い、しかも、
下層側を形成する前記スリップの全厚みが１０〜１５０
μｍの範囲にあるようにして、焼成時に前記下層の流動
性を向上させて前記絶縁板との密着性を向上し、最終的
に形成される前記障壁の端部の跳ね上がりを抑制してい
る。ここで、前記発明方法において、前記障壁のガラス
組成が、下層より上層に向けて段階的に変化する多層構
造とすることも可能である。
【０００９】
【作用】本発明のプラズマディスプレイパネルの障壁の
製造方法は、障壁を多層構造とし、かつ該障壁の上層と
下層との組成を変え、即ち、下層の含有ガラスの屈伏点
を、上層の含有ガラスの屈伏点より低くして構成してい
るので、該障壁の焼成の際、焼成時の流動性を向上さ
せ、該障壁が自重により、絶縁板側に垂れ、該絶縁板と
下層との密着性が強くなって、障壁端部の跳ね上がりを
抑制できるように作用する。
製造方法は、障壁を多層構造とし、かつ該障壁の上層と
下層との組成を変え、即ち、下層の含有ガラスの屈伏点
を、上層の含有ガラスの屈伏点より低くして構成してい
るので、該障壁の焼成の際、焼成時の流動性を向上さ
せ、該障壁が自重により、絶縁板側に垂れ、該絶縁板と
下層との密着性が強くなって、障壁端部の跳ね上がりを
抑制できるように作用する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図１〜図３は、
本発明の一実施例を示し、図１はプラズマディスプレイ
パネルの基本単位を示す模式図、図２はフォトリソグラ
フィ法によって障壁形成を行う工程を説明するための説
明図、図３は本実施例の障壁構造と、従来例の障壁構造
の相違を説明するための障壁端部の斜視図である。
した実施例について説明する。ここに、図１〜図３は、
本発明の一実施例を示し、図１はプラズマディスプレイ
パネルの基本単位を示す模式図、図２はフォトリソグラ
フィ法によって障壁形成を行う工程を説明するための説
明図、図３は本実施例の障壁構造と、従来例の障壁構造
の相違を説明するための障壁端部の斜視図である。
【００１１】本実施例のプラズマディスプレイパネル
は、概略すると図１に示すように、前面板１と背面板２
の内側にアノード電極３とカソード電極４が形成され、
該両電極３、４間に障壁５が形成され、かつ該両電極
３、４間に希ガスが封入され、両電極３、４の交差部が
１つの画素に対応する構成とされている。
は、概略すると図１に示すように、前面板１と背面板２
の内側にアノード電極３とカソード電極４が形成され、
該両電極３、４間に障壁５が形成され、かつ該両電極
３、４間に希ガスが封入され、両電極３、４の交差部が
１つの画素に対応する構成とされている。
【００１２】前面板１と背面板２は、ガラス板等よりな
る絶縁板であって、前面板１の内側には、アノード電極
３が平行に複数本設けられ、また背面板２の内側には、
カソード電極４が、アノード電極３と直交するように複
数本設けられている。ここで、カソード電極４は、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の導体金属、あるいはこれらの
合金が用いられ、更にこれらの金属に少量のガラスを混
入したペーストが用いられている。また、アノード電極
３は、酸化インジウム、酸化スズを蒸着した透明電極
（ＩＴＯ電極・Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅの
略）が用いられている。
る絶縁板であって、前面板１の内側には、アノード電極
３が平行に複数本設けられ、また背面板２の内側には、
カソード電極４が、アノード電極３と直交するように複
数本設けられている。ここで、カソード電極４は、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の導体金属、あるいはこれらの
合金が用いられ、更にこれらの金属に少量のガラスを混
入したペーストが用いられている。また、アノード電極
３は、酸化インジウム、酸化スズを蒸着した透明電極
（ＩＴＯ電極・Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅの
略）が用いられている。
【００１３】また、障壁５は、二層構造よりなり、下層
７と上層６とで、異なる絶縁ペーストを用いて形成して
いる。下層７の絶縁ペーストとしては、ＳｉＯ２：１８
重量％、Ａｌ２Ｏ３：２重量％、Ｆｅ２Ｏ３：１０重量
