JP2862781B2 - Method for producing aromatic polycarbonate - Google Patents

Method for producing aromatic polycarbonate

Info

Publication number
JP2862781B2
JP2862781B2 JP6003564A JP356494A JP2862781B2 JP 2862781 B2 JP2862781 B2 JP 2862781B2 JP 6003564 A JP6003564 A JP 6003564A JP 356494 A JP356494 A JP 356494A JP 2862781 B2 JP2862781 B2 JP 2862781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compounds
group
bis
compound
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6003564A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07207014A (en
Inventor
渉 船越
勝司 佐々木
正典 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Teijin Ltd filed Critical Teijin Ltd
Priority to JP6003564A priority Critical patent/JP2862781B2/en
Priority to KR1019950000662A priority patent/KR0184620B1/en
Publication of JPH07207014A publication Critical patent/JPH07207014A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2862781B2 publication Critical patent/JP2862781B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by physical means, e.g. sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8232—Field-effect technology
    • H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
    • H01L21/8238—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS
    • H01L21/823807—Complementary field-effect transistors, e.g. CMOS with a particular manufacturing method of the channel structures, e.g. channel implants, halo or pocket implants, or channel materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
    • H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリカーボネートの製
造方法に関する。さらに詳しくは重合反応速度、色相、
耐熱性等に優れたポリカーボネートの製造方法に関す
る。The present invention relates to a method for producing polycarbonate. More specifically, polymerization reaction rate, hue,
The present invention relates to a method for producing a polycarbonate having excellent heat resistance and the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ポリカーボネートは、耐衝撃性などの機
械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも優れて
おり、広く用いられている。このようなポリカーボネー
トの製造方法としては、ビスフェノールなどの芳香族ジ
ヒドロキシ化合物とホスゲンとを直接反応させる方法
（界面法）、あるいはビスフェノールなどの芳香族ジヒ
ドロキシ化合物とジフェニルカーボネートなどのジアリ
ールカーボネートとを溶融状態でエステル交換反応（溶
融法）させる方法などが知られている。2. Description of the Related Art Polycarbonate is widely used because of its excellent mechanical properties such as impact resistance, heat resistance and transparency. As a method for producing such a polycarbonate, a method of directly reacting an aromatic dihydroxy compound such as bisphenol with phosgene (interface method), or a method in which an aromatic dihydroxy compound such as bisphenol and a diaryl carbonate such as diphenyl carbonate are melted. A method of transesterification (melting method) and the like are known.

【０００３】このような製造方法の内、芳香族ジヒドロ
キシ化合物とジアリールカーボネートとのエステル交換
反応によってポリカーボネートを製造する方法について
説明すると、この方法は、触媒として、金属の有機酸
塩、無機酸塩、酸化物、水酸化物、水素化物あるいはア
ルコラートなどを使用して減圧下に芳香族ジヒドロキシ
化合物とジアリールカーボネートとを、例えば最終的に
２５０〜３３０℃に加熱して溶融しながらエステル交換
反応させる方法である。Among such production methods, a method for producing a polycarbonate by a transesterification reaction between an aromatic dihydroxy compound and a diaryl carbonate will be described. This method uses a metal organic acid salt, an inorganic acid salt, or a catalyst as a catalyst. A method in which an aromatic dihydroxy compound and a diaryl carbonate are subjected to transesterification while being melted by heating, for example, finally to 250 to 330 ° C. under reduced pressure using an oxide, a hydroxide, a hydride or an alcoholate. is there.

【０００４】この方法は、前述の界面法と比較してポリ
カーボネートを安価に製造できるという利点を有してい
るが、反面ポリマーが長時間高温にさらされるために色
相が好ましくないという問題点があった。このような色
相の改善を行うために各種触媒が提案されているが、界
面法にて重合したポリカーボネートに劣り、いまだ充分
ではない。This method has the advantage that polycarbonate can be produced at a lower cost than the above-mentioned interface method, but has the problem that the hue is unfavorable because the polymer is exposed to high temperatures for a long time. Was. Various catalysts have been proposed to improve such a hue, but are inferior to polycarbonates polymerized by the interface method and are not yet sufficient.

【０００５】溶融重合法では触媒の存在下、高温、減圧
下、反応を行なうため、ポリマーが着色しやすく、副反
応によって生じる着色の少ないポリカーボネートを製造
するためいくつかの触媒系例えば、テトラアルキルアン
モニウムヒドロキシとアルカリ金属、アルカリ土類金属
を組み合せた、触媒系が提案されている。しかし、アル
カリ金属化合物を使用すると反応条件によってはポリマ
ー中に分岐構造によると考えられる塩化メチレン等の溶
媒に不溶な成分が生成することがある。分岐構造による
不溶物の生成は、重合度が大になる程顕著になる。In the melt polymerization method, the reaction is carried out at high temperature and reduced pressure in the presence of a catalyst, so that the polymer is liable to be colored, and some catalyst systems such as tetraalkylammonium are used to produce a polycarbonate which is less colored by side reactions. A catalyst system in which hydroxy is combined with an alkali metal and an alkaline earth metal has been proposed. However, when an alkali metal compound is used, a component insoluble in a solvent such as methylene chloride, which is considered to have a branched structure, may be formed in the polymer depending on the reaction conditions. The generation of insolubles due to the branched structure becomes more pronounced as the degree of polymerization increases.

【０００６】また得られたポリカーボネートの成形加工
時にも樹脂が高温雰囲気にさらされるため、酸化反応そ
の他の分解反応により着色、不溶化、異物の生成、分子
量低下等の問題がある。Further, the resin is exposed to a high-temperature atmosphere during the molding of the obtained polycarbonate, and therefore, there are problems such as coloring, insolubilization, generation of foreign matter, and reduction in molecular weight due to an oxidation reaction and other decomposition reactions.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、溶融重合法により、着色がなく、また得られたポリ
カーボネートの成形加工時に、樹脂の着色、異物の生
成、分子量低下の少ないポリカーボネートを製造するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a polycarbonate produced by a melt polymerization method, which is free of coloring and which has little coloring of resin, formation of foreign matter and reduction of molecular weight during molding of the obtained polycarbonate. The purpose is to:

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、特定の触媒系
を使用することにより着色がほとんどなく、成形加工時
の重合度低下が少なく、しかも溶媒に可溶性の高分子量
ポリカーボネートを製造しうることを見い出したことを
特徴とする。According to the present invention, it is possible to produce a high molecular weight polycarbonate which is hardly colored by the use of a specific catalyst system, has a small degree of polymerization during molding and is soluble in a solvent. It is characterized by having found.

【０００９】すなわち、本発明は、アルカリ金属のシア
ン酸塩、アルカリ土類金属のシアン酸塩、アルカリ金属
のチオシアン酸及びアルカリ土類金属のシアン酸塩から
なる群より選ばれた少なくとも一種の触媒存在下、芳香
族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートとを溶
融重合することを特徴とする芳香族ポリカーボネートの
製造方法である。That is, the present invention provides at least one catalyst selected from the group consisting of alkali metal cyanates, alkaline earth metal cyanates, alkali metal thiocyanates and alkaline earth metal cyanates. A process for producing an aromatic polycarbonate, comprising melt-polymerizing an aromatic dihydroxy compound and a diaryl carbonate in the presence.

【００１０】本発明に使用しうる芳香族ジヒドロキシ化
合物としては特に限定されないが、下記式（１）で示さ
れる化合物を挙げることができる。The aromatic dihydroxy compound that can be used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a compound represented by the following formula (1).

【００１１】[0011]

【化１】 Embedded image

【００１２】式中Ｘは、In the formula, X is

【００１３】[0013]

【化２】 Embedded image

【００１４】である。## EQU1 ##

【００１５】ここで、Ｒ3 、Ｒ4 は同一または異なり、
水素原子、ハロゲン原子または炭素数１〜１２の炭化水
素基である。炭化水素基としては、炭素数１〜１２の脂
肪族炭化水素基あるいは炭素数６〜１２の芳香族炭化水
素基が好ましい。かかる脂肪族炭化水素基として、アル
キル基、アルケニル基等が挙げられ、メチル基、エチル
基、プロピル基等が例示される。また芳香族炭化水素基
として置換もしくは非置換のフェニル基、ナフチル基等
が挙げられる。ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ
素等が挙げられる。Here, R 3 and R 4 are the same or different,
It is a hydrogen atom, a halogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. As the hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms is preferable. Examples of such an aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group and an alkenyl group, and examples include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. Examples of the aromatic hydrocarbon group include a substituted or unsubstituted phenyl group and a naphthyl group. Examples of the halogen atom include chlorine, bromine and iodine.

