JP2867903B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame manufacturing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、主に、アウターリード
の端部にアウターリードと別の金属材料からなるエッチ
ングストップ部を介してインナーリードを接続したリー
ドフレームの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates mainly to a method for manufacturing a lead frame in which an inner lead is connected to an end of the outer lead via an etching stop made of another metal material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームとして、例えば図２に示
すように銅からなるアウターリード１と、その基部表面
に形成されたアルミニウムからなるエッチングストップ
部２と、該エッチングストップ部２に接続された銅から
なる薄肉のインナーリード３と、該インナーリード３の
先端部に形成されたアルミニウム等からなるバンプ４と
を有して構成されたものが知られている。このリードフ
レームは、通常、バンプ４を介して半導体チップ５の電
極パッド６にボンディングされ、封止樹脂７により半導
体チップ５が封止されることによって用いられる。2. Description of the Related Art As a lead frame, for example, as shown in FIG. 2, an outer lead 1 made of copper, an etching stop portion 2 made of aluminum formed on a base surface thereof, and a copper connected to the etching stop portion 2 are formed. And a thin inner lead 3 made of aluminum and a bump 4 made of aluminum or the like formed at the tip of the inner lead 3 are known. This lead frame is usually used by bonding to the electrode pads 6 of the semiconductor chip 5 via the bumps 4 and sealing the semiconductor chip 5 with a sealing resin 7.
【０００３】このようなリードフレームを製造するにあ
たっては、従来、図３に示すように厚肉のアウターリー
ド用銅層８と、エッチングストップ用アルミニウム層９
と、薄肉のインナーリード用銅層１０とを積層した三層
構造のクラッド材１１を用い、これをエッチング加工す
るといった手法が知られている。すなわち、上記クラッ
ド材１１に対し、アウターリード用銅層８を選択的にエ
ッチングし、さらにインナーリード用銅層１０を選択的
にエッチングすることによってリードフレームを製造し
ているのである。そして、この製造に際し、エッチング
ストップ用のアルミニウム層９を設けたことにより、イ
ンナーリード用のエッチングによるアウターリードの侵
食、およびアウターリード用のエッチングによるインナ
ーリードの侵食がそれぞれ防止されているのである。In manufacturing such a lead frame, conventionally, as shown in FIG. 3, a thick outer lead copper layer 8 and an etching stop aluminum layer 9 are formed.
A method is known in which a three-layered clad material 11 in which a thin copper layer 10 for an inner lead is laminated with a thin layer is used and etched. That is, the lead frame is manufactured by selectively etching the outer lead copper layer 8 and then selectively etching the inner lead copper layer 10 with respect to the clad material 11. By providing the etching stop aluminum layer 9 in this manufacturing, the erosion of the outer leads due to the etching for the inner leads and the erosion of the inner leads due to the etching for the outer leads are respectively prevented.
