JP2858482B2 - Tape carrier type semiconductor device - Google Patents
Tape carrier type semiconductor deviceInfo
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ( ｔａｐｅ ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄｂｏｎｄｉｎｇ )技術を用いて構成さ
れたテープキャリア型半導体装置( 以下、半導体装置と
いう )に関する。The present invention relates to a TAB (tape a
The present invention relates to a tape carrier type semiconductor device (hereinafter, referred to as a semiconductor device) configured by using an automated bonding technique.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、この種の半導体装置として
は、図８及び図９で示すように構成されてＴＩＣ( ＴＡ
Ｂ ｉｎ ＣＡＰ )と呼ばれる構造のものが知られてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device of this type has been constructed as shown in FIGS.
B in CAP) is known.
【０００３】すなわち、この半導体装置２０は所要特性
を有する半導体素子２１を備えたものであって、この半
導体素子２１の上面側に突設されたバンプ２２のそれぞ
れは、リードパターン２３から延出されたインナーリー
ド２３ａの先端と各別に接合されている。なお、これら
のリードパターン２３は、ポリイミドフィルムなどから
なるキャリアテープ２４に設けられたリードサポート２
５の上面側に被着して形成されている。また、この半導
体素子２１は、アルミニウムなどからなるキャップ２６
によって覆われており、このキャップ２６の端縁部はリ
ードサポート２５の下面側に当接している。なお、図中
の符号２６ａは、このキャップ２６の所定位置ごとに前
もって形成された樹脂流入用の開口を示している。That is, the semiconductor device 20 includes a semiconductor element 21 having required characteristics. Each of the bumps 22 protruding from the upper surface of the semiconductor element 21 extends from the lead pattern 23. The inner leads 23a are separately joined to the tips of the inner leads 23a. Note that these lead patterns 23 are formed on a lead support 2 provided on a carrier tape 24 made of a polyimide film or the like.
5 is formed so as to be attached to the upper surface side. The semiconductor element 21 is provided with a cap 26 made of aluminum or the like.
The edge of the cap 26 is in contact with the lower surface of the lead support 25. Reference numeral 26a in the drawing indicates an opening for resin inflow formed in advance at each predetermined position of the cap 26.
【０００４】そして、このキャップ２６の平面状とされ
た底面部２６ｂと半導体素子２１との間には、熱応力や
反りを吸収するためのモリブデンなどからなる緩衝板２
７が介装されており、この緩衝板２７はエポキシ樹脂系
などの接着剤２８，２９を介して半導体素子２１及びキ
ャップ２６のそれぞれに接着されている。さらにまた、
このキャップ２６の底面部２６ｂ外面及びリードパター
ン２３から延出されたアウターリード２３ｂを除く全周
囲は、エポキシ樹脂などからなる外装樹脂部３０によっ
て一体に封止されている。なお、この露出したキャップ
２６の底面部２６ｂ外面には、アルミニウムなどからな
る放熱フィン( 図示していない )が取り付けられること
になる。A buffer plate 2 made of molybdenum or the like for absorbing thermal stress and warpage is provided between the flat bottom portion 26b of the cap 26 and the semiconductor element 21.
The buffer plate 27 is bonded to the semiconductor element 21 and the cap 26 via adhesives 28 and 29 such as epoxy resin. Furthermore,
The entire periphery of the cap 26 except for the outer surface of the bottom surface 26b and the outer leads 23b extending from the lead pattern 23 is integrally sealed by an exterior resin portion 30 made of epoxy resin or the like. A radiation fin (not shown) made of aluminum or the like is attached to the outer surface of the exposed bottom surface 26b of the cap 26.
【０００５】つぎに、この半導体装置２０の製作手順を
図９及び図１０に基づいて説明する。なお、図１０にお
いて図８及び図９と互いに同一の部品、部分には同一符
号を付している。Next, a procedure for manufacturing the semiconductor device 20 will be described with reference to FIGS. In FIG. 10, the same parts and portions as those in FIGS. 8 and 9 are denoted by the same reference numerals.