【００１６】Ｒ5 は、炭素数４〜２０の２価の炭化水素
基であり、アルキレン基、アルケニレン基等の脂肪族炭
化水素基が挙げられ、ブチレン基、ペンチレン基等が例
示される。R 5 is a divalent hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, examples of which include aliphatic hydrocarbon groups such as an alkylene group and an alkenylene group, such as a butylene group and a pentylene group.

【００１７】式中、Ｒ1 、Ｒ2 は同一または異なり、ハ
ロゲン原子または炭素数１〜１２の１価の炭化水素基で
ある。炭化水素基としては、炭素数１〜１２の脂肪族炭
化水素基あるいは炭素数６〜１２の芳香族基を挙げるこ
とができる。脂肪族炭化水素基としてアルキル基、アル
ケニル基等が例示でき、より具体的には、メチル基、エ
チル基、プロピル基等が挙げられる。また芳香族基とし
て、置換もしくは非置換のフェニル基、ナフチル基等が
挙げられる。ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素
等が挙げられる。In the formula, R 1 and R 2 are the same or different and are a halogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and an aromatic group having 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group and an alkenyl group, and more specifically, a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. Examples of the aromatic group include a substituted or unsubstituted phenyl group and a naphthyl group. Examples of the halogen atom include chlorine, bromine and iodine.

【００１８】式中、ｍ、ｎは同一または異なり、０また
は１〜４の整数を表す。In the formula, m and n are the same or different and represent 0 or an integer of 1 to 4.

【００１９】具体的には、以下に示す化合物を挙げるこ
とができる。ビス（４―ヒドロキシフェニル）メタン、
１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）エタン、２，
２―ビス（４―ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
―ビス（４―ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２―ビ
ス（４―ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４―ヒ
ドロキシフェニル）フェニルメタン、２，２―ビス（４
―ヒドロキシ―３―メチルフェニル）プロパン、１，１
―ビス（４―ヒドロキシ―ｔ―ブチルフェニル）プロパ
ン、２，２―ビス（４―ヒドロキシ―３―ブロモフェニ
ル）プロパンなどのビス（ヒドロキシアリール）アルカ
ン類、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）シクロ
ペンタン、１，１―ビス（４―ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサンなどのビス（ヒドロキシアリール）シクロ
アルカン類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、４，４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルフェ
ニルエーテルなどのジヒドロキシアリールエーテル類、
４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，
４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルジフェニルス
ルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類、
４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，
４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルジフェニルス
ルホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルホキシド
類、４，４′―ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，
４′―ジヒドロキシ―３，３′―ジメチルジフェニルス
ルホンなどのジヒドロキシジアリールスルホン類、９，
９―ビス（４―ヒドロキシフェニル）フルオレンなどの
ジヒドロキシジアリール類が挙げられる。Specifically, the following compounds can be exemplified. Bis (4-hydroxyphenyl) methane,
1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethane, 2,
2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2
-Bis (4-hydroxyphenyl) butane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) octane, bis (4-hydroxyphenyl) phenylmethane, 2,2-bis (4
-Hydroxy-3-methylphenyl) propane, 1,1
Bis (hydroxyaryl) alkanes such as -bis (4-hydroxy-t-butylphenyl) propane and 2,2-bis (4-hydroxy-3-bromophenyl) propane; 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ) Cyclopentane, bis (hydroxyaryl) cycloalkanes such as 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-dihydroxy-3,3'-dimethylphenyl ether Dihydroxy aryl ethers such as
4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,
Dihydroxydiaryl sulfides such as 4'-dihydroxy-3,3'-dimethyldiphenyl sulfide;
4,4'-dihydroxydiphenylsulfoxide, 4,
Dihydroxydiarylsulfoxides such as 4'-dihydroxy-3,3'-dimethyldiphenylsulfoxide;4,4'-dihydroxydiphenylsulfone;
Dihydroxydiaryl sulfones such as 4'-dihydroxy-3,3'-dimethyldiphenyl sulfone;
Dihydroxydiaryls such as 9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene;

【００２０】これらのうちでは特に２，２―ビス（４―
ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）が
好ましく用いられる。これらの芳香族ジヒドロキシ化合
物は単独であるいは組合わせて用いることができる。Of these, in particular, 2,2-bis (4-
(Hydroxyphenyl) propane (bisphenol A) is preferably used. These aromatic dihydroxy compounds can be used alone or in combination.

【００２１】ジアリールカーボネートは、炭素数６〜２
０の置換されていてもよいアリール基を有するカーボネ
ートであれば特に限定されないが、具体的には、ジフェ
ニルカーボネート、ジトリールカーボネート、ビス（ク
ロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネー
ト、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カー
ボネートなどを挙げることができる。これらのうち特に
ジフェニルカーボネートが好ましく用いられる。これら
ジアリールカーボネートは、単独であるいは組合わせて
用いることができる。上記のようなジアリールカーボネ
ートは芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、通常
１．０〜１．３０モル、好ましくは１．０１〜１．２０
モルの量で用いられることが望ましい。Diaryl carbonate has 6 to 2 carbon atoms.
The carbonate is not particularly limited as long as it has a zero-substituted aryl group. Specifically, diphenyl carbonate, ditolyl carbonate, bis (chlorophenyl) carbonate, m-cresyl carbonate, dinaphthyl carbonate, bis (Diphenyl) carbonate and the like can be mentioned. Of these, diphenyl carbonate is particularly preferably used. These diaryl carbonates can be used alone or in combination. The above diaryl carbonate is used in an amount of usually 1.0 to 1.30 mol, preferably 1.01 to 1.20, per mol of the aromatic dihydroxy compound.
Desirably, they are used in molar amounts.

【００２２】本発明で使用する触媒は、アルカリ金属の
シアン酸塩、アルカリ土類金属のシアン酸塩、アルカリ
金属のチオシアン酸塩及びアルカリ土類金属のチオシア
ン酸塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の触媒で
ある。The catalyst used in the present invention is at least one selected from the group consisting of alkali metal cyanates, alkaline earth metal cyanates, alkali metal thiocyanates and alkaline earth metal thiocyanates. Catalyst.

【００２３】具体的には、シアン酸リチウム、シアン酸
ナトリウム、シアン酸カリウム、シアン酸ルビジウム、
シア ン酸セシウム、シアン酸マグネシウム、シアン酸
カルシウム、シアン酸バリウムシアン酸ストロンチウ
ム、チオシアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、
チオシアン酸カリウム、チオシアン酸ルビジウム、チオ
シアン酸セシウム、チオシ アン酸マグネシウム、チオ
シアン酸カルシウム、チオシアン酸バリウム、チオシア
ン酸ストロンチウム等々である。Specifically, lithium cyanate, sodium cyanate, potassium cyanate, rubidium cyanate,
Cesium cyanate, magnesium cyanate, calcium cyanate, barium strontium cyanate, lithium thiocyanate, sodium thiocyanate,
Potassium thiocyanate, rubidium thiocyanate, cesium thiocyanate, magnesium thiocyanate, calcium thiocyanate, barium thiocyanate, strontium thiocyanate and the like.

【００２４】これらの化合物は、単独であるいは、組合
せて、使用することができる。この様なアルカリおよび
／またはアルカリ土類金属化合物は、上記芳香族ジヒド
ロキシ化合物１モルに対して１０-8〜１０-3モル使用す
る。反応速度、あるいは着色、架橋反応などの副反応の
観点より、好ましくは２×１０-8〜５×１０-4、さらに
好ましくは５×１０-8〜１０-4モル使用する。These compounds can be used alone or in combination. Such an alkali and / or alkaline earth metal compound is used in an amount of 10 -8 to 10 -3 mol per 1 mol of the aromatic dihydroxy compound. From the viewpoint of reaction rate or side reactions such as coloring and crosslinking reaction, it is preferably used in an amount of 2 × 10 −8 to 5 × 10 −4 , more preferably 5 × 10 −8 to 10 −4 mol.

