JP2845105B2 - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
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- JP2845105B2 JP2845105B2 JP24751193A JP24751193A JP2845105B2 JP 2845105 B2 JP2845105 B2 JP 2845105B2 JP 24751193 A JP24751193 A JP 24751193A JP 24751193 A JP24751193 A JP 24751193A JP 2845105 B2 JP2845105 B2 JP 2845105B2
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- Japan
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- substrate
- reaction vessel
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、横型の薄膜気相成長
装置に関する。薄膜気相成長装置は加熱された基板の上
に原料ガスを導入し原料ガス同士で気相反応を起こさ
せ、反応生成物を基板に堆積させ薄膜を形成するもので
ある。基板はシリコンＳｉやガリウムヒソＧａＡｓ、ジ
ンクセレナイドＺｎＳｅなどの結晶である。ガラス状の
物体を基板とすることもある。原料ガスは目的により多
様である。たとえば基板がガリウムヒソで薄膜もガリウ
ムヒソの場合は、砒素の水素化物と、ガリウムの有機金
属化合物を水素ガスとともに用いる。あるいは薄膜がＺ
ｎＳｅである場合は、Ｚｎの有機金属化合物と、Ｓｅの
水素化物が原料となる。
装置に関する。薄膜気相成長装置は加熱された基板の上
に原料ガスを導入し原料ガス同士で気相反応を起こさ
せ、反応生成物を基板に堆積させ薄膜を形成するもので
ある。基板はシリコンＳｉやガリウムヒソＧａＡｓ、ジ
ンクセレナイドＺｎＳｅなどの結晶である。ガラス状の
物体を基板とすることもある。原料ガスは目的により多
様である。たとえば基板がガリウムヒソで薄膜もガリウ
ムヒソの場合は、砒素の水素化物と、ガリウムの有機金
属化合物を水素ガスとともに用いる。あるいは薄膜がＺ
ｎＳｅである場合は、Ｚｎの有機金属化合物と、Ｓｅの
水素化物が原料となる。
【０００２】
【従来の技術】薄膜気相成長装置は横型と縦型の２種類
がある。これはガスの流れる方向による分類である。縦
型の装置は円筒状の反応容器を用い、上方から原料ガス
を流すものである。基板はサセプタに水平に支持され
る。サセプタは回転軸のまわりに回転する。円周方向の
薄膜成長の均一性を高めるためである。基板は水平であ
るし回転するので薄膜成長の均一性が良い。しかし原料
ガスが基板に対して垂直に衝突しガスの流れが円滑でな
い。流路が広くてガス流れを速くすることができないの
で、成長速度が遅いなどという欠点がある。
がある。これはガスの流れる方向による分類である。縦
型の装置は円筒状の反応容器を用い、上方から原料ガス
を流すものである。基板はサセプタに水平に支持され
る。サセプタは回転軸のまわりに回転する。円周方向の
薄膜成長の均一性を高めるためである。基板は水平であ
るし回転するので薄膜成長の均一性が良い。しかし原料
ガスが基板に対して垂直に衝突しガスの流れが円滑でな
い。流路が広くてガス流れを速くすることができないの
で、成長速度が遅いなどという欠点がある。
【０００３】横型の薄膜気相成長装置は、横に長い反応
容器（リアクタ）を用いる。内部にグラファイトなどの
傾斜サセプタを設ける。サセプタの上に基板を置く。基
板とサセプタはランプやヒータによって加熱される。原
料ガスは一方の端から反応容器に導入される。原料ガス
は水平方向に流れる。原料ガスが基板の近傍で気相反応
を起こす。この反応生成物が基板の上に堆積し薄膜とな
る。いずれの形式も用いられる。それぞれ長所と短所が
ある。横型の気相成長装置は原料ガスの流れがスムーズ
で基板に対する原料ガスの当たりが柔らかであるという
利点がある。流路を狭くすることができるので、原料ガ
スのスピードが速くなる。成長速度を高めることができ
る。
容器（リアクタ）を用いる。内部にグラファイトなどの
傾斜サセプタを設ける。サセプタの上に基板を置く。基
板とサセプタはランプやヒータによって加熱される。原
料ガスは一方の端から反応容器に導入される。原料ガス
は水平方向に流れる。原料ガスが基板の近傍で気相反応
を起こす。この反応生成物が基板の上に堆積し薄膜とな
る。いずれの形式も用いられる。それぞれ長所と短所が
ある。横型の気相成長装置は原料ガスの流れがスムーズ
で基板に対する原料ガスの当たりが柔らかであるという
利点がある。流路を狭くすることができるので、原料ガ
スのスピードが速くなる。成長速度を高めることができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＺｎＳｅ薄膜を、ガリ
ウムヒソＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板の上に成長さ
せる場合、Ｚｎの有機金属とＳｅの水素化物を原料ガス
として用いる。Ｚｎの有機金属としてはＤＭＺ（ジメチ
ルＺｎ）、ＤＥＺ（ジエチルＺｎ）などがある。これと
Ｓｅの水素化物とは常温でも反応する。そこで両者の原
料ガスが反応容器の入り口で混合すると、そこで反応が
起こってしまう。これを避けるために、一方の原料ガス
のパイプを基板の近傍まで延ばしここからその原料ガス
を基板に向けて噴出するようにすることが提案されてい
る。ガスの流れは一方的であるので、２種類のガスが基
板の直前で初めて混合されるということになる。そして
基板の極近くで反応し反応生成物が基板に薄膜として堆
積することになる。
ウムヒソＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板の上に成長さ
せる場合、Ｚｎの有機金属とＳｅの水素化物を原料ガス
として用いる。Ｚｎの有機金属としてはＤＭＺ（ジメチ
ルＺｎ）、ＤＥＺ（ジエチルＺｎ）などがある。これと
Ｓｅの水素化物とは常温でも反応する。そこで両者の原
料ガスが反応容器の入り口で混合すると、そこで反応が
起こってしまう。これを避けるために、一方の原料ガス
のパイプを基板の近傍まで延ばしここからその原料ガス
を基板に向けて噴出するようにすることが提案されてい
る。ガスの流れは一方的であるので、２種類のガスが基
板の直前で初めて混合されるということになる。そして
基板の極近くで反応し反応生成物が基板に薄膜として堆
積することになる。
【０００５】ところがこのような一方の原料ガスの供給
口を基板の極めて近くに設けたものにはなお欠点があ
る。ひとつは種類の異なるいくつもの薄膜を次々に形成
してゆく場合である。この場合反応容器の入り口側の先
端にガスの動きの鈍いデッドスペースが発生する。多層
膜を作るには、原料ガスを短い時間で切り替えなければ
ならない。ところが広いデッドスペースがあると、以前
のガスがデッドスペースに残留する。新しく切り替えら
れた原料ガスが、古いガスを追い出してこの空間を満た
すのに時間が掛かる。この間に成長した薄膜は、直前の
材料と現在の材料の混合物を含むようになる。ために多
層膜の境界での組成の変化が鈍くなる。急峻な境界を得
ることができない。
口を基板の極めて近くに設けたものにはなお欠点があ
る。ひとつは種類の異なるいくつもの薄膜を次々に形成
してゆく場合である。この場合反応容器の入り口側の先
端にガスの動きの鈍いデッドスペースが発生する。多層
膜を作るには、原料ガスを短い時間で切り替えなければ
ならない。ところが広いデッドスペースがあると、以前
のガスがデッドスペースに残留する。新しく切り替えら
れた原料ガスが、古いガスを追い出してこの空間を満た
すのに時間が掛かる。この間に成長した薄膜は、直前の
材料と現在の材料の混合物を含むようになる。ために多
層膜の境界での組成の変化が鈍くなる。急峻な境界を得
ることができない。
【０００６】もうひとつの難点は、従来の原料ガスの導
入口が単純な円形断面のものであったので、ガスを切り
替えたときに、ガス流が乱れる、ということである。ガ
スが乱流になると、気相反応が空間的に不均一になり薄
膜の組成や膜厚が不均一になる。
入口が単純な円形断面のものであったので、ガスを切り
替えたときに、ガス流が乱れる、ということである。ガ
スが乱流になると、気相反応が空間的に不均一になり薄
膜の組成や膜厚が不均一になる。
【０００７】このような難点を克服し、デッドスペース
が発生せず、原料ガスを切り替えたときも乱流になら
ず、膜質の一様な薄膜を成長させることのできる気相成
長装置を提供することが本発明の目的である。
