JP2867509B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP2867509B2 JP2867509B2 JP32302489A JP32302489A JP2867509B2 JP 2867509 B2 JP2867509 B2 JP 2867509B2 JP 32302489 A JP32302489 A JP 32302489A JP 32302489 A JP32302489 A JP 32302489A JP 2867509 B2 JP2867509 B2 JP 2867509B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- positive resist
- resist pattern
- developing
- methylstyrene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 レジストパターンの形成方法に関し、 レジストの現像残を無くすることを目的とし、 半導体基板上にα−メチルスチレンとα−クロロアク
リル酸メチルとの共重合体よりなり、下記構造式で示さ
れるポジ型レジストを被覆した後、該レジストに電離放
射線を照射して該レジストを選択的に感光せしめ、現像
してレジストパターンを形成する処理工程において、現
像が終わった後、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブ
チルケトン、メチルイソブチルケトンとイソプロピルア
ルコールの混合液の何れか一つを使用してリンス処理を
行うことを特徴としてレジストパターンの形成方法を構
成する。
リル酸メチルとの共重合体よりなり、下記構造式で示さ
れるポジ型レジストを被覆した後、該レジストに電離放
射線を照射して該レジストを選択的に感光せしめ、現像
してレジストパターンを形成する処理工程において、現
像が終わった後、四塩化炭素、キシレン、メチルイソブ
チルケトン、メチルイソブチルケトンとイソプロピルア
ルコールの混合液の何れか一つを使用してリンス処理を
行うことを特徴としてレジストパターンの形成方法を構
成する。
〔産業上の利用分野〕 本発明は感度を向上したレジストパターンの形成方法
に関する。
に関する。
半導体集積回路は集積化が進んでLSIやVLSIが実用化
されているが、これは導体線路や電極などの微細化によ
り実現されたものであり、現在では最少パターン幅が１
μｍ未満（サブミクロン）のものまで実用化されてい
る。
されているが、これは導体線路や電極などの微細化によ
り実現されたものであり、現在では最少パターン幅が１
μｍ未満（サブミクロン）のものまで実用化されてい
る。
こゝで微細なレジストパターンを形成する露光光源と
して当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制
限から、最少線幅は1.5μｍ程度に制限されてしまう。
して当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制
限から、最少線幅は1.5μｍ程度に制限されてしまう。
そこで、これに代わって電子線やＸ線などの電離放射
線露光が使用されるようになった。
線露光が使用されるようになった。
こゝで、電子線の波長は加速電圧により異なるもの
ゝ、0.1Å程度と格段に短いためにサブミクロン領域の
微細パターンの形成が可能となる。
ゝ、0.1Å程度と格段に短いためにサブミクロン領域の
微細パターンの形成が可能となる。
本発明は電子線露光を行ってレジストパターンを形成
する際に現像残を無くして微細パターンを形成する処理
方法に関するものである。
する際に現像残を無くして微細パターンを形成する処理
方法に関するものである。
発明者等はサブミクロンパターンの形成に当たって解
像性がよく、且つドライエッチング耐性の優れたレジス
トとして、上記（１）式で示すα−メチルスチレンとα
−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用
ポジ型レジストを提案している。
像性がよく、且つドライエッチング耐性の優れたレジス
トとして、上記（１）式で示すα−メチルスチレンとα
−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線用
ポジ型レジストを提案している。
（特開昭63−137227,昭和61年11月29日出願） このレジストは解像性と耐ドライエッチング耐性につ
いては優れた性能を示しており、また適切な現像液を使
用することにより高感度化も達成することができた。
いては優れた性能を示しており、また適切な現像液を使
用することにより高感度化も達成することができた。
然し、非常に密度の高いパターンを形成する場合には
現像残が生じ易いと云う問題があった。
現像残が生じ易いと云う問題があった。
先に記したように、発明者等はα−メチルスチレンと
α−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線
用ポジ型レジストの使用を提案しているが、非常に高密
度のレジストパターンを形成する場合に現像残が多発
し、歩留まりが低下すると云う問題を生じていた。
α−クロロアクリル酸メチルの共重合体よりなる電子線
用ポジ型レジストの使用を提案しているが、非常に高密
度のレジストパターンを形成する場合に現像残が多発
し、歩留まりが低下すると云う問題を生じていた。