【００２５】また所望によりその他の金属触媒も併用使
用することもできる。例えば、周期律表のＩＩＢ、ＩＩ
ＩＢ、ＩＶＡおよびIVＢ族に属する金属元素およびその
化合物の中から選ばれる。触媒として用いられる金属化
合物としては、例えばＺｎ（ＯＡｃ）2 、Ｚｎ（ＯＢ
ｚ）2 などの亜鉛のカルボン酸塩、ＺｎＯ、ＺｎＳなど
の亜鉛の酸化物または硫化物、Ｚｎ（ＯＨ）2 などの亜
鉛の水酸化物、（Ｃ2 Ｈ 5 ）2 Ｚｎ、Ｐｈ2 Ｚｎ、Ｃ2
Ｈ5 ＺｎＯＣ2 Ｈ5 、ＰｈＺｎＣｌ、ＰｈＺｎＯＡｃ、
Ｃ4 Ｈ9 ＺｎＯＡｃなどの有機亜鉛化合物、Ｚｎ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）2 、Ｚｎ（ＯＰｈ）2 などの亜鉛のアルコキシ
ドまたはアリーロキシド、Ｚｎ（ａｃａｃ）2 、Ｚｎ
（ｏｘｉｎ）2 などの亜鉛のキレート化合物などの亜鉛
の化合物類が挙げられる。If desired, other metal catalysts may be used in combination.
Can also be used. For example, IIB, II of the periodic table
Metal elements belonging to groups IB, IVA and IVB and their
Selected from compounds. Metallization used as catalyst
As the compound, for example, Zn (OAc)Two , Zn (OB
z)Two Zinc carboxylate, ZnO, ZnS, etc.
Oxide or sulfide of zinc, Zn (OH)Two Such as
Lead hydroxide, (CTwo H Five )Two Zn, PhTwo Zn, CTwo 
HFive ZnOCTwo HFive , PhZnCl, PhZnOAc,
CFour H9 Organic zinc compounds such as ZnOAc, Zn (OC
Two HFive )Two , Zn (OPh)Two Such as zinc alkoxy
Or aryloxide, Zn (acac)Two , Zn
(Oxin)Two Zinc such as zinc chelate
And the like.

【００２６】またＡｌ（ＯＡｃ）3 、Ａｌ（ＯＢｚ）3
などのアルミニウムのカルボン酸塩、Ａｌ2 Ｏ3 などの
アルミニウムの酸化物、Ａｌ（ＯＨ）3 などのアルミニ
ウムの水酸化物、Ｐｈ3 Ａｌなどの有機アルミニウム化
合物、Ａｌ（ＯＣＨ3 ）3 、Ａｌ（ＯＣ3 Ｈ7-1 ）3 、
Ａｌ（ＯＰｈ）3 などのアルミニウムのアルコキシドま
たはアリーロキシド、Ａｌ（ａｃａｃ）3 、Ａｌ（ｏｘ
ｉｎ）3 などのアルミニウムのキレート化合物などのア
ルミニウムの化合物類が挙げられる。Al (OAc) 3 , Al (OBz) 3
Aluminum carboxylate, aluminum oxide such as Al 2 O 3 , aluminum hydroxide such as Al (OH) 3 , organic aluminum compound such as Ph 3 Al, Al (OCH 3 ) 3 , Al ( OC 3 H 7-1 ) 3 ,
Alkoxides or aryloxides of aluminum such as Al (OPh) 3 , Al (acac) 3 , Al (ox
in) Aluminum compounds such as chelate compounds of aluminum such as 3 ).

【００２７】またＧａ（ＯＡｃ）3 、Ｇａ（ＯＢｚ）、
ＧａＯ（ＯＡｃ）などのガリウムのカルボン酸塩、Ｇａ
2 Ｏ3 などのガリウムの酸化物、Ｇａ（ＯＨ）3 などの
ガリウムの水酸化物、（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、Ｐｈ3 Ｇａな
どの有機ガリウム化合物、Ｇａ（ＯＣＨ3 ）3 、Ｇａ
（ＯＰｈ）3 などのガリウムのアルコキシドまたはアリ
ーロキシド、Ｇａ（ａｃａｃ）3 などのガリウムのキレ
ート化合物等のガリウムの化合物類が挙げられる。Further, Ga (OAc) 3 , Ga (OBz),
Gallium carboxylate such as GaO (OAc), Ga
Gallium oxides such as 2 O 3 , gallium hydroxides such as Ga (OH) 3 , organic gallium compounds such as (CH 3 ) 3 Ga, Ph 3 Ga, Ga (OCH 3 ) 3 , Ga
Gallium compounds such as gallium alkoxides or aryloxides such as (OPh) 3 and gallium chelate compounds such as Ga (acac) 3 are mentioned.

【００２８】またＩｎ（ＯＡｃ）3 などのインジウム酸
塩、Ｉｎ2 Ｏ3 などのインジウムの酸化物、（Ｃ2 Ｈ
5 ）3 Ｉｎ、Ｐｈ3 Ｉｎなどの有機インジウム化合物、
Ｉｎ（ａｃａｃ）3 などのインジウムのキレート化合物
などのインジウムの化合物類が挙げられる。Indium salts such as In (OAc) 3 , oxides of indium such as In 2 O 3 , (C 2 H
5) 3 In, organic indium compounds such as Ph 3 an In,
Indium compounds such as indium chelate compounds such as In (acac) 3 are exemplified.

【００２９】またＧｅ（ＯＡｃ）4 、Ｇｅ（ＯＢｚ）4
などのゲルマニウムのカルボン酸塩、ＧｅＯ2 などのゲ
ルマニウムの酸化物、Ｇｅ（ＯＨ）2 、Ｇｅ（ＯＨ）4
などのゲルマニウムの水酸化物、（Ｃ2 Ｈ5 ）4 Ｇｅ、
Ｐｈ4 Ｇｅ、［（ Ｃ4 Ｈ9）2 ＧｅＯ］n、［Ｐｈ2 Ｇ
ｅＯ］nなどの有機ゲルマニウム化合物、Ｇｅ（ＯＣＨ3
）4 、Ｇｅ（ＯＰｈ）4 などのゲルマニウムのアルコ
キシドまたはアリーロキシド、などのゲルマニウムの化
合物類が挙げられる。Ge (OAc) 4 , Ge (OBz) 4
Such as germanium carboxylate, germanium oxide such as GeO 2 , Ge (OH) 2 , Ge (OH) 4
Such as germanium hydroxide, (C 2 H 5 ) 4 Ge,
Ph 4 Ge, [(C 4 H 9 ) 2 GeO] n , [Ph 2 G
eO] n and other organic germanium compounds such as Ge (OCH 3
) 4 , and germanium compounds such as germanium alkoxides or aryloxides such as Ge (OPh) 4 .

【００３０】またＳｎ（ＯＡｃ）2 、Ｓｎ（ＯＡｃ）
4 、Ｓｎ（ＯＢｚ）2 、Ｓｎ（ＯＢｚ）4 などのスズの
カルボン酸塩、（Ｃ2 Ｈ5 ）4 Ｓｎ、Ｐｈ4 Ｓｎなどの
有機スズ化合物、（Ｃ4 Ｈ9 ）2 ＳｎＯ、［（Ｃ4 Ｈ
9 ）2 ＳｎＯ］n、［（Ｃ8 Ｈ17）2 ＳｎＯ］n、［（Ｃ
4 Ｈ9 ）ＰｈＳｎＯ］nなどの有機スズオキシド、（Ｃ4
Ｈ9 ）2 Ｓｎ（ＯＡｃ）2 、ジブチルスズラウレート
などの有機スズのカルボン酸塩、ＳｎＯ、ＳｎＯ2 など
のスズの酸化物、Ｓｎ（ＯＨ）2 、Ｓｎ（ＯＨ） 4 など
のスズの水酸化物、Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）2 、Ｓｎ（ＯＣ
Ｈ）3 、Ｓｎ（ＯＣ 4 Ｈ9 ）4 、Ｓｎ（ＯＰｈ）2 、Ｓ
ｎ（ＯＰｈ）4 、Further, Sn (OAc)Two , Sn (OAc)
Four , Sn (OBz)Two , Sn (OBz)Four Such as tin
Carboxylate, (CTwo HFive )Four Sn, PhFour Such as Sn
Organotin compounds, (CFour H9 )Two SnO, [(CFour H
9 )Two SnO]n, [(C8 H17)Two SnO]n, [(C
Four H9 ) PhSnO]nOrganic tin oxides such as (CFour
 H9 )Two Sn (OAc)Two , Dibutyltin laurate
Organic tin carboxylate such as SnO, SnOTwo Such
Tin oxide, Sn (OH)Two , Sn (OH) Four Such
Tin hydroxide, Sn (OCHThree )Two , Sn (OC
H)Three , Sn (OC Four H9 )Four , Sn (OPh)Two , S
n (OPh)Four ,

【００３１】[0031]

【化３】 Embedded image

【００３２】（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）2 などの
スズおよび有機スズのアルコキシドまたはアリーロキシ
ド、ＳｎＳＯ4 などのスズの無機酸塩、Ｎａ［ＳｎＦ
3 ］、［（Ｃ2 Ｈ5 ）4 Ｎ］等が挙げられる。Alkoxides or aryloxides of tin and organotin, such as (C 4 H 9 ) 2 Sn (OCH 3 ) 2 , inorganic salts of tin such as SnSO 4 , Na [SnF
3 ], [(C 2 H 5 ) 4 N] and the like.