【０００６】まず、図９で示すように、半導体素子２１
のバンプ２２とインナーリード２３ａの先端とを位置合
わせしたうえで加熱圧着することによって接合する一
方、キャップ２６の底面部２６ｂ内面に緩衝板２７を位
置合わせしたうえで接着する。なお、この緩衝板２７
は、前もって半導体素子２１の下面側に接着されていて
もよい。そして、接着剤２８が塗布された緩衝板２７を
半導体素子２１の下面側に押しつけることによって一体
に固着したのち、図１０で示すように、得られた組立体
をトランスファモールド金型３１のキャビティ３２内に
装着する。そののち、この金型３１の一側部に設けられ
たゲート３３を通じてキャビティ３２内に溶融した樹脂
材料を注入すると、組立体の周囲に樹脂材料が充填され
て外装樹脂部３０が形成されることになる。なお、この
図１０における符号Ｒは、キャビティ３２内に注入され
た樹脂材料の流れ込み状態を示すための流れ線である。First, as shown in FIG.
The bumps 22 and the tips of the inner leads 23a are aligned and bonded by heating and pressing, while the buffer plate 27 is aligned and bonded to the inner surface of the bottom surface 26b of the cap 26. Note that this buffer plate 27
May be bonded to the lower surface side of the semiconductor element 21 in advance. Then, the buffer plate 27 to which the adhesive 28 has been applied is pressed against the lower surface side of the semiconductor element 21 to be integrally fixed thereto, and then the obtained assembly is transferred to the cavity 32 of the transfer mold 31 as shown in FIG. Install inside. After that, when the molten resin material is injected into the cavity 32 through the gate 33 provided on one side of the mold 31, the resin material is filled around the assembly to form the exterior resin portion 30. become. Reference symbol R in FIG. 10 is a flow line for indicating the state of the resin material injected into the cavity 32.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来構
成とされた半導体装置２０においては、つぎのような不
都合が生じることになっていた。However, in the semiconductor device 20 having the above-mentioned conventional configuration, the following inconveniences have occurred.
【０００８】すなわち、この半導体装置２０の外装樹脂
部３０を形成するに際してはトランスファモールド金型
３１のキャビティ３２内に樹脂材料を注入するのである
が、このとき、ゲート３３を通じて注入された樹脂材料
は、図１０中の流れ線Ｒで示したように、基本的にはキ
ャビティ３２内の上側からインナーリード２３ａ相互間
の隙間を通ったうえで下側に流れ込んでいくことにな
る。そこで、インナーリード２３ａ及びこれらが延出さ
れたリードパターン２３を支持するリードサポート２５
には樹脂材料の流れ込みに伴う外力が作用することにな
り、これらは流れ線Ｒに沿った下向きに押し曲げられる
ことになる。その結果、図８で示したように、押し下げ
られて変形したインナーリード２３ａが半導体素子２１
と接触することが起こり、これらの両者間でいわゆるエ
ッジショートなどの不良が発生することになり易かっ
た。That is, when forming the exterior resin portion 30 of the semiconductor device 20, a resin material is injected into the cavity 32 of the transfer mold 31. At this time, the resin material injected through the gate 33 is As shown by the flow line R in FIG. 10, basically, the air flows from the upper side in the cavity 32 to the lower side after passing through the gap between the inner leads 23a. Therefore, the lead support 25 supporting the inner lead 23a and the lead pattern 23 from which these are extended.
Is applied with an external force due to the inflow of the resin material, and these are pushed and bent downward along the flow line R. As a result, as shown in FIG. 8, the inner leads 23a deformed by pressing down
Contact, and a defect such as a so-called edge short is easily generated between the two.
【０００９】さらにまた、近年の多ピン及び狭ピッチ化
に対する要望の強まりに伴って半導体装置２０における
インナーリード２３ａ相互間の隙間が狭まっていること
から、注入された樹脂材料の流れ線Ｒと直交する向きに
配置されたインナーリード２３ａ( 例えば、図９におけ
るインナーリード２３ａ1 )などが水平方向に沿って押
し曲げられて変形し、互いに隣接するインナーリード２
３ａ同士が接触することになってショートが発生すると
いうような不都合も生じていた。Further, since the gap between the inner leads 23a in the semiconductor device 20 has become narrower with the recent demand for more pins and a narrower pitch, the flow line R of the injected resin material is orthogonal to the gap between the inner leads 23a. The inner leads 23a (e.g., the inner leads 23a 1 in FIG. 9) and the like arranged in the same direction are pushed and bent along the horizontal direction, deformed, and
Inconveniences such as short-circuiting due to contact between 3a have also occurred.
