JP2862928B2 - Sealing resin composition and semiconductor sealing device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、熱膨脹係数が小さく、熱伝導率が大きく、
耐湿性、成形性に優れた、特性バランスのよいエポキシ
系の封止用樹脂組成物及びその硬化物によって封止され
た半導体封止装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention has a small coefficient of thermal expansion, a large thermal conductivity,
The present invention relates to an epoxy-based encapsulating resin composition having excellent moisture resistance and moldability, and having a well-balanced property, and a semiconductor encapsulating device sealed with a cured product thereof.

（従来の技術） 従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子
部品を熱硬化性樹脂を用いて封止する方法が行われてき
た。この樹脂封止は、ガラス、金属、セラミックを用い
たハーメチックシール方式に比較して経済的に有利なた
め、広く実用化されている。封止用樹脂としては、熱硬
化性樹脂の中でも信頼性および価格の点からエポキシ樹
脂が最も一般的に用いられている。エポキシ樹脂には、
酸無水物、芳香族アミン、ノボラック型フェノール樹脂
等の硬化剤が用いられている。これらの中でもノボラッ
ク型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂は、他
の硬化剤を使用したものに比べて、成形性、耐湿性に優
れ、毒性がなく、かつ安価であるため半導体封止用樹脂
として広く使用されている。また充填剤としては、溶融
シリカ粉末や結晶性シリカ粉末が前述の硬化剤と共に最
も一般的に使用されている。近年、半導体部品の高密度
化、大電力化に伴い、熱放散性のよりよい半導体封止用
樹脂が要望されてきた。(Prior Art) Conventionally, a method of sealing electronic components such as diodes, transistors, and integrated circuits using a thermosetting resin has been performed. This resin sealing is economically advantageous as compared with the hermetic sealing method using glass, metal, and ceramic, and is therefore widely used. As a sealing resin, an epoxy resin is most commonly used among thermosetting resins in terms of reliability and cost. Epoxy resins include
Curing agents such as acid anhydrides, aromatic amines, and novolak phenol resins are used. Among them, epoxy resin using novolak type phenol resin as curing agent is superior in moldability and moisture resistance, non-toxic, and inexpensive compared to those using other curing agents, so it is a resin for semiconductor encapsulation. Widely used as. As the filler, fused silica powder or crystalline silica powder is most commonly used together with the above-mentioned curing agent. 2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in the density and power of semiconductor components, there has been a demand for a resin for semiconductor encapsulation having better heat dissipation.

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、ノボラック型フェノール樹脂を硬化剤
としたエポキシ樹脂と、溶融シリカ粉末とからなる樹脂
組成物は、熱膨脹係数が小さく、耐湿性がよく、温寒サ
イクル試験によるボンディングワイヤのオープン、樹脂
クラック、ペレットクラック等に優れているという特徴
を有するものの、熱伝導率が小さいため熱放散が悪く、
消費電力の大きいパワー半導体では、その機能が果たせ
なくなる欠点がある。一方、ノボラック型フェノール樹
脂を硬化剤としたエポキシ樹脂と、結晶性シリカ粉末と
からなる樹脂組成物は、結晶性シリカ粉末の配合割合を
高めると熱伝導率が大きくなって、熱放散も良好となる
が、熱膨脹係数が大きく、また耐湿性に対する信頼性が
悪くなる欠点がある。さらに、この樹脂組成物を用いた
封止品は機械的特性や成形性が低下する欠点があった。
従って、シリカ粉末を用いる封止樹脂組成物の高熱伝導
化にはおのずから限界があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, a resin composition comprising an epoxy resin using a novolak-type phenol resin as a curing agent and a fused silica powder has a small coefficient of thermal expansion, good moisture resistance, and a hot-cold cycle test. Although it has the characteristics of excellent bonding wire openness, resin cracks, pellet cracks, etc., heat dissipation is poor due to small thermal conductivity,
Power semiconductors with large power consumption have the disadvantage that their functions cannot be fulfilled. On the other hand, a resin composition composed of an epoxy resin using a novolak-type phenol resin as a curing agent and crystalline silica powder has a high thermal conductivity when the proportion of the crystalline silica powder is increased, and also has a good heat dissipation. However, there are disadvantages that the coefficient of thermal expansion is large and the reliability with respect to moisture resistance is deteriorated. Furthermore, a sealed product using this resin composition has a drawback in that mechanical properties and moldability are reduced.
Therefore, there is naturally a limit in increasing the thermal conductivity of the sealing resin composition using silica powder.