【００３３】またＰｂ（ＯＡｃ）2 、Ｐｂ（ＯＡｃ）
4 、Ｐｂ（ＯＢｚ）2 などの鉛のカルボン酸塩、ＰｂＣ
Ｏ3 、２ＰｂＣＯ3 ・Ｐｂ（ＯＨ）2 、などの鉛の無機
酸塩、Ｎａ2 ［Ｐｂ（ＯＨ）6 ］などの鉛の錯化合物、
ＰｂＯ、ＰｂＯ2 、Ｐｂ3 Ｏ4などの鉛の酸化物、Ｐｂ
（ＯＨ）2 などの鉛の水酸化物、（Ｃ4 Ｈ9 ）4 Ｐｂ、
Ｐｈ4 Ｐｂ、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰｂＣｌ、Ｐｈ3 ＰｂＣ
ｌ、（Ｃ2 Ｈ5 ）2 ＰｂＣｌ2 、（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｐｂ
（ＯＡｃ）などの有機鉛化合物、Ｐｂ（ＯＣＨ3 ）4、
Ｐｂ（ＯＰｈ）4 、（Ｃ4 Ｈ9 ）2 Ｐｂ（ＯＰｈ）2 な
どの鉛および有機鉛のアルコキシドまたはアリーロキシ
ド、などの鉛の化合物類などが挙げられる。Pb (OAc) 2 , Pb (OAc)
4 , lead carboxylate such as Pb (OBz) 2 , PbC
An inorganic acid salt of lead such as O 3 , 2PbCO 3 .Pb (OH) 2 , a complex compound of lead such as Na 2 [Pb (OH) 6 ],
Lead oxides such as PbO, PbO 2 and Pb 3 O 4 , Pb
Hydroxide of lead such as (OH) 2 , (C 4 H 9 ) 4 Pb,
Ph 4 Pb, (C 2 H 5 ) 3 PbCl, Ph 3 PbC
1, (C 2 H 5 ) 2 PbCl 2 , (C 2 H 5 ) 3 Pb
Organic lead compounds such as (OAc), Pb (OCH 3 ) 4 ,
Examples of such compounds include lead compounds such as Pb (OPh) 4 and (C 4 H 9 ) 2 Pb (OPh) 2 , and lead compounds such as alkoxide or aryloxide of organic lead.

【００３４】またＺｒ（ＯＡｃ）4 、Ｚｒ（ＯＢｚ）4
などのジルコニウムのカルボン酸塩、ＺｒＯ2 などのジ
ルコニウム酸化合物、Ｚｒ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4 、Ｚｒ（Ｏ
Ｐｈ）4 などのジルコニウムのアルコキシドまたはアリ
ーロキシドＺｒ（ＯＡｃ）3（π−Ｃ5 Ｈ5 ）、ＺｒＨ2
（π−Ｃ5 Ｈ5 ）2 などの有機ジルコニウム化合物、
Ｚｒ（ａｃａｃ）4 などのジルコニウムのキレート化合
物などのジルコニウムの化合物などが挙げられる。これ
らの触媒、１種または２種以上を併用することもでき
る。Further, Zr (OAc) 4 and Zr (OBz) 4
Zirconium carboxylate, zirconate compound such as ZrO 2 , Zr (OC 4 H 9 ) 4 , Zr (O
Alkoxides or aryloxides of zirconium such as Ph) 4 Zr (OAc) 3 (π-C 5 H 5 ), ZrH 2
(Π-C 5 H 5) organic zirconium compounds such as 2,
Zirconium compounds such as chelate compounds of zirconium such as Zr (acac) 4 and the like. One or two or more of these catalysts may be used in combination.

【００３５】かかる触媒の使用量としては、上記芳香族
ヒドロキシ化合物１モルに対し１０ -8〜１０-3モル、好
ましくは５×１０-8〜１０-3、特に好ましくは２×１０
-8〜５×１０-4の範囲で使用しうる。上記使用範囲を逸
脱すると、得られるポリカーボネートの諸物性に悪影響
を及ぼしたり、また、重縮合反応が十分に進行せず高分
子量のポリカーボネートが得られない等の問題があり好
ましくない。The amount of the catalyst used is selected from the above aromatics
10 per mole of hydroxy compound -8-10-3Mole, good
Preferably 5 × 10-8-10-3And particularly preferably 2 × 10
-8~ 5 × 10-FourCan be used. Missing the above usage range
If removed, adversely affect the physical properties of the resulting polycarbonate
And the polycondensation reaction does not proceed
Problems, such as the inability to obtain
Not good.

【００３６】本発明において、触媒の仕込み方法は固形
状でも液状でも問わないが、好ましくは溶液または懸濁
液状である。溶液または懸濁液とする際の濃度は液体状
態で取り扱える濃度であればよく、好ましくは３０重量
％以下、より好ましくは２０重量％以下である。該溶液
または懸濁液中に溶存する酸素濃度は１００ｐｐｍ以下
が好ましく、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下、よりさ
らに好ましくは１０ｐｐｍ以下が好ましい。この範囲を
越えると溶存酸素の影響により着色あるいは分岐成分が
生成しやすい。In the present invention, the method of charging the catalyst may be either solid or liquid, but is preferably a solution or suspension. The concentration of the solution or suspension may be a concentration that can be handled in a liquid state, and is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. The concentration of oxygen dissolved in the solution or suspension is preferably 100 ppm or less, more preferably 50 ppm or less, even more preferably 10 ppm or less. If it exceeds this range, coloring or branched components are likely to be generated due to the influence of dissolved oxygen.

【００３７】また本発明においては、重合開始前、重合
途中、重合終了後のうち少なくとも１回以上溶融状態で
各種の安定剤を加えることも好ましい。該安定剤として
はイオウ含有酸性化合物および／または該酸性化合物か
ら形成される誘導体、フェノール系安定剤、チオエーテ
ル系安定剤、リン系安定剤、ヒンダートアミン系安定
剤、エポキシ化合物、サリチル酸系紫外線吸収剤、ベン
ゾトリアゾール系紫外線吸収剤等を挙げることができ
る。In the present invention, it is also preferable to add various stabilizers in a molten state at least one time before, during or after the polymerization. Examples of the stabilizer include a sulfur-containing acidic compound and / or a derivative formed from the acidic compound, a phenol-based stabilizer, a thioether-based stabilizer, a phosphorus-based stabilizer, a hindered amine-based stabilizer, an epoxy compound, and a salicylic acid-based ultraviolet absorber. Agents, benzotriazole-based ultraviolet absorbers, and the like.

【００３８】イオウ含有酸性化合物および／または該酸
性化合物から形成される誘導体としては、亜硫酸、硫
酸、スルフィン酸系化合物、スルホン酸系化合物および
これらの誘導体を挙げることができる。具体的に、硫酸
誘導体としては、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、硫酸、
ジプロピル硫酸、ジブチル硫酸、ジフェニル硫酸、ジメ
チル亜硫酸、ジエチル亜硫酸、ジフェニル亜硫酸、ドデ
シル硫酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ブ
チル硫酸ジメチルブチルトリデシルアンモニウム、エチ
ル硫酸ジメチルエチルヘキサデシアンニウム、メチル硫
酸トリメチルデシルアンモニウム、などを挙げることが
できる。Examples of the sulfur-containing acidic compound and / or a derivative formed from the acidic compound include sulfurous acid, sulfuric acid, sulfinic acid compounds, sulfonic acid compounds, and derivatives thereof. Specifically, as the sulfuric acid derivatives, dimethyl sulfate, diethyl sulfate, sulfuric acid,
Dipropyl sulfate, dibutyl sulfate, diphenyl sulfate, dimethyl sulfite, diethyl sulfite, diphenyl sulfite, sodium dodecyl sulfate, sodium hexadecyl sulfate, dimethyl butyl tridecyl ammonium butyl sulfate, dimethyl ethyl hexadecyanium ethyl sulfate, trimethyl decyl ammonium methyl sulfate, etc. Can be mentioned.