【００１０】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、樹脂材料の流れ込みに伴って発生
するインナーリード及びリードサポートの変形を有効に
阻止することができ、ショートなどの不良の発生を未然
に防止することができる半導体装置の提供を目的として
いる。The present invention has been made in view of such inconvenience, and it is possible to effectively prevent deformation of an inner lead and a lead support caused by flowing of a resin material. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of preventing occurrence of a defect beforehand.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体装
置は、このような目的を達成するために、一面側にリー
ドパターンが形成されたキャリアテープのリードサポー
トと、リードパターンから延出されたインナーリードの
先端にバンプが接合された半導体素子と、この半導体素
子を平面状とされた底面部で覆ってリードサポートの他
面側に当接するキャップと、これらを一体に封止する外
装樹脂部とを備えており、リードサポートもしくはイン
ナーリードとキャップの底面部内面との間には、これら
の離間間隔を維持するスペーサを介装していることを特
徴とするものである。そして、このとき、スペーサのイ
ンナーリード当接面に、インナーリードが嵌入される凹
溝部を形成しておいてもよい。In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention has a lead support for a carrier tape having a lead pattern formed on one side and a lead extending from the lead pattern. A semiconductor element in which a bump is bonded to the tip of an inner lead, a cap that covers the semiconductor element with a planar bottom surface and abuts on the other side of the lead support, and an exterior resin part that integrally seals these. And a spacer is provided between the lead support or inner lead and the inner surface of the bottom surface of the cap to maintain the space between them. At this time, a concave groove portion into which the inner lead is fitted may be formed on the inner lead contact surface of the spacer.
【００１２】[0012]
【作用】上記構成によれば、リードサポートもしくはイ
ンナーリードとキャップの底面部内面との間にスペーサ
を介装しているので、リードサポート及びインナーリー
ドがキャビティ内に注入された樹脂材料の流れ込みに伴
って下側に押し曲げられて変形することはなくなる。ま
た、このスペーサにインナーリードが嵌入される凹溝部
を形成した場合には、これらのインナーリードが樹脂材
料の流れ込みに伴って水平方向に押し曲げられて変形す
ることがなくなる。According to the above construction, since the spacer is interposed between the lead support or the inner lead and the inner surface of the bottom surface of the cap, the lead support and the inner lead can be used for the inflow of the resin material injected into the cavity. Accordingly, it is not bent and deformed downward. Further, in the case where a concave groove portion into which the inner lead is inserted is formed in the spacer, the inner lead is not bent and deformed in the horizontal direction with the inflow of the resin material.
【００１３】[0013]
【実施例】まず、本発明の第１実施例を図面に基づいて
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１４】図１は本発明の第１実施例にかかる半導体
装置の概略構成を示す縦側面図、図２はその要部の概略
構成を示す斜視図、図３ないし図５はその変形例を示す
縦側面図であり、これらの図における符号１は半導体装
置である。なお、この半導体装置１の全体構成について
は従来例と基本的に異ならないので、図１ないし図５に
おいて図８ないし図１０と互いに同一もしくは相当する
部品、部分には同一符号を付している。FIG. 1 is a longitudinal side view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part thereof, and FIGS. It is a longitudinal side view shown, and the code | symbol 1 in these figures is a semiconductor device. Since the overall configuration of the semiconductor device 1 is not fundamentally different from the conventional example, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts and portions in FIGS. 1 to 5 as those in FIGS. 8 to 10. .
【００１５】この半導体装置１は、図１及び図２で示す
ように、上面側( 一面側 )にリードパターン２３が形成
されたキャリアテープ２４のリードサポート２５と、リ
ードパターン２３から延出されたインナーリード２３ａ
の先端にバンプ２２が接合されることによって搭載され
た半導体素子２１とを備えるほか、この半導体素子２１
を平面状とされた底面部２６ｂで覆ってリードサポート
２５の下面側( 他面側)に当接するキャップ２６と、こ
れらを一体に封止する外装樹脂部３０とを備えている。
そして、このキャップ２６の底面部２６ｂと半導体素子
２１との間には、接着剤２８，２９を介して固着された
緩衝板２７が介装されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 1 has a lead support 25 of a carrier tape 24 having a lead pattern 23 formed on the upper surface (one surface side), and extends from the lead pattern 23. Inner lead 23a
And a semiconductor element 21 mounted by bonding a bump 22 to the tip of the semiconductor element 21.
Is provided with a cap 26 that is covered with a flat bottom surface portion 26b and contacts the lower surface side (the other surface side) of the lead support 25, and an exterior resin portion 30 that integrally seals these.
A buffer plate 27 fixed via adhesives 28 and 29 is interposed between the bottom surface 26b of the cap 26 and the semiconductor element 21.
【００１６】さらに、この半導体装置１を構成するリー
ドサポート２５の下面側とキャップ２６の底面部２６ｂ
内面との間には、これらの離間間隔を維持しうる高さで
所定厚みを有する壁からなる升形状として形成されたア
ルミニウム製のスペーサ２が介装されており、このスペ
ーサ２はエポキシ樹脂系などの接着剤３を介してキャッ
プ２６の底面部２６ｂ内面上に位置決め固着されてい
る。そして、このスペーサ２の所定位置ごとには、樹脂
流入用の開口２ａがそれぞれ形成されている。なお、こ
のスペーサ２は、アルミニウムからなる金網( メッシュ
)材などを折り曲げ加工することによって形成されてい
てもよい。Further, the lower surface of the lead support 25 and the bottom 26b of the cap 26 constituting the semiconductor device 1 are formed.
Between the inner surface and the inner surface, there is interposed an aluminum spacer 2 formed as a square shape composed of a wall having a predetermined thickness at a height capable of maintaining the separation distance. It is positioned and fixed on the inner surface of the bottom portion 26b of the cap 26 via an adhesive 3 such as. An opening 2 a for resin inflow is formed at each predetermined position of the spacer 2. The spacer 2 is made of a metal mesh (mesh) made of aluminum.
) May be formed by bending a material or the like.
【００１７】ところで、このスペーサ２の取り付けにつ
いては接着剤３による固着のみに限定されず、例えば、
図３の変形例で示すように、同じアルミニウムからなる
キャップ２６と一体成形されていてもよいことはいうま
でもなく、また、図４の変形例で示すように、キャップ
２６の底面部２６ｂ内面に接着剤２９を介して固着され
る緩衝板２７の占有面積を予め広げておき、この緩衝板
２７にモンブデンなどからなるスペーサ４が固着もしく
は一体成形されていてもよい。By the way, the attachment of the spacer 2 is not limited to the fixing by the adhesive 3 but may be, for example,
Needless to say, as shown in the modified example of FIG. 3, it may be formed integrally with the cap 26 made of the same aluminum, and as shown in the modified example of FIG. The area occupied by the buffer plate 27 fixed via the adhesive 29 may be increased in advance, and the spacer 4 made of Monbden or the like may be fixed or integrally formed on the buffer plate 27.
【００１８】さらにまた、以上の説明においては、アル
ミニウムやモリブデンなどからなるスペーサ２( ４ )を
リードサポート２５の下面側とキャップ２６の底面部２
６ｂ内面との間に介装するとしているが、例えば、図５
の変形例で示すように、予めセラミックなどの絶縁物を
用いることによってスペーサ５を形成しておき、このス
ペーサ５をインナーリード２３ａとキャップ２６の底面
部２６ｂ内面との間に介装してもよいことはいうまでも
ない。Furthermore, in the above description, the spacer 2 (4) made of aluminum, molybdenum, or the like is attached to the lower surface of the lead support 25 and the bottom 2 of the cap 26.
6b and the inner surface, for example, as shown in FIG.
As shown in the modified example, the spacer 5 is previously formed by using an insulator such as ceramic, and the spacer 5 is interposed between the inner lead 23a and the inner surface of the bottom surface 26b of the cap 26. It goes without saying that it is good.