本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で熱伝導率、耐湿性、成形性に優れ、熱膨脹係数が小さ
く、熱放散性が良く、機械的強度のよい、しかもそれら
特性バランスのよい、信頼性の高い封止用樹脂組成物及
び半導体封止装置を提供することを目的としている。The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and has excellent thermal conductivity, moisture resistance, moldability, a small coefficient of thermal expansion, good heat dissipation, good mechanical strength, and a good balance of these properties. It is an object of the present invention to provide a good and highly reliable sealing resin composition and a semiconductor sealing device.

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレ
ン共重合樹脂、特定のジシラン化合物及び特定のβ窒化
ケイ素ウイスカーを配合することによって上記目的を達
成できることを見いだし、本発明を完成したものであ
る。[Constitution of the Invention] (Means for Solving the Problems) As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, a specific disilane compound and a specific It has been found that the above object can be achieved by blending β silicon nitride whiskers, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、 （Ａ）エポキシ樹脂、 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、 （Ｃ）メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂、 （Ｄ）次の一般式を有するジシラン化合物、及び （但し、式中Ｒはメチル基又はフェニル基を、Ｘはエポ
キシ基と反応する置換基を、Ｙはフェノール性水酸基と
反応する置換基を、ｎは３以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｅ）アスペクト比が20〜50のβ窒化ケイ素ウイスカー
を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｅ）のβ窒
化ケイ素ウイスカーを25〜90重量％含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物、およびその硬化物によっ
て半導体装置が封止されていることを特徴とする半導体
封止装置である。That is, the present invention provides (A) an epoxy resin, (B) a novolak-type phenol resin, (C) a methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, (D) a disilane compound having the following general formula, and (Where R represents a methyl or phenyl group, X represents a substituent that reacts with an epoxy group, Y represents a substituent that reacts with a phenolic hydroxyl group, and n represents an integer of 3 or more). A) a β silicon nitride whisker having an aspect ratio of 20 to 50 as an essential component, and 25 to 90 wt% of the β silicon nitride whisker (E) based on the resin composition; A semiconductor sealing device, wherein a semiconductor device is sealed with a resin composition and a cured product thereof.

本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分
子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物である
かぎり、分子構造、分子量等に特に制限はなく、一般に
使用されているものを広く包含することができる。例え
ばビスフェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体
等の脂環族系、さらに次の一般式で示されるエポキシノ
ボラック系のエポキシ樹脂が挙げられる。The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure, molecular weight and the like as long as it is a compound having at least two epoxy groups in its molecule, and widely includes commonly used resins. Can be. For example, bisphenol-type aromatic resins, alicyclic resins such as cyclohexane derivatives, and epoxy novolak-based epoxy resins represented by the following general formulas are exemplified.

（但し、式中R¹は水素原子、ハロゲン原子又はアルキル
基を、R²は水素原子又はアルキル基を、ｎは１以上の整
数を表す。）これらのエポキシ樹脂は単独又は２種以上
混合して用いる。 (In the formula, R ¹ represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group, R ² represents a hydrogen atom or an alkyl group, and n represents an integer of 1 or more.) These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Used.

本発明に用いる（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂と
しては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノー
ル類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒド
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル
化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これらは
単独又は２種以上混合して用いる。ノボラック型フェノ
ール樹脂の配合割合は、前記（Ａ）エポキシ樹脂のエポ
キシ基（ａ）と（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂のフ
ェノール性水酸基（ｂ）とのモル比［（ａ）／（ｂ）］
が0.1〜10の範囲内であることが望ましい。モル比が0.1
未満もしくは10を超えると耐湿性、成形作業性及び硬化
物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくな
い。As the novolak type phenol resin (B) used in the present invention, a novolak type phenol resin obtained by reacting phenols such as phenol and alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde, and modified resins thereof, for example, epoxidized or butylated novolak type Phenol resins and the like are used, and these are used alone or in combination of two or more. The mixing ratio of the novolak type phenolic resin is determined by the molar ratio of the epoxy group (a) of the epoxy resin (A) to the phenolic hydroxyl group (b) of the novolak type phenolic resin [(a) / (b)].
Is desirably in the range of 0.1 to 10. 0.1 molar ratio
If it is less than 10 or more than 10, the moisture resistance, the molding workability and the electrical properties of the cured product will be poor, and any case is not preferred.