【０００４】ところが、このような従来のリードフレー
ムでは、その製造にあたって、アウターリード１のパタ
ーニングを片面エッチングにより形成せざるをえないこ
とから、サイドエッチング量が大きくなることを避ける
ことができず、したがって各リードについてのファイン
ピッチ化に限界があり、超高集積化の要求に十分応えら
れないといった問題があった。近年、このような問題を
解決するため、上記クラッド材１１のインナーリード用
銅層１０をエッチングしてこれから直接インナーリード
３…を形成するのでなく、レジスト膜をマスクとして上
記インナーリード用銅層１０の上に銅をメッキすること
により、インナーリードを形成する方法が提供されてい
る。However, in such a conventional lead frame, the patterning of the outer lead 1 has to be formed by one-sided etching in manufacturing, so that an increase in the amount of side etching cannot be avoided. Therefore, there is a problem that the fine pitch of each lead is limited, and the demand for ultra-high integration cannot be sufficiently satisfied. In recent years, in order to solve such a problem, the inner lead copper layer 10 of the clad material 11 is not etched to directly form the inner leads 3. There is provided a method of forming an inner lead by plating copper on the inner lead.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにインナーリード用銅層１０の上にさらに銅をメッキ
してインナーリードを形成する方法においては、メッキ
によってインナーリードを形成した後上記銅層１０をエ
ッチンング除去するが、その際、インナーリードも同じ
銅であることからこれを残して上記銅層１０のみをエッ
チングする必要がある。そして、このように微妙なエッ
チングを行うためには、専用の高価なソフトエッチング
剤（例えば、過酸化水素水と硫酸とフッ酸との混合液）
が必要となり、したがってコストアップを招く結果とな
っているのである。しかも、このようなソフトエッチン
グ剤を用いても、そのエッチング工程の条件、例えばエ
ッチング速度の管理が難しく、管理が不十分であるとイ
ンナーリードまでもエッチングされてしまう恐れがあ
り、したがって品質安定性についても十分な方法とはい
えないのが現状である。However, in the method of forming an inner lead by further plating copper on the inner lead copper layer 10 as described above, the copper layer 10 is formed after the inner lead is formed by plating. In this case, it is necessary to etch only the copper layer 10 while leaving the inner lead made of the same copper. In order to perform such delicate etching, an expensive expensive dedicated etching agent (for example, a mixed solution of hydrogen peroxide, sulfuric acid, and hydrofluoric acid) is used.
Is required, which results in an increase in cost. Moreover, even if such a soft etching agent is used, it is difficult to control the conditions of the etching process, for example, the etching rate, and if the control is insufficient, even the inner leads may be etched, so that the quality stability may be reduced. At present, this is not a sufficient method.
【０００６】また、このようなソフトエッチングの工程
が管理上難しいことから、この工程に大きな影響を与え
る上記銅層１０の厚さについても十分な精度が要求され
てしまい、結果としてリードフレームの製造方法全体が
かなり困難なものとなっているのである。本発明は前記
事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、工程管理が容易であり、したがって品質安定性、低
コスト化などに優れたリードフレームの製造方法を提供
することにある。Further, since such a soft etching process is difficult to control, a sufficient precision is required for the thickness of the copper layer 10 which greatly affects the process, and as a result, the production of a lead frame is required. The whole method is quite difficult. The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a lead frame which is easy in process control, and is therefore excellent in quality stability, cost reduction, and the like. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の製造方法では、板状の金属ベースと、この金属ベース
の一方の面に該金属ベースと異なる金属材料から形成さ
れたエッチングストップ層と、該エッチングストップ層
の上に形成されたクロム層とからなる三層金属材を用い
るリードフレームの製造方法であって、上記三層金属材
のクロム層上に、形成すべきリードに対してネガのパタ
ーンを有するメッキレジスト層を形成する工程と、上記
三層金属材のクロム層上に上記メッキレジスト層をマス
クとして銅をメッキすることによりリードを形成する工
程と、上記金属ベースの上記リードが配設された領域の
裏側をエッチングにより除去する工程と、上記エッチン
グストップ層をエッチングする工程と、上記クロム層を
除去する工程とを有することを前記課題の解決手段とし
た。なお、上記のメッキすることによりリードを形成す
る工程を、該リードの基端部が上記金属ベース表面に接
続するように行うことが好ましい。According to the method for manufacturing a lead frame of the present invention, a plate-shaped metal base, an etching stop layer formed on one surface of the metal base from a metal material different from the metal base, A method for manufacturing a lead frame using a three-layer metal material comprising a chromium layer formed on the etching stop layer, wherein a negative electrode is formed on the chromium layer of the three-layer metal material with respect to a lead to be formed. A step of forming a plating resist layer having a pattern, a step of forming leads by plating copper on the chromium layer of the three-layer metal material using the plating resist layer as a mask, and a step of forming the leads of the metal base. A step of etching the back side of the provided region by etching, a step of etching the etching stop layer, and a step of removing the chromium layer. It was solutions of the object to. Preferably, the step of forming a lead by plating is performed such that the base end of the lead is connected to the surface of the metal base.
