JP2851499B2 - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスクInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は位相シフトマスクに関
し、より詳細には半導体製造用フォトリソグラフィ工程
で利用される位相シフトマスクに関する。
し、より詳細には半導体製造用フォトリソグラフィ工程
で利用される位相シフトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路の高密度化、縮小
化に伴い、その製造工程における各種パターンにはます
ます微細化が要求されるようになっている。従って、か
かる微細パターン加工を行うためには、フォトリソグラ
フィにおいてエッチング用マスクとして用いられるレジ
スト膜のパターニング自体をより微細かつ正確に行うこ
とが要求されている。
化に伴い、その製造工程における各種パターンにはます
ます微細化が要求されるようになっている。従って、か
かる微細パターン加工を行うためには、フォトリソグラ
フィにおいてエッチング用マスクとして用いられるレジ
スト膜のパターニング自体をより微細かつ正確に行うこ
とが要求されている。
【０００３】従来のＣＯＢ（キャパシタ・オン・ビット
ライン）構造のＤＲＡＭの蓄積電極パターンをフォトリ
ソグラフィ工程により形成する場合に用いるマスクにつ
いて説明する。なお、以下のマスクは１／５縮小投影露
光用のマスクとして形成されたものである。ポジレジス
トを用いる場合のマスクパターンは、図７（ａ）及び図
８（ａ）に示したように、クロム等の遮光材料７１、８
１で通常のマスクパターン７０、８０が形成されてい
る。この際、このマスクは６４ＭＤＲＡＭ相当のパター
ンで形成されている。
ライン）構造のＤＲＡＭの蓄積電極パターンをフォトリ
ソグラフィ工程により形成する場合に用いるマスクにつ
いて説明する。なお、以下のマスクは１／５縮小投影露
光用のマスクとして形成されたものである。ポジレジス
トを用いる場合のマスクパターンは、図７（ａ）及び図
８（ａ）に示したように、クロム等の遮光材料７１、８
１で通常のマスクパターン７０、８０が形成されてい
る。この際、このマスクは６４ＭＤＲＡＭ相当のパター
ンで形成されている。
【０００４】また、ネガレジストを用いる場合の位相シ
フトマスクパターンは、図９及び図１０に示したよう
に、そのパターンがシフタ（光の位相を１８０度変化さ
せる材料）９１、１０１によって形成されている。この
際、このマスク９０、１００は６４ＭＤＲＡＭ相当のパ
ターンで形成されている。
フトマスクパターンは、図９及び図１０に示したよう
に、そのパターンがシフタ（光の位相を１８０度変化さ
せる材料）９１、１０１によって形成されている。この
際、このマスク９０、１００は６４ＭＤＲＡＭ相当のパ
ターンで形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなマスクパ
ターン７０、８０、９０、１００を用いてレジスト上に
露光を行った場合、光の回り込み（光の回折効果）によ
り、長辺方向のパターンシフトが大きく、パターンが縮
小するという課題があった。つまり、ｉ線ステッパ（波
長：３６５ｎｍ、ＮＡ＝０．５４）により、図７（ａ）
及び図８（ａ）のクロム７１、８１で形成されたマスク
７０、８０を用いてポジレジスト７２、８２上に１／５
縮小投影露光を行った場合には、図７（ｂ）及び図８
（ｂ）に示したように、実際に投影されるべきパターン
よりも、長辺方向に０．２〜０．３μｍ程度のシフト
Ａ、Ｂが生じる。
ターン７０、８０、９０、１００を用いてレジスト上に
露光を行った場合、光の回り込み（光の回折効果）によ
り、長辺方向のパターンシフトが大きく、パターンが縮
小するという課題があった。つまり、ｉ線ステッパ（波
長：３６５ｎｍ、ＮＡ＝０．５４）により、図７（ａ）
及び図８（ａ）のクロム７１、８１で形成されたマスク
７０、８０を用いてポジレジスト７２、８２上に１／５
縮小投影露光を行った場合には、図７（ｂ）及び図８
（ｂ）に示したように、実際に投影されるべきパターン
よりも、長辺方向に０．２〜０．３μｍ程度のシフト
Ａ、Ｂが生じる。
【０００６】また、ｉ線ステッパ（波長：３６５ｎｍ）
により、図９及び図１０のシフタ９１、１０１のみで形
成されたマスク９０、１００を用いてネガレジスト上に
１／５縮小投影露光を行った場合には、マスクパターン
により長辺方向に０．４〜０．５μｍ程度のシフトが生
じる。本発明はこのような課題に鑑みなされたものであ
って、光の回折効果を減少させることにより、光強度分
布を変化させ、所望のパターンを厳密に制御することが
できる位相シフトマスクを提供することを目的としてい
る。
により、図９及び図１０のシフタ９１、１０１のみで形
成されたマスク９０、１００を用いてネガレジスト上に
１／５縮小投影露光を行った場合には、マスクパターン
により長辺方向に０．４〜０．５μｍ程度のシフトが生
じる。本発明はこのような課題に鑑みなされたものであ
って、光の回折効果を減少させることにより、光強度分
布を変化させ、所望のパターンを厳密に制御することが
できる位相シフトマスクを提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明によれば、位相シフタによってパターニング
されている光露光プロセスに用いる位相シフトマスクで
あって、パターンの一部の位相シフタが、露光光の波長
と同程度の寸法だけマスクに対して水平方向に除去さ
れ、位相シフタの中央部分の光強度がパターン形成され
るしきい値以下である位相シフタのパターン幅であるこ
とを特徴とする位相シフトマスクが提供される。