本発明に用いる（Ｃ）メチルメタクリレート・ブタジ
エン・スチレン共重合樹脂としては、メチルメタクリレ
ートとブタジエンとスチレンとの共重合体であればよ
く、各モノマーの組成比率に限定されるものではない。
メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共重合樹
脂の配合割合は、樹脂組成物に対して、0.1〜10重量％
の割合で含有することが望ましい。その割合が0.1重量
％未満では、低弾性化の効果はなく、また10重量％を超
えると成形性が悪く好ましくない。好ましくは1.0〜5.0
重量％の範囲内である。メチルメタクリレート・ブタジ
エン・スチレン共重合樹脂の配合方法は、特に制限され
ることはないが、ノボラック型フェノール樹脂中均一に
分散しておくと好ましい。The (C) methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin used in the present invention may be any copolymer of methyl methacrylate, butadiene and styrene, and is not limited to the composition ratio of each monomer.
The mixing ratio of the methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin is 0.1 to 10% by weight based on the resin composition.
Is desirable. If the proportion is less than 0.1% by weight, the effect of lowering the elasticity is not obtained, and if it exceeds 10% by weight, the moldability is poor, which is not preferable. Preferably 1.0 to 5.0
% By weight. The method of compounding the methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin is not particularly limited, but is preferably dispersed uniformly in a novolak-type phenol resin.

本発明に用いる（Ｄ）ジシラン化合物としては、次の
一般式を有するものを使用する。As the (D) disilane compound used in the present invention, a compound having the following general formula is used.

但し、式中Ｒはメチル基又はフェニル基であり、ポリ
メチレン基（ｎ≧３）に結合するＸはエポキシ基と反応
する置換基で、具体的には−OH、−SH、−SSR³、−N
H₂、−NHR⁴、無水フタレイト等（ここにR³,R⁴はアルキ
ル基を表す）であり、ポリメチレン基（ｎ≧３）に結合
するＹはフェノール性水酸基と反応する置換基で、具体
的には である。 However, in the formula, R is a methyl group or a phenyl group, and X bonded to the polymethylene group (n ≧ 3) is a substituent that reacts with the epoxy group, specifically, —OH, —SH, —SSR ³ , — N
H ₂ , —NHR ⁴ , anhydrous phthalate and the like (where R ³ and R ⁴ each represent an alkyl group), and Y bonded to a polymethylene group (n ≧ 3) is a substituent that reacts with a phenolic hydroxyl group. Typically It is.

ジシラン化合物の具体的な化合物として 等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用
することができる。ジシラン化合物の配合割合は、樹脂
組成物に対して0.01〜５重量％の割合で含有することが
望ましい。その割合が0.01重量％未満であるとβ窒化ケ
イ素ウイスカーに対しての表面処理が適切でなくなり、
また５重量％を超えるとβ窒化ケイ素ウイスカー表面が
水分で分解されやすくなり好ましくない。好ましくは、
0.1〜1.0重量％の範囲内である。As a specific compound of disilane compound And the like, and these can be used alone or in combination of two or more. The compounding ratio of the disilane compound is preferably 0.01 to 5% by weight based on the resin composition. If the proportion is less than 0.01% by weight, the surface treatment on the β silicon nitride whisker becomes inappropriate,
If it exceeds 5% by weight, the surface of the β silicon nitride whisker is easily decomposed by moisture, which is not preferable. Preferably,
It is in the range of 0.1-1.0% by weight.