【０００８】[0008]
【作用】本発明のリードフレームの製造方法によれば、
金属ベースとエッチングストップ層とクロム層とからな
る三層金属材を用い、金属ベース上にメッキレジスト層
をマスクとして銅をメッキすることにより、リードをエ
ッチングストップ層上に形成するので、リード形成後ク
ロム層を除去する際、該クロム層がリードを形成する銅
と材質が異なることから、これらが同一の材質である場
合に比べその管理が容易になり、リードも同時に除去さ
れる恐れがなくなる。According to the lead frame manufacturing method of the present invention,
Using a three-layer metal material consisting of a metal base, an etching stop layer, and a chromium layer, plating the copper on the metal base using the plating resist layer as a mask to form the lead on the etching stop layer. When the chromium layer is removed, since the material of the chromium layer is different from that of the copper forming the leads, the management becomes easier as compared with the case where these are made of the same material, and there is no possibility that the leads are removed at the same time.
【０００９】また、リードを形成する際、該リードの基
端部を金属ベースの表面に接続するようにし、この接続
部分を別のリードの一部となるようにしてこの別のリー
ドを形成すれば、この別のリードと上記リードとが直接
接続したものとなることから、これらの間の接合強度が
高くなるとともに、これらの間に電位差が生ずることが
なくなる。したがって、このリードフレームに半導体チ
ップが搭載され、樹脂封止されてＩＣとして使用に供さ
れた際、経年劣化により水分が封止樹脂中に浸入して
も、上記リードや別のリードとエッチングストップ部と
の間に局部電池が形成され、これによりエッチングスト
ップ部の腐食が促進されるといった不都合が防止され
る。Further, when forming a lead, the base end of the lead is connected to the surface of the metal base, and this connecting portion is formed as a part of another lead, so that another lead is formed. For example, since the other lead and the lead are directly connected to each other, the bonding strength between them is increased, and no potential difference is generated between them. Therefore, when a semiconductor chip is mounted on this lead frame, sealed with a resin, and used as an IC, even if moisture infiltrates into the sealing resin due to aging, etching stops with the lead or another lead. A local cell is formed between the etching stop portion and the portion, thereby preventing inconvenience such as accelerated corrosion of the etching stop portion.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明のリードフレームの製造方法を
図面を参照して詳しく説明する。まず、製造に先立ち、
図１（ａ）の部分断面図に示すように本発明において三
層金属材となる三層クラッド材２０を用意する。この三
層クラッド材２０は、銅合金あるいは４２合金からなる
板状の金属ベース２１と、この金属ベース２１の一方の
面に形成されたエッチングストップ層２２と、該エッチ
ングストップ層２２の上に形成されたクロム層２３とか
らなるものであり、ドライメッキ法により金属ベース２
１上にアルミニウム（Ａｌ）が蒸着されてエッチングス
トップ層２２が形成され、さらにその上にクロム（Ｃ
ｒ）が蒸着されてクロム層２３が形成されて得られたも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a lead frame according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, prior to manufacturing,
As shown in the partial cross-sectional view of FIG. 1A, a three-layer clad material 20 which is a three-layer metal material in the present invention is prepared. The three-layer clad material 20 includes a plate-shaped metal base 21 made of a copper alloy or a 42 alloy, an etching stop layer 22 formed on one surface of the metal base 21, and formed on the etching stop layer 22. And a metal base 2 formed by dry plating.
1 is vapor-deposited on aluminum (Al) to form an etching stop layer 22, on which chromium (C) is further deposited.
r) is obtained by vapor deposition to form the chromium layer 23.