【００３９】スルフィン酸系化合物としては、ベンゼン
スルフィン酸、トルエンスルフィン酸、ナフタレンスル
フィン酸などを挙げることができる。スルホン酸系化合
物およびこの誘導体としては、以下のような化合物を挙
げることができる。すなわち、ベンゼンスルホン酸、ｐ
―トルエンスルホン酸などのスルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンス
ルホン酸ブチル、ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼ
ンスルホン酸フェニル、ｐ―トルエンスルホン酸メチ
ル、ｐ―トルエンスルホン酸エチル、ｐ―トルエンスル
ホン酸ブチル、ｐ―トルエンスルホン酸オクチル、ｐ―
トルエンスルホン酸フェニルなどのスルホン酸エステ
ル、ｐ―トルエンスルホン酸アンモニウムなどのスルホ
ン酸アンモニウム塩、ｐ―トルエンスルホン酸テトラブ
チルホスホニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラ
フエニルホスホニウム等を挙げることができる。Examples of the sulfinic acid compound include benzenesulfinic acid, toluenesulfinic acid, and naphthalene sulfinic acid. Examples of the sulfonic acid compound and its derivative include the following compounds. That is, benzenesulfonic acid, p
-Sulfonic acids such as toluenesulfonic acid, methyl benzenesulfonate, ethyl benzenesulfonate, butyl benzenesulfonate, octyl benzenesulfonate, phenyl benzenesulfonate, methyl p-toluenesulfonate, ethyl p-toluenesulfonate, p- Butyl toluenesulfonate, octyl p-toluenesulfonate, p-
Examples include sulfonic esters such as phenyl toluenesulfonate, ammonium sulfonates such as ammonium p-toluenesulfonate, tetrabutylphosphonium p-toluenesulfonate, and tetraphenylphosphonium dodecylbenzenesulfonate.

【００４０】これらの化合物は、単独で、あるいは組合
わせて用いることができる。これらのうち、［Ｂ］ｐＫ
ａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合物および該酸性
化合物から形成される誘導体として、スルホン酸系化合
物およびこの誘導体が好ましく用いられ、特にベンゼン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸ブチル、ｐ―トルエン
スルホン酸、ｐ―トルエンスルホン酸エチル、ｐ―トル
エンスルホン酸ブチルドデシル硫酸ナトリウム、メチル
硫酸トリメチルヘキサデシンアンモニユウム、ｐ―トル
エンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸テトラフエニルホスホニウム、が好ま
しく用いられる。These compounds can be used alone or in combination. Of these, [B] pK
As the sulfur-containing acidic compound having an a value of 3 or less and a derivative formed from the acidic compound, a sulfonic acid compound or a derivative thereof is preferably used. In particular, benzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, Ethyl p-toluenesulfonate, sodium butyldodecyl sulfate p-toluenesulfonate, ammonium trimethylhexadecine sulfate, tetrabutylphosphonium p-toluenesulfonate, tetraphenylphosphonium dodecylbenzenesulfonate are preferably used.

【００４１】フェノール系安定剤としては、例えば、ｎ
―オクタデシル―３―（４―ヒドロキシ―３′，５′―
ジ―ｔ―ブチルフェニル）プロピオネート、テトラキス
［メチレン―３―（３′，５′―ジ―ｔ―ブチル―４―
ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、１，
１，３―トリス（２―メチル―４―ヒドロキシ―５―ｔ
―ブチルフェニル）ブタン、ジステアリル（４―ヒドロ
キシ―３―メチル―５―ｔ―ブチル）ベンジルマロネー
ト、４―ヒドロキシメチル―２，６―ジ―ｔ―ブチルフ
ェノール等があげられ、これらを単独で用いても２種以
上混合して用いてもよい。Examples of the phenolic stabilizer include, for example, n
-Octadecyl-3- (4-hydroxy-3 ', 5'-
Di-tert-butylphenyl) propionate, tetrakis [methylene-3- (3 ', 5'-di-tert-butyl-4-)
Hydroxyphenyl) propionate] methane, 1,
1,3-Tris (2-methyl-4-hydroxy-5-t
-Butylphenyl) butane, distearyl (4-hydroxy-3-methyl-5-tert-butyl) benzylmalonate, 4-hydroxymethyl-2,6-di-tert-butylphenol, etc., which are used alone They may be used alone or in combination of two or more.

【００４２】チオエーテル系安定剤としては、例えば、
ジラウリル・チオジプロピオネート、ジステアリル・チ
オジプロピオネート、ジミリスチル―３，３′―チオジ
プロピオネート、ジトリデシル―３，３′―チオジプロ
ピオネート、ペンタエリスリトール―テトラキス―（β
―ラウリル―チオプロピオネート）等が挙げられ、これ
らを単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。As the thioether-based stabilizer, for example,
Dilauryl thiodipropionate, distearyl thiodipropionate, dimyristyl-3,3'-thiodipropionate, ditridecyl-3,3'-thiodipropionate, pentaerythritol-tetrakis- (β
-Lauryl-thiopropionate) and the like, and these may be used alone or as a mixture of two or more.

【００４３】また、リン系安定剤としては、例えば、ビ
ス（２，４―ジ―ｔ―ブチルフェニル）ペンタエリスリ
チルジホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、
フェニルイソオクチルホスファイト、２―エチルヘキシ
ルジフェニルホスファイト等のアリールアルキルホスフ
ァイト；トリメチルホスファイト、トリエチルホスファ
イト、トリブチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジステアリルペンタエリスリチルジホスファ
イト、トリス（２―クロロエチル）ホスファイト、トリ
ス（２，３―ジクロロプロピル）ホスファイト等のトリ
アルキルホスファイト；トリシクロヘキシルホスファイ
ト等のトリシクロアルキルホスファイト；トリフェニル
ホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（エ
チルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４―ジ―ｔ
―ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシ
フェニル）ホスファイト等のトリアリールホスファイ
ト；トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリブチルホスフェート、トリオクタデシルホスフ
ェート、ジステアリルペンタエリスリチルホスフェー
ト、トリス（２―クロロエチル）ホスフェート等のトリ
アルキルホスフェート；トリシクロヘキシルホスフェー
ト等のトリシクロアルキルホスフェート；トリフェニル
ホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノ
ニルフェニル）ホスフェート、２―エチルフェニルジフ
ェニルホスフェート等のトリアリールホスフェート等が
挙げられ、これらを単独で用いても２種以上混合して用
いてもよい。Examples of the phosphorus-based stabilizer include bis (2,4-di-t-butylphenyl) pentaerythrityl diphosphite, diphenyldecyl phosphite, and the like.
Arylalkyl phosphites such as phenylisooctyl phosphite and 2-ethylhexyl diphenyl phosphite; trimethyl phosphite, triethyl phosphite, tributyl phosphite, trioctadecyl phosphite, distearyl pentaerythrityl diphosphite, and tris (2-chloroethyl ) Trialkyl phosphites such as phosphite and tris (2,3-dichloropropyl) phosphite; tricycloalkyl phosphites such as tricyclohexyl phosphite; triphenyl phosphite, tricresyl phosphite, tris (ethylphenyl) Phosphite, tris (2,4-di-t
Tributyl phosphite, tris (hydroxyphenyl) phosphite, and other triaryl phosphites; trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, trioctadecyl phosphate, distearyl pentaerythrityl phosphate, tris (2-chloroethyl) phosphate, etc. Trialkyl phosphates such as tricyclohexyl phosphate; triaryl phosphates such as triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, tris (nonylphenyl) phosphate and 2-ethylphenyl diphenyl phosphate; They may be used alone or in combination of two or more.