そこで、この現像残を無くすることが課題である。
上記の課題は、半導体基板上にα−メチルスチレンと
α−クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり下記
構造式で示されるポジ型レジストを塗布する工程と、前
記塗布されたポジ型レジストを選択的に露光する工程
と、前記選択的に露光されたポジ型レジストを現像して
レジストパターンを形成する工程と、前記ポジ型レジス
トを現像する工程の後、該ポジ型レジストの未露光部分
を溶解せず且つ露光部分における該ポジ型レジストの残
些を溶解する溶剤を含むリンス液で前記レジストパター
ンをリンス処理する工程とを含み、 前記リンス液に含まれる溶剤が、四塩化炭素、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、体積比で50％以上のメチ
ルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールとの混合
液、の何れかであるように構成されたレジストパターン
の形成方法によって解決することができる。
α−クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり下記
構造式で示されるポジ型レジストを塗布する工程と、前
記塗布されたポジ型レジストを選択的に露光する工程
と、前記選択的に露光されたポジ型レジストを現像して
レジストパターンを形成する工程と、前記ポジ型レジス
トを現像する工程の後、該ポジ型レジストの未露光部分
を溶解せず且つ露光部分における該ポジ型レジストの残
些を溶解する溶剤を含むリンス液で前記レジストパター
ンをリンス処理する工程とを含み、 前記リンス液に含まれる溶剤が、四塩化炭素、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、体積比で50％以上のメチ
ルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールとの混合
液、の何れかであるように構成されたレジストパターン
の形成方法によって解決することができる。
〔作用〕 本発明にかゝり上記（１）式で表されるレジストは高
感度で用いるために非常に強い現像条件を使用してい
る。
感度で用いるために非常に強い現像条件を使用してい
る。
このため、現像した後に窒素（N2）ガスのブロー或い
はスピンオフなどの方法により急激に現像液を蒸発させ
て除去すると、現像液に溶解していた重合体が析出して
現像残となる。
はスピンオフなどの方法により急激に現像液を蒸発させ
て除去すると、現像液に溶解していた重合体が析出して
現像残となる。
そこで、リンス処理によって基板上にある重合体を含
んだ現像液を洗い出した後に乾燥することが必要とな
る。
んだ現像液を洗い出した後に乾燥することが必要とな
る。
こゝでリンス液は通常、重合体を溶かさないものを使
用しているが、重合体を全く溶かさない溶液を使用する
場合は、溶解性が極端に低下するため現像残を生じる。
用しているが、重合体を全く溶かさない溶液を使用する
場合は、溶解性が極端に低下するため現像残を生じる。
そこで、本発明は未露光部を溶かし出さない程度の溶
解力を持つ溶剤を使用することが望ましく、かゝる溶剤
としては四塩化炭素，キシレン，メチルイソブチルケト
ン（略称MIBK），メチルイソブチルケトン（MIBK）とイ
ソプロピルアルコール（略称IPA）の混合液の何れかゞ
適しており、これをリンス液として使用することにより
現像残を無くすることができる。
解力を持つ溶剤を使用することが望ましく、かゝる溶剤
としては四塩化炭素，キシレン，メチルイソブチルケト
ン（略称MIBK），メチルイソブチルケトン（MIBK）とイ
ソプロピルアルコール（略称IPA）の混合液の何れかゞ
適しており、これをリンス液として使用することにより
現像残を無くすることができる。
α−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルと
の1:1共重合体（平均重量分子量56000,分散度2.0）をＯ
−ジクロロベンゼンに溶解してレジスト液を作り、スピ
ンコート法によりレチクル基板上に5000Åの厚さに塗布
し、ホットプレートで200℃で10分間に亙ってベーキン
グした後、加速電圧20KVで電子線露光を行った。
の1:1共重合体（平均重量分子量56000,分散度2.0）をＯ
−ジクロロベンゼンに溶解してレジスト液を作り、スピ
ンコート法によりレチクル基板上に5000Åの厚さに塗布
し、ホットプレートで200℃で10分間に亙ってベーキン
グした後、加速電圧20KVで電子線露光を行った。
これをエチルベンゼンで10分間スペレー現像を行った
後、第１表に示す溶剤をリンス液として現像残を調べ
た。
後、第１表に示す溶剤をリンス液として現像残を調べ
た。
その結果は第１表に示すようにキシレン，四塩化炭
素,MIBK,MIBKとIPAの混液をリンス液として使用した場
合には現像残はないが、アセトン，イソオクタン，シク
ロヘキサン／エチルベンゼンのように重合体が全く溶け
ない溶剤をリンス液として使用する場合には現像残が発
生した。
素,MIBK,MIBKとIPAの混液をリンス液として使用した場
合には現像残はないが、アセトン，イソオクタン，シク
ロヘキサン／エチルベンゼンのように重合体が全く溶け
ない溶剤をリンス液として使用する場合には現像残が発
生した。
なお、第１表に挙げた溶剤について、リンス時間を30
秒に短縮した場合も結果は全く同様であった。