【００１１】ここで、金属ベース２１としては１５０μ
ｍ程度の厚さの所定寸法の合金材が用いられる。また、
エッチングストップ層２２はその厚さが１．０〜３．０
μｍ程度に形成され、クロム層２３はその厚さが０．０
５〜０．２μｍ程度に形成されている。なお、これらエ
ッチングストップ層２２、クロム層２３は、上記金属ベ
ース２１上の所定領域、すなわちインナーリードが形成
される領域に対応した箇所のみに形成されており、アウ
ターリードのみが形成される箇所については金属ベース
２１のみからなる構成となっている。Here, the metal base 21 is 150 μm.
An alloy material having a thickness of about m and a predetermined dimension is used. Also,
The etching stop layer 22 has a thickness of 1.0 to 3.0.
μm, and the chrome layer 23 has a thickness of 0.0
The thickness is about 5 to 0.2 μm. The etching stop layer 22 and the chromium layer 23 are formed only in a predetermined region on the metal base 21, that is, in a portion corresponding to a region where the inner lead is formed. Is composed of only the metal base 21.
【００１２】このような三層クラッド材２０を用意した
ら、クロム層２３上のインナーリード形成箇所に、形成
すべきインナーリードに対してネガのパターンを有する
メッキレジスト層（図示略）を形成する。このレジスト
パターンの形成については、レジスト材として例えば電
着レジスト（日本化学石油製オリゴＥＣ−ＵＶ）を用
い、コーティング厚を１０〜３０μｍ程度とする。ま
た、パターニングにおける露光の際の露光量については
１５０〜４００ｍｊ／ｃｍ2 程度とし、現像については
例えばＮａ2 ＣＯ3 １％溶液（４５℃）を用いたスプレ
ー法を採用する。When such a three-layer clad material 20 is prepared, a plating resist layer (not shown) having a negative pattern with respect to the inner lead to be formed is formed on the inner lead forming portion on the chromium layer 23. For the formation of the resist pattern, for example, an electrodeposition resist (oligo EC-UV manufactured by Nippon Chemical Oil Co., Ltd.) is used as the resist material, and the coating thickness is set to about 10 to 30 μm. Further, the amount of exposure at the time of exposure in patterning is about 150 to 400 mj / cm 2, and the spraying method using, for example, a 1% Na 2 CO 3 solution (45 ° C.) is used for development.
【００１３】そして、現像終了後酸性脱脂をし、さらに
必要に応じて硫酸等によりクロム層２３表面を活性化
し、その後硫酸銅メッキをすることによって図１（ｂ）
に示すようにエッチングストップ層２２表面のクロム層
２３上にインナーリード２４…を形成する。硫酸銅メッ
キについて具体的には、メッキ液としてＣｕＳＯ4 が８
０ｇ／ｌ、Ｈ2 ＳＯ4 が２００ｇ／ｌ、Ｃｌ- イオンが
５０ｐｐｍのものを用い、電流密度を１．０〜４．０Ａ
／ｄｍ2 程度として電気メッキを行う。このようにして
形成するインナーリード２４…については、その線幅が
３０μｍ程度、リード間の間隔も３０μｍ程度とされ
る。ここで、各インナーリード２４については、図１
（ｂ）に示すようにその基端部がクロム層２３（すなわ
ちエッチングストップ層２２）上から外側にはみ出、金
属ベース２１に直接接合するようにして形成する。After completion of the development, the surface of the chromium layer 23 is subjected to acidic degreasing, activated with sulfuric acid or the like, if necessary, and then plated with copper sulfate as shown in FIG.
Are formed on the chromium layer 23 on the surface of the etching stop layer 22 as shown in FIG. For copper sulfate plating, specifically, CuSO 4
0 g / l, 200 g / l of H 2 SO 4, 50 ppm of Cl − ion, and a current density of 1.0 to 4.0 A
/ Dm 2 for electroplating. The inner leads 24 formed in this manner have a line width of about 30 μm and an interval between the leads of about 30 μm. Here, each inner lead 24 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3B, the base end protrudes outward from the chromium layer 23 (that is, the etching stop layer 22) and is directly bonded to the metal base 21.