【００４４】またヒンダードアミン系安定剤としては、
例えば、ビス（２，２，６，６―テトラメチル―４―ピ
ペリジル）セバケート、８―ベンジル―７，７，９，９
―テトラメチル―３―オクチル―１，２，３―トリアザ
スピロ［４，５］ウンデカン―２，４―ジオン、４―ベ
ンゾイルオキシ―２，２，６，６―テトラメチルピペリ
ジン、テトラキス（２，２，６，６―テトラメチル―４
―ピペリジル）１，２，３，４―ブタンテトラカルボキ
シレートなどが挙げられ、これらを単独で用いても２種
以上混合して用いてもよい。The hindered amine stabilizers include
For example, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, 8-benzyl-7,7,9,9
-Tetramethyl-3-octyl-1,2,3-triazaspiro [4,5] undecane-2,4-dione, 4-benzoyloxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, tetrakis (2,2 , 6,6-tetramethyl-4
—Piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate and the like, and these may be used alone or as a mixture of two or more.

【００４５】本発明では、エポキシ化合物として、１分
子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が用いられ
る。In the present invention, a compound having one or more epoxy groups in one molecule is used as the epoxy compound.

【００４６】このようなエポキシ化合物として、具体的
には、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェニ
ルグリシジルエーテル、ｔ―ブチルフェニルグリシジル
エーテル、３，４―エポキシシクロヘキシルメチル―
３′，４′―エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト、３，４―エポキシシクロヘキシルエチレンオキシ
ド、シクロヘキシルメチル―３，４―エポキシシクロヘ
キシルカルボキシレート、３，４―エポキシ―６―メチ
ルシクロヘキシルメチル―６′―メチルシロヘキシルカ
ルボキシレート、ブシフェノール―Ａジグリシジルエー
テル、フタル酸のジグリシジルエステル、ヘキサヒドロ
フタル酸のジグリシジルエステル、ビス―エポキシジシ
クロペンタジエニルエーテル、ビス―エポキシエチレン
グリコール、ビス―エポキシシクロヘキシルアジペー
ト、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニルエチレン
エポキシド、オクチルエポキシタレート、エポキシ化ポ
リブタジエン、３，４―ジメチル―１，２―エポキシシ
クロヘキサン、３，５―ジメチル―１，２―エポキシシ
クロヘキサン、３―メチル―５―ｔ―ブチル―１，２―
エポキシシクロヘキサン、オクタデシル―２，２―ジメ
チル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト、Ｎ―ブチル―２，２―ジメチル―３，４―エポキシ
シクロヘキシルカルボキシレート、シクロヘキシル―２
―メチル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レート、Ｎ―ブチル―２―イソプロピル―３，４―エポ
キシ―５―メチルシクロヘキシルカルボキシレート、オ
クタデシル―３，４―エポキシシクロヘキシルカルボキ
シレート、２―エチルヘキシル―３′，４′―エポキシ
シクロヘキシルカルボキシレート、４，６―ジメチル―
２，３―エポキシシクロヘキシル―３′，４′―エポキ
シシクロヘキシルカルボキシレート、４，５―エポキシ
無水テトラヒドロフタル酸、３―ｔ―ブチル―４，５―
エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジエチル―４，５
―エポキシ―シス―１，２―シクロヘキシルジカルボキ
シレート、ジ―ｎ―ブチル―３―ｔ―ブチル―４，５―
エポキシ―シス―１，２―シクロヘキシルジカルボキシ
レートなどを挙げることができる。As such epoxy compounds, specifically, epoxidized soybean oil, epoxidized linseed oil, phenylglycidyl ether, t-butylphenylglycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-
3 ', 4'-epoxycyclohexylcarboxylate, 3,4-epoxycyclohexylethylene oxide, cyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexylcarboxylate, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-6'-methylsilohexylcarboxy Diglycidyl ester of phthalic acid, diglycidyl ester of phthalic acid, diglycidyl ester of hexahydrophthalic acid, bis-epoxydicyclopentadienyl ether, bis-epoxyethylene glycol, bis-epoxycyclohexyl adipate, butadiene Epoxide, tetraphenylethylene epoxide, octyl epoxy tartrate, epoxidized polybutadiene, 3,4-dimethyl-1,2-epoxycyclohexane, 3,5- Methyl-1,2-epoxycyclohexane, 3-methyl -5-t-butyl-1,2
Epoxycyclohexane, octadecyl-2,2-dimethyl-3,4-epoxycyclohexylcarboxylate, N-butyl-2,2-dimethyl-3,4-epoxycyclohexylcarboxylate, cyclohexyl-2
-Methyl-3,4-epoxycyclohexylcarboxylate, N-butyl-2-isopropyl-3,4-epoxy-5-methylcyclohexylcarboxylate, octadecyl-3,4-epoxycyclohexylcarboxylate, 2-ethylhexyl-3 '4,4'-Epoxycyclohexylcarboxylate, 4,6-dimethyl-
2,3-epoxycyclohexyl-3 ', 4'-epoxycyclohexylcarboxylate, 4,5-epoxytetrahydrophthalic anhydride, 3-tert-butyl-4,5-
Epoxy tetrahydrophthalic anhydride, diethyl-4,5
-Epoxy-cis-1,2-cyclohexyldicarboxylate, di-n-butyl-3-tert-butyl-4,5-
Epoxy-cis-1,2-cyclohexyldicarboxylate and the like can be mentioned.

【００４７】サリチル酸系紫外線吸収剤としては、具体
的には、フェニルサリシレート、ｐ―ｔ―ブチルフェニ
ルサリシレートが挙げられる。ベンゾフェノン系紫外線
吸収剤としては、２，４―ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、２―ヒドロキシ―４―メトキシベンゾフェノン、
２，２′―ジヒドロキシ―４―メトキシベンゾフェノ
ン、２，２′―ジヒドロキシ―４，４′―ジメトキシベ
ンゾフェノン、２―ヒドロキシ―４―メトキシ―２′―
カルボキシベンゾフェノン、２―ヒドロキシ―４―メト
キシ―５―スルホベンゾフェノントリヒドレート、２―
ヒドロキシ―４―ｎ―オクトキシベンゾフェノン、２，
２′，４，４′―テトラヒドロキシベンゾフェノン、４
―ドデシロキシ―２―ヒドロキシベンゾフェノン、ビス
（５―ベンゾイル―４―ヒドロキシ―２―メトキシフェ
ニル）メタン、２―ヒドロキシ―４―メトキシベンゾフ
ェノン―５―スルホン酸などが挙げられる。Specific examples of the salicylic acid-based ultraviolet absorber include phenyl salicylate and pt-butylphenyl salicylate. As the benzophenone-based ultraviolet absorber, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone,
2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-2'-
Carboxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxy-5-sulfobenzophenone trihydrate, 2-
Hydroxy-4-n-octoxybenzophenone, 2,
2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 4
-Dodecyloxy-2-hydroxybenzophenone, bis (5-benzoyl-4-hydroxy-2-methoxyphenyl) methane, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonic acid, and the like.

【００４８】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、２―（２′―ヒドロキシ―５′―メチル―フェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２―（２′―ヒドロキシ―
３′，５′―ジ―ｔ―ブチル―フェニル）ベンゾトリア
ゾール、２―（２′―ヒドロキシ―３′―ｔ―ブチル―
５′―メチル―フェニル）―５―クロロベンゾトリアゾ
ール、２―（２′―ヒドロキシ―３′，５′―ジ―ｔ―
ブチル―フェニル）―５―クロロベンゾトリアゾール、
２―（２′―ヒドロキシ―５′―ｔ―オクチルフェニ
ル）ベンゾトリアゾール、２―（２′―ヒドロキシ―
３′，５′―ジ―ｔ―アミルフェニル）ベンゾトリアゾ
ール、２―［２′―ヒドロキシ―３′―（３″，４″，
５″，６″―テトラヒドロフタルイミドメチル）―５′
―メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２，２′―メ
チレンビス［４―（１，１，３，３―テトラメチルブチ
ル）―６―（２Ｈ―ベンゾトリアゾール―２―イル）フ
ェノール］などを挙げることができる。As the benzotriazole ultraviolet absorber, 2- (2'-hydroxy-5'-methyl-phenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-
3 ', 5'-di-t-butyl-phenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3'-t-butyl-
5'-methyl-phenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-t-
Butyl-phenyl) -5-chlorobenzotriazole,
2- (2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-
3 ', 5'-di-t-amylphenyl) benzotriazole, 2- [2'-hydroxy-3'-(3 ", 4",
5 ", 6" -tetrahydrophthalimidomethyl) -5 '
-Methylphenyl] benzotriazole, 2,2'-methylenebis [4- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) -6- (2H-benzotriazol-2-yl) phenol] and the like. .