【００１９】つぎに、本発明の第２実施例を図面に基づ
いて説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】図６は本発明の第２実施例にかかる半導体
装置の概略構成を示す縦側面図、図７はそのＡ−Ａ線に
沿う横断面図であり、これらの図における符号１０は半
導体装置である。なお、この半導体装置１０が第１実施
例における半導体装置１と異なるのは、そのスペーサの
構造についてだけであるから、図６及び図７において図
１ないし図５と互いに同一もしくは相当する部品、部分
には同一符号を付すこととし、ここでの詳しい説明は省
略する。FIG. 6 is a longitudinal side view showing a schematic structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line A--A of FIG. Device. Since the semiconductor device 10 differs from the semiconductor device 1 in the first embodiment only in the structure of the spacer, in FIGS. 6 and 7, the same or corresponding parts and portions as those in FIGS. Are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
【００２１】この半導体装置１０は、図６で示すよう
に、所要特性を有する半導体素子２１を備えるととも
に、そのバンプ２２と接合されたインナーリード２３ａ
が延出されたリードパターン２３と、これが被着して形
成されたキャリアテープ２４のリードサポート２５と、
この半導体素子２１を平面状とされた底面部２６ｂで覆
ってリードサポート２５の下面側に当接するキャップ２
６と、これらを一体に封止する外装樹脂部３０とを備え
ている。そして、この半導体装置１０を構成するインナ
ーリード２３ａとキャップ２６の底面部２６ｂ内面との
間には、これらの離間間隔を維持するセラミックなどか
らなるスペーサ１１が介装されており、このスペーサ１
１はエポキシ樹脂系などの接着剤１２を介してキャップ
２６の底面部２６ｂ内面上に位置決め固着されている。
なお、このスペーサ１１は第１実施例におけるスペーサ
２と同様の壁からなる升形状として形成されており、そ
の所定位置ごとには樹脂材料流入用の開口１１ａが形成
されている。As shown in FIG. 6, the semiconductor device 10 includes a semiconductor element 21 having required characteristics and an inner lead 23a bonded to the bump 22.
And a lead support 25 of a carrier tape 24 formed by attaching the lead pattern 23,
A cap 2 that covers the semiconductor element 21 with a flat bottom surface portion 26b and contacts the lower surface of the lead support 25.
6 and an exterior resin part 30 for integrally sealing them. A spacer 11 made of ceramic or the like is provided between the inner lead 23a of the semiconductor device 10 and the inner surface of the bottom surface 26b of the cap 26 to maintain the space therebetween.
1 is positioned and fixed on the inner surface of the bottom surface 26b of the cap 26 via an adhesive 12 such as an epoxy resin.
The spacer 11 is formed in a square shape having the same wall as the spacer 2 in the first embodiment, and an opening 11a for inflow of a resin material is formed at each predetermined position.
【００２２】そして、このスペーサ１１の上側面である
インナーリード当接面には、図７で示すように、インナ
ーリード２３ａが嵌入される凹溝部１３が互いに所定間
隔だけ離間した状態で形成されている。そこで、インナ
ーリード２３ａのそれぞれは、対応する凹溝部１３に嵌
入されて位置決め保持されることになる。As shown in FIG. 7, concave grooves 13 into which the inner leads 23a are fitted are formed on the inner lead contact surface, which is the upper side surface of the spacer 11, at a predetermined distance from each other. I have. Therefore, each of the inner leads 23a is fitted into the corresponding groove 13 and is positioned and held.
【００２３】ところで、以上説明した本実施例に係る半
導体装置１及び１０の製作手順については、従来例と同
様であるから、本実施例における説明は省略する。The procedure for fabricating the semiconductor devices 1 and 10 according to the present embodiment described above is the same as that of the conventional example, and therefore the description of the present embodiment is omitted.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置においては、リードパターンが形成されたリード
サポートもしくはリードパターンから延出されたインナ
ーリードとキャップの底面部内面との間にスペーサを介
装しているので、リードサポート及びインナーリードが
キャビティ内に注入された樹脂材料の流れ込みに伴って
下側に押し曲げられて変形することはなくなる。また、
このスペーサにインナーリードが嵌入される凹溝部を形
成した場合には、これらのインナーリードが凹溝部によ
って位置決め保持されることになるから、樹脂材料の流
れ込みに伴ってインナーリードが水平方向に押し曲げら
れて変形することがなくなる。As described above, in the semiconductor device according to the present invention, the spacer is provided between the lead support on which the lead pattern is formed or the inner lead extending from the lead pattern and the inner surface of the bottom surface of the cap. Because of the interposition, the lead support and the inner lead are not bent downward and deformed with the flow of the resin material injected into the cavity. Also,
If the groove is formed in the spacer, the inner lead will be positioned and held by the groove, so that the inner lead is pushed and bent in the horizontal direction as the resin material flows. It will not be deformed.
【００２５】したがって、本発明によれば、樹脂材料の
流れ込みに伴って発生するインナーリード及びリードサ
ポートの変形を有効に阻止することが可能となる結果、
変形したインナーリードと半導体素子とが接触したり、
インナーリード同士が接触したりすることがなくなる。
そのため、半導体装置におけるショートなどの不良の発
生を未然に防止することができ、製品歩留り及び信頼性
の向上を図ることができるという優れた効果が得られ
る。Therefore, according to the present invention, it is possible to effectively prevent the deformation of the inner lead and the lead support caused by the inflow of the resin material.