本発明に用いる（Ｅ）アスペクト比が20〜50のβ窒化
ケイ素ウイスカーとしては、ウイスカーの直径が0.5〜
1.5μm,長さ10〜30μｍでアスペクト比が20〜50のもの
が望ましい。ウイスカーの直径が0.5μｍ未満及び1.5μ
ｍを超えると製造上、作業性が低下し好ましくない。ま
た、ウイスカーの長さが10μｍ未満の場合は機械的強度
が不十分となり、30μｍを超えると成形時にワイヤー流
れがあり好ましくない。従ってアスペクト比が20〜50の
ウイスカーが好ましい。β窒化ケイ素ウイスカーの配合
割合は、樹脂組成物に対して25〜90重量％含有すること
が望ましい。その割合が25重量％未満では熱膨脹係数が
大きく、熱伝導率が小さく、機械的強度が弱く好ましく
ない。また、90重量％を超えるとかさばりが大きく、か
つ成形性が悪く実用に適さず好ましくない。As the (E) β silicon nitride whisker having an aspect ratio of 20 to 50 used in the present invention, the whisker diameter is 0.5 to 0.5.
It is preferable that the thickness is 1.5 μm, the length is 10 to 30 μm, and the aspect ratio is 20 to 50. Whisker diameter less than 0.5μm and 1.5μ
If it exceeds m, the workability in production decreases, which is not preferable. When the length of the whisker is less than 10 μm, the mechanical strength becomes insufficient. Therefore, whiskers having an aspect ratio of 20 to 50 are preferable. The compounding ratio of the β silicon nitride whisker is desirably 25 to 90% by weight based on the resin composition. If the proportion is less than 25% by weight, the coefficient of thermal expansion is large, the thermal conductivity is small, and the mechanical strength is unfavorable. On the other hand, if it exceeds 90% by weight, bulkiness is large and moldability is poor, which is not suitable for practical use and is not preferred.

本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラ
ック型フェノール樹脂、メチルメタクリレート・ブタジ
エン・スチレン共重合樹脂、ジシラン化合物、β窒化ケ
イ素ウイスカーを必須成分とするが、本発明の目的に反
しない限度において、必要に応じて天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色
剤、種々の硬化剤等を適宜添加配合することができる。The encapsulating resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a novolak-type phenol resin, a methyl methacrylate-butadiene-styrene copolymer resin, a disilane compound, and a β-silicon nitride whisker as essential components, but does not violate the object of the present invention. To the extent necessary, natural waxes, synthetic waxes, metal salts of linear fatty acids, acid amides, esters, release agents such as paraffins, chlorinated paraffins,
Flame retardants such as bromotoluene, hexabromobenzene and antimony trioxide, coloring agents such as carbon black and red iron, various curing agents and the like can be appropriately added and blended.

本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する
場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、メチルメタクリレート・ブタジエ
ン・スチレン共重合樹脂、ジシラン化合物、β窒化ケイ
素ウイスカーその他を所定の組成比に選択した原料をミ
キサー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロー
ルによる溶融混合処理、又はニーダ等による混合処理を
行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成
形材料とすることができる。こうして得られた成形材料
は、半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気部品
の封止、被覆、絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性
を付与させることができる。General methods for preparing the encapsulating resin composition of the present invention as a molding material include epoxy resin, novolak type phenol resin, methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, disilane compound, β silicon nitride whisker and the like. After mixing the raw materials selected in a predetermined composition ratio sufficiently uniformly by a mixer or the like, further perform a melt mixing treatment by a hot roll, or a mixing treatment by a kneader or the like, then cool and solidify, and pulverize to an appropriate size. It can be a molding material. When the molding material thus obtained is applied to sealing, covering, insulating, etc. of electronic parts or electric parts including semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.

本発明の半導体封止装置は、上記の封止用樹脂組成物
を用いて、半導体装置を封止することにより容易に製造
することができる。封止を行う半導体装置としては、例
えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリ
スタ、ダイオード等で特に限定されるものではない。封
止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成
形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止
も可能である。封止用樹脂組成物は成形の後にさらに加
熱して後硬化させ、最終的には組成物の硬化物によって
封止された半導体封止装置が得られる。加熱による後硬
化は150℃以上加熱し硬化させることが望ましい。The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor device using the above-described encapsulation resin composition. The semiconductor device for sealing is not particularly limited, for example, with an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. After molding, the sealing resin composition is further heated and post-cured, and finally a semiconductor sealing device sealed with a cured product of the composition is obtained. The post-curing by heating is desirably performed by heating at 150 ° C. or higher.

（実施例） 本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明
は以下の実施例に限定されるものではない。実施例およ
び比較例において、「％」とあるのは「重量％」を意味
する。(Examples) The present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples. In Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.

実施例 １ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）８％、β窒化ケイ素ウイスカー（アスペクト
比30,平均径1.0μｍ）71％、メチルメタクリレート・ブ
タジエン・スチレン共重合樹脂２％、次の式で示される
ジシラン化合物0.5％、 および離型剤2.5％を、常温で混合し、さらに90〜95℃
で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造した。Example 1 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 21
5) Novolak type phenol resin (phenol equivalent: 107) 8%, β silicon nitride whisker (aspect ratio 30, average diameter 1.0μm) 71%, methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin 2% to 16%, the following formula 0.5% of a disilane compound represented by And 2.5% of a release agent, mixed at room temperature, and further 90-95 ° C
And cooled and pulverized to produce a molding material.

実施例 ２ 実施例１において、β窒化ケイ素ウイスカー単体の代
わりに、β窒化ケイ素ウイスカー（平均径1.0μｍ）31
％と結晶性シリカ粉末（平均粒径38μｍ）40％の混合系
を用いた以外はすべて実施例１と同一にして成形材料を
製造した。Example 2 In Example 1, a β silicon nitride whisker (average diameter 1.0 μm) 31 was used instead of the β silicon nitride whisker alone.
% And crystalline silica powder (average particle size: 38 μm) A molding material was produced in the same manner as in Example 1 except that a mixed system of 40% was used.

比較例 １ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）16％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）８％、メチルメタクリレート・ブタジエン・
スチレン共重合樹脂2.0％、次の式で示されるジシラン
化合物0.5％、 溶融シリカ粉末71％、離型剤等2.5％を実施例１と同様
にして成形材料を製造した。Comparative Example 1 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 21
5) Novolak type phenol resin (phenol equivalent 107) 8%, methyl methacrylate butadiene
Styrene copolymer resin 2.0%, disilane compound 0.5% represented by the following formula, A molding material was manufactured in the same manner as in Example 1 except that 71% of the fused silica powder and 2.5% of the release agent were used.

比較例 ２ 比較例１において、溶融シリカ粉末の代わりに結晶性
シリカ粉末（平均粒径28μｍ）を用いた以外はすべて比
較例１と同一にして成形材料を製造した。Comparative Example 2 A molding material was produced in the same manner as in Comparative Example 1, except that crystalline silica powder (average particle size: 28 μm) was used instead of fused silica powder.

比較例 ３ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量21
5）18％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノール
当量107）９％、β窒化ケイ素ウイスカー（アスペクト
比30,平均径1.0μｍ）70％、その他３％を加えて比較例
１と同様にして成形材料を製造した。Comparative Example 3 Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 21
5) Novolak type phenol resin (phenol equivalent 107) 9%, β silicon nitride whisker (aspect ratio 30, average diameter 1.0μm) 70% and other 3% are added to 18%, and molding material is made in the same manner as Comparative Example 1 Was manufactured.

比較例 ４ 比較例３において、β窒化ケイ素ウイスカーの代わり
に、窒化ケイ素粉末（平均粒径17μｍ）を用いた以外は
すべて比較例３と同一にして成形材料を製造した。Comparative Example 4 A molding material was produced in the same manner as in Comparative Example 3, except that silicon nitride powder (average particle size: 17 μm) was used instead of the β silicon nitride whiskers.