【００１４】このようにしてインナーリード２４…を形
成したら、上記メッキレジスト層を除去し、必要に応じ
インナーリード２４…表面に補強テープ（図示略）を該
インナーリード２４…と交差する方向に接着し、インナ
ーリード２４、２４を補強する。After forming the inner leads 24 in this manner, the plating resist layer is removed, and a reinforcing tape (not shown) is adhered to the surface of the inner leads 24 in a direction intersecting with the inner leads 24 if necessary. Then, the inner leads 24 are reinforced.
【００１５】次に、金属ベース２１の裏面、すなわちイ
ンナーリード２４…を形成した側と反対の側の面にレジ
ストパターン（図示略）を形成し、さらにこれをマスク
として金属ベース２１をエッチングすることにより、図
１（ｃ）に示すようにアウターリード２５…を形成す
る。また、これと同時に、先にインナーリード２４…を
形成した箇所の裏側Ａについても金属ベース２１部分を
エッチング除去する。このとき、インナーリード２４…
の裏側にはクロム層２３、アルミニウムからなるエッチ
ングストップ層２２が形成されていることから、インナ
ーリード２４…はエッチング処理により損傷されること
なく保護されたものとなっている。Next, a resist pattern (not shown) is formed on the back surface of the metal base 21, that is, on the surface opposite to the side on which the inner leads 24 are formed, and the metal base 21 is etched using the resist pattern as a mask. Thus, the outer leads 25 are formed as shown in FIG. At the same time, the metal base 21 is also etched away on the back side A where the inner leads 24 have been previously formed. At this time, the inner leads 24 ...
Are formed on the back side of the chrome layer 23 and the etching stop layer 22 made of aluminum, so that the inner leads 24 are protected without being damaged by the etching process.
【００１６】なお、インナーリード２４…形成箇所の裏
側Ａ部分におけるエッチングについては、特にその上に
形成されたエッチングストップ層２２に対応する箇所全
てを除去するのではなく、エッチングストップ層２２の
外周部の所定幅分に対応する箇所をそのまま残すように
して行う。したがって、上記アウターリード２５…のパ
ターンについては、該アウターリード２５…がそれぞれ
エッチングストップ層２２における残された部分に対応
する箇所をその一部とするようにして形成される。As for the etching at the portion A on the back side of the inner leads 24..., Not all the portions corresponding to the etching stop layer 22 formed thereon are removed, but the outer peripheral portion of the etching stop layer 22. Is performed so as to leave a portion corresponding to the predetermined width as it is. Therefore, the patterns of the outer leads 25 are formed such that the portions corresponding to the remaining portions of the etching stop layer 22 are part of the outer leads 25.
【００１７】次いで、このようにして金属ベース２１を
エッチング除去したら、インナーリード形成箇所の裏側
Ａにおいて露出したエッチングストップ層２２をエッチ
ング除去する。このエッチングについては、当然アルミ
ニウムを侵食し、アウターリード２５、インナーリード
２４を侵食しないように行う必要があり、例えばウェッ
トエッチングで行う場合には、リン酸系のエッチング液
を用いる。また、ドライエッチングで行う場合には、エ
ッチングガスとしてＢＣｌ3 （４０ＳＣＣＭ）＋Ｃｌ2
（１００ＳＣＣＭ）＋ＨｅまたはＮ2 （１５００ＳＣＣ
Ｍ）を用い、ＲＦパワーが２２０Ｗ、圧力１３４０Ｐ
ａ、テーブル温度５℃、エッチング速度７μｍ／２４０
ｓｅｃといった条件の反応性イオンエッチングによって
行う。このようにしてエッチングストップ層２２をエッ
チングすると、上述したように金属ベース２１が除去さ
れずに残った箇所に対応する、外周部の所定部分におい
ては除去されずに残る。そして、この残った部分が、図
２に示したエッチングストップ部２となるのである。Next, after the metal base 21 is removed by etching in this manner, the etching stop layer 22 exposed on the back side A of the location where the inner lead is formed is removed by etching. This etching must naturally be performed so as to erode aluminum and not erode the outer lead 25 and the inner lead 24. For example, when performing wet etching, a phosphoric acid-based etchant is used. When dry etching is performed, BCl 3 (40 SCCM) + Cl 2 is used as an etching gas.