The deformed inner lead may come into contact with the semiconductor element,
The inner leads do not come into contact with each other.
Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a defect such as a short circuit in the semiconductor device, and to obtain an excellent effect that the product yield and the reliability can be improved.
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体装置の概略構
成を示す縦側面図である。FIG. 1 is a vertical side view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１実施例に係る半導体装置の要部の概略構成
を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a schematic configuration of a main part of the semiconductor device according to the first embodiment.
【図３】第１実施例に係る半導体装置の変形例を示す縦
側面図である。FIG. 3 is a vertical side view showing a modification of the semiconductor device according to the first embodiment.
【図４】第１実施例に係る半導体装置の変形例を示す縦
側面図である。FIG. 4 is a vertical side view showing a modification of the semiconductor device according to the first embodiment.
【図５】第１実施例に係る半導体装置の変形例を示す縦
側面図である。FIG. 5 is a vertical side view showing a modification of the semiconductor device according to the first embodiment.
【図６】本発明の第２実施例に係る半導体装置の概略構
成を示す縦側面図である。FIG. 6 is a vertical side view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿う横縦側面図である。FIG. 7 is a horizontal and vertical side view taken along line AA of FIG. 6;
【図８】従来例に係る半導体装置の概略構成を示す縦側
面図である。FIG. 8 is a vertical side view showing a schematic configuration of a semiconductor device according to a conventional example.
【図９】従来例に係る半導体装置の要部の概略構成を示
す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of a semiconductor device according to a conventional example.
【図１０】半導体装置の製作途中状態を示す説明図であ
る。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a state in which the semiconductor device is being manufactured.
１ 半導体装置 ２ スペーサ １０ 半導体装置 １１ スペーサ １３ 凹溝部 ２３ リードパターン ２３ａ インナーリード ２４ キャリアテープ ２５ リードサポート ２６ キャップ ２６ｂ 底面部 ３０ 外装樹脂部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Spacer 10 Semiconductor device 11 Spacer 13 Depressed groove part 23 Lead pattern 23a Inner lead 24 Carrier tape 25 Lead support 26 Cap 26b Bottom part 30 Exterior resin part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−215050（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−34958（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−293640（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−278752（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257661（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 21/60 311────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-1-215050 (JP, A) JP-A-4-34958 (JP, A) JP-A-1-293640 (JP, A) JP-A-2- 278752 (JP, A) JP-A-2-257661 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H01L 23/28 H01L 21/60 311
Claims (2)
リアテープのリードサポートと、リードパターンから延
出されたインナーリードの先端にバンプが接合された半
導体素子と、この半導体素子を平面状とされた底面部で
覆ってリードサポートの他面側に当接するキャップと、
これらを一体に封止する外装樹脂部とを備えており、リ
ードサポートもしくはインナーリードとキャップの底面
部内面との間には、これらの離間間隔を維持するスペー
サを介装していることを特徴とするテープキャリア型半
導体装置。1. A lead support of a carrier tape having a lead pattern formed on one surface side, a semiconductor element having a bump joined to a tip of an inner lead extending from the lead pattern, and the semiconductor element having a planar shape. A cap that covers the lead support and contacts the other side of the lead support,
It is equipped with an exterior resin part that seals them together, and a spacer is maintained between the lead support or inner lead and the inner surface of the bottom part of the cap to maintain the spacing between them. Tape carrier type semiconductor device.
ンナーリードが嵌入される凹溝部を形成していることを
特徴とする請求項１記載のテープキャリア型半導体装
置。2. The tape carrier type semiconductor device according to claim 1, wherein a concave groove portion into which the inner lead is fitted is formed on the inner lead contact surface of the spacer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406873A JP2858482B2 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Tape carrier type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406873A JP2858482B2 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Tape carrier type semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225263A JPH04225263A (en) | 1992-08-14 |
| JP2858482B2 true JP2858482B2 (en) | 1999-02-17 |
Family
ID=18516491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2406873A Expired - Lifetime JP2858482B2 (en) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | Tape carrier type semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2858482B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5677566A (en) * | 1995-05-08 | 1997-10-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor chip package |
| US6936919B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Heatsink-substrate-spacer structure for an integrated-circuit package |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2406873A patent/JP2858482B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04225263A (en) | 1992-08-14 |
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