めに本発明によれば、位相シフタによってパターニング
されている光露光プロセスに用いる位相シフトマスクで
あって、パターンの一部の位相シフタが、露光光の波長
と同程度の寸法だけマスクに対して水平方向に除去さ
れ、位相シフタの中央部分の光強度がパターン形成され
るしきい値以下である位相シフタのパターン幅であるこ
とを特徴とする位相シフトマスクが提供される。
【０００８】本発明の位相シフトマスクにおいて、位相
シフトマスクは透明基板上に位相シフタをパターニング
することにより形成されており、位相シフタとしては、
露光光を吸収しないものとし、位相を１５０〜２１０度
程度反転させる材料であれば特に限定されるものではな
い。具体的には、ＳＯＧ、レジスト等を使用することが
好ましい。この際のシフタの膜厚は、露光光の種類、屈
折率、製造工程等により適宜調整することができる。膜
厚ｄは次式で示され、 ｄ＝λ／２（ｎ−１） （但し、λは露光波長、ｎはシフタの屈折率を示す。） 約０．５０〜０．２３μｍが好ましい。
シフトマスクは透明基板上に位相シフタをパターニング
することにより形成されており、位相シフタとしては、
露光光を吸収しないものとし、位相を１５０〜２１０度
程度反転させる材料であれば特に限定されるものではな
い。具体的には、ＳＯＧ、レジスト等を使用することが
好ましい。この際のシフタの膜厚は、露光光の種類、屈
折率、製造工程等により適宜調整することができる。膜
厚ｄは次式で示され、 ｄ＝λ／２（ｎ−１） （但し、λは露光波長、ｎはシフタの屈折率を示す。） 約０．５０〜０．２３μｍが好ましい。
【０００９】また、１／５縮小投影露光用の位相シフト
マスクとして形成されている場合には、位相シフタのパ
ターンの線幅は約０．５〜１．５μｍが好ましく、さら
に好ましくは約１．０μｍである。つまり、露光後のレ
ジスト上に０．１〜０．３μｍ程度のパターンが転写さ
れるように、位相シフタのパターニングを行うことが好
ましい。これは、図６に示したように、位相シフトマス
ク６０上の位相シフタ６１（線幅ａ）によって規定され
るネガレジスト６２において、位相シフタ６１の中央部
分の光強度ｂがパターン形成されるしきい値以下であれ
ばよく、位相シフタ６１の線幅が大きくなれば（線幅
ａ′）、それに応じて位相シフタ６１の中央部分の光強
度ｂ′がパターン形成されるしきい値以上になり、不要
なレジストパターン６２ａが形成されてしまうためであ
る。
マスクとして形成されている場合には、位相シフタのパ
ターンの線幅は約０．５〜１．５μｍが好ましく、さら
に好ましくは約１．０μｍである。つまり、露光後のレ
ジスト上に０．１〜０．３μｍ程度のパターンが転写さ
れるように、位相シフタのパターニングを行うことが好
ましい。これは、図６に示したように、位相シフトマス
ク６０上の位相シフタ６１（線幅ａ）によって規定され
るネガレジスト６２において、位相シフタ６１の中央部
分の光強度ｂがパターン形成されるしきい値以下であれ
ばよく、位相シフタ６１の線幅が大きくなれば（線幅
ａ′）、それに応じて位相シフタ６１の中央部分の光強
度ｂ′がパターン形成されるしきい値以上になり、不要
なレジストパターン６２ａが形成されてしまうためであ
る。
【００１０】さらに、位相シフタと隣接する位相シフタ
との間隔は約５．０〜１０．０μｍが好ましい。なお、
マスク寸法、位相シフタのパターンサイズ等を適宜選択
すれば、それに応じて縮小率を変更することができる。
本発明において位相シフトマスクは、透明基板上に形成
されているものである。透明基板は石英基板等の透明な
基板であり、通常の露光光プロセス等で用いる波長領域
で光の透過に何ら影響を及ぼさない基板が好ましい。こ
の際の透明基板の厚みは特に限定されるものではない
が、２．０〜８．０ｍｍ程度が好ましい。
との間隔は約５．０〜１０．０μｍが好ましい。なお、
マスク寸法、位相シフタのパターンサイズ等を適宜選択
すれば、それに応じて縮小率を変更することができる。
本発明において位相シフトマスクは、透明基板上に形成
されているものである。透明基板は石英基板等の透明な
基板であり、通常の露光光プロセス等で用いる波長領域
で光の透過に何ら影響を及ぼさない基板が好ましい。こ
の際の透明基板の厚みは特に限定されるものではない
が、２．０〜８．０ｍｍ程度が好ましい。
【００１１】本発明の位相シフトマスクを用いる際の光
露光プロセスでの露光光は特に限定されるものではない
が、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）、エキシ
マ線（ＫｒＦ：２４８ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）等を
用いることができる。本発明の位相シフトマスクにおい
て、位相シフタのパターンの一部がマスクに対して水平
方向に除去されており、その除去部分は露光光の波長と
同程度の寸法であることが好ましく、ｋ（λ／ＮＡ）
（但し、ｋ＝プロセス定数、λ＝露光波長、ＮＡ＝開口
数）程度までが好ましい。すなわち、１／５縮小投影露
光用の位相シフトマスクを用い、ｉ線ステッパを用いて
露光する場合には、マスク上の位相シフタを１．０〜
２．０μｍ程度マスクに対して水平方向に除去すること
が好ましく、ｇ線ステッパを用いて露光した場合には
２．０〜２．５μｍ程度、エキシマ線（ＫｒＦ：２４８
ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）ステッパを用いて露光した
場合には０．５〜１．５μｍ程度除去することが好まし
い。また、位相シフタを除去する部分は、長辺、短辺を
問わず、光強度プロファイルを変化させることができれ
ば、特に限定されるものではない。例えば、長辺又は短
辺のいずれかを除去する場合には、それらあるいは単位
パターンの中心部から対称に除去することが好ましい。
また、長辺又は短辺の中心部を、露光光の波長と同程度
の寸法除去することができる。さらに、２本の位相シフ
トパターンが十字状、Ｘ字状又はＴ字状等に交差する部
分、又はそれ以上の本数が一か所で重なる部分を全部除
去するか、交差する部分を一部除去するか、あるいは、
交差する部分から長辺又は短辺方向に露光光の波長と同
程度の寸法だけ除去することもできる。
露光プロセスでの露光光は特に限定されるものではない
が、ｉ線（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）、エキシ
マ線（ＫｒＦ：２４８ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）等を
用いることができる。本発明の位相シフトマスクにおい
て、位相シフタのパターンの一部がマスクに対して水平
方向に除去されており、その除去部分は露光光の波長と
同程度の寸法であることが好ましく、ｋ（λ／ＮＡ）
（但し、ｋ＝プロセス定数、λ＝露光波長、ＮＡ＝開口
数）程度までが好ましい。すなわち、１／５縮小投影露
光用の位相シフトマスクを用い、ｉ線ステッパを用いて
露光する場合には、マスク上の位相シフタを１．０〜
２．０μｍ程度マスクに対して水平方向に除去すること
が好ましく、ｇ線ステッパを用いて露光した場合には
２．０〜２．５μｍ程度、エキシマ線（ＫｒＦ：２４８
ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）ステッパを用いて露光した
場合には０．５〜１．５μｍ程度除去することが好まし
い。また、位相シフタを除去する部分は、長辺、短辺を
問わず、光強度プロファイルを変化させることができれ
ば、特に限定されるものではない。例えば、長辺又は短
辺のいずれかを除去する場合には、それらあるいは単位
パターンの中心部から対称に除去することが好ましい。
また、長辺又は短辺の中心部を、露光光の波長と同程度
の寸法除去することができる。さらに、２本の位相シフ
トパターンが十字状、Ｘ字状又はＴ字状等に交差する部
分、又はそれ以上の本数が一か所で重なる部分を全部除
去するか、交差する部分を一部除去するか、あるいは、
交差する部分から長辺又は短辺方向に露光光の波長と同
程度の寸法だけ除去することもできる。
【００１２】
【作用】本発明の位相シフトマスクによれば、位相シフ
タによってパターニングされている光露光プロセスに用
いる位相シフトマスクであって、パターンの一部の位相
シフタが、露光光の波長と同程度の寸法だけマスクに対
して水平方向に除去され、位相シフタの中央部分の光強
度がパターン形成されるしきい値以下である位相シフタ
のパターン幅であるので、余分な光の回折が抑制され、
光の平面的な強度分布が変化する。従って、露光された
レジストパターンのシフトが抑制されることとなる。
タによってパターニングされている光露光プロセスに用
いる位相シフトマスクであって、パターンの一部の位相
シフタが、露光光の波長と同程度の寸法だけマスクに対
して水平方向に除去され、位相シフタの中央部分の光強
度がパターン形成されるしきい値以下である位相シフタ
のパターン幅であるので、余分な光の回折が抑制され、
光の平面的な強度分布が変化する。従って、露光された
レジストパターンのシフトが抑制されることとなる。
【００１３】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の位相シフトマ
スクの実施例を説明する。 実施例１ 図１に示すように、１／５縮小投影露光用マスク１０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ１１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ１１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ１１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ１１パターンがＴ字状に
交差する部分１１ａのＳＯＧ１１の一部が約１．０μｍ
の間隔Ｄでマスク１０に対して水平方向に除去されてい
る。
スクの実施例を説明する。 実施例１ 図１に示すように、１／５縮小投影露光用マスク１０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ１１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ１１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ１１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ１１パターンがＴ字状に
交差する部分１１ａのＳＯＧ１１の一部が約１．０μｍ
の間隔Ｄでマスク１０に対して水平方向に除去されてい
る。
【００１４】このマスク１０を用いて、ｉ線によりネガ
レジスト（東京応化製ネガレジスト：ＴＳＭＲ−ｉＮ２
００）上に露光を行った。 実施例２ 図２に示すように、１／５縮小投影露光用マスク２０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ２１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ２１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ２１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ２１パターンがＴ字状に
交差する部分２１ａのＳＯＧ２１の一部が約１．５μｍ
の間隔でマスク２０に対して水平方向に除去されてい
る。 実施例３ 図３に示すように、１／５縮小投影露光用マスク３０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ３１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ３１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ３１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ３１パターンが十字状に
交差する部分３１ａのＳＯＧ３１の一部が約１．０μｍ
の間隔Ｄでマスク３０に対して水平方向に除去されてい
る。 実施例４ 図４に示すように、１／５縮小投影露光用マスク４０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ４１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ４１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ４１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ４１パターンが十字状に
交差する部分４１ａのＳＯＧ４１の一部が約２．０μｍ
の間隔でマスク４０に対して水平方向に除去されてい
る。
レジスト（東京応化製ネガレジスト：ＴＳＭＲ−ｉＮ２
００）上に露光を行った。 実施例２ 図２に示すように、１／５縮小投影露光用マスク２０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ２１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ２１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ２１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ２１パターンがＴ字状に
交差する部分２１ａのＳＯＧ２１の一部が約１．５μｍ
の間隔でマスク２０に対して水平方向に除去されてい
る。 実施例３ 図３に示すように、１／５縮小投影露光用マスク３０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ３１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ３１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ３１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ３１パターンが十字状に
交差する部分３１ａのＳＯＧ３１の一部が約１．０μｍ
の間隔Ｄでマスク３０に対して水平方向に除去されてい
る。 実施例４ 図４に示すように、１／５縮小投影露光用マスク４０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ４１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ４１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ４１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、ＳＯＧ４１パターンが十字状に
交差する部分４１ａのＳＯＧ４１の一部が約２．０μｍ
の間隔でマスク４０に対して水平方向に除去されてい
る。
【００１５】このように構成されている位相シフトマス
ク１０、２０、３０、４０においては、特にコーナー部
分での光強度分布が改善され、その形状がそのままレジ
ストパターンに形成されることとなり、レジストパター
ンのシフト量を０．１〜０．４μｍ程度改善することが
できる。 実施例５ 図５に示すように、１／５縮小投影露光用マスク５０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ５１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ５１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ５１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、短辺上のＳＯＧ４１の一部が約
２．０μｍの間隔Ｄでマスク５０に対して水平方向に除
去されている。
ク１０、２０、３０、４０においては、特にコーナー部
分での光強度分布が改善され、その形状がそのままレジ
ストパターンに形成されることとなり、レジストパター
ンのシフト量を０．１〜０．４μｍ程度改善することが
できる。 実施例５ 図５に示すように、１／５縮小投影露光用マスク５０と
して、透明基板上に位相シフタであるＳＯＧ５１によっ
て単位パターンが繰り返し形成されている。この場合の
ＳＯＧ５１の膜厚は、屈折率を１．４３として、約０．
４２μｍであり、ＳＯＧ５１の線幅Ａは約１．０μｍで
あり、単位パターン（Ｃ×Ｂ）は５．０×９．０μｍで
形成されている。また、短辺上のＳＯＧ４１の一部が約
２．０μｍの間隔Ｄでマスク５０に対して水平方向に除
去されている。
【００１６】このように構成されている位相シフトマス
ク１０、２０、３０、４０においては、コーナー部分で
の光強度分布が改善されると共に、長辺方向の光強度分
布も同時に改善されることとなり、その形状がそのまま
レジストパターンに形成されることとなり、レジストパ
ターンのシフト量を０．１〜０．４μｍ程度改善するこ
とができる。
ク１０、２０、３０、４０においては、コーナー部分で
の光強度分布が改善されると共に、長辺方向の光強度分
布も同時に改善されることとなり、その形状がそのまま
レジストパターンに形成されることとなり、レジストパ
ターンのシフト量を０．１〜０．４μｍ程度改善するこ
とができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係わる位相シフトマスクによれ
ば、位相シフタによってパターニングされている光露光
プロセスに用いる位相シフトマスクであって、パターン
の一部の位相シフタが、露光光の波長と同程度の寸法だ
けマスクに対して水平方向に除去され、位相シフタの中
央部分の光強度がパターン形成されるしきい値以下であ
る位相シフタのパターン幅であるので、余分な光の回折
が抑制され、光の平面的な強度分布を変化させることが
でき、露光されたレジストパターンのシフトを抑制する
ことができる。
ば、位相シフタによってパターニングされている光露光
プロセスに用いる位相シフトマスクであって、パターン
の一部の位相シフタが、露光光の波長と同程度の寸法だ
けマスクに対して水平方向に除去され、位相シフタの中
央部分の光強度がパターン形成されるしきい値以下であ
る位相シフタのパターン幅であるので、余分な光の回折
が抑制され、光の平面的な強度分布を変化させることが
でき、露光されたレジストパターンのシフトを抑制する
ことができる。
【００１８】従って、本発明に係わる位相シフトマスク
を用いて露光を行うことにより、マ微細で信頼性の高い
パターン加工を行うことが可能となる。
を用いて露光を行うことにより、マ微細で信頼性の高い
パターン加工を行うことが可能となる。
【図１】本発明に係わる位相シフトマスクの第１の実施
例を示す要部の平面図である。
例を示す要部の平面図である。
【図２】位相シフトマスクの第２の実施例を示す要部の
平面図である。
平面図である。
【図３】位相シフトマスクの第３の実施例を示す要部の
平面図である。
平面図である。
【図４】位相シフトマスクの第４の実施例を示す要部の
平面図である。
平面図である。
【図５】位相シフトマスクの第５の実施例を示す要部の
平面図である。
平面図である。
【図６】位相シフタの線幅を説明するための図である。
【図７】従来のマスク及びそのマスクを用いて露光した
場合のレジストパターンを示す平面図である。
場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図８】従来の別のマスク及びそのマスクを用いて露光
した場合のレジストパターンを示す平面図である。
した場合のレジストパターンを示す平面図である。
【図９】従来の位相シフトマスクを示す平面図である。
【図１０】従来の別の位相シフトマスクを示す平面図で
ある。
ある。
１０、２０、３０、４０、５０ 位相シフトマスク １１、２１、３１、４１、５１ ＳＯＧ（位相シフタ）
Claims (2)
- 【請求項１】 位相シフタによってパターニングされて
いる光露光プロセスに用いる位相シフトマスクであっ
て、パターンの一部の位相シフタが、露光光の波長と同
程度の寸法だけマスクに対して水平方向に除去され、位
相シフタの中央部分の光強度がパターン形成されるしき
い値以下である位相シフタのパターン幅であることを特
徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 パターンの交差する部分の一部ないし全
部の位相シフタが、露光光の波長と同程度の寸法だけ除
去されている請求項１記載の位相シフトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30112992A JP2851499B2 (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30112992A JP2851499B2 (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 位相シフトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148865A JPH06148865A (ja) | 1994-05-27 |
| JP2851499B2 true JP2851499B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17893175
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2851499B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422955B1 (ko) * | 1996-08-21 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상시프트마스크 |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30112992A patent/JP2851499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06148865A (ja) | 1994-05-27 |
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