が発生せず、原料ガスを切り替えたときも乱流になら
ず、膜質の一様な薄膜を成長させることのできる気相成
長装置を提供することが本発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の気相成長装置
は、原料ガスを吹き込むためのノズルを上下２段に設
け、一方のノズルは基板の近傍まで伸びて開口させ、他
のノズルはそれよりも後方に開口させる。またノズルの
前端にパージガス吹き込み口を設けてノズルの前端から
パージガスを吹き込む。２段のノズル形状を反応容器の
断面形状と相似のものとするのが望ましい。
は、原料ガスを吹き込むためのノズルを上下２段に設
け、一方のノズルは基板の近傍まで伸びて開口させ、他
のノズルはそれよりも後方に開口させる。またノズルの
前端にパージガス吹き込み口を設けてノズルの前端から
パージガスを吹き込む。２段のノズル形状を反応容器の
断面形状と相似のものとするのが望ましい。
【０００９】
【作用】二つの種類の原料ガスを導入するための原料ガ
スノズルを基板の近傍まで近付けている。基板の近くへ
ゆくまで原料ガスが混合しないので、基板前方での気相
反応を防ぐことができる。ノズルの前端部からパージガ
スを吹き込むが、パージガスのために原料ガスが滞留し
たり後退したりせず、ノズルから出たあとは層流状態を
維持したまま基板にまで到達する。パージガスの作用で
デッドスペースができない。ために多層膜を形成するた
めに原料ガスを切り替えたときに以前の原料ガスが反応
容器に残留するということがなく、薄膜の境界の組成変
化が速い。原料ガスが層流状態で基板に至るので、均一
性の高い薄膜成長を行なうことができる。パージガスと
いうのは、例えば水素、あるいは窒素などである。ガリ
ウム砒素やＺｎＳｅの場合はパージガスは水素である。
スノズルを基板の近傍まで近付けている。基板の近くへ
ゆくまで原料ガスが混合しないので、基板前方での気相
反応を防ぐことができる。ノズルの前端部からパージガ
スを吹き込むが、パージガスのために原料ガスが滞留し
たり後退したりせず、ノズルから出たあとは層流状態を
維持したまま基板にまで到達する。パージガスの作用で
デッドスペースができない。ために多層膜を形成するた
めに原料ガスを切り替えたときに以前の原料ガスが反応
容器に残留するということがなく、薄膜の境界の組成変
化が速い。原料ガスが層流状態で基板に至るので、均一
性の高い薄膜成長を行なうことができる。パージガスと
いうのは、例えば水素、あるいは窒素などである。ガリ
ウム砒素やＺｎＳｅの場合はパージガスは水素である。
【００１０】またノズルの形状を反応容器の形状と同じ
ようにすれば、パージガスの流れる流路の断面が一様に
なるから、パージガスの流れは均一であり、原料ガスの
流れを乱さない。
ようにすれば、パージガスの流れる流路の断面が一様に
なるから、パージガスの流れは均一であり、原料ガスの
流れを乱さない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例に係る薄膜気相成長装
置の概略断面図である。図２、図３、図４は、図１のＸ
−Ｘ，Ｙ−Ｙ，Ｚ−Ｚ断面図である。横長の反応容器１
は円筒状の容器である。石英管などで作られる。内部に
は前方に傾斜したサセプタ２が支持シャフト３の先端に
設けられる。サセプタ２の外周部にはこれを加熱するた
めの高周波加熱コイル４が設けられる。
置の概略断面図である。図２、図３、図４は、図１のＸ
−Ｘ，Ｙ−Ｙ，Ｚ−Ｚ断面図である。横長の反応容器１
は円筒状の容器である。石英管などで作られる。内部に
は前方に傾斜したサセプタ２が支持シャフト３の先端に
設けられる。サセプタ２の外周部にはこれを加熱するた
めの高周波加熱コイル４が設けられる。
【００１２】反応容器１の前方には原料ガスとパージガ
スを導入するためのノズル機構がある。反応容器１の前
方フランジ５にはノズルフランジ６がＯリング７を介し
て固定される。ノズルフランジ６は円筒状の容器である
が、これの内部には２段になったノズル体８が着装され
ている。ノズル体８はノズルフランジ６により確実に支
持されているのであるがここでは支持棒などの図示を略
す。ノズルフランジ６には外側に周回ガス通路９があ
る。
スを導入するためのノズル機構がある。反応容器１の前
方フランジ５にはノズルフランジ６がＯリング７を介し
て固定される。ノズルフランジ６は円筒状の容器である
が、これの内部には２段になったノズル体８が着装され
ている。ノズル体８はノズルフランジ６により確実に支
持されているのであるがここでは支持棒などの図示を略
す。ノズルフランジ６には外側に周回ガス通路９があ
る。
【００１３】周回ガス通路９には外部からパージガスを
導入するためのパージガス導入管１０が設けられる。ノ
ズルフランジ６の内壁には複数のパージガス引き込み口
１１が半径方向に穿孔されている。パージガスがパージ
ガス導入管１０から周回ガス通路９を通り、パージガス
引き込み口１１を経て、反応容器１の前方の最外部の領
域である前部外周空間１２に入る。パージガスはこの空
間を層流となって進行する。パージガスは水素、窒素な
どである。目的によりパージガスの種類を選ぶべきであ
る。
導入するためのパージガス導入管１０が設けられる。ノ
ズルフランジ６の内壁には複数のパージガス引き込み口
１１が半径方向に穿孔されている。パージガスがパージ
ガス導入管１０から周回ガス通路９を通り、パージガス
引き込み口１１を経て、反応容器１の前方の最外部の領
域である前部外周空間１２に入る。パージガスはこの空
間を層流となって進行する。パージガスは水素、窒素な
どである。目的によりパージガスの種類を選ぶべきであ
る。
【００１４】サセプタ２の上には基板１３が戴置され
る。基板１３は原料ガスに対して斜めになっており、ガ
スの当たりが柔らかい。
る。基板１３は原料ガスに対して斜めになっており、ガ
スの当たりが柔らかい。
【００１５】前記のノズル体８は基板１３に向いて開口
する２段のノズル構造を有する。図５はノズル体８のみ
の斜視図である。上部のノズルをＡノズル１４と呼ぶ。
下部のノズルをＢノズル１５と呼ぶ。いずれも基板の近
くでは矩形断面で断面積もほぼ一様である。しかしノズ
ルフランジ６の近傍では二つが狭い流路になっており円
形の取り付け基部１６となっている。取り付け基部１６
の端面にはＡノズル１４とＢノズル１５に連通する吹き
込み口１７、１８が開口している。これら両者の吹き込
み口を分離するために、Ｏリング１９が介装される。
する２段のノズル構造を有する。図５はノズル体８のみ
の斜視図である。上部のノズルをＡノズル１４と呼ぶ。
下部のノズルをＢノズル１５と呼ぶ。いずれも基板の近
くでは矩形断面で断面積もほぼ一様である。しかしノズ
ルフランジ６の近傍では二つが狭い流路になっており円
形の取り付け基部１６となっている。取り付け基部１６
の端面にはＡノズル１４とＢノズル１５に連通する吹き
込み口１７、１８が開口している。これら両者の吹き込
み口を分離するために、Ｏリング１９が介装される。
【００１６】Ａノズル１４とＢノズル１５は吹き込み口
から基板側の上開口２０、下開口２１まで完全に分離さ
れている。ノズル体８は二つの流路を確保するために、
上板２２、中板２３、下板２４、側板２５、側板２６か
ら形成される。Ａノズル１４とＢノズル１５の両方とも
に、流路の断面積が中間で増加している。これによりガ
スの速度が低下し一定速度の整流になる。Ｏリング１９
と、Ｏリング２７を介して、ノズル体８をノズルフラン
ジ６に取り付ける。ノズルフランジ６の端面にはＡガス
導入口２８とＢガス導入口２９が穿孔されている。
から基板側の上開口２０、下開口２１まで完全に分離さ
れている。ノズル体８は二つの流路を確保するために、
上板２２、中板２３、下板２４、側板２５、側板２６か
ら形成される。Ａノズル１４とＢノズル１５の両方とも
に、流路の断面積が中間で増加している。これによりガ
スの速度が低下し一定速度の整流になる。Ｏリング１９
と、Ｏリング２７を介して、ノズル体８をノズルフラン
ジ６に取り付ける。ノズルフランジ６の端面にはＡガス
導入口２８とＢガス導入口２９が穿孔されている。
【００１７】ノズルフランジ６にノズル体８を取り付け
ると３つの異なるガス流路ができる。ひとつはＡガス導
入口２８、吹き込み口１７、Ａノズル１４、上開口２０
を通り、基板１３の上方位置に至るガス通路である。い
まひとつはＢガス導入口２９、吹き込み口１８、Ｂノズ
ル１５、下開口２１を通り、基板１３の下方位置に至る
ガス通路である。最後のひとつはパージガス導入管１
０、周回ガス通路９、パージガス引き込み口１１、前部
外周空間１２を通り、反応容器１の周縁部を通るガス通
路である。
ると３つの異なるガス流路ができる。ひとつはＡガス導
入口２８、吹き込み口１７、Ａノズル１４、上開口２０
を通り、基板１３の上方位置に至るガス通路である。い
まひとつはＢガス導入口２９、吹き込み口１８、Ｂノズ
ル１５、下開口２１を通り、基板１３の下方位置に至る
ガス通路である。最後のひとつはパージガス導入管１
０、周回ガス通路９、パージガス引き込み口１１、前部
外周空間１２を通り、反応容器１の周縁部を通るガス通
路である。
【００１８】Ａノズル１４には、例えばＺｎの有機金属
ガスを通す。Ｂノズル１５には、Ｓｅや硫黄Ｓの水素化
物のガスを通す。これらのガスはより基板側まで伸びて
いる上開口２０よりもさらに基板側の空間で初めて接触
する。ここで気相反応が初めて起こる。Ａノズル１４や
Ｂノズル１５の形状が平面的であるのは、ここから流れ
出る原料ガスが短時間で混合し、混合ガスが基板１３に
均一に接触するためである。このために基板の直径より
も、Ａノズル１４やＢノズル１５の開口２０、２１の横
幅Ｗを広くしている。基板１３がすっぽりと開口２０、
２１に入る程度であれば開口２０、２１から出るガスが
一様に基板面に接触してゆく。Ａノズル１４とＢノズル
１５の開口の断面積はガス流量に比例するようにすれ
ば、出口での流れが乱れない。
ガスを通す。Ｂノズル１５には、Ｓｅや硫黄Ｓの水素化
物のガスを通す。これらのガスはより基板側まで伸びて
いる上開口２０よりもさらに基板側の空間で初めて接触
する。ここで気相反応が初めて起こる。Ａノズル１４や
Ｂノズル１５の形状が平面的であるのは、ここから流れ
出る原料ガスが短時間で混合し、混合ガスが基板１３に
均一に接触するためである。このために基板の直径より
も、Ａノズル１４やＢノズル１５の開口２０、２１の横
幅Ｗを広くしている。基板１３がすっぽりと開口２０、
２１に入る程度であれば開口２０、２１から出るガスが
一様に基板面に接触してゆく。Ａノズル１４とＢノズル
１５の開口の断面積はガス流量に比例するようにすれ
ば、出口での流れが乱れない。
【００１９】ノズル８は始めは、細径であり、前方へ進
行するとともに広がり、しかも扁平になり角型の断面に
なってくる。異型のノズルであるが、これは石英管から
作製することができる。あるいはステンレスでも作製す
ることができる。高周波加熱の場合は反応容器は石英管
のようなもので作る。この場合、反応容器もノズル体８
も石英である。しかしヒータは抵抗加熱ヒータを内蔵す
るようにしても良い。この場合は、反応容器をステンレ
ス等の金属製とすることができる。
行するとともに広がり、しかも扁平になり角型の断面に
なってくる。異型のノズルであるが、これは石英管から
作製することができる。あるいはステンレスでも作製す
ることができる。高周波加熱の場合は反応容器は石英管
のようなもので作る。この場合、反応容器もノズル体８
も石英である。しかしヒータは抵抗加熱ヒータを内蔵す
るようにしても良い。この場合は、反応容器をステンレ
ス等の金属製とすることができる。
【００２０】Ａノズル１４はより基板に近い所で開口し
ているので、Ｂノズル１５の材料と混合するのは、基板
の直前においてである。従って基板に到達するまでに低
温域で反応し材料の損失を引き起こすということがな
い。また反応生成物が反応容器の前方の空間に付着しな
いので、これにより薄膜が汚染される恐れがない。
ているので、Ｂノズル１５の材料と混合するのは、基板
の直前においてである。従って基板に到達するまでに低
温域で反応し材料の損失を引き起こすということがな
い。また反応生成物が反応容器の前方の空間に付着しな
いので、これにより薄膜が汚染される恐れがない。
【００２１】デッドスペースについて述べる。このよう
にＡノズル１４、Ｂノズル１５をともに反応容器１の奥
深くまで差し込んでいると、反応容器の上流側にデッド
スペースができるはずである。しかし、本発明では反応
容器１の上流側からパージガスを流しているので、ガス
の流れが逆流するということがない。常にパージガスが
流れているので原料ガスが反応容器を逆流し前部に滞留
するということがない。パージガスはデッドスペースを
なくすということの他に、壁面に反応生成物が付着する
のを防ぐことができるという利点もある。
にＡノズル１４、Ｂノズル１５をともに反応容器１の奥
深くまで差し込んでいると、反応容器の上流側にデッド
スペースができるはずである。しかし、本発明では反応
容器１の上流側からパージガスを流しているので、ガス
の流れが逆流するということがない。常にパージガスが
流れているので原料ガスが反応容器を逆流し前部に滞留
するということがない。パージガスはデッドスペースを
なくすということの他に、壁面に反応生成物が付着する
のを防ぐことができるという利点もある。
【００２２】ノズルの開口の高さＨと、幅Ｗは自在に設
定することのできるパラメータである。
定することのできるパラメータである。
【００２３】
【発明の効果】本発明の気相成長装置は、二本のガスノ
ズルを上下に持ち、一本は基板の極近くに開口し、他方
も基板の近くに開口している。さらにパージガスを反応
容器の前端の外周部から吹き込んでいる。このためにつ
ぎのような効果をもたらす。 １．パージガスを吹き込むので反応容器内にデッドスペ
ースが発生しない。 ２．ガスの流れが層流になる。 ３．原料ガスの切り替えをしたとき、残留ガスが残ら
ず、反応容器内のガスが急速に新しいガスによって置換
される。境界での組成変化のはっきりした多層膜を成長
させることができる。
ズルを上下に持ち、一本は基板の極近くに開口し、他方
も基板の近くに開口している。さらにパージガスを反応
容器の前端の外周部から吹き込んでいる。このためにつ
ぎのような効果をもたらす。 １．パージガスを吹き込むので反応容器内にデッドスペ
ースが発生しない。 ２．ガスの流れが層流になる。 ３．原料ガスの切り替えをしたとき、残留ガスが残ら
ず、反応容器内のガスが急速に新しいガスによって置換
される。境界での組成変化のはっきりした多層膜を成長
させることができる。
【００２４】４．２種類のガスを基板の直前で混合する
ことができる。 ５．ノズルの吹き出し口の形状を最適化することによ
り、膜厚均一性の良い成膜が可能である。 ６．パージガスを流しているので、反応容器の内壁に反
応生成物が付着するのを防止することができる。これに
より不純物が薄膜に含まれるのを防ぎ、高純度の薄膜形
成をすることができる。
ことができる。 ５．ノズルの吹き出し口の形状を最適化することによ
り、膜厚均一性の良い成膜が可能である。 ６．パージガスを流しているので、反応容器の内壁に反
応生成物が付着するのを防止することができる。これに
より不純物が薄膜に含まれるのを防ぎ、高純度の薄膜形
成をすることができる。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜気相成長の全体断面
図。
図。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面図。
【図３】図１のＹ−Ｙ断面図。
【図４】図１のＺ−Ｚ断面図。
【図５】ノズル体の斜視図。
１ 反応容器 ２ サセプタ ３ 支持シャフト ４ 高周波加熱コイル ５ 前方フランジ ６ ノズルフランジ ７ Ｏリング ８ ノズル体 ９ 周回ガス通路 １０ パージガス導入管 １１ パージガス引き込み口 １２ 前部外周空間 １３ 基板 １４ Ａノズル １５ Ｂノズル １６ 取り付け基部 １７ 吹き込み口 １８ 吹き込み口 １９ Ｏリング ２０ 上開口 ２１ 下開口 ２２ 上板 ２３ 中板 ２４ 下板 ２５ 側板 ２６ 側板 ２７ Ｏリング ２８ Ａガス導入口 ２９ Ｂガス導入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−66621（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226257（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−13331（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216030（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90161（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−279024（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−10667（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−313826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−226887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−66622（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−125368（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 C30B 25/14 H01L 21/365
Claims (2)
- 【請求項１】 横長の反応容器１と、反応容器１の中に
収容され基板１３を保持するサセプタ２と、サセプタ２
を加熱するためのヒータと、反応容器１の上流側から反
応容器に挿入され上下２段になったＡノズル１４とＢノ
ズル１５よりなるノズル体８と、Ａノズル１４に原料ガ
スを供給するためのＡガス導入口と、Ｂノズル１５に異
なる原料ガスを供給するＢガス導入口と、反応容器１の
周辺部にパージガスを導入するパージガス導入管とを含
み、Ａノズル１４の開口が基板の直前にあり、Ｂノズル
１５の開口も基板の近くにあって、異なる原料ガスが基
板の直前で混合し、パージガスはノズル体８の周囲を流
れて原料ガスの逆流、滞留を防ぐようにしたことを特徴
とする薄膜気相成長装置。 - 【請求項２】 横長の反応容器１と、反応容器１の中に
収容され基板１３を保持するサセプタ２と、サセプタ２
を加熱するためのヒータと、反応容器１の上流側から反
応容器に同心状に挿入され上下２段になったＡノズル１
４とＢノズル１５よりなるノズル体８と、Ａノズル１４
に原料ガスを供給するためのＡガス導入口と、Ｂノズル
１５に異なる原料ガスを供給するＢガス導入口と、反応
容器１の周辺部にパージガスを導入するパージガス導入
管とを含み、ノズル体８は反応容器と相似形の断面を持
ち、開口の近傍では、Ａノズル１４、Ｂノズル１５は平
坦な矩形断面を持ち、Ａノズル１４の開口が基板の直前
にあり、Ｂノズル１５の開口も基板の近くにあって、異
なる原料ガスが基板の直前で混合し、パージガスはノズ
ル体８の周囲を流れて原料ガスの逆流、滞留を防ぐよう
にしたことを特徴とする薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751193A JP2845105B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751193A JP2845105B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778773A JPH0778773A (ja) | 1995-03-20 |
| JP2845105B2 true JP2845105B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=17164572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24751193A Expired - Fee Related JP2845105B2 (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845105B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924023A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 日本派欧尼株式会社 | Iii族氮化物半导体的气相生长装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69732722T2 (de) * | 1996-03-22 | 2006-02-02 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | CVD Verfahren |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP24751193A patent/JP2845105B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924023A (zh) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | 日本派欧尼株式会社 | Iii族氮化物半导体的气相生长装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0778773A (ja) | 1995-03-20 |
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