％、Ｃｒ２Ｏ３：３重量％、ＭｎＯ：７重量％、Ｃｏ
Ｏ：２重量％、ＰｂＯ：４６重量％、Ｂ２Ｏ３：１２重
量％からなる黒色セラミック粉末：１００重量部に紫外
線硬化樹脂：５０重量部および溶剤を混合してスリップ
としたものを用いている。また、上層６の絶縁ペースト
としては、ＳｉＯ２：１５重量％、Ａｌ２Ｏ３：２０重
量％、Ｆｅ２Ｏ３：１０重量％、Ｃｒ２Ｏ３：３重量
％、ＭｎＯ：７重量％、ＣｏＯ：２重量％、ＰｂＯ：３
５重量％、Ｂ２Ｏ３：８重量％からなる黒色セラミック
粉末：１００重量部に紫外線硬化樹脂：５０重量部およ
び溶剤を混合してスリップとしたものを用いている。
７と上層６とで、異なる絶縁ペーストを用いて形成して
いる。下層７の絶縁ペーストとしては、ＳｉＯ２：１８
重量％、Ａｌ２Ｏ３：２重量％、Ｆｅ２Ｏ３：１０重量
％、Ｃｒ２Ｏ３：３重量％、ＭｎＯ：７重量％、Ｃｏ
Ｏ：２重量％、ＰｂＯ：４６重量％、Ｂ２Ｏ３：１２重
量％からなる黒色セラミック粉末：１００重量部に紫外
線硬化樹脂：５０重量部および溶剤を混合してスリップ
としたものを用いている。また、上層６の絶縁ペースト
としては、ＳｉＯ２：１５重量％、Ａｌ２Ｏ３：２０重
量％、Ｆｅ２Ｏ３：１０重量％、Ｃｒ２Ｏ３：３重量
％、ＭｎＯ：７重量％、ＣｏＯ：２重量％、ＰｂＯ：３
５重量％、Ｂ２Ｏ３：８重量％からなる黒色セラミック
粉末：１００重量部に紫外線硬化樹脂：５０重量部およ
び溶剤を混合してスリップとしたものを用いている。
【００１４】そして、本実施例のプラズマディスプレイ
パネルの障壁の製造方法によって形成された障壁は、障
壁の下層７の含有ガラスの屈伏点を、上層６の含有ガラ
スの屈伏点より低くして構成していることにより、焼成
時の流動性を向上させ、障壁５が自重により、絶縁板
（アノード電極側）１側に垂れ、絶縁板１と下層７との
密着性が強くなって、その跳ね上がりを抑制できる。ま
た、下層７と上層６とでは、その含有ガラス組成の屈伏
点の差が、１〜１００℃あり、かつ上層６に比べて下層
７の含有ガラス組成の屈伏点が低くされているので、障
壁５をバランス良く焼成できる。すなわち、下層７と上
層６の含有ガラス組成の屈伏点の差が、１００℃を超え
ると上層側と下層側の焼成時のパターンの保形性、緻密
性の差が大きくなり、障壁５をバランス良く焼成できな
くなる。
パネルの障壁の製造方法によって形成された障壁は、障
壁の下層７の含有ガラスの屈伏点を、上層６の含有ガラ
スの屈伏点より低くして構成していることにより、焼成
時の流動性を向上させ、障壁５が自重により、絶縁板
（アノード電極側）１側に垂れ、絶縁板１と下層７との
密着性が強くなって、その跳ね上がりを抑制できる。ま
た、下層７と上層６とでは、その含有ガラス組成の屈伏
点の差が、１〜１００℃あり、かつ上層６に比べて下層
７の含有ガラス組成の屈伏点が低くされているので、障
壁５をバランス良く焼成できる。すなわち、下層７と上
層６の含有ガラス組成の屈伏点の差が、１００℃を超え
ると上層側と下層側の焼成時のパターンの保形性、緻密
性の差が大きくなり、障壁５をバランス良く焼成できな
くなる。
【００１５】次に、本実施例の作用・効果を確認するた
めに、本実施例方法によるプラズマディスプレイパネル
の障壁構造を、図２（ａ）〜（ｅ）に示すような方法で
形成し、従来例のプラズマディスプレイパネルの障壁構
造と比較した。なお、本実施例方法による障壁構造とし
ては、前述した下層用と上層用の二種類のスリップを製
造し、下層用のスリップを、アノード電極の形成された
絶縁板（ガラス基板）上に１０〜５０μｍ厚みになるよ
うに塗布し、第一層を形成（図２ａ参照）すると共に、
予め第一層の非露光部８をマスク９により露光を防ぎな
がら、高圧水銀灯を用いて紫外線照射し、露光部１０を
硬化させ、次に、この工程を繰り返して、第二層、第三
層を積層し、乾燥厚み：約１００μｍの形成層を得て
（図２ｂ参照）、更に、該第三層の上に、上層用のスリ
ップを用い、第一層〜第三層と同様にして、塗布・乾燥
・露光を繰り返して積層（第四層〜第六層）し、最終的
に、総厚み：１９０μｍの形成層（図２ｃ参照）とした
後、該形成層の現像を一度で行い、非露光部８を溶出す
ることにより、パターニングを終了し（図２ｄ参照）、
その後、これを５３０℃、１５分間で焼成することで形
成して（図２ｅ参照）、約１６０μｍの厚みの障壁５と
したものを用いた。ここで、コーティング（塗布）方法
としては、ドクターブレード法、ロールコーター法等の
何れを用いてもよい。これに対して、従来例のプラズマ
ディスプレイパネルの障壁構造としては、前述した下層
用のスリップを用いて、第一層〜第六層よりなる約１６
０μｍの厚みの障壁を用いた。
めに、本実施例方法によるプラズマディスプレイパネル
の障壁構造を、図２（ａ）〜（ｅ）に示すような方法で
形成し、従来例のプラズマディスプレイパネルの障壁構
造と比較した。なお、本実施例方法による障壁構造とし
ては、前述した下層用と上層用の二種類のスリップを製
造し、下層用のスリップを、アノード電極の形成された
絶縁板（ガラス基板）上に１０〜５０μｍ厚みになるよ
うに塗布し、第一層を形成（図２ａ参照）すると共に、
予め第一層の非露光部８をマスク９により露光を防ぎな
がら、高圧水銀灯を用いて紫外線照射し、露光部１０を
硬化させ、次に、この工程を繰り返して、第二層、第三
層を積層し、乾燥厚み：約１００μｍの形成層を得て
（図２ｂ参照）、更に、該第三層の上に、上層用のスリ
ップを用い、第一層〜第三層と同様にして、塗布・乾燥
・露光を繰り返して積層（第四層〜第六層）し、最終的
に、総厚み：１９０μｍの形成層（図２ｃ参照）とした
後、該形成層の現像を一度で行い、非露光部８を溶出す
ることにより、パターニングを終了し（図２ｄ参照）、
その後、これを５３０℃、１５分間で焼成することで形
成して（図２ｅ参照）、約１６０μｍの厚みの障壁５と
したものを用いた。ここで、コーティング（塗布）方法
としては、ドクターブレード法、ロールコーター法等の
何れを用いてもよい。これに対して、従来例のプラズマ
ディスプレイパネルの障壁構造としては、前述した下層
用のスリップを用いて、第一層〜第六層よりなる約１６
０μｍの厚みの障壁を用いた。
【００１６】そして、本実施例方法による障壁構造と、
従来例方法による障壁構造とを比較した処、本実施例方
法による障壁構造の場合、図３（ａ）に示すように、障
壁端部の跳ね上がりが認められなかったのに対して、従
来例の障壁構造の場合、図３（ｂ）に示すように、その
障壁端部に焼成時における収縮による跳ね上がりが認め
られた。これは、本実施例方法の障壁構造の場合、障壁
の下層の含有ガラスの屈伏点が、上層の含有ガラスの屈
伏点より低くして構成していることより、焼成時の流動
性を向上させ、障壁が自重により、絶縁板（アノード電
極側）側に垂れ、絶縁板と下層との密着性が強く、また
下層と上層との含有ガラス組成の屈伏点の差を、１〜１
００℃としていることより、焼成時のパターンの保形
性、緻密性の差を小さくでき、かつ障壁がバランス良く
焼成できていることによることが確認できた。
従来例方法による障壁構造とを比較した処、本実施例方
法による障壁構造の場合、図３（ａ）に示すように、障
壁端部の跳ね上がりが認められなかったのに対して、従
来例の障壁構造の場合、図３（ｂ）に示すように、その
障壁端部に焼成時における収縮による跳ね上がりが認め
られた。これは、本実施例方法の障壁構造の場合、障壁
の下層の含有ガラスの屈伏点が、上層の含有ガラスの屈
伏点より低くして構成していることより、焼成時の流動
性を向上させ、障壁が自重により、絶縁板（アノード電
極側）側に垂れ、絶縁板と下層との密着性が強く、また
下層と上層との含有ガラス組成の屈伏点の差を、１〜１
００℃としていることより、焼成時のパターンの保形
性、緻密性の差を小さくでき、かつ障壁がバランス良く
焼成できていることによることが確認できた。
【００１７】ところで、本実施例方法の障壁構造にあっ
ても、障壁の下層の層厚みが、１０μｍより薄い場合
は、従来例の場合と同様に、下地の絶縁板との密着状態
と余り変化がなく、また１５０μｍを超えると、上層側
を緻密にした際に、下層側の保形性が悪くなることも確
認できた。従って、好ましくは、二種類のスリップを用
いた障壁構造の場合、下層の厚みは、１０〜１５０μｍ
の範囲が好ましいことを確認した。
ても、障壁の下層の層厚みが、１０μｍより薄い場合
は、従来例の場合と同様に、下地の絶縁板との密着状態
と余り変化がなく、また１５０μｍを超えると、上層側
を緻密にした際に、下層側の保形性が悪くなることも確
認できた。従って、好ましくは、二種類のスリップを用
いた障壁構造の場合、下層の厚みは、１０〜１５０μｍ
の範囲が好ましいことを確認した。
【００１８】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、前述した実施例にお
いては、二種類のスリップを用いた構成で説明したが、
複数種類のスリップを用いた多層構造とした構成として
もよいことは当然である。また、前述した実施例では、
アノード電極側の絶縁板上に障壁を形成する例で示した
が、例えば、カソード電極側の絶縁板上に障壁を形成す
る場合においても同等の効果を有する。
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、前述した実施例にお
いては、二種類のスリップを用いた構成で説明したが、
複数種類のスリップを用いた多層構造とした構成として
もよいことは当然である。また、前述した実施例では、
アノード電極側の絶縁板上に障壁を形成する例で示した
が、例えば、カソード電極側の絶縁板上に障壁を形成す
る場合においても同等の効果を有する。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
のプラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法によれ
ば、アノード電極群とカソード電極群間に形成される障
壁を多層構造とし、障壁の上層と下層の含有ガラスの屈
伏点を、上層の含有ガラスの屈伏点より低くしているの
で、焼成時の下層の流動性を向上させ、該障壁が自重に
より、絶縁板側に垂れ、該絶縁板と下層との密着性が強
くなって、その跳ね上がりを抑制できるという効果を有
する。これによって、従来、フォトリソグラフィ法によ
ってプラズマディスプレイパネルの障壁を製造する場合
に発生していた障壁端部の跳ね上がりを実用上支障がな
い程度にすることができ、フォトリソグラフィ法によっ
てより精度のよい障壁を製造できることになった。
のプラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法によれ
ば、アノード電極群とカソード電極群間に形成される障
壁を多層構造とし、障壁の上層と下層の含有ガラスの屈
伏点を、上層の含有ガラスの屈伏点より低くしているの
で、焼成時の下層の流動性を向上させ、該障壁が自重に
より、絶縁板側に垂れ、該絶縁板と下層との密着性が強
くなって、その跳ね上がりを抑制できるという効果を有
する。これによって、従来、フォトリソグラフィ法によ
ってプラズマディスプレイパネルの障壁を製造する場合
に発生していた障壁端部の跳ね上がりを実用上支障がな
い程度にすることができ、フォトリソグラフィ法によっ
てより精度のよい障壁を製造できることになった。
【図１】プラズマディスプレイパネルの基本単位を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】フォトリソグラフィ法によって障壁形成を行う
工程を説明するための説明図である。
工程を説明するための説明図である。
【図３】本実施例方法による障壁構造と、従来例方法に
よる障壁構造の相違を説明するための障壁端部の斜視図
である。
よる障壁構造の相違を説明するための障壁端部の斜視図
である。
１・・・前面板、２・・・背面板、３・・・アノード電
極、４・・・カソード電極、５・・・障壁、６・・・上
層、７・・・下層、８・・・非露光部、９・・・マス
ク、１０・・・露光部
極、４・・・カソード電極、５・・・障壁、６・・・上
層、７・・・下層、８・・・非露光部、９・・・マス
ク、１０・・・露光部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−195829（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−165538（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−296534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−115471（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−74571（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−43058（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 9/00 - 9/50 H01J 11/00 - 11/04 H01J 17/00 - 17/64
Claims (2)
- 【請求項１】 一定の空間を隔てて互いに平行にかつ対
向して配した絶縁板の間に、相対向して交差する二組の
電極群を設け、更に、該両電極群間の直交する部分に放
電セルを形成するためのライン幅の狭い障壁の形成に、
セラミック粉末に紫外線硬化樹脂を混合したスリップに
よるコーティング層を形成し、該コーティング層の障壁
形成に必要な部分のみを露光して硬化させる工程を複数
回繰り返して必要高さの多層の形成層を得た後、現像・
パターニングし焼成して多層構造の障壁を形成するフォ
トリソグラフィ法を用いるプラズマディスプレイパネル
の障壁の製造方法において、 前記コーティング層の形成の段階において、前記多層の
形成層のうち下層を形成する前記スリップの含有ガラス
の屈伏点をその上層を形成する前記スリップの含有ガラ
スの屈伏点より１〜１００℃の範囲で低くしたものを用
い、しかも、下層側を形成する前記スリップの全厚みが
１０〜１５０μｍの範囲にあるようにして、焼成時に前
記下層の流動性を向上させて前記絶縁板との密着性を向
上し、最終的に形成される前記障壁の端部の跳ね上がり
を抑制することを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ルの障壁の製造方法。 - 【請求項２】 前記障壁のガラス組成が、下層より上層
に向けて段階的に変化する多層構造とした請求項１記載
のプラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31609992A JP2876047B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31609992A JP2876047B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150828A JPH06150828A (ja) | 1994-05-31 |
| JP2876047B2 true JP2876047B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=18073233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31609992A Expired - Lifetime JP2876047B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2876047B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100464301B1 (ko) * | 1998-04-13 | 2005-04-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가스방전 표시소자 격벽 제조방법 |
| KR100718995B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2007-05-16 | 엘지전자 주식회사 | 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조방법 |
| KR100743714B1 (ko) * | 2005-04-21 | 2007-07-30 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4797465B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-10-19 | 東レ株式会社 | パネルディスプレイ部材の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31609992A patent/JP2876047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06150828A (ja) | 1994-05-31 |
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