(100 SCCM) + He or N 2 (1500 SCC
M), RF power is 220W, pressure is 1340P
a, table temperature 5 ° C., etching rate 7 μm / 240
This is performed by reactive ion etching under conditions such as sec. When the etching stop layer 22 is etched in this manner, the metal base 21 remains without being removed at a predetermined portion of the outer peripheral portion corresponding to a portion where the metal base 21 remains without being removed as described above. The remaining portion becomes the etching stop portion 2 shown in FIG.
【００１８】その後、エッチングストップ層２２が除去
されたことによりインナーリード２４…と反対の側にも
露出したクロム層２３を、適宜濃度の塩酸処理すること
によって除去し、これにより各隣接するインナーリード
２４、２４間を完全に分離した状態にする。（もちろ
ん、樹脂封止後アウターリードの不要部分をカットする
まではアウターリード２５のダイバー部分２５ａによっ
ては短絡された状態になっている。） そして、アルミニウムのスパッタリング、フォトエッチ
ング等によって各インナーリード２４の先端部表面にバ
ンプ（図示略）を形成し、図２に示したような構成のリ
ードフレームを得る。Thereafter, the chromium layer 23 exposed on the side opposite to the inner leads 24... Due to the removal of the etching stop layer 22 is removed by treatment with an appropriate concentration of hydrochloric acid. 24, 24 are completely separated. (Of course, after resin sealing, the diver portion 25a of the outer lead 25 is short-circuited until the unnecessary portion of the outer lead is cut.) Then, each inner lead 24 is formed by aluminum sputtering, photoetching or the like. A bump (not shown) is formed on the surface of the front end of the lead frame to obtain a lead frame having a configuration as shown in FIG.
【００１９】このようなリードフレームの製造方法にあ
っては、金属ベース２１とエッチングストップ層２２と
クロム層２３とからなる三層クラッド材２０を用い、金
属ベース２１上にメッキレジスト層をマスクとして銅を
メッキすることにより、インナーリード２４…をエッチ
ングストップ層２２上に形成するので、インナーリード
形成後クロム層２３を除去する際、該クロム層２３がイ
ンナーリード２４…を形成する銅と材質が異なることか
らその管理が容易となる。すなわち、例えば従来のごと
くこれらが同一の材質である場合に、専用のソウトエッ
チング剤を用いなくてはならず、しかもそのエッチング
速度についても十分な制御が必要であり、これに伴って
図３に示した銅層１０についてもその十分な膜厚制御が
要求されていたのに比べ、単に塩酸による処理のみでク
ロム層２３を除去することができ、しかもこの塩酸処理
では銅からなるインナーリード２４…が除去されないた
め、工程管理が極めて容易になるのである。In such a method of manufacturing a lead frame, a three-layer clad material 20 composed of a metal base 21, an etching stop layer 22, and a chromium layer 23 is used, and a plating resist layer is used as a mask on the metal base 21. Since the inner leads 24 are formed on the etching stop layer 22 by plating copper, when the chromium layer 23 is removed after the inner leads are formed, the chromium layer 23 is made of the same material as copper forming the inner leads 24. The difference makes the management easier. That is, for example, when these are made of the same material as in the related art, it is necessary to use a special soap etching agent, and it is necessary to sufficiently control the etching rate. The chromium layer 23 can be removed only by treatment with hydrochloric acid, as compared with the case where sufficient control of the film thickness of the copper layer 10 shown is required, and the inner leads 24 made of copper are used in this hydrochloric acid treatment. Is not removed, so that process control becomes extremely easy.
【００２０】また、インナーリード２４…を、その基端
部が金属ベース２１に当接するようにして形成したの
で、得られたリードフレームは、そのアウターリード２
５…とインナーリード２４…とが直接接続したものとな
る。したがって、このリードフレームは、アウターリー
ド２５…とインナーリード２４…との間の接合強度が高
くなるとともに、これらの間に電位差が生ずることがな
くなることから、このリードフレームに半導体チップが
搭載され、樹脂封止されてＩＣとして使用に供された
際、経年劣化により水分が封止樹脂中に浸入しても、イ
ンナーリード２４…やアウターリード２５…とエッチン
グストップ部（エッチングストップ層２２）との間に局
部電池が形成され、これによりエッチングストップ部の
腐食が促進されるといった不都合が防止されたものとな
る。Since the inner leads 24 are formed so that the base ends of the inner leads 24 are in contact with the metal base 21, the obtained lead frame is made of the outer leads 2.
5 and the inner leads 24 are directly connected. Accordingly, in this lead frame, the bonding strength between the outer leads 25 and the inner leads 24 is increased, and a potential difference is not generated between them. Therefore, a semiconductor chip is mounted on the lead frame. When used as an IC after being sealed with a resin, even if moisture penetrates into the sealing resin due to aging, even if moisture enters the sealing resin, the inner leads 24 and the outer leads 25 and the etching stop portion (etching stop layer 22) may not be connected. A local battery is formed in between, thereby preventing the disadvantage that corrosion of the etching stop portion is promoted.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明のリードフレ
ームの製造方法は、金属ベースとエッチングストップ層
とクロム層とからなる三層金属材を用い、金属ベース上
にメッキレジスト層をマスクとして銅をメッキすること
によりリードをエッチングストップ層上に形成する方法
であるから、リード形成後クロム層を除去する際、該ク
ロム層がリードを形成する銅と材質が異なることによ
り、これらが同一の材質である場合に比べその管理が容
易になり、リードも同時に除去する恐れもないものとな
る。As described above, the method for manufacturing a lead frame according to the present invention uses a three-layer metal material consisting of a metal base, an etching stop layer and a chromium layer, and forms a copper layer on the metal base by using a plating resist layer as a mask. Since the lead is formed on the etching stop layer by plating, when the chromium layer is removed after the lead is formed, the chromium layer is made of the same material as that of the copper forming the lead. In this case, the management is easier than in the case of (1), and there is no danger of removing the leads at the same time.
【００２２】すなわち、専用の高価なソフトエッチング
剤を用いる必要がなくなることから、製造コストを低減
することができ、しかもエッチング速度の管理やクロム
層の膜厚の制御がほとんど必要なくなることから、製造
工程管理が極めて容易になり、これによって得られる製
品の歩留りを高め、かつその信頼性を高めることができ
る。さらに、従来のごとく銅層を用いてものに比べ、リ
ードと材質の異なるクロム層を形成した三層金属材を用
いていることにより、従来の銅層に比べてクロム層の厚
さを薄くすることができ、三層金属材を製造する際の成
膜時間を短縮することができる。That is, since it is not necessary to use a dedicated and expensive soft etching agent, the manufacturing cost can be reduced. Further, since the control of the etching rate and the control of the thickness of the chromium layer are almost unnecessary, the manufacturing cost is reduced. The process control becomes extremely easy, thereby increasing the yield of the obtained product and improving its reliability. Furthermore, the thickness of the chromium layer is made smaller than that of the conventional copper layer by using a three-layer metal material having a chromium layer formed of a different material from the lead, as compared with the conventional case using a copper layer. This makes it possible to reduce the film forming time when manufacturing a three-layer metal material.