秒に短縮した場合も結果は全く同様であった。
以上記したようにα−メチルスチレンとα−クロロア
クリル酸メチルとの共重合体からなるレジストを現像す
る場合にリンス液としてキシレン，四塩化炭素,MIBK,MI
BKとIPAの混液の何れかを使用することにより現像残を
無くすことができる。
クリル酸メチルとの共重合体からなるレジストを現像す
る場合にリンス液としてキシレン，四塩化炭素,MIBK,MI
BKとIPAの混液の何れかを使用することにより現像残を
無くすことができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−99720（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−136153（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−128068（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−134360（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/32
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上にα−メチルスチレンとα−
クロロアクリル酸メチルとの共重合体よりなり下記構造
式で示されるポジ型レジストを塗布する工程と、前記塗
布されたポジ型レジストを選択的に露光する工程と、前
記選択的に露光されたポジ型レジストを現像してレジス
トパターンを形成する工程と、前記ポジ型レジストを現
像する工程の後、該ポジ型レジストの未露光部分を溶解
せず且つ露光部分における該ポジ型レジストの残些を溶
解する溶剤を含むリンス液で前記レジストパターンをリ
ンス処理する工程とを含み、 前記リンス液に含まれる溶剤が、四塩化炭素、キシレ
ン、メチルイソブチルケトン、体積比で50％以上のメチ
ルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールとの混合
液、の何れかであることを特徴とするレジストパターン
の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32302489A JP2867509B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
| EP90311533A EP0424182B1 (en) | 1989-10-19 | 1990-10-19 | Process for formation of resist patterns |
| DE69032464T DE69032464T2 (de) | 1989-10-19 | 1990-10-19 | Verfahren zur Herstellung von Photolackmustern |
| US08/100,343 US5403699A (en) | 1989-10-19 | 1993-08-02 | Process for formation of resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32302489A JP2867509B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182756A JPH03182756A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2867509B2 true JP2867509B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=18150271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32302489A Expired - Lifetime JP2867509B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-12-13 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867509B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163391A (ja) * | 1992-05-13 | 1994-06-10 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| JP5275385B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機現像処理方法及び有機現像処理装置 |
| WO2016208312A1 (ja) | 2015-06-23 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | リンス液、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32302489A patent/JP2867509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03182756A (ja) | 1991-08-08 |
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