【００４９】シアノアクリレート系紫外線吸収剤として
は、２―エチルヘキシル―２―シアノ―３，３―ジフェ
ニルアクリレート、エチル―２―シアノ―３，３―ジフ
ェニルアクリレートなどを挙げることができる。Examples of the cyanoacrylate-based ultraviolet absorber include 2-ethylhexyl-2-cyano-3,3-diphenyl acrylate and ethyl-2-cyano-3,3-diphenyl acrylate.

【００５０】これらの化合物は上記芳香族ジヒドロキシ
化合物１モルに対して、１０-8〜１０-1モル、好ましく
は１０-7〜１０-2モルの量で用いられる。These compounds are used in an amount of 10 -8 to 10 -1 mol, preferably 10 -7 to 10 -2 mol, per 1 mol of the aromatic dihydroxy compound.

【００５１】また本発明では上記のような芳香族ジヒド
ロキシ化合物とジアリールカーボネートとを溶融重縮合
してポリカーボネートを製造するに際して、末端封止剤
として反応系に炭素数が１０〜４０、好ましくは１５〜
４０のフェノール類を、芳香族系有機二水酸基化合物に
対して０．０５〜１０モル％、好ましくは０．５〜７モ
ル％、さらに好ましくは１〜５モル％の量で存在させ
る。In the present invention, when the aromatic dihydroxy compound and the diaryl carbonate are melt-polycondensed to produce a polycarbonate, the reaction system has 10 to 40, preferably 15 to 15 carbon atoms as a terminal blocking agent.
Forty phenols are present in an amount of 0.05 to 10 mol%, preferably 0.5 to 7 mol%, more preferably 1 to 5 mol%, based on the aromatic organic dihydroxy compound.

【００５２】上記のような炭素数が１０〜４０のフェノ
ール類として、以下のような化合物が用いられる。ｏ―
ｍ―ブチルフェノール、ｐ―シクロヘキシルフェノー
ル、ｏ―フェニルフェノール、ｍ―イソブチルフェノー
ル、ｍ―ｎ―ノニルフェノール、ｐ―ｔ―ブチルフェノ
ール、ｏ―ｍ―ペンチルフェノール、ｐ―クミルフェノ
ール、ｐ―ｍ―ペンチルフェノール、ｏ―ナフチルフェ
ノール、ｐ―ｎ―ペンチルフェノール、ｍ―ｎ―ヘキシ
ルフェノール、２，６―ジ―ｔ―ブチルフェノール、
２，４―ジ―ｔ―ブチルフェノール、３，５―ジ―ｔ―
ブチルフェノール、２，６―ジクミルフェノール、３，
５―ジクミルフェノール、２，２，２―トリメチル―４
―（ヒドロキシフェニル）クロマン等のモノヒドロキシ
クロマン誘導体などの１価のフェノールが用いられる。As the phenols having 10 to 40 carbon atoms as described above, the following compounds are used. o-
m-butylphenol, p-cyclohexylphenol, o-phenylphenol, m-isobutylphenol, mn-nonylphenol, pt-butylphenol, om-pentylphenol, p-cumylphenol, pm-pentylphenol , O-naphthylphenol, pn-pentylphenol, mn-hexylphenol, 2,6-di-tert-butylphenol,
2,4-di-tert-butylphenol, 3,5-di-tert-
Butylphenol, 2,6-dicumylphenol, 3,
5-Dicumylphenol, 2,2,2-trimethyl-4
Monovalent phenols such as monohydroxychroman derivatives such as-(hydroxyphenyl) chroman are used.

【００５３】このように上記のような使用量で組合わせ
た触媒は、重縮合反応を十分な速度で進行させ、高分子
量のポリカーボネートを、高い重合活性で生成させるこ
とができて好ましい。The catalysts used in the above-mentioned amounts are preferably used because the polycondensation reaction can proceed at a sufficient speed and a high molecular weight polycarbonate can be produced with high polymerization activity.

【００５４】このような触媒の存在下、芳香族ジヒドロ
キシ化合物とジアリールカーボネートとの重縮合反応
は、従来知られている重縮合反応条件と同様な条件下で
行うことができる。In the presence of such a catalyst, the polycondensation reaction between the aromatic dihydroxy compound and the diaryl carbonate can be carried out under the same conditions as conventionally known polycondensation reaction conditions.

【００５５】具体的には、第一段目の反応を８０〜２５
０℃、好ましくは１００〜２３０℃、さらに好ましくは
１２０〜１９０℃の温度で、０〜５時間、好ましくは０
〜４時間、さらに好ましくは０〜３時間、減圧下、芳香
族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートとを反
応させる。次いで反応系の真空度を高めながら反応温度
を高めて、芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカー
ボネートとの反応を行ない、最終的には５ｍｍＨｇ以
下、好ましくは１ｍｍＨｇ以下の減圧下で、２４０〜３
２０℃で芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボ
ネートとの重縮合反応を行なう。Specifically, the first-stage reaction is carried out at 80 to 25.
0 ° C., preferably 100-230 ° C., more preferably 120-190 ° C., for 0-5 hours, preferably 0 ° C.
The aromatic dihydroxy compound and the diaryl carbonate are reacted under reduced pressure for 4 to 4 hours, more preferably 0 to 3 hours. Next, the reaction temperature is increased while increasing the degree of vacuum of the reaction system, and the reaction between the aromatic dihydroxy compound and the diaryl carbonate is carried out. Finally, the reaction is carried out under a reduced pressure of 5 mmHg or less, preferably 1 mmHg or less, at a pressure of 240 to 3 mmHg.
A polycondensation reaction between the aromatic dihydroxy compound and the diaryl carbonate is performed at 20 ° C.

【００５６】上記のような重縮合反応は、連続式で行な
ってもよく、バッチ式で行なってもよい。また上記の反
応を行なうに際して用いられる反応装置は、槽型であっ
ても管型であっても塔型であってもよい。The polycondensation reaction as described above may be carried out continuously or batchwise. The reaction apparatus used for performing the above reaction may be a tank type, a tube type, or a tower type.

【００５７】上記のようにして得られる反応生成物であ
るポリカーボネートでは、通常、２０℃中で測定した固
有粘度（メチレンクロライド，溶媒（重量比４０／６
０））が０．１〜１．０、好ましくは０．２〜０．８で
ある。The polycarbonate, a reaction product obtained as described above, usually has an intrinsic viscosity (methylene chloride, solvent (40/6 by weight) measured at 20 ° C.).
0)) is from 0.1 to 1.0, preferably from 0.2 to 0.8.

【００５８】本発明では上記のようにして得られるポリ
カーボネートに本発明の目的を損なわない範囲で通常の
耐熱安定性、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、帯電防止
剤、滑剤、防曇剤、天然油、合成油、ワックス、有機系
充填剤、無機系充填剤などを添加してもよい。In the present invention, the polycarbonate obtained as described above has ordinary heat stability, an ultraviolet absorber, a releasing agent, a coloring agent, an antistatic agent, a lubricant, an antifogging agent as long as the object of the present invention is not impaired. , Natural oils, synthetic oils, waxes, organic fillers, inorganic fillers and the like.

【００５９】[0059]

【発明の効果】本発明によればポリマー色調が良好で副
反応が抑制され、高重合度化した場合も分岐反応に起因
する不溶物、異物の生成が抑制され、また成形加工時に
も、分岐反応その他の副反応が抑制され、装置内でのや
け、着色、不溶化、異物の生成、分子量の低下を低いレ
ベルに抑えることができる。According to the present invention, the polymer color tone is good, side reactions are suppressed, and even when the degree of polymerization is increased, the generation of insolubles and foreign substances due to the branching reaction is suppressed. Reaction and other side reactions are suppressed, and burn, coloration, insolubilization, generation of foreign matter, and decrease in molecular weight in the apparatus can be suppressed to low levels.