【００２３】また、リードを形成する際、該リードの基
端部を金属ベースの表面に接続するようにし、この接続
部分を別のリードの一部となるようにしてこの別のリー
ドを形成すれば、この別のリードと上記リードとが直接
接続したものとなることから、これらの間の接合強度が
高くなるとともに、これらの間に電位差が生ずることが
なくなる。したがって、このリードフレームに半導体チ
ップを搭載し、樹脂封止してＩＣとして使用した場合
に、経年劣化により水分が封止樹脂中に浸入しても、上
記リードや別のリードとエッチングストップ部との間に
局部電池が形成され、これによりエッチングストップ部
の腐食が促進されるといった不都合を防止することがで
きる。Further, when forming the lead, the base end of the lead is connected to the surface of the metal base, and this connection part is formed as a part of another lead, so that another lead is formed. For example, since the other lead and the lead are directly connected to each other, the bonding strength between them is increased, and no potential difference is generated between them. Therefore, when a semiconductor chip is mounted on this lead frame and used as an IC after sealing with a resin, even if moisture enters the sealing resin due to aging, the lead or another lead and the etching stop portion may be used. A local battery is formed during the process, thereby preventing the disadvantage that corrosion of the etching stop portion is promoted.
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の製造方法の一実施例
を説明するための製造工程図である。FIGS. 1A to 1C are manufacturing process diagrams for explaining an embodiment of a manufacturing method of the present invention.
【図２】リードフレームの一例を示す側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view showing an example of a lead frame.
【図３】従来の三層クラッドの一例を示す側断面図であ
る。FIG. 3 is a side sectional view showing an example of a conventional three-layer clad.
２０ 三層クラッド材 ２１ 金属ベース ２２ エッチングストップ層 ２３ クロム層 ２４ インナーリード ２５ アウターリード Reference Signs List 20 three-layer clad material 21 metal base 22 etching stop layer 23 chromium layer 24 inner lead 25 outer lead
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 23/50
Claims (2)
一方の面に該金属ベースと異なる金属材料から形成され
たエッチングストップ層と、該エッチングストップ層の
上に形成されたクロム層とからなる三層金属材を用いて
なるリードフレームの製造方法であって、 上記三層金属材のクロム層上に、形成すべきリードに対
してネガのパターンを有するメッキレジスト層を形成す
る工程と、 上記三層金属材のクロム層上に上記メッキレジスト層を
マスクとして銅をメッキすることによりリードを形成す
る工程と、 上記金属ベースの上記リードが配設された領域の裏側を
エッチングにより除去する工程と、 上記エッチングストップ層をエッチングする工程と、 上記クロム層を除去する工程とを有することを特徴とす
るリードフレームの製造方法。1. A plate-shaped metal base, an etching stop layer formed on one surface of the metal base from a metal material different from the metal base, and a chromium layer formed on the etching stop layer. A method for manufacturing a lead frame using a three-layer metal material, comprising: forming a plating resist layer having a negative pattern on a lead to be formed on the chromium layer of the three-layer metal material; A step of forming leads by plating copper on the chromium layer of the three-layer metal material using the plating resist layer as a mask, and a step of etching away the back side of a region where the leads of the metal base are provided. A step of etching the etching stop layer; and a step of removing the chromium layer.
法において、上記のメッキすることによりリードを形成
する工程を、該リードの基端部が上記金属ベース表面に
接続するように行うことを特徴とするリードフレームの
製造方法。2. The method of manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the step of forming a lead by plating is performed such that a base end of the lead is connected to the surface of the metal base. Lead frame manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6316171A JP2867903B2 (en) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | Lead frame manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6316171A JP2867903B2 (en) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | Lead frame manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172152A JPH08172152A (en) | 1996-07-02 |
| JP2867903B2 true JP2867903B2 (en) | 1999-03-10 |
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Family Applications (1)
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| JP6316171A Expired - Fee Related JP2867903B2 (en) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | Lead frame manufacturing method |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867903B2 (en) |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP6316171A patent/JP2867903B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH08172152A (en) | 1996-07-02 |
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