実施例１〜２及び比較例１〜４で製造した成形材料を
用いて半導体装置を封止し170℃で加熱硬化させて半導
体封止装置を製造した。成形材料及び半導体封止装置に
ついて諸試験を行ったので、その結果を第１表に示し
た。本発明は熱的特性がよく、耐湿性、成形性に優れて
おり、本発明の硬化が確認された。A semiconductor device was sealed using the molding materials manufactured in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 4, and heated and cured at 170 ° C. to manufacture a semiconductor sealing device. Various tests were performed on the molding material and the semiconductor sealing device, and the results are shown in Table 1. The present invention has good thermal properties, and is excellent in moisture resistance and moldability, and the curing of the present invention was confirmed.

［発明の効果］ 以上の説明および第１表から明らかなように、本発明
の封止用樹脂組成物及び半導体封止装置は、熱的特性、
耐湿性、成形性に優れ、かつ機械的特性が良く、特性バ
ランスよい信頼性の高いものである。 [Effects of the Invention] As is clear from the above description and Table 1, the sealing resin composition and the semiconductor sealing device of the present invention have thermal characteristics,
It is excellent in moisture resistance and moldability, has good mechanical properties, is well balanced and has high reliability.

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 //(Ｃ０８Ｋ 13/02 3:34 5:54） (56)参考文献 特開 平３−43444（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−140322（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−249826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−22825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199220（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−144437（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 C08L 9/00 - 9/10 C08G 59/62 C08K 3/34 C08K 5/54 H01L 23/29Continuation of the front page (51) Int.Cl. ⁶ identification code FI H01L 23/31 // (C08K 13/02 3:34 5:54) (56) References JP-A-3-43444 (JP, A) JP-A-3-140322 (JP, A) JP-A-1-249826 (JP, A) JP-A-62-22825 (JP, A) JP-A-63-199220 (JP, A) JP-A-1-14437-7 JP, A) (58) Fields surveyed (Int. Cl. ⁶ , DB name) C08L 63/00-63/10 C08L 9/00-9/10 C08G 59/62 C08K 3/34 C08K 5/54 H01L 23 / 29

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、 （Ｃ）メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂、 （Ｄ）次の一般式を有するジシラン化合物、及び （但し、式中Ｒはメチル基又はフェニル基を、Ｘはエポ
キシ基と反応する置換基を、Ｙはフェノール性水酸基と
反応する置換基を、ｎは３以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｅ）アスペクト比が20〜50のβ窒化ケイ素ウイスカー
を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｅ）のβ窒
化ケイ素ウイスカーを25〜90重量％含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物。1. An epoxy resin, (B) a novolak type phenol resin, (C) a methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, (D) a disilane compound having the following general formula, and (Where R represents a methyl or phenyl group, X represents a substituent that reacts with an epoxy group, Y represents a substituent that reacts with a phenolic hydroxyl group, and n represents an integer of 3 or more). A) a β silicon nitride whisker having an aspect ratio of 20 to 50 as an essential component, and 25 to 90 wt% of the β silicon nitride whisker (E) based on the resin composition; Resin composition. 【請求項２】（Ａ）エポキシ樹脂、 （Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、 （Ｃ）メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン共
重合樹脂、 （Ｄ）次の一般式を有するジシラン化合物、 （但し、式中Ｒはメチル基又はフェニル基を、Ｘはエポ
キシ基と反応する置換基を、Ｙはフェノール性水酸基と
反応する置換基を、ｎは３以上の整数を、それぞれ表
す） （Ｅ）アスペクト比が25〜50のβ窒化ケイ素ウイスカー
を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｅ）のβ窒
化ケイ素ウイスカーを25〜90重量％含有する封止用樹脂
組成物の硬化物で半導体装置が封止されていることを特
徴とする半導体封止装置。2. An epoxy resin, (B) a novolak type phenol resin, (C) a methyl methacrylate / butadiene / styrene copolymer resin, (D) a disilane compound having the following general formula: (Where R represents a methyl or phenyl group, X represents a substituent that reacts with an epoxy group, Y represents a substituent that reacts with a phenolic hydroxyl group, and n represents an integer of 3 or more). A) A cured product of a sealing resin composition containing β-silicon nitride whiskers having an aspect ratio of 25 to 50 as an essential component and 25 to 90% by weight of the (E) β-silicon nitride whiskers based on the resin composition. A semiconductor sealing device, wherein the semiconductor device is sealed.