【００６０】[0060]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を説明する。本
発明に於て物性測定は次の方法に従って行なった。 （ｉ） 固有粘度［η］：塩化メチレン中２０℃でウベ
ローデ粘度計で測定した。 （ｉｉ） 異物生成：Ｓｕｓ３１６試験管中ポリマーを
窒素気流下２９０℃／２０ｈｒ処理し得られたを粉砕し
た。ポリマー５ｇを塩化メチレン１００ｍｌ中に添加し
超音波照射し溶解した。得られたポリマー溶液を１ミク
ロンミリポアフィルターで０．５ｋｇ／ｃｍ2 の加圧下
で濾過した。濾過性およびフィルター上の異物を観察し
た。３０分以内に濾過できた場合を「良好」、３０分以
内に濾過できない場合を「不良」とし、その中間を「や
や不良」とした。異物の数は多、中、少で示した。 （ｉｉｉ） ポリマー色調：（ａ）Ｌ／ｂ：３ｍｍ厚の
射出成形板をシリンダー温度３００℃射出圧力１００ｋ
ｇ／ｃｍ2 金型温度９０℃で成型し、Ｘ，Ｙ，Ｚ値を日
本電色工業製Ｃｏｌｏｒａｎｄ Ｃｏｌｏｒ Ｄｅｆｆ
ｅｒｅｎｃｅ ＭｅｔｅｒＮＤ―１００１ＤＰにより透
過法で測定しＬ／ｂを求めた。（ｂ）ヘーズ：上述の方
法で成型した射出成形板を日本電色工業製ＮＤＨ―２０
０で測定した。The present invention will be described below with reference to examples. In the present invention, physical properties were measured according to the following methods. (I) Intrinsic viscosity [η]: Measured in methylene chloride at 20 ° C. with an Ubbelohde viscometer. (Ii) Foreign matter generation: The polymer in a Sus316 test tube was treated at 290 ° C. for 20 hours under a nitrogen stream, and the resulting product was pulverized. 5 g of the polymer was added to 100 ml of methylene chloride and dissolved by ultrasonic irradiation. The resulting polymer solution was filtered through a 1 micron Millipore filter under a pressure of 0.5 kg / cm 2 . Filterability and foreign matter on the filter were observed. The case where filtration was possible within 30 minutes was defined as “good”, the case where filtration was not possible within 30 minutes was defined as “poor”, and the middle was defined as “slightly poor”. The number of foreign substances is indicated as high, medium and small. (Iii) Polymer color tone: (a) L / b: injection molding plate having a thickness of 3 mm and a cylinder temperature of 300 ° C. and an injection pressure of 100 k
g / cm 2 Molding at a mold temperature of 90 ° C., and X, Y, Z values are determined by Nippon Denshoku Industries Colorland Color Diff.
L / b was determined by a transmission method using an emission meter ND-1001DP. (B) Haze: NDH-20 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
It was measured at zero.

【００６１】［実施例１〜６、比較例１〜３］ビスフェ
ノールＡ２２８部、ジフェニルカーボネート２２０部お
よび表１、２に示す種類、量の触媒を攪拌装置、蒸留器
および減圧装置を備えた反応槽に仕込み窒素置換をした
後、１４０℃で溶解した。３０分間撹拌後、内温を１８
０℃に昇温し、徐々に減圧し１００ｍｍＨｇで３０分間
反応させ生成するフェノールを溜去した。[Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 3] A reactor equipped with a stirrer, a distiller, and a decompressor was used for mixing 228 parts of bisphenol A, 220 parts of diphenyl carbonate, and the catalysts of the types and amounts shown in Tables 1 and 2. , And then replaced with nitrogen, and then dissolved at 140 ° C. After stirring for 30 minutes, the internal temperature was adjusted to 18
The temperature was raised to 0 ° C., the pressure was gradually reduced, and the reaction was carried out at 100 mmHg for 30 minutes.

【００６２】さらに２００℃に昇温しつつ徐々に減圧し
５０ｍｍＨｇで３０分間フェノールを溜出しつつ反応さ
せた。Further, the pressure was gradually reduced while the temperature was raised to 200 ° C., and the reaction was carried out while distilling out phenol at 50 mmHg for 30 minutes.

【００６３】さらに２２０℃、３０ｍｍＨｇまで徐々に
昇温、減圧し、同温同圧で３０分、さらに２４０℃ １
０ｍｍＨｇ、２６０℃ １ｍｍＨｇ、２７０℃ １ｍｍ
Ｈｇ以下にまで上記と同じ手順で昇温、減圧をくりかえ
し反応を続行した。Further, the temperature was gradually raised and reduced to 220 ° C. and 30 mmHg, and the temperature and pressure were reduced to the same temperature and pressure for 30 minutes.
0mmHg, 260 ° C 1mmHg, 270 ° C 1mm
The temperature was repeatedly increased and reduced to the Hg or less in the same procedure as above, and the reaction was continued.

【００６４】最終的に同温・同圧で２時間重合を行ない
ポリカーボネート樹脂を製造した。Finally, polymerization was carried out at the same temperature and pressure for 2 hours to produce a polycarbonate resin.

【００６５】得られたポリカーボネート樹脂の物性を表
１に示す。表中Ａｃはアセチル基、ｐｈはフェニル基を
表す。Table 1 shows the physical properties of the obtained polycarbonate resin. In the table, Ac represents an acetyl group, and ph represents a phenyl group.

【００６６】本発明によれば濾過性が良好で、異物の生
成も少ないポリマーを製造することができる。According to the present invention, it is possible to produce a polymer having good filterability and little generation of foreign substances.

【００６７】[0067]

【表１】 [Table 1]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−114494（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C08G 64/30────────────────────────────────────────────────── (5) References JP-A-51-114494 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) C08G 64/30

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 アルカリ金属のシアン酸塩、アルカリ土
類金属のシアン酸塩、アルカリ金属のチオシアン酸塩及
びアルカリ土類金属のチオシアン酸塩からなる群より選
ばれた少なくとも一種の触媒の存在下、芳香族ジヒドロ
キシ化合物とジアリールカーボネートとを溶融重合する
ことを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。1. In the presence of at least one catalyst selected from the group consisting of alkali metal cyanates, alkaline earth metal cyanates, alkali metal thiocyanates and alkaline earth metal thiocyanates. And a process for melt-polymerizing an aromatic dihydroxy compound and a diaryl carbonate.
JP6003564A 1994-01-18 1994-01-18 Method for producing aromatic polycarbonate Expired - Fee Related JP2862781B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6003564A JP2862781B2 (en) 1994-01-18 1994-01-18 Method for producing aromatic polycarbonate
KR1019950000662A KR0184620B1 (en) 1994-01-18 1995-01-17 Semiconductor device and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6003564A JP2862781B2 (en) 1994-01-18 1994-01-18 Method for producing aromatic polycarbonate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07207014A JPH07207014A (en) 1995-08-08
JP2862781B2 true JP2862781B2 (en) 1999-03-03

Family

ID=11560931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6003564A Expired - Fee Related JP2862781B2 (en) 1994-01-18 1994-01-18 Method for producing aromatic polycarbonate

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2862781B2 (en)
KR (1) KR0184620B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0184620B1 (en) 1999-03-20
KR950024358A (en) 1995-08-21
JPH07207014A (en) 1995-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5364926A (en) Preparing method of polycarbonate resin compounds for the optical use
JP3071641B2 (en) Method for producing stabilized polycarbonate
US5717057A (en) Method of manufacturing polycarbonate
EP0719812B1 (en) Copolycarbonate
US5502153A (en) Method for preparing optical-grade polycarbonate compositions
EP0667366B1 (en) Process for the production of aromatic polycarbonate
US5405933A (en) Copolymerized polycarbonates
JP3327307B2 (en) Method for producing polycarbonate
JP3187272B2 (en) Manufacturing method of aromatic polycarbonate
US5384388A (en) Method of producing copolymerized polycarbonates
JP2862781B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP2862783B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
EP0719816B2 (en) Preparing method of polycarbonate
JP2862782B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP2862794B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3289746B2 (en) Method for producing polycarbonate composition
JP2862788B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3244876B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3205123B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3283629B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
US5510450A (en) Method of producing copolymerized polycarbonates
JP3390277B2 (en) Method for producing polycarbonate
JP3352838B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3187211B2 (en) Method for producing aromatic polycarbonate
JP3165123B2 (en) Method for producing stabilized polycarbonate

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees